CN114388563A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114388563A CN114388563A CN202110773960.1A CN202110773960A CN114388563A CN 114388563 A CN114388563 A CN 114388563A CN 202110773960 A CN202110773960 A CN 202110773960A CN 114388563 A CN114388563 A CN 114388563A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- transistor
- display device
- sub
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 25
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 27
- 101100451713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) HTL1 gene Proteins 0.000 description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 3
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016553 CuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开的实施方式涉及一种显示装置,该显示装置包括基板、在显示区域中位于基板下方的光学器件以及在显示区域中位于基板上方的子像素层,其中,子像素层包括位于与光学器件交叠的第一区域处的具有第一特性的至少一个第一晶体管,以及位于不与光学器件交叠的第二区域的具有第二特性的至少一个第二晶体管。
Description
技术领域
实施方式涉及显示装置,更具体地涉及能够改善摄像头区域的透射率的显示器。
背景技术
随着多媒体的发展,平板显示装置的重要性在增加。作为对此的响应,诸如液晶显示器和有机发光显示器的平板显示装置是商业上可获得的。
显示装置提供使用触摸传感器等的输入方法,以及诸如摄像头和接近传感器的光学器件,以向用户提供各种应用功能。因此,存在显示装置的设计变得更复杂的问题。
特别地,由于摄像头和接近传感器被设置为暴露于外部以用于光的进入和离开,因此存在必须减小显示面板的显示区域的问题。
因此,在相关技术中,显示装置被制造为具有用于光学器件的安装和暴露的大边框的设计,或者被制造为其中显示面板被切割成凹口形状的设计。
然而,存在这样的问题:显示面板的大边框增加了显示面板的尺寸,并且摄像头区域的凹口形状由于摄像头的暴露而导致不良的设计。
因此,近年来,已经进行了将摄像头设置成与显示面板内的显示区域交叠的研究。
然而,当设置摄像头以便与显示区域交叠时,不仅难以提高设置摄像头的区域的透射率,而且难以在低分辨率下实现高亮度。
发明内容
因此,本公开的发明人公开了一种显示装置,其能够改善摄像头区域的透射率,同时将摄像头设置为与显示面板内的显示区域交叠。
根据本公开的实施方式将在下面描述的问题不限于上述问题,并且根据下面的描述,本领域技术人员将清楚地理解未提及的其它问题。
根据本公开的实施方式的显示装置包括基板,在显示区域中,位于基板下方的光学器件,以及在显示区域中,位于基板上方的子像素层。子像素层包括位于与光学器件交叠的第一区域的具有第一特性的至少一个第一晶体管,和位于不与光学器件交叠的第二区域的具有第二特性的至少一个第二晶体管。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,在基板中与第一区域相对应的区域可由透明聚酰亚胺形成。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,基板可以包括第一基板、第二基板和插置在第一基板和第二基板之间的层间绝缘层。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,与第一基板或第二基板中的第二区域相对应的区域可以由彩色聚酰亚胺形成。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,光学器件可以包括摄像头或接近传感器中的至少一个。
在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中,第一晶体管和第二晶体管可能具有彼此不同的电特性。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,电特性可以由沟道的长度和宽度确定。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,第一晶体管可以是氧化物晶体管,第二晶体管可以是低温多晶硅晶体管。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,第一区域中每单位面积的子像素的数目可以小于第二区域中每单位面积的子像素的数目。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,设置在第一区域中的子像素包括由两个或更多个子像素组成的至少一个子像素组。
在根据本公开的实施方式的显示装置中,子像素组之间的间隔距离可以大于每个子像素组中包括的两个或多个子像素之间的间隔距离。
在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中,第一晶体管和第二晶体管形成在不同的层上。
根据本公开的实施方式,存在制造能够提高摄像头区域的透射率同时将摄像头设置为与显示面板内的显示区域交叠的显示装置的效果。
本公开中公开的实施方式的效果不限于上述效果。此外,本公开中公开的实施方式可以产生上面未提及的另一效果,本领域技术人员从以下描述将清楚地理解该效果。
附图说明
在附图中:
图1示出根据本公开的实施方式的显示装置的框图;
图2示出根据本公开的实施方式的显示装置的横截面图;
图3示出根据本公开的实施方式的显示装置的显示面板中设置有摄像头的第一区域中的子像素的设置的结构图;
图4示出了示出根据本公开的实施方式的显示装置的显示面板中除第一区域之外的第二区域中的子像素的设置的结构图;
图5示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第二区域中设置子像素的区域的截面图;
图6示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第一区域中设置子像素的区域的截面图;
图7示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第一区域中未设置子像素的区域的截面图;
图8示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的基板;
图9示出根据本公开的实施方式的显示装置中使用透明聚酰亚胺作为基板的第一区域和使用彩色聚酰亚胺作为基板的第二区域的光谱;
图10示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第一区域和第二区域的截面图。
具体实施方式
参考附图和实施方式的详细描述,本公开及其实现方法的优点和特征将变得明显。本公开不应被解释为限于这里阐述的实施方式,而可以以各种不同的形式来实施。相反,提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的,并且将本公开的范围完全传达给本技术领域的普通技术人员。本公开的范围将由所附权利要求限定。
附图中描绘以说明示范性实施方式的形状,大小、比率、角度、数目等仅是说明性的,且本公开不限于附图中说明的实施方式。在本文中,相同的附图标记和符号将用于表示相同或相似的部件。在本公开的以下描述中,在本公开的主题可能由此变得不清楚的情况下,将省略结合到本公开中的已知功能和组件的详细描述。应当理解,除非明确地相反描述,否则本文所用的术语“包含”、“包括”、“具有”及其任何变型旨在涵盖非排他性的包含。这里使用的单数形式的部件描述旨在包括复数形式的部件描述,除非明确地相反描述。
在组件的分析中,应当理解,其中包括误差范围,即使在没有明确描述的情况下。
当诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下”、“在……下方”和“在……的一侧上”的空间相对术语在本文中用于描述一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系时,一个或多个居间元件或组件可存在于一个与其它元件或组件之间,除非使用诸如“直接”的术语。
当使用诸如“在……之后”、“随后”、“跟随”和“在……之前”的时间上相对的术语来定义时间关系时,可以包括非连续的情况,除非使用术语“立即”或“直接”。
在信号传输的描述中,诸如“信号从节点A发送到节点B”,信号可经由另一节点从节点A发送到节点B,除非使用术语“立即”或“直接”。
此外,这里可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种部件。然而,应当理解,这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件或部件与其它元件或部件。因此,在下文中称为第一部件的第一部件可以是在本公开的精神内的第二部件。
本公开的示范性实施方式的特征可以部分地或完全地彼此联接或组合,并且可以彼此协同工作或可以以多种技术方法操作。此外,各个示例性实施方式可以独立地执行,或者可以与其它实施方式相关联并与之一致地执行。
在下文中,将参照附图详细描述各种实施方式。
图1说明根据本公开实施方式的显示装置的框图。
参照图1,根据本公开的实施方式的显示装置100可包括显示图像的显示面板110和保护显示面板110的壳体(未示出)。
当用户观看显示装置100的前表面时,可以在显示面板110的外部区域中示出外壳的一部分,但是在一些情况下,如果显示装置100被实现为全显示类型,则外壳可以是不可见的或几乎不可见的。
显示面板110可以包括其中显示图像的显示区域AA和可以是不显示图像的显示区域AA的外部区域的非显示区域NA。
显示区域AA可以包括第一区域A1和第二区域A2,在第一区域A1中设置有用于拍摄图像的摄像头120,第二区域A2对应于除了第一区域A1之外的所有其它区域。
例如,当用户持有显示装置100并拍摄自身图像时,用户可以观看第一区域A1拍摄图片。在这种情况下,接近传感器130可以与摄像头120一起设置在第一区域A1中,用于检测人体或从周围区域接近的对象。
显示区域AA中的第一区域A1可以是光进入摄像头120的路径(光入射区域)。这里,光可以是电磁波,例如可见光、红外光或紫外光。
摄像头120或接近传感器130可以通过设置在第一区域A1下方而与第一区域A1交叠。
第二区域A2可以对应于除了第一区域A1之外的所有区域,其中摄像头120或接近传感器130设置在显示图像的显示区域AA中。
第一区域A1可以位于显示区域AA内的中上部区域中,并且第一区域A1可以被第二区域A2包围。例如,当第一区域A1具有正方形形状时,第一区域A1可以在四个方向上被第二区域A2围绕。
根据本公开的实施方式的显示装置100可以感测手指或笔的触摸,或者可以感测显示面板110的显示区域AA中的指纹。即,根据本公开的实施方式的显示装置100可以在显示装置100的前部区域中提供触摸感测功能或指纹感测功能。
图2示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的横截面图。
参照图2,根据本公开的实施方式的显示装置100可以包括位于显示面板110下方并与显示面板110的显示区域AA交叠的光学器件,例如摄像头120和接近传感器130。
因此,显示装置100可以提供用于摄像头120拍摄图像的功能和用于接近度传感器130感测的功能,以及通过显示面板110显示图像的功能。
为了上述目的,显示装置100可以包括光入射区域IA,其中光进入显示区域AA用于光学器件的功能。
显示面板110可包括基板320、其上设置有多个子像素的子像素层330、位于子像素层330上并施加与公共电压相对应的阴极电压的阴极层340、位于阴极层340上的封装层350,以及位于封装层350上并包括多个触摸电极的触摸传感器层360。
基板320对应于构成显示面板110的基础基板,并且可以由透明聚酰亚胺构成,以减少位于下方的摄像头120的色差失真并提高可见光区域中的透射率。
此外,基板320可以具有一定厚度以防止湿气渗入上部子像素层330,并且可以具有层间绝缘层322插置在下部第一基板321和上部第二基板323之间的层叠结构。
子像素层330可以包括晶体管阵列331,阳极层332和发光层333。晶体管阵列331可以位于显示区域AA中的基板320上,并且包括设置在多个子像素的每一个中的一个或多个晶体管。阳极层332可以设置在晶体管阵列331上,并且包括电连接到与多个子像素相对应的晶体管的源极节点或漏极节点的阳极。发光层333可以位于多个子像素的每一个中的阳极层332上的相应阳极上方。
阴极层340可以位于发光层333上。阳极层332、发光层330和阴极层340形成用于多个子像素中的每一个的发光元件(例如,有机发光二极管)。
触摸传感器层360可以包括多个触摸电极,并且还可以包括电连接到多个触摸电极的全部或部分的多条触摸线。
例如,多个触摸电极可以设置在一层上,或者可以被分开并设置在由绝缘层分开的两层或更多层上。多条触摸线可以位于与多个触摸电极不同的层上,或者可以位于与多个触摸电极中的一些相同的层上。
多个触摸电极可以设置在显示区域AA中。多条触摸线中的每一条可以电连接位于显示区域AA中的相应触摸电极和位于非显示区域NA中的焊盘部分。因此,多条触摸线可以穿过非显示区域NA,并且可以电连接到沿封装层350的倾斜表面延伸的焊盘部分。
根据本公开的实施方式的显示装置100还可包括设置在触摸传感器层360上的偏振片370、设置在偏振片370上的光学透明粘合剂380和设置在光学透明粘合剂380上的盖玻片390。
根据本公开的实施方式的显示装置100还可以包括位于显示面板100下方的指纹传感器面板300。也就是说,指纹传感器面板300可以位于基板320下方。
当在显示面板100和指纹传感器面板300之间存在空气层时,通过指纹传感器面板300的指纹感测性能可能降低,或者指纹感测操作可能是不可能的。因此,显示面板100和指纹传感器面板300可以用粘合材料(例如,树脂、光学透明粘合剂、压敏粘合剂等)粘合。
此外,根据本公开的实施方式的显示装置100还可以包括位于显示面板100和指纹传感器面板300之间的背板310。显示面板100可以结合到背板310的上表面,指纹传感器面板300可以结合到背板310的下表面。这里,背板310可以不是必要元件。
根据本公开的实施方式的显示装置100还可以包括位于指纹传感器面板300下方的缓冲板306,用于保护指纹传感器面板300的下部。缓冲板306可以包括泡沫垫302和由铜(Cu)等构成的金属板304。
根据本公开的实施方式的显示装置100可以包括位于显示区域AA中的基板320下方的光学器件。例如,光学器件可以包括摄像头120和接近传感器130中的一个或多个。
摄像头120和接近传感器130可以位于显示区域AA的第一区域A1中。即,摄像机120和接近传感器130可以与显示区域AA中的第一区域A1交叠。
光入射区域IA可以是通过其透射用于由摄像头120拍摄图像的可见光或用于由接近度传感器130感测的光(例如,红外光)的光路。在一个平面上,光入射区域IA可以对应于第一区域A1。
第一区域A1可以是用于拍摄图像的摄像头120的镜头所在的摄像头区域,并且可以是能够感测对象或人体的接近的接近感测区域。因此,优选的是光必须通过第一区域A1良好地透射。
出于上述目的,位于光入射区域IA中的层390、380、370、360、350、340、330、320和310中的每一者可具有大于预定阈值透射率的透射率,以用于摄像头120和接近度传感器130在对应于第一区域A1的区域处的有效功能。
同时,第一区域A1可以位于显示区域AA中,并且可以位于显示区域AA的中心区域中。另外,第一区域A1可以在平面上具有预定形状(例如,诸如正方形和六边形的多边形,圆形,椭圆形等)。
图3例示了示出根据本公开的实施方式的显示装置的显示面板中设置有摄像头的第一区域中的子像素的设置的结构图,图4示出了示出根据本公开的实施方式的显示装置的显示面板中除第一区域之外的第二区域中的子像素的设置的结构图。
参照图3,构成根据本公开的实施方式的显示装置100中的显示面板110的多个子像素SP可包括发射红光的红色子像素R、发射绿光的绿色子像素G和发射蓝光的蓝色子像素B。
多个子像素SP中的每一个可以具有矩形形状,并且可以以条纹形式或点形式排列。
在构成显示区域AA的第一区域A1和第二区域A2中,第二区域A2可以具有高分辨率以显示生动的彩色图像,而其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1可以具有相对低的分辨率以增加入射光的透射率。
为了上述目的,第一区域A1中每单位面积的子像素SP的数目可以小于第二区域A2中每单位面积的子像素SP的数目。
另一方面,设置在第一区域A1中的子像素SP可以构成包括两个或多个子像素SP的子像素组SPG。这里,子像素组SPG之间的间隔距离D可以大于每个子像素组SPG中包括的两个或多个子像素SP之间的间隔距离。
参照图4,用于驱动子像素SP的诸如数据线、选通线和阳极的金属图案可以设置在第一区域A1中,即使在第一区域A1中设置的子像素SP比在第二区域A2中设置的少。这可能略微降低第一区域A1的透射率。为了对此进行补偿,可以规则地设置第一区域A1中的子像素组SPG。
因此,第一区域A1的透射率可以在整个第一区域A1中规则且均匀地改变。因此,可以减少用于由摄像头120拍摄图像或用于由接近传感器130感测的性能的显著的下降。
同时,第一区域A1中的子像素组SPG可以根据颜色具有不同数目的子像素SP。例如,在每个子像素组SPG中,绿色子像素G的数目可以大于蓝色子像素B的数目和红色子像素R的数目。例如,子像素组SPG可以包括一个蓝色子像素B、一个红色子像素R和两个绿色子像素G,或者可以包括两个蓝色子像素B、两个红色子像素R和四个绿色子像素G。
在下文中,示出了其中子像素SP设置在第二区域A2中的区域X Area X、其中子像素SP设置在第一区域A1中的区域Y Area Y,以及其中子像素SP没有设置在第一区域A1中的区域Z Area Z的横截面结构。作为参考,示出了用于驱动晶体管的顶栅结构。
图5示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第二区域中设置子像素的区域的截面图。
参照图5,根据本公开的实施方式,多缓冲层MULTI-BUF和有源缓冲层ACT-BUF可设置在基板320上的区域X Area X中,在区域X Area X中,子像素SP位于显示装置100中的显示面板110的第二区域A2中。有源层ACT可以设置在有源缓冲层ACT-BUF上。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。对应于栅极的第一节点电极NE1可以设置在栅极绝缘层GI上。可以设置绝缘层INS覆盖第一节点电极NE1。中间层INT可以设置在绝缘层INS上。可以为中间层INT、绝缘层INS和栅极绝缘层GI形成三重接触孔。
由源-漏材料制成的第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以设置在中间层INT上。第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以通过中间层INT、绝缘层INS和栅极绝缘层GI的三重接触孔连接到有源层ACT。
可以在与对应于有源层ACT中的栅极的第一节点电极NE1交叠的区域处形成沟道。不与第一节点电极NE1交叠的区域可以是有源层ACT中的导体区域。
有源层ACT、第一节点电极NE1、第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以形成用于驱动子像素SP的驱动晶体管DRT2。
位于第二区域A2中的驱动晶体管DRT2可以由包括中温氧化物(MTO)的氧化物晶体管或低温多晶硅(LTPS)晶体管构成。
平坦化层PLN可以设置在第二节点电极NE2和第三节点电极NE3上。阳极AE可以设置在平坦化层PLN上。阳极AE可以通过平坦化层PLN的接触孔电连接到驱动晶体管DRT2的第二节点电极NE2。
堤部BANK可以设置在与阳极AE的一部分交叠并且与平坦化层PLN的一部分交叠的区域中。堤部BANK可以限定每个子像素SP的发光区域。
间隔件SPC可进一步设置在堤部BANK上。
发光层EL可以设置在阳极AE上的其中堤部BANK开口的区域中。阴极CE可以设置在发光层EL上。
包括第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2的封装层350可以设置在阴极CE上。
图6示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第一区域中设置子像素的区域的截面图。
参照图6,根据本公开的实施方式,多缓冲层MULTI-BUF和有源缓冲层ACT-BUF可设置在基板320上的区域Y Area Y中,在区域Y Area Y中,子像素SP位于显示装置100中的显示面板110的第一区域A1中。有源层ACT可以设置在有源缓冲层ACT-BUF上。
在这种情况下,位于设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中的基板320可以由透明聚酰亚胺制成,以便增加入射光的透射率。另一方面,位于未设置摄像头120或接近传感器130的第二区域A2中的基板320可以由与第一区域A1相比具有相对低的光透射率的彩色聚酰亚胺制成。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。对应于栅极的第一节点电极NE1可以设置在栅极绝缘层GI上。绝缘层INS可以设置为覆盖第一节点电极NE1。中间层INT可以设置在绝缘层INS上。可以为中间层INT、绝缘层INS和栅极绝缘层GI形成三重接触孔。
由源-漏材料制成的第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以设置在中间层INT上。第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以通过在中间层INT、绝缘层INS和栅极绝缘层GI中形成的三重接触孔电连接到有源层ACT。
沟道可以形成在与对应于有源层ACT中的栅极的第一节点电极NE1交叠的区域中。不与第一节点电极NE1交叠的区域可以是有源层ACT中的导体区域。
有源层ACT、第一节点电极NE1、第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以在显示面板110的第一区域A1中形成驱动晶体管DRT1。
位于第一区域A1中的驱动晶体管DRT1可以由包括中温氧化物(MTO)的氧化物晶体管或低温多晶硅(LTPS)晶体管组成。
当第二区域A2中的驱动晶体管DRT2和设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中的驱动晶体管DRT1具有不同的电特性时,可以提高第一区域A1的透射率并同时改善第二区域A2的显示特性。
平坦化层PLN可以设置在第二节点电极NE2和第三节点电极NE3上。阳极AE可以设置在平坦化层PLN上。阳极AE可以通过平坦化层PLN的接触孔连接到驱动晶体管DRT1的第二节点电极NE2。
堤部BANK可以设置在与阳极AE的一部分交叠并且与平坦化层PLN的一部分交叠的区域中。堤部BANK可以限定每个子像素SP的发光区域。
间隔件SPC可进一步设置在堤部BANK上。
发光层EL可以设置在阳极AE上的其中堤部BANK开口的区域中。阴极CE可以设置在发光层EL上。
在这种情况下,包括在阴极层340中的阴极CE在第一区域A1和第二区域A2中可以分别具有不同的透明度。
包括第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2的封装层350可以设置在阴极CE上。
堤部BANK限定多个子像素SP的每一个的发光区域,并且可以位于阳极层332和阴极层340之间,在阳极层332中,阳极AE设置在多个子像素SP中。
间隔件SPC可设置在堤部BANK上的第一区域A1和第二区域A2之间的边界区域中。设置在第一区域A1中的阴极CE和设置在第二区域A2中的阴极CE的边界BRD可以位于间隔件SPC上方。
图7示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第一区域中未设置子像素的区域的截面图。
参照图7,在根据本公开的实施方式的显示装置100中,显示面板110的第一区域A1可包括其中子像素组SPG彼此间隔开的无子像素空间。
为此,晶体管DRT、存储电容器、阳极AE、发光层EL等不设置在不存在子像素SP的无子像素区域Z Area Z中。然而,具有一定透射率的阴极CE可能存在于无子像素区域Z AreaZ中。
多缓冲层MULTI-BUF和有源缓冲层ACT-BUF可以设置在基板320上。有源层ACT可以设置在有源缓冲层ACT-BUF上。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。绝缘层INS和中间层INT可以设置在栅极绝缘层GI上。
平坦化层PLN可以设置在中间层INT上。堤部BANK可以设置在平坦化层PLN上。阴极CE可以设置在堤部BANK上。
包括第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL、第二无机封装层PAS2等的封装层350可以设置在阴极CE上。
图8示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的基板,图9示出根据本公开的实施方式的显示装置中的使用透明聚酰亚胺作为基板的第一区域和使用彩色聚酰亚胺作为基板的第二区域的光谱。
参照图8,构成根据本公开的实施方式的显示装置100中的显示面板110的基板320可包括其中设置摄像头120或接近传感器130的第一区域A1和其中不设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2,其中,第一区域A1和第二区域A2可由不同材料制成。
例如,第一区域A1的基板320可以由透明聚酰亚胺PI1形成,以便增加入射在第一区域A1上的光的透射率,摄像头120或接近传感器130设置在第一区域A1中。此外,其中,没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2的基板320可以由彩色聚酰亚胺PI2形成。
因此,设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1的透射率可以大于没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2的透射率。
在这种情况下,其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1可以具有大于预定阈值的透射率,以便实现摄像头120拍摄图像的性能和接近传感器130感测的性能。
参照图9,可以看出,与其中基板320由彩色聚酰亚胺PI2形成的第二区域A2不同,当其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1的基板320由透明聚酰亚胺PI1形成时,透射率根据基板320的厚度的变化非常小。
特别地,基于基板320的厚度为大约16μm并且入射光在蓝色区域中具有短波长的情况,透明聚酰亚胺PI1具有大约两倍于彩色聚酰亚胺PI2的透射率。此外,在长波长以及短波长的情况下,与彩色聚酰亚胺P12相比,透明聚酰亚胺PI1具有更高的透射率。
另外,根据本公开的实施方式的显示装置100可以通过形成为其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中的驱动晶体管DRT1具有与其中未设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中的驱动晶体管DRT2不同的电特性来改善第一区域A1的透射率。
图10示出根据本公开的实施方式的显示装置中的显示面板的第一区域和第二区域的截面图。
参照图10,根据本公开的实施方式,在第一区域A1中形成的第一晶体管DRT1可以具有与在第二区域A2中形成的第二晶体管DRT2不同的电特性,在第一区域A1中设置有摄像头120或接近传感器130,在第二区域A2中不设置摄像头120和接近传感器130。
具体地,在设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中形成的第一晶体管DRT1可以由能够增加入射光透射率的特性或材料制成。
例如,可以通过改变形成在第一区域A1中的第一晶体管DRT1的沟道长度和宽度来增加入射光的透射率。或者,第一晶体管DRT1可以由具有透明氧化物材料的氧化物晶体管形成。
另一方面,在没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中形成的第二晶体管DRT2不需要具有高透射率。因此,第二晶体管DRT2可以具有用于发光效率的适当长度的沟道,或者可以由不同于氧化物晶体管的材料(例如,非晶硅晶体管或LTPS晶体管等)制成。
在这种情况下,形成LTPS晶体管的LTPS工艺是在与形成氧化物晶体管的低温工艺相比在相对高的温度下执行的工艺。因此,设置在与LTPS晶体管相邻的位置处的透明聚酰亚胺的颜色可能改变,并且氧化物晶体管的性能可能由于形成LTPS晶体管的工艺中的高温的影响而降低。
因此,当设置在其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中的第一晶体管DRT1由LTPS晶体管形成时,由透明聚酰亚胺PI1制成的基板320的颜色可能改变,并且光的透射率可能降低。因此,优选地,设置在第一区域A1中的第一晶体管DRT1由氧化物晶体管形成。
另一方面,由于在没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中形成的第二晶体管DRT2不需要具有高透射率,它可以由LTPS晶体管形成,并且基板320也可以由彩色聚酰亚胺PI2形成。
如上所述,当在没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中形成的第二晶体管DRT2由LTPS晶体管形成时,即使基板320由透明聚酰亚胺PI1形成并且第一晶体管DRT1由氧化物晶体管通过LTPS工艺在其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中形成,也可以在第一区域A1中防止透明聚酰亚胺PI1的颜色变化和第一晶体管DRT1的性能劣化。
因此,在其中设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中,基板320可以由透明聚酰亚胺PI1形成,并且第一晶体管DRT1可以由氧化物晶体管制成。结果,可以提高第一区域A1的透射率。
同时,上述氧化物晶体管可以是N型或P型晶体管。例如,N型氧化物晶体管可以包括IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、ITZO(氧化铟锡锌)等中的一种或多种。此外,P型氧化物晶体管可以包括CuOx、SnOx、NiOx等中的一种或多种。
另外,在设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中的第一晶体管DRT1和在没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中的第二晶体管DRT2可以形成在同一层或不同层上。
这里,示出了第一晶体管DRT1和第二晶体管DRT2位于同一有源层ACT上的情况。而且,示出了对应于栅极的第一节点电极NE1、对应于源-漏节点的第二节点电极NE2和第三节点电极NE3形成在同一层上。
另一方面,在设置有摄像头120或接近传感器130的第一区域A1中的第一晶体管DRT1和在没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中的第二晶体管DRT2可以形成在不同的层上。
例如,设置有摄像头120或接近传感器130第一区域A1中的第一晶体管DRT1可以设置在有源缓冲层ACT-BUF上的第一有源层ACT上方。另一方面,第二有源层ACT可以形成在绝缘层INS或中间层INT上,并且第二晶体管DRT2可以形成在没有设置摄像头120和接近传感器130的第二区域A2中的第二有源层ACT上方。结果,构成第二晶体管DRT2的第一节点电极NE1、第二节点电极NE2和第三节点电极NE3可以位于与构成第一晶体管DRT1的第一节点电极NE1、第二节点电极NE2和第三节点电极NE3不同的层。
以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本公开的技术思想的示例。本公开所属的技术领域中具有普通知识的技术人员将理解,在不脱离本公开的基本特征的情况下,形式上的各种修改和改变,诸如组合、分离、替换和配置的改变是可能的。因此,本公开中公开的实施方式旨在说明本公开的技术思想的范围,并且本公开的范围不受该实施方式限制。本公开的范围应基于所附权利要求以包括在与权利要求等同的范围内的所有技术思想属于本公开的方式来解释。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月6日提交的韩国专利申请No.10-2020-0128782的优先权,出于所有目的将其引入本文作为参考,如同在本文中完全阐述一样。
Claims (12)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板;
光学器件,所述光学器件在显示区域中位于所述基板下方;以及
子像素层,所述子像素层在所述显示区域中位于所述基板上方;
其中,所述子像素层包括具有第一特性的至少一个第一晶体管和具有第二特性的至少一个第二晶体管,所述至少一个第一晶体管位于与所述光学器件交叠的第一区域,所述至少一个第二晶体管位于不与所述光学器件交叠的第二区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述基板中与所述第一区域相对应的区域由透明聚酰亚胺形成。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述基板包括:
第一基板;
第二基板;以及
插置在所述第一基板和所述第二基板之间的层间绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在所述第一基板或所述第二基板中,与所述第二区域相对应的区域由彩色聚酰亚胺形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光学器件包括摄像头或接近传感器中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管具有彼此不同的电特性。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述电特性由沟道的长度和宽度确定。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一晶体管是氧化物晶体管,所述第二晶体管是低温多晶硅晶体管。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一区域中每单位面积的子像素的数目小于所述第二区域中每单位面积的子像素的数目。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,设置在所述第一区域中的子像素包括由两个或多个子像素组成的至少一个子像素组。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述子像素组之间的间隔距离大于每个子像素组中包括的两个或多个子像素之间的间隔距离。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管形成在不同层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0128782 | 2020-10-06 | ||
KR1020200128782A KR20220045756A (ko) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | 디스플레이 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114388563A true CN114388563A (zh) | 2022-04-22 |
Family
ID=80932409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110773960.1A Pending CN114388563A (zh) | 2020-10-06 | 2021-07-08 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11723233B2 (zh) |
KR (1) | KR20220045756A (zh) |
CN (1) | CN114388563A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230149626A (ko) * | 2022-04-20 | 2023-10-27 | 삼성전자주식회사 | Udc를 포함한 전자 장치 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100796618B1 (ko) * | 2007-01-04 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100838090B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2008-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101801913B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2017-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR102446875B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2022-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102407869B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2022-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR102103962B1 (ko) * | 2016-09-02 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
KR102591811B1 (ko) * | 2018-05-18 | 2023-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20200102580A (ko) * | 2019-02-21 | 2020-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
-
2020
- 2020-10-06 KR KR1020200128782A patent/KR20220045756A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-06-22 US US17/354,579 patent/US11723233B2/en active Active
- 2021-07-08 CN CN202110773960.1A patent/CN114388563A/zh active Pending
-
2023
- 2023-06-21 US US18/212,682 patent/US20230337469A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11723233B2 (en) | 2023-08-08 |
US20230337469A1 (en) | 2023-10-19 |
KR20220045756A (ko) | 2022-04-13 |
US20220109036A1 (en) | 2022-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108206192B (zh) | 用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置 | |
US10706753B2 (en) | Display device | |
US10347699B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
CN106873212B (zh) | 包括盒内式触摸板的背板基板、液晶显示装置及制造方法 | |
US9465495B2 (en) | Display device having a reduced bezel width | |
US9111810B2 (en) | Circuit board and display device including first and second channel layers made of different semiconductor materials | |
KR20180076661A (ko) | 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치 | |
EP3012865A1 (en) | Display panel and display device having the same | |
CN104752482A (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
KR20060044716A (ko) | 화상판독장치, 화상판독장치를 구비한 화상판독시스템 | |
CN113257864A (zh) | 显示装置 | |
US20220376003A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
US20220130943A1 (en) | Display substrate and display apparatus | |
KR20160087981A (ko) | 표시 장치 | |
CN105445969A (zh) | 显示面板 | |
KR20070005965A (ko) | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 | |
US20230337469A1 (en) | Display device | |
WO2020230497A1 (ja) | 表示装置 | |
KR102124827B1 (ko) | 프로세스 키를 포함하는 표시패널 | |
US10845639B2 (en) | Display device | |
US20220320225A1 (en) | Display substrate and method for manufacturing the same, and display device | |
KR102081604B1 (ko) | 액정표시장치 | |
US20240118760A1 (en) | Input sensor and electronic device including the same | |
US20230213806A1 (en) | Display Device and Manufacturing Method Thereof | |
CN115220269B (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |