CN114415400A - 一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法 - Google Patents
一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法 Download PDFInfo
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 title claims abstract description 124
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 claims description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 108010053070 Glutathione Disulfide Proteins 0.000 claims 1
- YPZRWBKMTBYPTK-BJDJZHNGSA-N glutathione disulfide Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(=O)N[C@H](C(=O)NCC(O)=O)CSSC[C@@H](C(=O)NCC(O)=O)NC(=O)CC[C@H](N)C(O)=O YPZRWBKMTBYPTK-BJDJZHNGSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0136—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour for the control of polarisation, e.g. state of polarisation [SOP] control, polarisation scrambling, TE-TM mode conversion or separation
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/212—Mach-Zehnder type
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
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Abstract
本发明涉及电光调制器技术领域，提出一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法，包括基底层，基底层顶部设置有薄膜铌酸锂平板层，薄膜铌酸锂平板层上设置有作为输入波导的第一端面耦合器、偏振旋转分束器、两个马赫曾德尔干涉仪、偏振旋转合束器、作为输出波导的第二端面耦合器，以及用于输入射频信号和偏置电压的电极；两个马赫曾德尔干涉仪在薄膜铌酸锂平板层上对称设置。本发明中的电极和马赫曾德尔干涉仪结合形成马赫曾德尔调制器用于实现电光调制，实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制。
Description
技术领域
本发明涉及电光调制器技术领域，更具体地，涉及一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法。
背景技术
电光调制器作为薄膜铌酸锂材料的主要应用之一，它在光通信、数据中心和无线通信***和各种光电链路中充当非常关键的器件。尤其是铌酸锂薄膜调制器具有损耗低，驱动电压低、超高电光带宽，并且比传统体铌酸锂调制器结构尺寸小等特点。目前薄膜铌酸锂调制器已经得到了迅速的发展。然而，对于目前大部分的调制器是偏振相关的，为了保证电光调制器性能和可靠性，大量的天线元件和相关的数字专用集成电路(ASIC)需要放置在电光调制器附近，这导致了共封装或集成激光源极有可能放置于高温环境中(>100℃)(激光器通常需要在0℃至70℃的温度范围内工作中)，这将会引起激光器性能和方案可靠性大大下降。针对这一问题，最经济有效的方法之一是使用偏振不敏感调制器替代现有的偏振敏感型调制器，并针对任意偏振态输入实现偏振无关调制。此时，激光器可以放置在远端温控房，只需将标准单模光纤把远端激光光源与偏振不敏感电光调制器连接起来即可实现调制。
目前的偏振不敏感的电光调制器有如硅基微环单边带偏振不敏感调制器，但采用硅材料作为调制器时，主要通过自由载流子效应实现电光调制，这种传统的硅基电光调制器的调制信号质量、带宽、半波电压、***损耗等关键性能参数的提升已逐渐遇到瓶颈。另外基于硅材料配合石墨烯或者氧化铟材料辅助实现偏振不敏感相位调制的，或者使用聚合物材料实现偏振无关调制的，这些方案在工艺复杂度、集成难度、还有调制效率上都有待提升，而且存在调制效率、电光带宽、驱动电压等局限性问题。
发明内容
本发明为克服上述现有的偏振不敏感电光调制器的调制效率低，具有一定局限性的缺陷，提供一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，包括基底层，所述基底层顶部设置有薄膜铌酸锂平板层，所述薄膜铌酸锂平板层上设置有作为输入波导的第一端面耦合器、偏振旋转分束器、两个马赫曾德尔干涉仪、偏振旋转合束器、作为输出波导的第二端面耦合器，以及用于输入射频信号和偏置电压的电极；所述两个马赫曾德尔干涉仪在薄膜铌酸锂平板层上对称设置。
在使用过程中，输入光通过第一端面耦合器输入到偏振旋转分束器，所述偏振旋转分束器将输入光转换为相同偏振的两束光分量后，分别通过两条波导传输至两个马赫曾德尔干涉仪中；通过对所述电极输入射频信号，对马赫曾德尔干涉仪中的光分量进行单偏振态调制，然后经过偏振旋转合束器对光分量进行合束，通过两条波导传输至第二端面耦合器进行耦合输出，从而实现任意偏振态输入都可以实现稳定调制，即偏振无关调制。
本技术方案中的电极和马赫曾德尔干涉仪结合形成马赫曾德尔调制器(MZM)用于实现电光调制，实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制。
作为优选方案，所述马赫曾德尔干涉仪包括作为光分束器的1×2多模干涉仪和作为光合束器的2×2多模干涉仪，且所述1×2多模干涉仪与2×2多模干涉仪之间通过两条光波导连接；所述2×2多模干涉仪的第一输出端与所述偏振旋转合束器的输入端连接，所述2×2多模干涉仪的第二输出端连接有用于监控输出光信号状态的光栅耦合器。
作为优选方案，所述电极包括用于输入射频信号实现调制的行波电极，以及用于调节调制器偏置点的电调电极；所述行波电极采用GSG结构或GSGSG、GSSG差分电极结构中的一种，且所述马赫曾德尔干涉仪中的一条光波导设置在G行波电极与S行波电极之间；所述电调电极包括正电极和负电极，所述马赫曾德尔干涉仪中的另一条光波导设置在正电调电极与负电调电极之间。
作为优选方案，所述行波电极采用T型电容负载式周期性电极结构。
作为优选方案，所述基底层包括由下至上依次设置的衬底和埋氧层，所述薄膜铌酸锂平板层设置在埋氧层上方，所述薄膜铌酸锂平板层上方覆盖有二氧化硅层，所述电极设置在二氧化硅层上方。
作为优选方案，所述行波电极位置对应的衬底采用各向同性刻蚀技术进行刻蚀去除。
作为优选方案，所述第一端面耦合器和第二端面耦合器分别包括上下两层倒锥形波导。
作为优选方案，所述第一端面耦合器的输入端、所述第二端面耦合器的输出端耦合设置有拉锥光纤。
作为优选方案，所述偏振旋转分束器包括依次连接的倒锥形模式转换器、定向耦合器和1×1多模干涉仪；所述偏振旋转合束器包括依次连接的1×1多模干涉仪、定向耦合器和倒锥形模式转换器。
进一步地，本发明还提出一种用于制备上述任一技术方案提出的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器的制备方法，包括以下步骤：
S1、利用光刻和刻蚀技术制备器件波导结构的上层波导，所述器件波导结构包括作为输入波导的第一端面耦合器、偏振旋转分束器、两个马赫曾德尔干涉仪、偏振旋转合束器、作为输出波导的第二端面耦合器，以及光栅耦合器；
S2、在所述S1步骤得到的样品上光刻制作第一端面耦合器、第二端面耦合器的下层波导；
S3、在所述S2步骤得到的样品上旋涂光刻胶，并利用紫外光刻制作用于保护所述器件波导结构的掩模；
S4、在所述S3步骤得到的样品上刻蚀制备器件波导结构的其他下层波导；
S5、对所述S4步骤得到的样品进行清洗，去除残余的光刻胶和掩模；
S6、对所述S5步骤得到的样品高温生长一层覆盖层；
S7、对所述S6步骤得到的样品旋涂光刻胶，并在光刻胶上光刻制备电极的掩模版；
S8、对所述S7步骤得到的样品使用电子束蒸镀一层黏附层和金属电极，然后利用金属剥离工艺去除多余金属；
S9、对所述S8步骤得到的样品旋涂光刻胶，并利用紫外光刻制作保护金属电极和器件波导层的掩模，并形成金属电极之间的刻蚀孔；
S10、对所述S9步骤得到的样品刻蚀制备金属电极悬空结构，去除金属电极下方的衬底；
S11、对所述S10步骤得到的样品通过研磨抛光工艺制作抛光端面，形成完整的偏振无关电光调制器。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：本发明通过采用薄膜铌酸锂材料，通过端面耦合的方式结合偏振旋转分束器将输入光中两个正交偏振的光转换为相同偏振的光分量输出，两路光分量分别经过马赫曾德尔干涉仪与电极组成的马赫曾德尔调制器进行电光调制，实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制，具有调制效率高、带宽大、驱动电压低、集成度高、易封装、成本低等优点。
附图说明
图1为实施例1的偏振无关电光调制器的结构示意图。
图2为实施例1的偏振旋转合束器的结构示意图。
图3为实施例1的偏振旋转合束器的偏振旋转原理图。
图4为实施例2的偏振无关电光调制器的结构示意图。
图5为实施例2的偏振无关电光调制器的截面图。
图6为实施例2的偏振无关电光调制器的单偏振态调制原理图。
图7为实施例3的偏振无关电光调制器的制备方法的流程图。
其中，1-基底层，101-衬底，102-埋氧层，103-薄膜铌酸锂平板层，104-二氧化硅层，2-第一端面耦合器，3-偏振旋转分束器，301-倒锥形模式转换器，302-定向耦合器，303-1×1多模干涉仪，4-马赫曾德尔干涉仪，401-1×2多模干涉仪，402-2×2多模干涉仪，403-光波导，5-偏振旋转合束器，6-第二端面耦合器，7-光栅耦合器，8-行波电极，9-电调电极。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
实施例1
本实施例提出一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，如图1所示，为本实施例的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器的结构示意图。
本实施例提出的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器中，包括基底层1，所述基底层1顶部设置有薄膜铌酸锂平板层103，所述薄膜铌酸锂平板层103上设置有作为输入波导的第一端面耦合器2、偏振旋转分束器3、两个马赫曾德尔干涉仪4、偏振旋转合束器5、作为输出波导的第二端面耦合器6，以及用于输入射频信号和偏置电压的电极；所述两个马赫曾德尔干涉仪4在薄膜铌酸锂平板层103上对称设置。
本实施例中的第一端面耦合器2、第二端面耦合器6用作输入波导和输出波导，实现模斑转换及端面耦合，其端面耦合设置有拉锥光纤，用于与拉锥光纤进行模斑匹配输入或输出光。
进一步的，本实施例中的第一端面耦合器2、第二端面耦合器6采用上下两层倒锥形结构的铌酸锂脊形波导，采用双层倒锥形波导结构的端面耦合器对TE偏振和TM偏振耦合效率都可以大于或等于90％。
进一步的，本实施例中的偏振旋转分束器3和偏振旋转合束器5结构相同，方向相反，分别包括倒锥形模式转换器301、定向耦合器302和1×1多模干涉仪303。如图2、3所示，为本实施例的偏振旋转分束器3的结构示意图和原理图。
本实施例中的偏振旋转分束器3用于将TE0与TM0偏振光同时从器件一端输入时，TE0分量仍保持不变并经1×1多模干涉仪303的输出端输出，而TM0分量通过所述倒锥形模式转换器301转化为TE1模式，再通过所述定向耦合器302转化为TE0模式后经定向耦合器302的输出端输出至马赫曾德尔干涉仪4。
可选地，本实施例中的TM0分量经倒锥形模式转换器301、定向耦合器302的转换后，还可以通过1×1多模干涉仪303去除由于工艺误差或者侧壁粗糙引起的定向耦合器302未过滤干净的TE1分量，提高本征模式的输出纯度。
本实施例对于TE模式与TM模式分离和偏振旋转效率均超过99％，且经实验测试结果偏振串扰低于-23dB，工作带宽大于或者等于70nm，片上***损耗小于或者等于0.12dB。
本实施例中的两个马赫曾德尔干涉仪4在薄膜铌酸锂平板层103上表面呈上下对称设置，且两个马赫曾德尔干涉仪4配合用于输入射频信号和偏置电压的电极，形成用于实现电光调制的马赫曾德尔调制器(MZM)，具有相同的调制效率。
在具体实施过程中，输入光通过第一端面耦合器2输入到偏振旋转分束器3，所述偏振旋转分束器3将两个正交偏振光分量转换为相同偏振后，分别从两条波导传输至两个马赫曾德尔干涉仪4中。其中，两个正交偏振光分量一个为基横电模(TE0)偏振和一个为基横磁模(TM0)偏振，经过偏振旋转分束器3后TE0偏振态保持不变，而TM0通过偏振旋转转换成TE0。然后进一步通过对电极输入射频信号，两路正交偏振光分量在马赫曾德尔干涉仪4中分别进行单偏振态调制，然后经过偏振旋转合束器5对光分量进行合束，通过两条波导传输至第二端面耦合器6将携带电信号的光信号输出。
本实施例中，通过采用薄膜铌酸锂材料，通过端面耦合的方式结合偏振旋转分束器3将输入光中两个正交偏振的光TE0和TM0分别为以TE0和TE0输出，两路光分别经过马赫曾德尔干涉仪4同时调制后，最后通过偏振旋转合束器5将调制过的正交偏振的光进行合束，从而实现任意偏振态输入都可以实现稳定调制，即偏振无关调制。
实施例2
本实施例提出一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，包括基底层1，所述基底层1顶部设置有薄膜铌酸锂平板层103，所述薄膜铌酸锂平板层103上设置有作为输入波导的第一端面耦合器2、偏振旋转分束器3、两个马赫曾德尔干涉仪4、偏振旋转合束器5、作为输出波导的第二端面耦合器6，以及用于输入射频信号和偏置电压的电极和用于监控输出光信号状态的光栅耦合器7；所述两个马赫曾德尔干涉仪4在薄膜铌酸锂平板层103上对称设置。
进一步的，本实施例中的马赫曾德尔干涉仪4包括作为光分束器的1×2多模干涉仪401和作为光合束器的2×2多模干涉仪402，且所述1×2多模干涉仪401与2×2多模干涉仪402之间通过两条光波导403连接；所述2×2多模干涉仪402的第一输出端与所述偏振旋转合束器5的输入端连接，所述2×2多模干涉仪402的第二输出端连接有光栅耦合器7。
其中，连接光分束器和光合束器的两条光波导403分别用于对偏振进行相位调制和偏置点控制；而2×2多模干涉仪402的第二输出端连接的光栅耦合器7用于监测输出光信号状态。
进一步的，本实施例中的电极包括用于输入射频信号实现调制的行波电极8，以及用于调节调制器偏置点的电调电极9；所述行波电极8采用G-S-G(地-信号-地)结构或G-S-G-S-G、G-S-S-G差分电极结构中的一种，且所述马赫曾德尔干涉仪4中的一条光波导403设置在G行波电极8地电极与S行波电极8信号电极之间；所述电调电极9包括正电极和负电极，所述马赫曾德尔干涉仪4中的另一条光波导403设置在正电调电极9与负电调电极9之间。
上述行波电极8除了可以采用G-S-G(地-信号-地)结构，还可以使用差分驱动电极做为金属微波信号波导，金属微波信号电极可以为GSGSG(地-信号-地-信号-地)结构，也可以为SS(信号-信号)或GSSG(地-信号-信号-地)等差分电极结构，或采用变种结构，如在SS差分电极结构上添加轨道部分形成带有轨道的差分电极结构，同样也可以派生各种结构。
进一步的，本实施例中的基底层1包括由下至上依次设置的衬底101和埋氧层102，所述薄膜铌酸锂平板层103设置在埋氧层102上方，所述薄膜铌酸锂平板层103上方覆盖有二氧化硅层104，所述电极设置在二氧化硅层104上方。
进一步的，本实施例中的行波电极8采用T型电容负载式周期性电极结构，且T型电容负载式周期性电极结构的行波电极8位置对应的衬底101采用各向同性刻蚀技术进行刻蚀去除，且行波电极8之间的二氧化硅层104通过各向同性刻蚀技术去除，形成悬空结构，有助于降低微波损耗。
本实施例中的电调电极9和行波电极8均采用金材料。
在一具体实施过程中，本实施例以G-S-G-S-G差分电极结构进一步说明，如图4～6所示，为本实施例的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器的结构示意图和单偏振态调制原理图。
本实施例采用差分驱动形式进行调制，光信号经过偏振旋转分束器3转换为相同偏振的两束光分量后输入到马赫曾德尔干涉仪4，通过外置的差分驱动模块给设置在光波导403两侧的行波电极8和电调电极9分别输入射频信号和调节偏置电压，保证调制器处于最佳调制状态，经过调制后的信号通过光波导403再传输到偏振旋转合束器5汇合输出。其中差分驱动模块和行波电极8使用金线连接，并保证差分驱动模块上S电极与行波电极8的S电极连接，差分驱动模块上G电极与行波电极8的G电极连接；电调电极9通过打金线的方式和外接PCB板连接实现电压控制。
本实施例采用有行波电极8、电调电极9和马赫曾德尔干涉仪4结合形成马赫曾德尔调制器(MZM)用于实现电光调制，实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制，且具有调制效率高、带宽大、驱动电压低、集成度高、易封装、成本低等优点。其中通过电调电极9对马赫曾德尔干涉仪4中的光信号进行偏置点调节，具有可调谐范围大、调谐稳定、调谐可靠性高等特点。
实施例3
本实施例提出一种用于制备实施例1或实施例2提出的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器的制备方法，如图7所示，为本实施例的制备方法的流程图。
本实施例提出的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器的制备方法中，包括以下步骤：
S1、利用光刻和刻蚀技术制备器件波导结构的上层波导，所述器件波导结构包括作为输入波导的第一端面耦合器2、偏振旋转分束器3、两个马赫曾德尔干涉仪4、偏振旋转合束器5、作为输出波导的第二端面耦合器6和光栅耦合器7；
S2、在所述S1步骤得到的样品上光刻制作第一端面耦合器2、第二端面耦合器6的下层波导；
S3、在所述S2步骤得到的样品上旋涂光刻胶，并利用紫外光刻制作用于保护所述器件波导结构的掩模；
S4、在所述S3步骤得到的样品上刻蚀制备器件波导结构的其他下层波导；
S5、对所述S4步骤得到的样品进行清洗，去除残余的光刻胶和掩模；
S6、对所述S5步骤得到的样品高温生长一层二氧化硅作为覆盖层；
S7、对所述S6步骤得到的样品旋涂光刻胶，并在光刻胶上光刻制备电极的掩模版；
S8、对所述S7步骤得到的样品使用电子束蒸镀一层黏附层和金属电极，然后利用金属剥离工艺去除多余金属；
S9、对所述S8步骤得到的样品旋涂光刻胶，并利用紫外光刻制作保护金属电极和器件波导层的掩模，并形成金属电极之间的刻蚀孔；
S10、对所述S9步骤得到的样品刻蚀制备金属电极悬空结构，去除金属电极下方的衬底101；
S11、对所述S10步骤得到的样品通过研磨抛光工艺制作抛光端面，形成完整的偏振无关电光调制器。
本实施例提出的制备方法所制备的偏振无关电光调制器不需要额外的片外光电子器件，具有制备工艺简单的特点，仅需要传统的光刻、刻蚀工艺，不需要键合、转印等复杂工艺。相对于传统分立元件较多的偏振无关调制器相比，本实施例的基于薄膜铌酸锂偏振无关电光调制器具有集成度高、制作工艺简单、成本低廉、器件性能优越、有利于耦合封装及量产化的特点。
相同或相似的标号对应相同或相似的部件；
附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，包括基底层(1)，所述基底层(1)顶部设置有薄膜铌酸锂平板层(103)，所述薄膜铌酸锂平板层(103)上设置有作为输入波导的第一端面耦合器(2)、偏振旋转分束器(3)、两个马赫曾德尔干涉仪(4)、偏振旋转合束器(5)、作为输出波导的第二端面耦合器(6)，以及用于输入射频信号和偏置电压的电极；所述两个马赫曾德尔干涉仪(4)在薄膜铌酸锂平板层(103)上对称设置；
其中，输入光通过第一端面耦合器(2)输入到偏振旋转分束器(3)，所述偏振旋转分束器(3)将输入光转换为相同偏振的两束光分量后，分别通过两条波导传输至两个马赫曾德尔干涉仪(4)中；通过对所述电极输入射频信号，对马赫曾德尔干涉仪(4)中的光分量进行单偏振态调制，然后经过偏振旋转合束器(5)对光分量进行合束，通过两条波导传输至第二端面耦合器(6)进行耦合输出。
2.根据权利要求1所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述马赫曾德尔干涉仪(4)包括作为光分束器的1×2多模干涉仪(401)和作为光合束器的2×2多模干涉仪(402)，且所述1×2多模干涉仪(401)与2×2多模干涉仪(402)之间通过两条光波导(403)连接；所述2×2多模干涉仪(402)的第一输出端与所述偏振旋转合束器(5)的输入端连接，所述2×2多模干涉仪(402)的第二输出端连接有光栅耦合器(7)。
3.根据权利要求2所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述电极包括用于输入射频信号实现调制的行波电极(8)，以及用于调节调制器偏置点的电调电极(9)；所述行波电极(8)采用GSG结构或GSGSG、GSSG差分电极结构中的一种，且所述马赫曾德尔干涉仪(4)中的一条光波导(403)设置在G行波电极(8)与S行波电极(8)之间；所述电调电极(9)包括正电极和负电极，所述马赫曾德尔干涉仪(4)中的另一条光波导(403)设置在正电调电极(9)与负电调电极(9)之间。
4.根据权利要求3所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述行波电极(8)采用T型电容负载式周期性电极结构。
5.根据权利要求4所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述基底层(1)包括由下至上依次设置的衬底(101)和埋氧层(102)，所述薄膜铌酸锂平板层(103)设置在埋氧层(102)上方，所述薄膜铌酸锂平板层(103)上方覆盖有二氧化硅层(104)，所述电极设置在二氧化硅层(104)上方。
6.根据权利要求5所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述行波电极(8)位置对应的衬底(101)采用各向同性刻蚀技术进行刻蚀去除。
7.根据权利要求1～6任一项所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述第一端面耦合器(2)和第二端面耦合器(6)分别包括上下两层倒锥形波导。
8.根据权利要求1～6任一项所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述第一端面耦合器(2)的输入端、所述第二端面耦合器(6)的输出端耦合设置有拉锥光纤。
9.根据权利要求1～6任一项所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，所述偏振旋转分束器(3)包括依次连接的倒锥形模式转换器(301)、定向耦合器(302)和1×1多模干涉仪(303)；所述偏振旋转合束器(5)包括依次连接的1×1多模干涉仪、定向耦合器和倒锥形模式转换器。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、利用光刻和刻蚀技术制备器件波导结构的上层波导，所述器件波导结构包括作为输入波导的第一端面耦合器(2)、偏振旋转分束器(3)、两个马赫曾德尔干涉仪(4)、偏振旋转合束器(5)、作为输出波导的第二端面耦合器(6)和光栅耦合器(7)；
S2、在所述S1步骤得到的样品上光刻制作第一端面耦合器(2)、第二端面耦合器(6)的下层波导；
S3、在所述S2步骤得到的样品上旋涂光刻胶，并利用紫外光刻制作用于保护所述器件波导结构的掩模；
S4、在所述S3步骤得到的样品上刻蚀制备器件波导结构的其他下层波导；
S5、对所述S4步骤得到的样品进行清洗，去除残余的光刻胶和掩模；
S6、对所述S5步骤得到的样品高温生长一层覆盖层；
S7、对所述S6步骤得到的样品旋涂光刻胶，并在光刻胶上光刻制备电极的掩模版；
S8、对所述S7步骤得到的样品使用电子束蒸镀一层黏附层和金属电极，然后利用金属剥离工艺去除多余金属；
S9、对所述S8步骤得到的样品旋涂光刻胶，并利用紫外光刻制作保护金属电极和器件波导层的掩模，并形成金属电极之间的刻蚀孔；
S10、对所述S9步骤得到的样品刻蚀制备金属电极悬空结构，去除金属电极下方的衬底(101)；
S11、对所述S10步骤得到的样品通过研磨抛光工艺制作抛光端面，形成完整的偏振无关电光调制器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
| CN114415400A true CN114415400A (zh) | 2022-04-29 |
Family
ID=81278419
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113900280A (zh) * | 2020-06-22 | 2022-01-07 | 浙江大学 | 偏振无关的光开关 |
| CN116124291A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-05-16 | 中国科学技术大学 | 基于硅光芯片的偏振测量***及偏振测量方法 |
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-
2022
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