CN114497330B - 一种to紫外器件封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种TO紫外器件封装结构，涉及半导体封装技术领域，陶瓷模块安装在底座上，正面焊盘和底端焊盘分别安装于陶瓷模块的上下端面，多个侧面焊盘围绕陶瓷模块的外侧壁安装，不同的侧面焊盘能够与正面焊盘对应的不同部位导通，深紫外发射芯片安装于正面焊盘上，多个探测芯片分别安装于各侧面焊盘上，多个电极柱依次穿过底座、底端焊盘和陶瓷模块，并与正面焊盘的不同部位导通，正面焊盘的不同部位还能够分别导通深紫外发射芯片和通过侧面焊盘导通探测芯片，并使探测芯片能够接收到深紫外发射芯片发出的信号。该TO紫外器件封装结构能够达到单一器件同时具有深紫外发射与360度接收的光通信技术要求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，具体是涉及一种TO紫外器件封装结构。
背景技术
深紫外发光二极管（UVC LED）具有可靠性高、寿命长、反应快、功耗低、环保无污染和体型小等优势，被广泛应用于紫外光通信、杀菌消毒等领域。其紫外光通信具有灵活、低窃听、全方位和非视距通信的独特优势，紫外线光子主要应用于短距离的、高保密性等重要通信领域，深紫外光子在大气中的散射作用使紫外光的能量传输方向发生改变，这也为紫外光通信奠定了通信基础。但目前深紫外发光二极管发射器件与深紫外信号接收器件为分开器件设计，单一深紫外信号接收器件接收信号角度为180度，无法实现360度深紫外信号接收。
发明内容
本发明的目的是提供一种TO紫外器件封装结构，以解决上述现有技术存在的问题，达到单一器件同时具有深紫外发射与360度接收的光通信技术要求。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
本发明提供了一种TO紫外器件封装结构，包括底座、陶瓷模块、底端焊盘、正面焊盘、侧面焊盘、深紫外发射芯片、探测芯片、顶端透镜和电极柱，所述陶瓷模块安装在所述底座上，且所述正面焊盘和所述底端焊盘分别安装于所述陶瓷模块的上端面和下端面，所述侧面焊盘为多个且围绕所述陶瓷模块的外侧壁安装，不同的所述侧面焊盘能够与所述正面焊盘对应的不同部位导通，所述深紫外发射芯片安装于所述正面焊盘上，所述探测芯片为多个，且分别安装于各所述侧面焊盘上，所述电极柱为多个，且均依次穿过所述底座、所述底端焊盘和所述陶瓷模块，并与所述正面焊盘的不同部位导通，所述正面焊盘的不同部位还能够分别导通所述深紫外发射芯片和通过所述侧面焊盘导通所述探测芯片，并使所述探测芯片能够接收到所述深紫外发射芯片发出的信号，所述顶端透镜位于所述深紫外发射芯片的上方。
优选地，所述正面焊盘包括第一正面焊盘、第二正面焊盘、第三正面焊盘和第四正面焊盘，且所述深紫外发射芯片安装于所述第一正面焊盘和所述第二正面焊盘的上端面，所述第三正面焊盘和所述第四正面焊盘能够通过所述侧面焊盘与所述探测芯片导通。
优选地，所述底座的底端外缘设有环形台阶，且所述底座上开设有多个第一通孔，所述底端焊盘上对应各所述第一通孔的位置开设有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均用于所述电极柱的通过。
优选地，所述第二通孔的内径大于所述第一通孔的内径。
优选地，各所述第一通孔内均安装有一绝缘套，所述绝缘套的两端开口，且一个所述绝缘套内部同轴安装一个所述电极柱。
优选地，还包括一环形透镜，所述环形透镜套设于所述底座和所述陶瓷模块外周，且所述环形透镜的下端与所述环形台阶的上端面接触，所述环形透镜的上端与所述顶端透镜的下端固定，所述环形透镜位于各所述探测芯片的外部。
优选地，还包括一管帽，所述管帽套设于所述环形透镜外周，且所述管帽的下端与所述环形台阶的上端面接触，且所述管帽下端的外缘与所述环形台阶的外缘平齐，所述管帽的上端高于所述顶端透镜下端的环形边缘，且低于所述顶端透镜的上端，所述管帽上对应各所述侧面焊盘的位置均开设有光出口。
优选地，所述陶瓷模块的侧壁设有四个平面结构，且所述平面结构围绕所述陶瓷模块的侧壁均匀设置，相邻的所述平面结构之间不接触，一个所述平面结构上对应安装一个所述侧面焊盘，且所述侧面焊盘分为第一侧面焊盘和第二侧面焊盘；所述陶瓷模块上设有多个第三通孔，所述第三通孔用于所述电极柱的通过；还包括第一金属柱和第二金属柱，且所述第一金属柱和所述第二金属柱分别固定在不同的所述平面结构上，所述第一金属柱能够通过所述第一侧面焊盘导通所述侧面焊盘的下层线路和所述第四正面焊盘，所述第二金属柱能够通过所述第二侧面焊盘导通所述侧面焊盘的上层线路和所述第三正面焊盘。
优选地，所述陶瓷模块的上端面对应所述第一金属柱和所述第二金属柱的位置还开设有正面通孔槽，且两个所述正面通孔槽能够分别与所述第一金属柱和所述第二金属柱导通，各所述平面结构上均开设有侧面通孔，且所述侧面通孔内部能够电镀铜金属，并通过电镀铜金属导通所述金属柱和所述侧面焊盘。
优选地，各所述探测芯片的正极和正极对应、负极和负极对应。
本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：
本发明提供的TO紫外器件封装结构，正面焊盘和底端焊盘分别安装于陶瓷模块的上端面和下端面，侧面焊盘为多个且围绕陶瓷模块的外侧壁安装，不同的侧面焊盘能够与正面焊盘对应的不同部位导通，进而便于实现对安装于正面焊盘上的深紫外发射芯片和安装于各侧面焊盘上端的探测芯片进行电路导通，正面焊盘的不同部位还能够分别导通深紫外发射芯片和通过侧面焊盘导通探测芯片，并使探测芯片能够接收到深紫外发射芯片发出的信号，同时周向设置的侧面焊盘和探测芯片，能够实现单一TO器件正面发射深紫外光子信号，侧面接收来自360°的深紫外光子信号，达到TO紫外器件集发射深紫外信号和接收深紫外信号于一体的要求，简化***结构，顶端透镜位于深紫外发射芯片的上方，进而能够实现聚光功能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的TO紫外器件封装结构的结构示意图；
图2是图1的剖视图；
图3是图1的***图；
图4是本发明提供的TO紫外器件封装结构的内部结构示意图；
图5是本发明中陶瓷模块外部线路示意图；
图6是本发明中陶瓷模块的结构示意图；
图7是本发明中帽盖的结构示意图；
图8是本发明中环形透镜的结构示意图；
图中：100-TO紫外器件封装结构，1-管帽，2-顶端透镜，3-环形透镜，4-深紫外发射芯片，5-正面焊盘，6-陶瓷模块，7-探测芯片，8-侧面焊盘，9-底端焊盘，10-底座，11-绝缘套，12-电极柱，13-光出口，14-环形边缘，15-第三通孔，16-正面通孔槽，17-第一金属柱，18-侧面通孔，19-第二通孔，20-第一通孔，21-环形台阶，22-平面结构，23-第一正面焊盘，24-第二正面焊盘，25-第三正面焊盘，26-第四正面焊盘，27-第一侧面焊盘，28-第二侧面焊盘，29-帽沿，30-第二金属柱。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种TO紫外器件封装结构，以解决现有的TO紫外器件为分体设计，无法实现单一TO紫外器件既能发射深紫外信号又能接收深紫外信号、结构复杂的技术问题。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1-图8所示，本发明提供一种TO紫外器件封装结构100，包括底座10、陶瓷模块6、底端焊盘9、正面焊盘5、侧面焊盘8、深紫外发射芯片4、探测芯片7、顶端透镜2和电极柱12，陶瓷模块6安装在底座10上，且底座10为金属材料制成，作为整个封装结构的支撑载体，正面焊盘5和底端焊盘9分别安装于陶瓷模块6的上端面和下端面，便于实现电路的导通，且正面焊盘5、底端焊盘9和侧面焊盘8均为电镀铜金属形成，形成金属线路焊盘结构，并通过金属焊料焊接与陶瓷模块6形成一整体，侧面焊盘8为多个且围绕陶瓷模块6的外侧壁安装，不同的侧面焊盘8能够与正面焊盘5对应的不同部位导通，进而便于实现对安装于正面焊盘5上的深紫外发射芯片4和安装于各侧面焊盘8上端的探测芯片7进行电路导通，电极柱12为多个，且均依次穿过底座10、底端焊盘9和陶瓷模块6，并与正面焊盘5的不同部位导通，正面焊盘5的不同部位还能够分别导通深紫外发射芯片4和通过侧面焊盘8导通探测芯片7，并使探测芯片7能够接收到深紫外发射芯片4发出的信号，同时周向设置的侧面焊盘8和探测芯片7，能够实现单一TO器件正面发射深紫外光子信号，侧面接收来自360°的深紫外光子信号，达到TO紫外器件集发射深紫外信号和接收深紫外信号于一体的要求，简化***结构，顶端透镜2位于深紫外发射芯片4的上方，进而能够实现聚光功能，顶端透镜2的下端外周设有一圈环形边缘14。
具体地，如图5所示，正面焊盘5包括第一正面焊盘23、第二正面焊盘24、第三正面焊盘25和第四正面焊盘26，且正面焊盘5中的各相邻焊盘之间不直接接触，深紫外发射芯片4安装于第一正面焊盘23和第二正面焊盘24的上端面，并通过高温进行焊接固定，第三正面焊盘25和第四正面焊盘26能够通过侧面焊盘8与探测芯片7导通，进而便于实现通过深紫外发射芯片4正面发射深紫外信号，通过探测芯片7实现侧面接收深紫外信号。
底座10的底端外缘设有环形台阶21，环形台阶21的设置能够便于其它部件的安装，底座10上开设有多个第一通孔20，底端焊盘9上对应各第一通孔20的位置开设有第二通孔19，第一通孔20和第二通孔19均用于电极柱12的通过，以便于实现电路的导通。优选的，底座10通过模具一体冲压成型，生产工艺简单。
第二通孔19的内径大于第一通孔20的内径，进而防止电极柱12安装时与底端焊盘9出现短路异常。
各第一通孔20内均安装有一绝缘套11，第一通孔20的内径与绝缘套11的外径相等，第一通孔20内壁涂覆有高温粘合剂，实现绝缘套11和底座10的高温粘合固定，绝缘套11的两端开口，且一个绝缘套11内部同轴安装一个电极柱12，且电极柱12的上端伸出绝缘套11，通过绝缘套11对电极柱12进行固定和绝缘。
本发明提供的TO紫外器件封装结构100还包括一环形透镜3，环形透镜3套设于底座10和陶瓷模块6外周，且环形透镜3的下端与环形台阶21的上端面接触，并通过金属焊料高温焊接固定，环形透镜3的上端与顶端透镜2的下端固定，环形透镜3位于各探测芯片7的外部，进而用于对探测芯片7起到保护作用，延长整体使用寿命，同时还提高整体美观性。
本发明提供的TO紫外器件封装结构100还包括一管帽1，管帽1套设于环形透镜3外周，且管帽1的下端与环形台阶21的上端面接触，管帽1下端的外缘与环形台阶21的外缘平齐，既实现了管帽1的安装，又保证了整体美观性，同时避免电子器件外露影响美观性，管帽1的上端高于顶端透镜2下端的环形边缘14，且低于顶端透镜2的上端，优选的，如图7所示，在管帽1的下端设有一圈帽沿29，帽沿29的下端面与顶端透镜2的环形边缘14上端面接触并固定，以实现稳定安装，管帽1上对应各侧面焊盘8的位置均开设有光出口13，避免影响探测芯片7对深紫外信号的接收。优选的，管帽1通过模具一体挤压成型。
如图4所示，陶瓷模块6的侧壁设有四个平面结构22，各平面结构22均与陶瓷模块6的轴向平行，且平面结构22围绕陶瓷模块6的侧壁均匀设置，进而便于侧面焊盘8和探测芯片7的安装，相邻的平面结构22之间不接触，一个平面结构22上对应安装一个侧面焊盘8，且侧面焊盘8分为第一侧面焊盘27和第二侧面焊盘28，第一侧面焊盘27用于导通下层线路，第二侧面焊盘28用于导通上层线路；陶瓷模块6上设有多个第三通孔15，第三通孔15用于电极柱12的通过，第三通孔15内填充金属焊料，通过高温把陶瓷模块6与电极柱12的焊接在一起，形成稳定连接，第一通孔20、第二通孔19和第三通孔15的位置一一对应，均为四个，电极柱12也为四个，电极柱12能够依次穿过第一通孔20、第二通孔19和第三通孔15并与正面焊盘5中不同的焊盘导通，即四个电极柱12分别导通第一正面焊盘23、第二正面焊盘24、第三正面焊盘25和第四正面焊盘26；还包括第一金属柱17和第二金属柱30，且第一金属柱17和第二金属柱30分别固定在不同的平面结构22上，第一金属柱17能够通过第一侧面焊盘27导通侧面焊盘8的下层线路和第四正面焊盘26，第二金属柱30能够通过第二侧面焊盘28导通侧面焊盘8的上层线路和第三正面焊盘25，进而再通过第三正面焊盘25和第四正面焊盘26导通探测芯片7。优选的，陶瓷模块6的平面结构22通过铣刀加工而成。
陶瓷模块6的上端面对应第一金属柱17和第二金属柱30的位置还开设有正面通孔槽16，且两个正面通孔槽16能够分别与第一金属柱17和第二金属柱30导通，实际生产制造过程中，通过线路设计结构依次对陶瓷模块6的平面结构22进行电镀铜金属，形成一个并联的线路层结构，并通过电镀铜金属填充在正面通孔槽16内，各平面结构22上均开设有侧面通孔18，且侧面通孔18内部能够电镀铜金属，并通过电镀铜金属导通金属柱和侧面焊盘8，便于实现电路的导通。优选的，各侧面通孔18、正面通孔槽16和第三通孔15等均为通过激光在陶瓷模块6的平面结构22指定位置进行激光打孔形成。
各探测芯片7的正极和正极对应、负极和负极对应，形成多颗探测芯片7并联线路结构，实现更高的深紫外信号接收灵敏度。
在实际加工过程中，通过电镀方式，在整体结构外面依次进行电镀镍钯金材质金属。
本说明书中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种TO紫外器件封装结构，其特征在于：包括底座、陶瓷模块、底端焊盘、正面焊盘、侧面焊盘、深紫外发射芯片、探测芯片、顶端透镜和电极柱，所述陶瓷模块安装在所述底座上，且所述正面焊盘和所述底端焊盘分别安装于所述陶瓷模块的上端面和下端面，所述侧面焊盘为多个且围绕所述陶瓷模块的外侧壁安装，不同的所述侧面焊盘能够与所述正面焊盘对应的不同部位导通，所述深紫外发射芯片安装于所述正面焊盘上，所述探测芯片为多个，且分别安装于各所述侧面焊盘上，所述电极柱为多个，且均依次穿过所述底座、所述底端焊盘和所述陶瓷模块，并与所述正面焊盘的不同部位导通，所述正面焊盘的不同部位还能够分别导通所述深紫外发射芯片和通过所述侧面焊盘导通所述探测芯片，并使所述探测芯片能够接收到所述深紫外发射芯片发出的信号，所述顶端透镜位于所述深紫外发射芯片的上方；
所述正面焊盘包括第一正面焊盘、第二正面焊盘、第三正面焊盘和第四正面焊盘，且所述深紫外发射芯片安装于所述第一正面焊盘和所述第二正面焊盘的上端面，所述第三正面焊盘和所述第四正面焊盘能够通过所述侧面焊盘与所述探测芯片导通；
所述底座的底端外缘设有环形台阶，且所述底座上开设有多个第一通孔，所述底端焊盘上对应各所述第一通孔的位置开设有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均用于所述电极柱的通过；
还包括一环形透镜，所述环形透镜套设于所述底座和所述陶瓷模块外周，且所述环形透镜的下端与所述环形台阶的上端面接触，所述环形透镜的上端与所述顶端透镜的下端固定，所述环形透镜位于各所述探测芯片的外部；
所述陶瓷模块的侧壁设有四个平面结构，且所述平面结构围绕所述陶瓷模块的侧壁均匀设置，相邻的所述平面结构之间不接触，一个所述平面结构上对应安装一个所述侧面焊盘，且所述侧面焊盘分为第一侧面焊盘和第二侧面焊盘；所述陶瓷模块上设有多个第三通孔，所述第三通孔用于所述电极柱的通过；还包括第一金属柱和第二金属柱，且所述第一金属柱和所述第二金属柱分别固定在不同的所述平面结构上，所述第一金属柱能够通过所述第一侧面焊盘导通所述侧面焊盘的下层线路和所述第四正面焊盘，所述第二金属柱能够通过所述第二侧面焊盘导通所述侧面焊盘的上层线路和所述第三正面焊盘。
2.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述第二通孔的内径大于所述第一通孔的内径。
3.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：各所述第一通孔内均安装有一绝缘套，所述绝缘套的两端开口，且一个所述绝缘套内部同轴安装一个所述电极柱。
4.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：还包括一管帽，所述管帽套设于所述环形透镜外周，且所述管帽的下端与所述环形台阶的上端面接触，且所述管帽下端的外缘与所述环形台阶的外缘平齐，所述管帽的上端高于所述顶端透镜下端的环形边缘，且低于所述顶端透镜的上端，所述管帽上对应各所述侧面焊盘的位置均开设有光出口。
5.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述陶瓷模块的上端面对应所述第一金属柱和所述第二金属柱的位置还开设有正面通孔槽，且两个所述正面通孔槽能够分别与所述第一金属柱和所述第二金属柱导通，各所述平面结构上均开设有侧面通孔，且所述侧面通孔内部能够电镀铜金属，并通过电镀铜金属导通所述金属柱和所述侧面焊盘。
6.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：各所述探测芯片的正极和正极对应、负极和负极对应。
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Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1093837A (zh) * | 1992-12-24 | 1994-10-19 | 夏普公司 | 半导体激光器件 |
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| CN101384934A (zh) * | 2006-02-17 | 2009-03-11 | 菲尼萨公司 | 光接收器中防止信号反馈的分立自举电路 |
| CN101592301A (zh) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 | 用于机动车后组合灯的侧载式发光二极管模块 |
| CN102159885A (zh) * | 2008-09-23 | 2011-08-17 | 泰科电子公司 | 发光二极管互连组件 |
| CN102214623A (zh) * | 2010-04-07 | 2011-10-12 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封装体及其形成方法 |
| CN102418859A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-04-18 | 泰科电子公司 | 发光二极管光模块 |
| CN103206637A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-17 | 贵州光浦森光电有限公司 | 一种外延片式的led灯泡光机模组 |
| CN106698323A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-24 | 北京芯创睿胜科技有限公司 | 一种红外吸收结构及其与红外传感器件的集成方法 |
| CN210668281U (zh) * | 2019-12-06 | 2020-06-02 | 加特兰微电子科技(上海)有限公司 | 一种芯片测试装置及天线封装芯片 |
| CN112038464A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-04 | 东莞市华方电子技术有限公司 | 贴片元件专用焊接座、发光二极管贴片元件组件及制作方法 |
| CN212461686U (zh) * | 2020-05-27 | 2021-02-02 | 武汉云岭光电有限公司 | 一种高速光电探测器to封装结构 |
| CN214123875U (zh) * | 2020-12-21 | 2021-09-03 | 珠海市万州光电科技有限公司 | 一种红外接收头 |
| CN215266336U (zh) * | 2021-06-18 | 2021-12-21 | 四川宇邑光电科技有限公司 | 一种同轴光电二极管探测器 |
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Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1093837A (zh) * | 1992-12-24 | 1994-10-19 | 夏普公司 | 半导体激光器件 |
| TW200525789A (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-01 | Lumileds Lighting Llc | LED package assembly |
| CN101384934A (zh) * | 2006-02-17 | 2009-03-11 | 菲尼萨公司 | 光接收器中防止信号反馈的分立自举电路 |
| CN101592301A (zh) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 | 用于机动车后组合灯的侧载式发光二极管模块 |
| CN102159885A (zh) * | 2008-09-23 | 2011-08-17 | 泰科电子公司 | 发光二极管互连组件 |
| CN102214623A (zh) * | 2010-04-07 | 2011-10-12 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封装体及其形成方法 |
| CN102418859A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-04-18 | 泰科电子公司 | 发光二极管光模块 |
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| CN106698323A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-24 | 北京芯创睿胜科技有限公司 | 一种红外吸收结构及其与红外传感器件的集成方法 |
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