CN114447033A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

显示设备。本文公开了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备包括：位于基板上的至少一个薄膜晶体管和发光装置；发光装置与基板孔间隔开；以及设置在基板孔和发光装置之间的至少一个隔离结构。每个薄膜晶体管包括源极和漏极，每个发光装置包括第一电极、发光层和第二电极，有机发光显示设备包括连接电极，该连接电极将薄膜晶体管的源极和漏极中的一个连接到发光装置的第一电极，并且平坦化层设置在薄膜晶体管和发光装置之间。隔离结构包括至少一个底切结构，并且每个底切结构的深度大于发光层的厚度。

Description

显示设备
技术领域
本公开涉及一种包括穿过装置基板的基板孔的显示设备。
背景技术
通常，诸如监视器、电视机(TV)、笔记本电脑和数码相机之类的电子装置包括显示图像的显示设备。例如，显示设备可以包括多个发光装置。多个发光装置中的每一个可以发射具有特定颜色的光。例如，每个发光装置可以包括设置在其第一电极和第二电极之间的发光层。
诸如相机、扬声器和传感器之类的周边装置可以嵌入到显示设备中。例如，显示设备可以包括穿过支撑发光装置的装置基板的基板孔。基板孔可以设置在发光装置之间。周边装置可以***基板孔中。
然而，在显示设备中，外部湿气可能通过基板孔渗入显示设备中。通过基板孔渗入的外部湿气可以通过发光层向与基板孔相邻的发光装置移动。因此，在显示设备中，与基板孔相邻的发光装置可能被通过基板孔渗入的外部湿气损坏。
发明内容
为了克服相关技术的上述问题，本公开可以提供一种用于防止发光装置被通过基板孔渗入的外部湿气损坏的显示设备。
本公开可以提供一种简化防止外部湿气渗入的工序的显示设备。
为了实现这些目的和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所体现和广泛描述的，显示设备包括穿过基板的基板孔。
在本公开的实施方式中，一种显示设备可以包括位于基板上的至少一个薄膜晶体管和发光装置，发光装置可以与基板孔间隔开，并且至少一个隔离结构可以设置在基板孔和发光装置之间。
每个薄膜晶体管可以包括源极和漏极，每个发光装置可以包括第一电极、发光层和第二电极，显示设备可以包括连接电极，该连接电极将薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到发光装置的第一电极，并且平坦化层可以设置在薄膜晶体管和发光装置之间。
至少一个隔离结构可以包括至少一个底切结构，并且每个底切结构的深度可以大于发光层的厚度。
隔离结构的底切结构可以包括与平坦化层的材料相同材料的第一结构和与连接电极的材料相同材料的第二结构。底切结构可以以多个设置在绝缘层上。
发光层可以设置在隔离结构的第二结构上，并且发光层可以进一步以岛状设置在多个隔离结构之间的绝缘层上。
具有岛状的发光层具有设置在同一水平线上的两个端部和中央部。
具有岛状的发光层具有中央部和两个端部，并且与发光层的中央部相比，两个端部可以离基板更远。
至少一个薄膜晶体管可以包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的半导体图案可以包括低温多晶硅(LTPS)，并且第二薄膜晶体管的半导体图案可以包括氧化物半导体。
在本公开的另一实施方式中，基板可以包括基板孔区和像素区域，基板孔区可以包括基板孔和孔周边区，像素区域可以包括薄膜晶体管和发光装置，基板孔可以设置在发光装置之间，至少一个隔离结构可以设置在基板孔和发光装置之间，封装部可以设置在像素区域和隔离结构上。
发光装置可以包括第一电极、发光层和第二电极。
封装部可以包括第一无机封装层、第二有机封装层和第三无机封装层。
显示设备还可以包括将薄膜晶体管的源极和漏极中的一个连接到发光装置的第一电极的连接电极，并且可以进一步包括设置在薄膜晶体管和发光装置之间的平坦化层。
孔周边区可以包括隔离区，多个隔离结构可以设置在隔离区中，并且像素区域的栅极绝缘层、层间绝缘层和隔离层可以不延伸。
第一无机封装层可以以接触方式覆盖暴露在像素区域和隔离区之间的栅极绝缘层、层间绝缘层和隔离层中的每一个的侧表面。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入并构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是示意性例示了根据本发明实施方式的显示设备的图；
图2是根据本发明实施方式的显示设备中基板孔周边的放大图；
图3是例示了根据本公开实施方式的显示设备中的像素的截面的图；
图4是例示了根据本公开实施方式的显示设备中基板孔的周边区域的截面的图；
图5是图4的区域700A的放大图；
图6是例示了根据本发明另一实施方式的显示设备的图；
图7是图6的区域800A的放大图；
图8是例示了根据本发明另一实施方式的显示设备的图；
图9是例示了根据本发明另一实施方式的显示设备的图；
图10是例示了根据本发明另一实施方式的显示设备的图；以及
图11是例示了根据本公开另一实施方式的显示设备的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更全面地描述本公开，附图中示出了本公开的示例性实施方式。然而，本公开可以以许多不同的形式体现并且不应被解释为限于这里阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开彻底和完整，并将向本领域技术人员充分传达本公开的概念。
此外，相似的附图标记始终指代相似的元件，并且在附图中，为了方便起见，可以夸大地例示层或区域的长度或厚度。此外，第一元件被描述为在第二元件“上”的情况可以包括第一元件设置在直接接触第二元件的上部的情况和第三元件设置在第一元件和第二元件之间的情况。
应当理解，尽管在此使用包括诸如第一或第二之类的普通数字的术语来描述各种元素，但是这些元素不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元素与另一元素区分开来。而且，基于本领域技术人员的方便，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以任意提及第一元素和第二元素。
技术术语仅用于解释具体示例性实施方式而不用于限制本公开。除非相反提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式。说明书中描述的术语应理解如下。如本文所用，除非上下文另有明确指示，单数形式“一个”、“一种”和“该”也旨在包括复数形式。术语“第一”和“第二”用于将一个元素与另一个元素区分开，并且这些元素不应受这些术语的限制。将进一步理解，术语“包括”、“包所括”、“具有”、“所具有”、“包含”和/或“所包含”当在本文中使用时，表明所提及的特征、整数、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中定义的术语之类的术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义并且将不会以理想化或过于形式的含义来解释，除非在此明确定义。
图1是示意性地例示了根据本公开实施方式的显示设备的图。图2是根据本公开实施方式的显示设备中基板孔周边的放大图。图3是例示了根据本公开实施方式的显示设备中的像素的截面的图。图4是例示了根据本公开实施方式的显示设备中的基板孔的周边区域的截面的图。图5是图4的区域700A的放大图。
参照图1至图5，根据本公开实施方式的显示设备DP可以包括基板100。
基板100可以包括由多条选通线GL和多条数据线DL限定的多个像素区域PA。发光装置500可以设置在每个像素区域PA中。每个发光装置500可以发射具有特定颜色的光。例如，每个发光装置500可以包括顺序层叠的第一电极510、发光层520和第二电极530。
第一电极510可以包括导电材料。第一电极510可以包括反射率相对高的金属。第一电极510可以具有多层结构。例如，第一电极510可以具有以下结构：包括诸如铝(Al)或银(Ag)之类的金属的反射电极设置在包括诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明导电材料的透明电极之间。
发光层520可以发射亮度与第一电极510和第二电极520之间的电压差对应的光。例如，发光层520可以包括包含发光材料的发光材料层(EML)522。发光材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本公开实施方式的显示设备DP可以是包括含有有机材料的发光层520的有机发光显示设备。
发光层520可以具有多层结构，以提高发光效率。例如，发光层520还可以包括设置在第一电极510和发光材料层522之间的至少一个第一有机层521、以及设置在发光材料层522和第二电极530之间的至少一个第二有机层523。第一有机层521可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一种。而且，第二有机层523可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。然而，本公开不限于此。例如，第一有机层521可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种，并且第二有机层523可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一种。
第二电极530可以包括导电材料。第二电极530可以包括与第一电极510的材料不同的材料。例如，第二电极530可以是包括诸如ITO或IZO之类的透明导电材料的透明电极。因此，在根据本公开实施方式的显示设备DP中，从每个像素区域PA的发光层520发射的光可以通过第二电极530照射到外部。
可以形成封装部170以覆盖发光装置500以防止湿气渗入发光装置500。例如，用于防止湿气渗入的封装部170可以设置在发光装置500的第二电极530上。
封装部170可以包括至少一层无机封装层和至少一层有机封装层。例如，封装部170可以包括包含无机材料的第一封装层171、包含有机材料的第二封装层172和包含无机材料的第三封装层173。封装部170的第一封装层171可以设置在第二电极213上。而且，第二封装层172可以设置在第一封装层171上。而且，第三封装层173可以设置在第二封装上层172。封装部170的第一封装层171和第三封装层173可以包括诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料。封装部170的第二封装层172可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料。
可以向每个发光装置500提供驱动电流，该驱动电流对应于通过相应选通线GL施加到其上的选通信号和通过相应数据线DL施加到其上的数据信号。例如，可以在每个像素区域PA中设置电连接到相应发光装置500的驱动电路。驱动电路可以以选通信号和数据信号为基础来控制相应发光装置500的操作。例如，驱动电路可以包括第一薄膜晶体管(TFT)200、第二TFT 300和存储电容器400。
第一TFT 200可以包括第一半导体图案210、第一栅极绝缘层220、第一栅极230、第一层间绝缘层240、第一源极250和第一漏极260。
第一半导体图案210可以靠近基板100设置。第一半导体图案210可以包括半导体材料。例如，第一半导体图案210可以包括作为多晶半导体材料的多晶硅(poly-Si)。在说明书中，第一半导体图案210可以包括低温多晶硅(LTPS)。
第一半导体图案210可以包括第一源区、第二漏区和第一沟道区。第一沟道区可以设置在第一源区和第一漏区之间。与第一源区和第一漏区中的每一个的导电率相比，第一沟道区可以具有相对低的导电率。例如，第一源区和第一漏区可以比第一沟道区导电杂质含量更高。
第一栅极绝缘层220可以设置在第一半导体图案210上。第一栅极绝缘层220可以朝着第一半导体图案210的外部延伸。第一栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如，第一栅极绝缘层220可以包括硅氧化物(SiOx)材料。SiOx材料可以包括二氧化硅(SiO2)。
第一栅极230可以设置在第一栅极绝缘层220上。例如，第一栅极230可以与第一半导体图案210的第一沟道区交叠。第一栅极230可以通过第一栅极绝缘层220与第一半导体图案210绝缘。第一栅极230可以包括导电材料。例如，第一栅极230可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)之类的金属。
第一层间绝缘层240可以设置在第一栅极绝缘层220和第一栅极230上。第一层间绝缘层240可以沿着第一栅极绝缘层220延伸。第一层间绝缘层240可以包括绝缘材料。第一层间绝缘层240可以包括与第一栅极绝缘层220的材料不同的材料。例如，第一层间绝缘层240可以包括硅氧化物(SiOx)材料。
第一源极250可以电连接到第一半导体图案210的第一源区。第一层间绝缘层240可以包括部分地暴露出第一半导体图案210的第一源区的第一源极接触孔。源极250可以包括与第一半导体图案210的第一源区交叠的区域。
第一源极250可以包括导电材料。例如，第一源极250可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。
第一漏极260可以电连接到第一半导体图案210的第一漏区。第一层间绝缘层240可以包括部分地暴露出第一半导体图案210的第一漏区的第一漏极接触孔。第一漏极260可以包括与第一半导体图案210的第一漏区交叠的区域。
第一漏极260可以包括导电材料。例如，第一漏极260可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。第一漏极260可以包括与第一源极250的材料相同的材料。例如，第一漏极260可以与第一源极250通过相同工序形成。
第一源极250和第一漏极260可以各形成为多层结构。例如，第一源极250和第一漏极260可以各自由三层形成。在第一源极250和第一漏极260中的每一个由三层形成的情况下，下层和上层可以各自由Ti金属层形成，并且设置在下层和上层之间的中间层可以由Al金属层形成。
第二TFT 300可以通过不同于第一TFT 200的工序形成。例如，第二TFT 300可以设置在第一TFT 200的第二隔离层130上。第二隔离层130可以包括绝缘材料。第二隔离层130可以包括与第一层间绝缘层240的材料不同的材料。例如，第二隔离层130可以包括与第一层间绝缘层240的材料不同的材料。例如，第二隔离层130可以包括硅氮化物(SiNx)材料。
第二TFT 300的结构可以与第一TFT 200的结构相同。例如，第二TFT 300可以包括第二半导体图案310、第二栅极绝缘层320、第二栅极330、第二层间绝缘层340、第二源极350和第二漏极360。
第二半导体图案310可以靠近第二隔离层130设置。例如，第二半导体图案310可以直接接触第二隔离层130。第二半导体图案310可以包括半导体材料。第二半导体图案310可以包括与第一半导体图案210的材料不同的材料。例如，第二半导体图案310可以包括诸如铟镓锌氧化物(IGZO)的氧化物半导体。
第二半导体图案310可以包括第二源区、第二漏区和第二沟道区。第二沟道区可以设置在第二源区和第二漏区之间。第二源区的电阻和第二漏区的电阻可以低于第二沟道区的电阻。例如，第二源区和第二漏区可以各是导电区。第二沟道区可以是非导电区。
第二栅极绝缘层320可以设置在第二半导体图案310上。第二栅极绝缘层320可以包括绝缘材料。例如，第二栅极绝缘层320可以包括SiOx材料、SiNx材料和/或具有高介电常数的材料(高k材料)。第二栅极绝缘层320可以具有多层结构。
第二栅极绝缘层320可以暴露第二半导体图案310的第二源区和第二漏区。第二半导体图案310的第二源区和第二漏区可以不与第二栅极绝缘层320交叠。例如，第二半导体图案310的第二源区和第二漏区可以基于在对第二栅极绝缘层320进行图案化的工序中所使用的蚀刻工序而具有导电性。
第二栅极330可以设置在第二栅极绝缘层320上。例如，第二栅极330可以与第二半导体图案310的第二沟道区交叠。第二栅极330可以包括导电材料。例如，第二栅极330可以包括诸如Al、Cr、Cu、Ti、Mo和W之类的金属。第二栅极330可以包括与第一栅极230的材料相同的材料。
第二层间绝缘层340可以设置在第二半导体图案310和第二栅极330上。第二层间绝缘层340可以包括绝缘材料。第二层间绝缘层340可以包括与第一层间绝缘层240的材料不同的材料。例如，第二层间绝缘层340可以包括SiNx材料。
第二源极350可以设置在第二层间绝缘层340上。第二源极350可以电连接到第二半导体图案310的第二源区。例如，第二层间绝缘层340可以包括部分地暴露出第二半导体图案310的第二源区的第二源极接触孔。第二源极350可以包括与第二半导体图案310的第二源区交叠的区域。
第二源极350可以包括导电材料。例如，第二源极350可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。第二源极350可以包括与第一源极250的材料相同的材料。
第二漏极360可以设置在第二层间绝缘层340上。第二漏极360可以电连接到第二半导体图案310的第二漏区。例如，第二层间绝缘层340可以包括部分地暴露出第二半导体图案310的第二漏区的第二漏极接触孔。第二漏极360可以包括与第二半导体图案310的第二漏区交叠的区域。
第二漏极360可以包括导电材料。例如，第二漏极360可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。第二漏极360可以包括与第二源极350的材料相同的材料。例如，第二漏极360可以与第二源极350通过相同的工序形成。
第二源极350和第二漏极360可以各自以多层结构形成。例如，第二源极350和第二漏极360可以各自由三层形成。在第二源极350和第二漏极360中的每一个由三层形成的情况下，下层和上层可以各自由Ti金属层形成，并且设置在下层与上层之间的中间层可以由Al金属层形成。
第一源极250、第一漏极260、第二源极350和第二漏极360可以设置在第二层间绝缘层340上并且可以通过相同的工序由相同的材料形成。
存储电容器400可以形成在基板100和第二TFT 300之间。例如，存储电容器400可以包括与第一栅极230设置在同一层上的第一存储电极410和设置在第一存储电极410上方的第一层间绝缘层240上的第二存储电极420。
第一存储电极410可以包括导电材料。第一存储电极410可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。第一存储电极410可以包括与第一栅极230的材料相同的材料。例如，第一存储电极410可以与第一栅极230通过相同工序形成。
第二存储电极420可以包括导电材料。第二存储电极420可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。第一层间绝缘层240可以延伸到第一存储电极410和第二存储电极420之间的区域。第二存储电极420可以设置在第一层间绝缘层240上。
第一源极250和第一漏极260可以设置在与第一存储电极420不同的层上。例如，覆盖第二存储电极420的第一隔离层120可以延伸到第一层间绝缘层240和第一源极250之间的区域以及在第一层间绝缘层240和第一漏极260之间的区域。第一隔离层120设置在第二隔离层130和第一层间绝缘层240之间。
第一层间绝缘层240和第一隔离层120可以顺序地层叠在第一栅极230和第一源极250之间以及在第一栅极230和第一漏极260之间。第二存储电极420可以包括与第一源极250和第一漏极260中的每一个的材料不同的材料。
第一隔离层120可以包括绝缘材料。例如，第一隔离层120可以包括SiOx和/或SiNx。第一隔离层120可以具有多层结构。第一源极250和第一漏极260可以设置在第二层间绝缘层340上。然而，本公开不限于此。
第一存储电极410可以电连接到第二TFT 300的第二漏极360。例如，第一中间电极610穿过第一层间绝缘层240、第一隔离层120、第二隔离层130、和第二层间绝缘层340。第一中间电极610连接到第一存储电极410，并且第二漏极360可以连接到第一中间电极610。第一中间电极610可以包括导电材料。例如，第一中间电极610可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。第一中间电极610可以包括与第一源极250、第一漏极260、第二源极350和第二漏极360中的每一个的材料相同的材料。例如，第一中间电极610可以与第一源极250、第一漏极260、第二源极350和第二漏极360通过相同的工序形成。
缓冲绝缘层110可以设置在装置基板100和每个像素区域PA的驱动电路(例如，TFT和存储电容器)之间。缓冲绝缘层110可以防止在形成驱动电路的工序中由装置基板100造成的污染。例如，缓冲绝缘层110可以延伸到装置基板100和每个像素区域PA的第一半导体图案210之间的区域。缓冲绝缘层110可以包括绝缘材料。例如，缓冲绝缘层110可以包括SiOx材料和/或SiNx材料。缓冲绝缘层110可以具有多层结构。例如，缓冲绝缘层110可以具有第一缓冲绝缘层111和第二缓冲绝缘层112的层叠结构，该第二缓冲绝缘层112包括与第一缓冲绝缘层111的材料不同的材料。
第一平坦化层140和第二平坦化层150可以顺序地层叠在每个像素区域PA的第二TFT 300和发光装置500之间。第一平坦化层140和第二平坦化层150可以去除由每个像素区域PA的驱动电路引起的台阶高度。例如，第二平坦化层150的面向每个像素区域PA的发光装置500的表面可以是平坦表面。第一平坦化层140和第二平坦化层150可以包括绝缘材料。第一平坦化层140和第二平坦化层150可以包括与第二层间绝缘层340的材料不同的材料。例如，第一平坦化层140和第二平坦化层150可以包括有机绝缘材料。第二平坦化层150可以包括与第一平坦化层140的材料不同的材料。
每个像素区域PA的发光装置500可以电连接到相应像素区域PA的第一TFT200，并且第一电极510可以通过第一连接电极620电连接到第一漏极260。例如，第一连接电极620可以设置在第一平坦化层140和第二平坦化层150之间。第一连接电极620可以穿过第一平坦化层140并且可以连接到第一漏极260，并且第一电极510可以穿过第二平坦化层150并且可以连接到第一连接电极620。
第一连接电极620可以包括导电材料。例如，第一连接电极620可以包括诸如Al、Cr、Mo、W、Ti或Cu之类的金属。
每个像素区域PA的发光装置500可以被独立驱动。例如，每个像素区域PA的第一电极510可以与相邻像素区域PA的第一电极510绝缘。每个第一电极510的边缘可以被包括有堤部绝缘层161和间隔体绝缘层162的堤部/间隔体绝缘层160覆盖。堤部/间隔体绝缘层160可以设置在第二平坦化层150上。每个像素区域PA的发光层520和第二电极530可以层叠在通过堤部/间隔体绝缘层160暴露出的相应的第一电极510上。堤部/间隔体绝缘层160可以包括绝缘材料。例如，堤部/间隔体绝缘层160可以包括有机绝缘材料。堤部/间隔体绝缘层160可以包括与第二平坦化层150的材料不同的材料。
每个像素区域PA的发光层520的至少一部分可以延伸到堤部/间隔体绝缘层160。例如，每个像素区域PA的第一有机层521和第二有机层523可以连接到相邻像素区域PA的第一有机层521和第二有机层523。每个像素区域PA的发光材料层522可以与相邻像素区域PA的发光材料层522间隔开。每个像素区域PA的第二电极530可以延伸到堤部/间隔体绝缘层160。例如，每个像素区域PA的第二电极530可以连接到相邻像素区域PA的第二电极530。
根据本公开的实施方式，第一TFT 200可以执行驱动晶体管的功能。因此，发光装置500的第一电极510可以连接到第一TFT 200，但不限于此。例如，发光装置500的第一电极510可以连接到第二TFT 300。而且，第二TFT 300可以执行驱动晶体管的功能。
基板孔CH可以形成在装置基板100中。基板孔CH可以穿过装置基板100。基板孔CH可以设置在像素区域PA之间。例如，基板孔CH可以形成在发光装置500之间。装置基板100可以包括孔周边区HA，该孔周边区HA包括形成有基板孔CH的区域。发光装置500可以设置在孔周边区HA外部。在孔周边区HA中，选通线GL和数据线DL可以绕过基板孔CH的边缘。
孔周边区HA可以包括围绕形成有基板孔CH的贯通区域CA的隔离区SA。例如，隔离区SA可以设置在贯通区域CA和像素区域PA之间。
至少一个隔离结构700A和坝部900可以设置在隔离区SA中。在每个隔离结构700A中，可以顺序地层叠和设置第一结构710和第二结构720。例如，第一结构710可以包括与第一平坦化层140的材料相同的材料，并且第二结构720可以包括与第一连接电极620的材料相同的材料。
第一结构710的与第二结构720接触的上部区域可以形成为比第二结构720的与第一结构710接触的下部区域小。例如，基于第一结构710和第二结构720之间的宽度(x1)差，隔离结构700A可以包括底切结构。
每个底切结构可以具有与相应的第一结构710的厚度相同的深度h1。例如，由第一结构710和第二结构720形成的底切结构的深度h1可以与第一结710的厚度相同。底切结构的深度h1可以大于延伸到孔周边区HA的发光层520的厚度。例如，每个底切结构的深度h1可以大于第一有机层521的厚度和第二有机层523的厚度之和。
因此，在根据本公开实施方式的有机发光显示设备中，沉积在隔离区SA上的发光层520可以被隔离结构700A完全隔离。例如，发光层520的第一有机层521和第二有机层523可以通过隔离结构700A彼此完全隔离。因此，在根据本公开实施方式的显示设备中，可以通过隔离结构700A防止外部湿气通过发光层520渗入。
此外，在根据本公开实施方式的有机发光显示设备中，设置在坝部900和贯通区域CA之间的隔离结构700A可以防止坝部900和包括有机材料的第二封装层172被扩散到贯通区域CA。因此，包括有机材料的薄膜层可以不设置在贯通区域CA中，从而可以容易地执行形成基板孔CH的激光修整工序。隔离结构700A可以通过形成第一TFT 200和第二TFT 300的工序以及形成发光装置500的工序形成。例如，形成隔离结构700A的工序可以包括通过使用形成第一源极接触孔和第二源极接触孔以及第一漏极接触孔和第二漏极接触孔的工序的掩模图案，在隔离区SA中蚀刻第二缓冲层112、第一栅极绝缘层220、第一层间绝缘层240、第一隔离层120、第二隔离层130和第二层间绝缘层340的工序。
可以通过蚀刻工序去除设置在隔离区SA中的多个隔离结构700A，然后多个隔离结构700A可以被放置在剩余的第一缓冲绝缘层111上。被设置在隔离区SA中的多个隔离结构700A隔离的发光层5207可以以岛状布置在暴露于隔离结构700A之间的第一缓冲绝缘层111上。
以岛状隔离的发光层5207可以与装置基板100沿着同一水平线延伸。例如，隔离的发光层5207的两个端部7E和中央部7C可以设置在同一水平线上。
发光装置500和至少一个隔离结构700A可以被封装部170覆盖并保护。例如，为了防止湿气渗入设置在像素区域PA中的发光装置500中，封装部170可以延伸并且可以层叠在设置在隔离区SA中的隔离结构700A上。通过蚀刻工序暴露在隔离区SA和像素区域PA之间的第二缓冲绝缘层112、第一栅极绝缘层220、第一层间绝缘层240、第一隔离层120、第二隔离层130和第二层间绝缘层340中的每一个的侧表面可以接触包括无机材料的第一封装层171。
参照图6和图7，例示了根据本公开的显示设备DP的另一隔离结构的另一实施方式。像素区域PA的第一TFT 200、第二TFT 300和发光装置500的配置可以与图1至图3的配置基本相同。
至少一个隔离结构800A和坝部900可以设置在图6和图7的隔离区SA中。每个隔离结构800A可以包括顺序层叠和设置的第一结构810和第二结构820。例如，第一结构810可以包括与第一平坦化层140的材料相同的材料，并且第二结构820可以包括与第一连接电极620的材料相同的材料。
第一结构810的与第二结构820接触的上部区域可以形成为比第二结构820的与第一结构810接触的下部区域小。例如，基于第一结构810和第二结构820之间的宽度(x2)差，隔离结构800A可以包括底切结构。
每个底切结构可以具有与相应的第一结构810的厚度相同的深度h2。例如，由第一结构810和第二结构820形成的底切结构的深度h2可以与第一结构810的厚度相同。底切结构的深度h2可以大于延伸到孔周边区HA的发光层520的厚度。例如，每个底切结构的深度h2可以大于第一有机层521的厚度和第二有机层523的厚度之和。
因此，在根据本公开实施方式的有机发光显示设备中，沉积在隔离区SA上的发光层520可以被隔离结构800A完全隔离。例如，发光层520的第一有机层521和第二有机层523可以通过隔离结构800A彼此完全隔离。因此，在根据本公开实施方式的显示设备中，可以通过隔离结构800A防止外部湿气通过发光层520渗入。
隔离结构800A可以通过形成第一TFT 200和第二TFT 300的工序以及形成发光装置500的工序形成。例如，形成隔离结构800A的工序可以包括通过使用形成第一源极接触孔和第二源极接触孔以及第一漏极接触孔和第二漏极接触孔的工序的掩模图案，在隔离区SA中蚀刻第二缓冲层112、第一栅极绝缘层220、第一层间绝缘层240、第一隔离层120、第二隔离层130和第二层间绝缘层340的工序。
可以通过蚀刻工序去除设置在隔离区SA中的多个隔离结构800A，然后多个隔离结构800A可以被放置在剩余的第一缓冲绝缘层111上。例如，被设置在隔离区SA中的多个隔离结构800A隔离的发光层5208可以以岛状布置在暴露于隔离结构800A之间的第一缓冲绝缘层111上。
以岛状隔离的发光层5208可以与装置基板100沿着同一水平线延伸。例如，隔离的发光层5208可以以曲线形状层叠，并且在垂直线上发光层5208的两个端部8E可以设置在比发光层5208的中央部8C离装置基板100更远的位置处。
发光装置500和至少一个隔离结构800A可以被封装部170覆盖并保护。例如，为了防止湿气渗入设置在像素区域PA中的发光装置500中，封装部170可以延伸并且可以层叠在设置在隔离区SA中的隔离结构800A上。通过蚀刻工序暴露在隔离区SA和像素区域PA之间的第二缓冲绝缘层112、第一栅极绝缘层220、第一层间绝缘层240、第一隔离层120、第二隔离层130和第二层间绝缘层340中的每一个的侧表面可以接触包括无机材料的第一封装层171。
参照图8和图9，例示了根据本公开的显示设备DP的另一隔离结构的另一实施方式。像素区域PA的第一TFT 200、第二TFT 300和发光装置500的配置可以与图1至图3的配置基本相同。而且，隔离装置的第一结构和第二结构中的每一个的形状可以与图5和图7基本相同。
设置在隔离区SA中的多个隔离结构可以设置在第二层间绝缘层340上。例如，被设置在隔离区SA中的多个隔离结构隔离的多个发光层5207和5208可以以岛状布置在暴露于隔离结构之间的第二层间绝缘层340上。
参照图10和图11，例示了根据本公开的显示设备DP的另一隔离结构的另一实施方式。像素区域PA的第一TFT 200、第二TFT 300和发光装置500的配置可以与图1至图3的配置基本相同。而且，隔离装置的第一结构和第二结构中的每一个的形状可以与图5和图7基本相同。而且，根据本实施方式的隔离结构可以具有图4和图8或图6和图9的联接结构。例如，设置在坝部900和像素区域PA之间的隔离结构可以设置在第一缓冲绝缘层111和第二层间绝缘层340中的一个上，以及设置在坝部900和贯通区域CA之间的隔离结构可以设置在第一缓冲绝缘层111和第二层间绝缘层340中的一个上。
因此，在根据本公开实施方式的显示设备DP中，至少一个隔离结构700可以设置在形成有基板孔CH的贯通区域CA和设置在像素PA之间的隔离区SA中，每个隔离结构700可以包括至少一个底切结构，并且每个底切结构的深度可以大于设置在每个像素区域PA中的发光装置500的发光层520的厚度。因此，在根据本公开实施方式的显示设备DP中，发光层520可以被隔离结构700A和800A完全隔离。也就是说，在根据本公开实施方式的显示设备DP中，可以有效地防止由通过基板孔CH渗入的外部湿气而导致的发光装置500的损坏。而且，在根据本公开实施方式的显示设备DP中，可以通过使用形成每个像素区域PA的驱动电路和发光装置500的工序来形成隔离结构700A和800A。因此，在根据本公开实施方式的显示设备DP中，可以防止由形成隔离结构700A和800A的工序引起的工序效率的降低。
在根据本公开的显示设备中，至少一个隔离结构可以设置在基板孔和多个发光装置之间，每个发光装置可以包括设置在该发光装置的第一电极和第二电极之间的发光层，至少一个隔离结构中的每一个隔离结构可以具有至少一个底切结构，并且至少一个底切结构中的每一个的深度可以大于发光层的厚度。因此，在根据本公开的显示设备中，通过隔离结构可以阻挡通过基板孔渗入的外部湿气的移动路径。因此，在根据本公开的显示设备中，可以提高发光装置的寿命和可靠性。
根据本公开的效果不限于以上示例，并且其他各种效果可以包括在说明书中。
虽然已经参照本公开的示例性实施方式具体地示出并描述了本公开，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由以下权利要求书所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月30日提交的韩国专利申请No.10-2020-0142879的优先权，在此通过引用将其并入，如同在本文中完整阐述一样。

Claims (18)

1.一种显示设备，该显示设备包括：
基板孔，该基板孔穿过基板；
至少一个薄膜晶体管，该至少一个薄膜晶体管设置在所述基板上；
发光装置，该发光装置设置在所述基板上、与所述基板孔间隔开，所述发光装置包括第一电极、发光层和第二电极；
至少一个隔离结构，该至少一个隔离结构设置在所述基板孔与所述发光装置之间；以及
连接电极，该连接电极将所述至少一个薄膜晶体管连接至所述第一电极，
其中，
所述至少一个隔离结构包括至少一个底切结构，并且
所述至少一个底切结构的深度大于所述发光层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，该显示设备还包括平坦化层，该平坦化层设置在所述至少一个薄膜晶体管与所述发光装置之间，
其中，所述至少一个底切结构包括第一结构和第二结构，该第一结构的材料与所述平坦化层的材料相同，该第二结构的材料与所述连接电极的材料相同。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述至少一个隔离结构以多个布置在绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述发光层设置在所述至少一个隔离结构的所述第二结构上。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述发光层进一步以岛状设置在被暴露于所述多个隔离结构之间的绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，具有所述岛状的所述发光层具有设置在同一水平线上的两个端部和中央部。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，具有所述岛状的所述发光层具有中央部和两个端部，并且
与所述发光层的所述中央部相比，所述两个端部离所述基板更远。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述至少一个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，并且
所述第一薄膜晶体管的半导体图案包括低温多晶硅，并且所述第二薄膜晶体管的半导体图案包括氧化物半导体。
9.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一结构的与所述第二结构接触的上部区域形成为比所述第二结构的与所述第一结构接触的下部区域小，并且基于所述第一结构与所述第二结构之间的宽度差来形成所述底切结构。
10.根据权利要求2所述的显示设备，其中，每个底切结构具有与对应的第一结构的厚度相同的深度。
11.一种显示设备，该显示设备包括：
基板，所述基板包括基板孔区和像素区域；
薄膜晶体管和发光装置，所述薄膜晶体管和所述发光装置设置在所述像素区域的每个像素中；
基板孔，所述基板孔设置在所述基板孔区；
至少一个隔离结构，所述至少一个隔离结构设置在所述基板孔与所述像素区域之间；以及
封装部，所述封装部设置在所述像素区域和所述至少一个隔离结构上，
其中，所述至少一个隔离结构包括彼此联接以配置底切结构的第一结构和第二结构。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述薄膜晶体管包括：
有源层；
栅极；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层与所述栅极之间；
源极和漏极；以及
层间绝缘层和隔离层，所述层间绝缘层和所述隔离层设置在所述栅极绝缘层与所述源极和所述漏极之间，
其中，所述发光装置包括第一电极、发光层和第二电极，并且
其中，所述封装部包括包含无机材料的第一封装层、包含有机材料的第二封装层和包含无机材料的第三封装层。
13.根据权利要求12所述的显示设备，该显示设备还包括：
连接电极，所述连接电极将所述薄膜晶体管的源极和漏极中的一个连接到所述发光装置的所述第一电极；以及
平坦化层，所述平坦化层位于所述薄膜晶体管与所述发光装置之间。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述至少一个隔离结构的所述第一结构包括与所述连接电极的材料相同的材料，并且所述至少一个隔离结构的所述第二结构包括与所述平坦化层的材料相同的材料。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述基板孔区包括孔周边区，
所述孔周边区包括隔离区，
所述至少一个隔离结构布置在所述隔离区中，并且
所述像素区域的所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层和所述隔离层不延伸至所述隔离区。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一封装层以接触方式覆盖被暴露于所述像素区域与所述隔离区之间的所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层和所述隔离层中的每一个的侧表面。
17.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一结构的与所述第二结构接触的上部区域形成为比所述第二结构的与所述第一结构接触的下部区域小，并且基于所述第一结构与所述第二结构之间的宽度差来形成所述底切结构。
18.根据权利要求11所述的显示设备，其中，每个底切结构具有与对应的第一结构的厚度相同的深度。
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