CN114438451A - 防指纹微晶玻璃组件及其制备方法、壳体组件和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了防指纹微晶玻璃组件及其制备方法、壳体组件和电子设备。防指纹微晶玻璃组件包括：微晶玻璃基材；氧化镧膜层，所述氧化镧膜层设置在所述的微晶玻璃基材的一个表面上；介质层，所述介质层设置在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上；以及AF膜，所述AF膜设置在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上。由此，通过在微晶玻璃基材与介质层之间设置氧化镧膜层，可以大大提高介质层的附着力，提高介质层和微晶玻璃基材之间的结合力，进而提高AF膜层的附着力和耐摩擦性能。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域，具体的，涉及防指纹微晶玻璃组件及其制备方法、壳体组件和电子设备。
背景技术
在普通玻璃表面形成AF膜(Anti-Fingerprint Film，防***)之前，通常会在玻璃基材表面先形成一层二氧化硅打底，以此来增强AF膜的附着力。但若是采用微晶玻璃作为基材时，采用二氧化硅打底提高AF膜附着力的效果大大减弱。
发明内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请的一个目的在于提出一种防指纹微晶玻璃组件，该防指纹微晶玻璃组件中隔膜层结构的附着力较强，耐摩擦性较佳。
在一方面，本申请提供了一种防指纹微晶玻璃组件。该防指纹微晶玻璃组件包括：微晶玻璃基材；氧化镧膜层，所述氧化镧膜层设置在所述微晶玻璃基材的一个表面上；介质层，所述介质层设置在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上；以及AF膜，所述AF膜设置在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上。由此，通过在微晶玻璃基材与介质层之间设置氧化镧膜层，可以大大提高介质层的附着力，提高介质层和微晶玻璃基材之间的结合力，进而提高AF膜层的附着力和耐摩擦性能。
在另一方面，本申请提供了一种制备前面所述的防指纹微晶玻璃组件的方法。该制备防指纹微晶玻璃组件的方法包括：在微晶玻璃基材的一个表面上形成氧化镧膜层；在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上形成介质层；在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上形成AF膜。由此，通过预先在微晶玻璃基材的表面形成一层氧化镧膜层之后再形成介质层，可以大大提高介质层的附着力，提高介质层和微晶玻璃基材之间的结合力，进而提高AF膜层的附着力和耐摩擦性能。
在又一方面，本申请提供了一种壳体组件。该壳体组件包括前面所述的防指纹微晶玻璃组件。由此，该壳体组件具有良好的耐摩擦性能以及结构稳定性。本领域技术人员可以理解，该壳体组件具有前面所述的防指纹微晶玻璃组件的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
在还一方面，本申请提供了一种电子设备。该电子设备包括：前面所述的壳体组件；显示屏组件，所述显示屏组件与所述壳体组件相连，且所述显示屏组件和所述壳体组件之间限定出安装空间；以及主板，所述主板设置在所述安装空间内且与所述显示屏组件电连接。由此，该电子设备的壳体组件具有良好的耐摩擦性能以及结构稳定性，进而提高电子设备的综合性能。本领域技术人员可以理解，该壳体组件具有前面所述的防指纹微晶玻璃组件的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本申请一个实施例中防指纹微晶玻璃组件的结构示意图；
图2是本申请另一个实施例中制备防指纹微晶玻璃组件的方法流程图；
图3是本申请又一个实施例中电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本申请的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本申请，而不应视为限定本申请的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
下面参考具体实施例，对本申请进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本申请。
在本申请的一方面，本申请提供了一种防指纹微晶玻璃组件。根据本申请的实施例，参照图1，防指纹微晶玻璃组件包括：微晶玻璃基材10；氧化镧膜层20，氧化镧膜层20设置在微晶玻璃基材10的一个表面上；介质层30，介质层30设置在氧化镧膜层20远离微晶玻璃基材10的表面上；以及AF膜40，AF膜40设置在介质层30远离微晶玻璃基材10的表面上。由此，通过在微晶玻璃基材与介质层之间设置氧化镧膜层，可以大大提高介质层的附着力，提高介质层和微晶玻璃基材之间的结合力，进而提高AF膜层的附着力和耐摩擦性能，从而满足玻璃组件对抗指纹油的耐摩擦性能的要求，延长AF膜的使用寿命。
发明人发现，由于微晶玻璃与常规玻璃的结构特征不同，导致微晶玻璃的亚表面层更致密，如此导致普通的介质层(比如二氧化硅)打底增加AF附着力的方式失效，钢丝绒摩擦很难达到3K次以上。针对上述技术问题，发明人发现可以在微晶玻璃基材与介质层之间设置一层氧化镧膜层，介质层在氧化镧膜层上具有优异的附着力，进而大大增强微晶玻璃基材与介质层之间的结合力。
根据本申请的实施例，氧化镧膜层的厚度为小于10纳米，比如氧化镧膜层的厚度为9纳米、8纳米、7纳米、6纳米、5纳米、4纳米、3纳米、2纳米或1纳米。由此，既可以保证在微晶玻璃基材的表面形成一层厚度均匀的氧化镧薄膜，而且上述厚度的氧化镧膜层对微晶玻璃基材的附着力较佳，成本较低，同时还能保证介质层与氧化镧膜层之间的良好结合力。
根据本申请的实施例，氧化镧膜层中氧化镧为白色斜方晶系，纯度大于99.9％。由此，可以更进一步的提升氧化镧膜层在微晶玻璃基材表面上的附着力。其中，氧化镧膜层中可以具有微量CeO2、PtO2等同系氧化物杂质，如此上述杂质含量较少，而且Ce、Pt与镧为同系元素，部分性质相似，所以微量的CeO2、PtO2杂质对氧化镧膜层的整体性能影响较小。
根据本申请的实施例，介质层的材料为二氧化硅，如此，二氧化硅材料的介质层在氧化镧膜层的表面具有较佳的附着力，可以有有效的保证介质层与氧化镧膜层之间良好的结合力，以及介质层与AF膜之间良好的结合力，进而提升AF膜的耐摩擦性能，提高防指纹微晶玻璃组件的整体结构稳定性。
进一步的，介质层的厚度小于10纳米，比如介质层的厚度为9纳米、8纳米、7纳米、6纳米、5纳米、4纳米、3纳米、2纳米或1纳米。由此，既可以保证介质层厚度的均匀性，而且同时保证AF膜与介质层之间的良好结合性能。
进一步的，AF膜的厚度为10～20纳米，比如AF膜的厚度为10纳米、11纳米、12纳米、13纳米、14纳米、15纳米、16纳米、17纳米/18纳米、19纳米或20纳米，上述厚度的AF膜具有良好的防指纹性能。
在本申请的另一方面，本申请提供了一种制备前面所述的防指纹微晶玻璃组件的方法。在一个实施例中，参照图2，制备防指纹微晶玻璃组件的方法包括：
S100：在微晶玻璃基材的一个表面上形成氧化镧膜层。
根据本申请的实施例，在形成氧化镧膜层之前，可以预先用碱性清洗剂对所述微晶玻璃基材的表面进行清洗，所述碱性清洗剂的pH小于9。由此，可以清洗去除微晶玻璃基材污渍，而且碱性清洗剂pH小于9，碱性较弱，不会与微晶玻璃基材发生反应，影响微晶玻璃基材的性能。进一步的，在微晶玻璃基材经过碱性清洗剂清洗之后，还可以进一步的利用去离子水冲洗3～5次，以便冲洗干净残留的碱性清洗剂。
根据本申请的实施例，可以通过真空镀膜的方法形成氧化镧膜层，其中，真空镀膜满足以下条件至少之一：镀膜速率为0.07～0.3nm/s(比如0.07nm/s、0.1nm/s、0.13nm/s、0.15nm/s、0.18nm/s、0.2nm/s、0.23nm/s、0.25nm/s、0.28nm/s、0.3nm/s)；电流为150～170mA(比如电流为150mA、155mA、160mA、165mA、170mA)。在上述条件下，可以有效制备性能优异的氧化镧膜层。
更进一步的，在形成氧化镧膜层之后对氧化镧膜层的表面进行离子清洗，如此，既可以清洗去除污渍，还可以保证氧化镧膜层的表面具有足够的活性，进而有助于提高后续形成的介质层与氧化镧膜层之间的结合力。其中，离子清洗后，所述氧化镧膜层表面的水滴角(即接触角)小于15°。由此，氧化镧膜层表面的润湿性能较高，有助于提高后续制备介质层时介质层的成型效果，以及介质层对氧化镧膜层表面的附着力。
其中，离子清洗的具体手段没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，只要可以达到清洗要求即可。在一些实施例中，离子清洗可以为氩气等离子体清洗等方式。
S200：在氧化镧膜层远离微晶玻璃基材的表面上形成介质层。
根据本发明的实施例，可以通过真空镀膜的方法形成所述介质层，其中，所述真空镀膜满足以下条件至少之一：镀膜速率为0.13～0.15nm/s(比如0.13nm/s、0.135nm/s、0.14nm/s、0.145nm/s、0.15nm/s)；电流为150～170mA(比如电流为150mA、155mA、160mA、165mA、170mA)。在上述条件下，可以有效制备性能优异的二氧化硅等材料的介质层。
更进一步的，在形成介质层之后对介质层的表面进行离子清洗，如此，既可以清洗去除污渍，还可以保证介质层的表面具有足够的活性，进而有助与提高后续形成的AF膜与介质层之间的结合力。其中，离子清洗后，介质层表面的水滴角小于15°。由此，介质层表面的润湿性能较高，有助于提高后续制备AF膜时AF膜的成型效果，以及AF膜对介质层表面的附着力。其中，离子清洗的具体手段没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，只要可以达到清洗要求即可。在一些实施例中，离子清洗可以为氩气等离子体清洗等方式。
S300：在介质层远离微晶玻璃基材的表面上形成AF膜。
在上述步骤中，形成AF膜的具体方法可以采用蒸发镀膜的方法，其中，蒸发镀膜形成AF膜中镀膜速率为0.3～0.5nm/s(比如0.3nm/s、0.35nm/s、0.4nm/s、0.45nm/s、0.5nm/s)。由此，可以形成防指纹性能优异的AF膜。
根据本申请的实施例，在上述制备防指纹微晶玻璃组件的方法中，预先在微晶玻璃基材的表面形成一层氧化镧膜层之后再形成介质层，如此可以大大提高介质层的附着力，提高介质层和微晶玻璃基材之间的结合力，进而提高AF膜层的附着力和耐摩擦性能，从而满足玻璃组件对抗指纹油的耐摩擦性能的要求，延长AF膜的使用寿命。
在本申请的又一方面，本申请提供了一种壳体组件。根据本申请的实施例，该壳体组件包括前面所述的防指纹微晶玻璃组件。由此，该壳体组件具有良好的耐摩擦性能以及结构稳定性。本领域技术人员可以理解，该壳体组件具有前面所述的防指纹微晶玻璃组件的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
根据本申请的实施例，壳体组件除了包括上述的防指纹微晶玻璃组件，本领域技术人员还可以根据对壳体组件的实际需求灵活设置其它层结构，比如还可以在微晶玻璃基材远离AF膜的一侧设置UV纹理层、颜色层、镀膜层和盖底油膜层等结构中的一种或多种。
在本申请的还一方面，本申请提供了一种电子设备。根据本申请的实施例，参照图3，电子设备包括：前面所述的壳体组件100；显示屏组件200，显示屏组件200与壳体组件100相连，且显示屏组件200和壳体组件100之间限定出安装空间；以及主板(图中未示出)，主板设置在安装空间内且与显示屏组件电连接。由此，该电子设备的壳体组件具有良好的耐摩擦性能以及结构稳定性，进而提高电子设备的综合性能。本领域技术人员可以理解，该壳体组件具有前面所述的防指纹微晶玻璃组件的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
实施例
实施例1
参照图1，防指纹微晶玻璃组件包括：微晶玻璃基材10；氧化镧膜层20，氧化镧膜层20设置在微晶玻璃基材10的一个表面上；二氧化硅介质层30，二氧化硅介质层30设置在氧化镧膜层20远离微晶玻璃基材10的表面上；以及AF膜40，AF膜40设置在二氧化硅介质层30远离微晶玻璃基材10的表面上。其中，氧化镧膜层的厚度为8nm，氧化镧膜层中氧化镧为白色斜方晶系，纯度大于99.9％；二氧化硅介质层的厚度为8nm，AF膜的厚度12nm。
对比例1
防指纹微晶玻璃组件包括：微晶玻璃基材；二氧化硅介质层，二氧化硅介质层设置在微晶玻璃基材的一个表面上；以及AF膜，AF膜设置在二氧化硅介质层远离微晶玻璃基材的表面上。其中，二氧化硅介质层的厚度为8nm，AF膜的厚度12nm。
分别对实施例1和对比例1中的防指纹微晶玻璃组件进行钢丝绒摩擦测试，测试条件为：用专用的钢丝绒(型号0000#)，施加1Kg负载，测试压头面积2*2cm，以40圈/min的速度，30～40mm的行程，在样本表面摩擦10000个循环(一个往返作为一个循环)。测试结果为：实施例1中的防指纹微晶玻璃组件的水滴角为107°，说明其耐磨性较佳；对比例1中的防指纹微晶玻璃组件的水滴角为65°，说明其耐磨性较差，不符合使用要求。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (12)
1.一种防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，
微晶玻璃基材；
氧化镧膜层，所述氧化镧膜层设置在所述微晶玻璃基材的一个表面上；
介质层，所述介质层设置在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上；以及
AF膜，所述AF膜设置在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上。
2.权利要求1所述的防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，所述氧化镧膜层的厚度为小于10纳米。
3.权利要求1所述的防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，所述氧化镧膜层中氧化镧为白色斜方晶系，纯度大于99.9％。
4.权利要求1～3中任一项所述的防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，所述防指纹微晶玻璃组件还满足以下条件至少之一：
所述介质层的材料为二氧化硅；
所述介质层的厚度小于10纳米；
所述AF膜的厚度为10～20纳米。
5.一种制备权利要求1～4中任一项所述的防指纹微晶玻璃组件的方法，其特征在于，包括：
在微晶玻璃基材的一个表面上形成氧化镧膜层；
在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上形成介质层；
在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上形成AF膜。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过真空镀膜的方法形成所述氧化镧膜层，其中，所述真空镀膜满足以下条件至少之一：
镀膜速率为0.07～0.3nm/s；
电流为150～170mA。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化镧膜层之后对所述氧化镧膜层的表面进行离子清洗，使所述氧化镧膜层表面的水滴角小于15°。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过真空镀膜的方法形成所述介质层，其中，所述真空镀膜满足以下条件至少之一：
镀膜速率为0.13～0.15nm/s；
电流为150～170mA。
9.根据权利要求5或8所述的方法，其特征在于，在形成所述介质层之后对所述介质层的表面进行离子清洗，使所述介质层表面的水滴角小于15°。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化镧膜层之前，预先用碱性清洗剂对所述微晶玻璃基材的表面进行清洗，所述碱性清洗剂的pH小于9。
11.一种壳体组件，其特征在于，包括权利要求1～4中任一项所述的防指纹微晶玻璃组件。
12.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求11所述的壳体组件；
显示屏组件，所述显示屏组件与所述壳体组件相连，且所述显示屏组件和所述壳体组件之间限定出安装空间；以及
主板，所述主板设置在所述安装空间内且与所述显示屏组件电连接。
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| US20100136869A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus |
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| CN112694258A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-23 | 重庆鑫景特种玻璃有限公司 | 一种憎水憎油性提高的镀膜微晶玻璃及其制法和应用 |
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