CN114488721A - 光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。可以大大提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。

Description

光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术

在半导体制造过程中，为将集成电路(Integrated Circuit,IC)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩模版图案，再将掩模版图案从掩模版表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路特征尺寸(Critical Dimension,CD)的缩小，以及受到曝光机台(Optical Exposure Tool,OET)的分辨率极限(Resolution Limit)的影响，在对高密度排列的掩模版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect,OPE)，使掩模板图形转移出现缺陷，造成抗蚀剂光刻之后的图案与设计图案出现差异。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(Optical Proximity Correction,OPC)，其通过改变原始掩模版图案图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。

通过光学邻近修正的掩膜版进行光刻工艺，应尽量使得抗蚀剂光刻之后各个图案处的线宽(光刻线宽)与设计线宽相同。但是抗蚀剂的厚度一般比较厚，光刻之后，在不同大小、不同类型的图案位置处的光刻线宽的测量受抗蚀剂图案的纵向轮廓和测量位置的影响较大，如果光刻线宽的测量位置不准确，将大大影响光学邻近修正的准确性。

因此，如何确定抗蚀剂图案的光刻线宽测量位置，是目前亟需解决的技术问题之一。

发明内容

针对上述问题，本申请提供了一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，解决了现有技术中光学邻近修正过程中抗蚀剂图案的光刻线宽测量位置确定困难的技术问题。

第一方面，本申请提供一种光学邻近修正方法，包括：

获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；

根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；

基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；

根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

基于所述初始掩膜版图形，对目标膜层上的抗蚀剂进行模拟曝光，得到模拟曝光后的目标抗蚀剂图形；其中，所述目标抗蚀剂图形包括分别对应各个目标图案单元的各个目标抗蚀剂图案；

基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：

根据各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，对各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽进行测量；

基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：

基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，使得修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，并输出所述修正后的掩膜版图形。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述光刻线宽测量模型通过以下步骤构建而成：

在制备不同图案参数的实际图案单元的实际曝光工艺过程中，将每个实际图案单元对应的实际抗蚀剂图案，在不同的光刻线宽测量位置进行光刻线宽测量，以得到每个实际图案单元对应的在不同的光刻线宽测量位置测量得到的实际光刻线宽数据；

根据每个实际图案单元的实际线宽，从对应的所述实际光刻线宽数据中分别筛选出与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽；其中，与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽对应的光刻线宽测量位置为每个实际图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；

对不同图案参数的实际图案单元及其对应的最佳光刻线宽测量位置进行训练，以得到所述光刻线宽测量模型。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述目标图案单元的设计线宽包括所述目标图案单元的最小设计线宽。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述图案参数还包括所述目标图案单元与相邻的另一所述目标图案单元之间的间距。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述图案参数还包括所述目标膜层中与所述目标图案单元对应部分的膜层结构。

根据本申请的实施例，可选地，上述光学邻近修正方法中，所述目标图案单元的种类包括孔状图案、沟槽状图案、线状图案和岛状图案中的至少一种。

第二方面，本申请提供一种光学邻近修正装置，包括：

图形获取模块，用于获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；

掩膜确定模块，用于根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；

预测模块，用于基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；

修正模块，用于根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

第三方面，本申请提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有计算机程序，该计算机程序被所述处理器执行时，执行如第一方面中任一项所述的光学邻近修正方法。

第四方面，本申请提供一种存储介质，该存储介质存储的计算机程序，可被一个或多个处理器执行，可用来实现如第一方面中任一项所述的光学邻近修正方法。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

本申请提供一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。本申请中，根据各个目标图案单元的图案参数，分别确定相匹配的最佳光刻线宽测量位置，以该相匹配的最佳光刻线宽测量位置来进行光学邻近修正，可以大大提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1是一种抗蚀剂图案的光刻线宽测量示意图；

图2是本申请一示例性实施例示出的一种光学邻近修正方法的流程示意图；

图3是本申请一示例性实施例示出的一种抗蚀剂图案的光刻线宽测量示意图；

图4是本申请一示例性实施例示出的一种光刻线宽测量模型的构建流程示意图；

图5是本申请一示例性实施例示出的一种光学邻近修正装置的连接框图；

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本申请的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

应理解，空间关系术语例如“在...上方”、位于...上方”、“在...下方”、“位于...下方”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下方”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下方”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本申请的实施例。这样，可以预期由于例如制备技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制备导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本申请的范围。

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。

在光学邻近修正过程中，一种抗蚀剂图案的光刻线宽测量示意图，如图1所示，为了测量方便，在不同大小、不同类型的设计图案(如图1中所示的目标图案单元1至3)对应抗蚀剂图案的光刻线宽的测量位置可以是相同的。其中，抗蚀剂图案的光刻线宽测量位置是指纵向(垂直于晶圆的方向)上的测量位置，也可以理解为，抗蚀剂图案的纵向截面的线宽测量位置，如图1中所示的水平测量线所在位置。

但是由于不同大小、不同类型的设计图案对应抗蚀剂图案光刻线宽的测量受抗蚀剂图案的纵向轮廓和测量位置的影响较大，这就导致了在某些图案处，测量得到的光刻线宽与通过该抗试剂图案得到的实际图案的线宽相差较大，如图1中所示，在同一光刻线宽测量位置，目标图案单元1和目标图案单元3测量得到的光刻线宽明显小于对应的设计线宽。

实施例一

请参阅图2，本申请提供一种光学邻近修正方法，包括：

步骤S110：获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元。

其中，所述目标图案为想要在晶圆上得到的目标膜层图案。

所述目标图案单元的种类包括孔状图案、沟槽状图案、线状图案和岛状图案中的至少一种。

步骤S120：根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形。

其中，所述初始掩膜版图形与所述目标图形都对应，可以根据使用的抗蚀剂的类型，确定所述初始掩膜图形。

可选的，当使用的抗蚀剂为正性光刻胶时，由于正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部份不溶于显影液，仍然保留在晶圆上，所以所述初始掩膜版图形可以与所述目标图形一致。

可选的，当使用的抗蚀剂为负性光刻胶时，由于负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于阻显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到晶圆上，所以所述初始掩膜版图形可以与所述目标图形相反，即所述初始掩膜版中镂空的部分与所述目标图形一致。

步骤S130：基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽。

其中，所述目标图案单元的设计线宽包括所述目标图案单元的最小设计线宽。

可以理解为，由于抗蚀剂的厚度较厚，若所述目标图案单元的设计线宽越小，对应的抗蚀剂图案也越小，其纵向轮廓越陡，其的光刻线宽受测量位置的影响越大，所以所述目标图案单元的最小设计线宽也是决定最佳光刻线宽测量位置的因素之一。

进一步的，所述图案参数还包括所述目标图案单元与相邻的另一所述目标图案单元之间的间距。

可以理解为，由于抗蚀剂的厚度较厚，当相邻两个所述目标图案单元之间的间距越不同时，抗蚀剂的曝光量不同，导致得到的抗蚀剂图案的纵向轮廓也不相同，所以所述目标图案单元与相邻的另一所述目标图案单元之间的间距也是决定最佳光刻线宽测量位置的因素之一。

进一步的，所述图案参数还包括所述目标膜层中与所述目标图案单元对应部分的膜层结构。

可以理解为，由于所述目标图案单元对应部分的膜层结构不同，即使以同样的抗蚀剂图案为掩膜，也会得到不同大小的所述目标图案，所以所述目标膜层中与所述目标图案单元对应部分的膜层结构也是决定最佳光刻线宽测量位置的因素之一。

其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

(a)基于所述初始掩膜版图形，对目标膜层上的抗蚀剂进行模拟曝光，得到模拟曝光后的目标抗蚀剂图形；其中，所述目标抗蚀剂图形包括分别对应各个目标图案单元的各个目标抗蚀剂图案；

(b)基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，如图3所示。

其中，所述光刻线宽测量模型可以理解为该模型描述了各个目标图案单元的图案参数与最佳光刻线宽测量位置之间的对应关系，所以基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别可以确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置。如图3所示，根据目标图案单元1、目标图案单元2和目标图案单元3的图案参数，分别可以确定目标图案单元1、目标图案单元2和目标图案单元3的最佳光刻线宽测量位置分别在光刻线宽测量位置1、光刻线宽测量位置2和光刻线宽测量位置3。

其中，如图4所示，所述光刻线宽测量模型通过以下步骤构建而成：

S132：在制备不同图案参数的实际图案单元的实际曝光工艺过程中，将每个实际图案单元对应的实际抗蚀剂图案，在不同的光刻线宽测量位置进行光刻线宽测量，以得到每个实际图案单元对应的在不同的光刻线宽测量位置测量得到的实际光刻线宽数据；

S134：根据每个实际图案单元的实际线宽，从对应的所述实际光刻线宽数据中分别筛选出与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽；其中，与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽对应的光刻线宽测量位置为每个实际图案单元的最佳光刻线宽测量位置；

S136：对不同图案参数的实际图案单元及其对应的最佳光刻线宽测量位置进行训练，以得到所述光刻线宽测量模型。

其中，每个实际图案单元对应的实际抗蚀剂图案可以理解为，以对应的实际抗蚀剂图案为掩膜对晶圆上的目标膜层进行刻蚀之后，就可以得到对应的实际图案单元。

可以理解为，上述光刻线宽测量模型的训练数据是在实际曝光工艺过程中采集到的，保证了训练数据中，各个实际图案单元对应的光刻线宽测量位置都是该图案单元的最佳线宽测量位置，即对应的实际抗蚀剂图案在该最佳线宽测量位置测量得到的实际光刻线宽等于对应的实际图案单元的实际线宽。

以上述训练数据进行机器学习训练，就可以得到用于描述各个目标图案单元的图案参数与最佳的光刻线宽测量位置之间的对应关系的光刻线宽测量模型。

步骤S140：根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

其中，步骤S140包括以下步骤：

S142：根据各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，对各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽进行测量；

S144：基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形。

其中，步骤S144包括以下步骤：

基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，使得修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，并输出所述修正后的掩膜版图形。

可以理解为，对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正的目的是在于，使得光学邻近修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽(在最佳光刻线宽测量位置测量得到的光刻线宽)分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，使得以光学邻近修正后的掩膜版图形对目标膜层进行曝光等图案化工艺之后得到的膜层图案与所述目标图形相同。大大提升了提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。

本申请实施例中的光学邻近修正方法，该方法包括基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。本申请中，根据各个目标图案单元的图案参数，分别确定相匹配的最佳光刻线宽测量位置，以该相匹配的最佳光刻线宽测量位置来进行光学邻近修正，可以大大提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。

实施例二

请参阅图5，本实施例提供一种光学邻近修正装置100，包括：图形获取模块110、掩膜确定模块120、预测模块130和图案填充模块106。

图形获取模块110，用于获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；

掩膜确定模块120，用于根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；

预测模块130，用于基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；

修正模块140，用于根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

可选的，所述预测模块130还用于：

基于所述初始掩膜版图形，对目标膜层上的抗蚀剂进行模拟曝光，得到模拟曝光后的目标抗蚀剂图形；其中，所述目标抗蚀剂图形包括分别对应各个目标图案单元的各个目标抗蚀剂图案；

基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置。

可选的，所述修正模块140，包括：

测量单元，用于根据各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，对各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽进行测量；

修正单元，用于基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形。

可选的，所述修正单元，还用于：

基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，使得修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，并输出所述修正后的掩膜版图形。

可选的，所述光刻线宽测量模型通过以下步骤构建而成：

在制备不同图案参数的实际图案单元的实际曝光工艺过程中，将每个实际图案单元对应的实际抗蚀剂图案，在不同的光刻线宽测量位置进行光刻线宽测量，以得到每个实际图案单元对应的在不同的光刻线宽测量位置测量得到的实际光刻线宽数据；

根据每个实际图案单元的实际线宽，从对应的所述实际光刻线宽数据中分别筛选出与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽；其中，与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽对应的光刻线宽测量位置为每个实际图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；

对不同图案参数的实际图案单元及其对应的最佳光刻线宽测量位置进行训练，以得到所述光刻线宽测量模型。

可选的，所述目标图案单元的设计线宽包括所述目标图案单元的最小设计线宽。

可选的，所述图案参数还包括所述目标图案单元与相邻的另一所述目标图案单元之间的间距。

可选的，所述图案参数还包括所述目标膜层中与所述目标图案单元对应部分的膜层结构。

可选的，所述目标图案单元的种类包括孔状图案、沟槽状图案、线状图案和岛状图案中的至少一种。

上述方法步骤的具体实施例过程可参见实施例一，本实施例在此不再赘述。

实施例三

本实施例提供了一种电子设备，该电子设备可以是手机、电脑或平板电脑等，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有计算器程序，该计算机程序被处理器执行时实现如实施例一中所述的光学邻近修正方法。可以理解，电子设备还可以包括，输入/输出(I/O)接口，以及通信组件。

其中，处理器用于执行如实施例一中的光学邻近修正方法中的全部或部分步骤。存储器用于存储各种类型的数据，这些数据例如可以包括电子设备中的任何应用程序或方法的指令，以及应用程序相关的数据。

所述处理器可以是专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)、数字信号处理器(Digital Signal Processor，简称DSP)、数字信号处理设备(Digital Signal Processing Device，简称DSPD)、可编程逻辑器件(Programmable LogicDevice，简称PLD)、现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述实施例一中的光学邻近修正方法。

所述存储器可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，例如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，简称SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EPROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，简称PROM)，只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

实施例四

本实施例提供一种计算机可读存储介质，如闪存、硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如，SD或DX存储器等)、随机访问存储器(RAM)、静态随机访问存储器(SRAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、可编程只读存储器(PROM)、磁性存储器、磁盘、光盘、服务器、App应用商城等等，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可以实现如下方法步骤：

步骤S110：获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；

步骤S120：根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；

步骤S130：基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；

步骤S140：根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

上述方法步骤的具体实施例过程可参见实施例一，本实施例在此不再赘述。

本申请提供一种光学邻近修正方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。本申请中，根据各个目标图案单元的图案参数，分别确定相匹配的最佳光刻线宽测量位置，以该相匹配的最佳光刻线宽测量位置来进行光学邻近修正，可以大大提升光学邻近修正的准确性，以得到更为准确的掩膜版图案。

虽然本申请所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属技术领域内的技术人员，在不脱离本申请所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本申请的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；

根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；

基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；

根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

基于所述初始掩膜版图形，对目标膜层上的抗蚀剂进行模拟曝光，得到模拟曝光后的目标抗蚀剂图形；其中，所述目标抗蚀剂图形包括分别对应各个目标图案单元的各个目标抗蚀剂图案；

基于训练好的光刻线宽测量模型，根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置。

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：

根据各个目标抗蚀剂图案的最佳光刻线宽测量位置，对各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽进行测量；

基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形。

4.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，并输出修正后的掩膜版图形，包括以下步骤：

基于各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，使得修正后的掩膜版图形对应的各个目标抗蚀剂图案的光刻线宽分别与所述目标图形中对应的所述目标图案单元的设计线宽相同，并输出所述修正后的掩膜版图形。

5.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻线宽测量模型通过以下步骤构建而成：

在制备不同图案参数的实际图案单元的实际曝光工艺过程中，将每个实际图案单元对应的实际抗蚀剂图案，在不同的光刻线宽测量位置进行光刻线宽测量，以得到每个实际图案单元对应的在不同的光刻线宽测量位置测量得到的实际光刻线宽数据；

根据每个实际图案单元的实际线宽，从对应的所述实际光刻线宽数据中分别筛选出与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽；其中，与每个实际图案单元的实际线宽相同的实际光刻线宽对应的光刻线宽测量位置为每个实际图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；

对不同图案参数的实际图案单元及其对应的最佳光刻线宽测量位置进行训练，以得到所述光刻线宽测量模型。

6.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图案单元的设计线宽包括所述目标图案单元的最小设计线宽。

7.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述图案参数还包括所述目标图案单元与相邻的另一所述目标图案单元之间的间距。

8.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述图案参数还包括所述目标膜层中与所述目标图案单元对应部分的膜层结构。

9.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图案单元的种类包括孔状图案、沟槽状图案、线状图案和岛状图案中的至少一种。

10.一种光学邻近修正装置，其特征在于，包括：

图形获取模块，用于获取目标图形；其中，所述目标图形包括至少两个不同的目标图案单元；

掩膜确定模块，用于根据所述目标图形，确定初始掩膜版图形；

预测模块，用于基于所述初始掩膜版图形，对所述目标图形中各个目标图案单元进行光刻线宽模拟预测；其中，所述光刻线宽模拟预测，包括以下步骤：

根据所述目标图形中各个目标图案单元的图案参数，分别确定各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置；其中，所述图案参数至少包括所述目标图案单元的设计线宽；

修正模块，用于根据所述目标图形中各个目标图案单元对应的最佳光刻线宽测量位置，分别对所述初始掩膜版图形中对应各个目标图案单元的部分进行光学邻近修正，输出修正后的掩膜版图形。

11.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有计算机程序，该计算机程序被所述处理器执行时，执行如权利要求1至9中任一项所述的光学邻近修正方法。

12.一种存储介质，其特征在于，该存储介质存储的计算机程序，可被一个或多个处理器执行，可用来实现如权利要求1至9中任一项所述的光学邻近修正方法。

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