CN114388545A - 成像模组及电子设备 - Google Patents
成像模组及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114388545A CN114388545A CN202111678940.2A CN202111678940A CN114388545A CN 114388545 A CN114388545 A CN 114388545A CN 202111678940 A CN202111678940 A CN 202111678940A CN 114388545 A CN114388545 A CN 114388545A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- imaging module
- wiring layer
- substrate
- chip
- photosensitive chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
本申请公开一种成像模组和电子设备,成像模组包括:第一基体,具有相对的第一表面和第二表面;布线层,设置于第一表面;感光芯片,位于布线层背离第一基体的一侧并与布线层电连接;封装层,覆盖感光芯片,且至少部分朝向第一基体的感光芯片由封装层露出;驱动装置,设于第二表面;其中,布线层具有第一连接部,驱动装置具有第二连接部,第一连接部与第二连接部电连接。本申请的感光芯片的感光面朝向第一基体并构成倒装式封装结构,外界光线可以从第一基体下方入射至感光芯片。在第一基体上制作出布线层,利用布线层将感光芯片的连接电路重新合理布局,并实现驱动装置与感光芯片的电性连接。成像模组厚度较薄,整体结构紧凑,内部连接可靠。
Description
技术领域
本申请属于成像模组技术领域,尤其涉及一种成像模组及电子设备。
背景技术
随着电子设备的发展,拍照、摄像、扫码等影像功能已经日益成为电子设备不可缺少的功能。近年来,消费者对电子设备小型化提出了更高的要求,成像模组也朝向高集成度、小型化的方向发展。申请人注意到,改善封装技术可以减小CMOS图像传感器(CMOSImage Sensor,CIS)芯片封装结构体积,进而减小成像模组体积,然而现有成像模组走线方式及内部连接结构无法适配新的封装结构形式。
发明内容
本申请实施例提供了一种成像模组及电子设备,能够使得成像模组内部连接适应小型化的需求,减小成型模组体积。
第一方面,本申请提供一种成像模组,包括:第一基体,具有相对的第一表面和第二表面;布线层,设置于所述第一表面;感光芯片,位于所述布线层背离所述第一基体的一侧并与所述布线层电连接;封装层,覆盖所述感光芯片,且至少部分朝向所述第一基体的所述感光芯片由所述封装层露出;驱动装置,设于所述第二表面;其中,所述布线层具有第一连接部,所述驱动装置具有第二连接部,所述第一连接部与所述第二连接部电连接。
第二方面,提供一种电子设备,电子设备包括第一方面的成像模组。
根据本实施例中提供的成像模组和电子设备,感光芯片的感光面朝向第一基体并构成倒装式封装结构,外界光线可以从第一基体下方入射至感光芯片。在第一基体上制作出布线层,利用布线层将感光芯片的连接电路重新合理布局,并实现驱动装置与感光芯片的电性连接。成像模组厚度较薄,整体结构紧凑,内部连接可靠。包含该成像模组的电子设备,同样具备薄而紧凑的结构,以及可靠的内部连接。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图2为图1中成像模组的俯视图;
图3为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图4为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图5为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图6为图4中成像模组的俯视图;
图7为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图8为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图9为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图10为图8中成像模组的俯视图;
图11为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图12为本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图;
图13为本申请一个实施例的电子设备。
附图中:
1、第一基体;11、第一表面;12、第二表面;13、第一转接通道;14、第一焊盘;15、滤光元件;
2、布线层;21、第一连接部;22、抗氧化层;23、导电块;24、子布线层;25、镂空区域
3、感光芯片;31、感光面;
4、封装层;
5、驱动装置;51、第二连接部;52、第一引线
6、第一连接线;
7、第二基体;71、第三表面;72、第四表面;73、第二转接通道;74、通孔;
8、光学组件;
9A、第一电路板;9B、第二电路板;91、第一控制芯片;92、第二控制芯片;
100、电子设备。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中,提出了许多具体细节,以便提供对本申请的全面理解。但是,对于本领域技术人员来说很明显的是,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合附图对实施例进行详细描述。
诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
另外,本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应理解,在本申请实施例中,“A与B连接”既可以是A与B直接连接,也可以是A与B间接连接,“A与B电连接”,既可以是A与B直接电性连接,也可以是A与B通信信号连接,可以是,A与B通过连接元件实现电性连接,也可以是,A与B直接接触实现电性连接,另外,还可以是,A与B是通信信号连接。
应理解,在本申请实施例中,“与A相应的B”表示B与A相关联,根据A可以确定B。但还应理解,根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B,还可以根据A和/或其它信息确定B。
随着电子设备小型化的发展趋势以及人们对影像功能的要求日益提升,成像模组朝向高集成度、小型化的方向发展。
申请人发现并认识到,现有的摄像模组通常以COB(Chip on Board)工艺进行封装,也就是说将CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)芯片或感光芯片,和电子元器件通过表面贴合工艺(Surface MountingTechnology,SMT)贴装于电路板表面,再用引线键合的方式将电路板封装,并将感光芯片、电路板以及镜头和对焦马达层叠设置,不仅封装结构体积大,而且感光芯片与电路板之间存在大量走线,使得走线良率低。
进一步的,申请人认为可以通过扇出式(Fan-Out)封装技术,特别是扇出型面板级封装工艺(FOPLP)对感光芯片进行封装,将成像模组的感光芯片与电子元器件电连接一起,以代替传统封装结构中的电路板,利用重布线(Redistribution Layer,RDL)技术将芯片与外界的连接点重新分配到合理位置,减小成像模组体积。然而传统封装结构中的走线方式难以用于新型封装结构,如感光芯片与对焦马达等元器件之间的连接方式也因此需要重新设计。
基于此,为了至少一定程度上缓解或解决上述技术问题,提出本申请。
本申请实施例提供一种成像模组,图1示出了本申请实施例提供的一种成像模组的结构示意图。图2示出了图1中的成像模组的俯视图。
请参阅图1和图2,本申请实施例提供的成像模组包括:第一基体1、布线层2、感光芯片3、封装层4以及驱动装置5。第一基体1具有相对的第一表面11和第二表面12。布线层2设置于第一表面11。感光芯片3位于布线层2背离第一基体1的一侧并与布线层2电连接。封装层4覆盖感光芯片3,且至少部分朝向第一基体1的感光芯片3由封装层4露出。驱动装置5设于第二表面12。布线层2具有第一连接部21,驱动装置5具有第二连接部51,第一连接部21与第二连接部51电连接。
感光芯片3,也称CMOS图像传感器芯片,用于将外界光信号转变为电信号。感光芯片3位于布线层2背离第一基体1的一侧并与布线层2电连接。布线层2与感光芯片3电连接,不仅可以通过布线层2对感光芯片3的连接电路进行扩展和重新布局,还可以将各种电子元器件电连接于布线层2,实现对感光芯片3功能的扩展。一方面将布线层2制作于第一基体1,可以代替传统封装结构的电路板,从而减小感光芯片3的封装结构,也减小了成像模组的体积;另一方面,布线层2也可以对感光芯片3与外界的连接点位置进行合理布置,优化封装结构以及成像模组整体结构,以使成像模组具有紧凑小型的结构配置。
可选的,请继续参阅图1,布线层2上暴露在外的导电结构可以设置抗氧化层22进行覆盖,防止布线层2暴露在外的导电结构氧化而降低电学特性,提高布线层2连接的可靠性。抗氧化层22的材料可以包括镍合金等不易氧化的材料,在此不做限制。
封装层4覆盖感光芯片3,能够包覆和保护感光芯片3,使得感光芯片3不会受到水、氧、污物和杂散光线的影响而降低成像质量。并且,封装层4至少部分朝向第一基体1的感光芯片3由封装层4露出,也就是说封装层4留有让感光芯片3露出的部分,因此封装层4并不影响感光芯片3本身的感光性能。
可选的,封装层4可以为塑料封装层4,具体可由环氧模塑化合物(Epoxy MoldingCompound,EMC)等材料形成。EMC是由环氧树脂为基体树脂,以高性能酚醛树脂为固化剂,加入硅微粉等填料以及多种助剂混配而成的粉状模塑料,具有较好的密封性和易塑封性,从而可以对封装层4所覆盖的感光芯片3进行塑封保护。
驱动装置5可以是线性马达,用于在拍照摄像过程中驱动镜头移动,以实现调整焦距的目的。布线层2设置于第一表面11,且具有第一连接部21;驱动装置5设置于第二表面12,并具有第二连接部51,第一连接部21与第二连接部51电连接,实现驱动装置5与布线层2的电连接,进而实现感光芯片3与驱动装置5的电连接。需要说明的是,第一连接部21与第二连接部51的电连接,既可以是直接的电性连接,也可以是信号通信连接。以下以第一连接部21和第二连接部51的电连接为直接的电性连接进行论述,但并不限于此。可以是,第一连接部21与第二连接部51通过连接元件实现电性连接,也可以是,第一连接部21与第二连接部51直接接触实现电性连接。在本实施例中提供的成像模组中,感光芯片3的感光面31朝向第一基体1并构成倒装式封装结构,外界光线可以从第一基体1下方入射至感光芯片3。在第一基体1上制作出布线层2,利用布线层2将感光芯片3的连接电路重新合理布局,并实现驱动装置5与感光芯片3的电性连接。成像模组厚度较薄,整体结构紧凑,内部连接可靠。
在上述实施例中,第一基体1包括透明材料,也就是说第一基体1为透光基体或第一基体1具有透光区域,感光芯片3倒装于第一基体1上,外界光线穿过第一基体1的透光区域并入射至感光芯片3的过程不会受到第一基体1自身的遮挡,因此光线损耗较小。
示例性的,第一基体1可以为刚性基体,能够使成像模组具有更好的支撑性能,整体结构更为稳固可靠。具体的,第一基体1为玻璃,布线层2可以通过成膜工艺形成于玻璃衬底,可以使得布线层2内部走线更准确,也可以提高感光芯片3的引脚与布线层2之间连接的准确性。另外,玻璃作为基体材料,无需打孔便可以使得外界光线直接穿过第一基体1进而照射至感光芯片3,简化了制作工艺,也使第一基体1具有更好的力学性能。
示例性的,第一基体1可以为柔性基体,也就是说,第一基体1可以是由厚度较薄的聚合物形成,或者第一基体1可以包括柔性材料,例如是具有柔性的树脂类材料。具体的,第一基体1的材料可以包括聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)等。第一基体1为柔性基体时,可以实现弯折、卷曲等变形效果,适应柔性电子产品的发展趋势,应用于柔性电子产品中可以使成像模组随柔性电子设备一同变形。
在一些实施例中,请继续参阅图1,成像模组还包括第一连接线6,第一连接线6的一端电连接于第一连接部21,另一端电连接于第二连接部51。成像模组内部采用走线连接的方式,将封装有感光芯片3的结构体与驱动装置5电连接,使得感光芯片3能够将电信号发送至驱动装置5,根据感光芯片3所采集的外界光信号来调节驱动装置5运动。第一连接线6连接于布线层2和驱动装置5的二者各自的连接部,相较传统封装结构的连接线数量有所减少,走线准确度和良率更高。
可选的,第一连接线6可以采用具有较好导电性的材料制成,比如铜、银、金、镍等。
在一些实施例中,请继续参阅图1,第一连接线可以采用跳线连接的方式,连接简单且易于维护。
本实施例对第一连接部21与第二连接部51的数量不做限定,第一连接部21与第二连接部51的数量可以相同也可以不同,可以是一个也可以是多个。本实施例对第一连接线6的数量不做限定,根据第一连接部21与第二连接部51的位置、数量及实际需要可以确定第一连接线6的数量,第一连接线6的数量可以是一条也可以是多条。
请参阅图3,图3示出了本申请一个实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图。
如图3所示,第一连接部21可以直接设置于第一表面11并与布线层2电连接,第二连接部51设置于驱动装置5朝向第一基体1的一侧,通过调整布线层2位置,在第一表面11预留出空间放置第一连接部21,可以使第一连接部21与布线层2的其他部分相对独立,更易于电路检测。
需要说明的是,本申请实施例对第一连接部21与第二连接部51的设置位置不做限定。第一连接部21,既可以是如图3所示,第一连接部21设置于第一表面11;也可以如图1所示,第一连接部21设置于布线层2表面,并与布线层2直接连接;还可以将第一连接部21设置于布线层2内部或由布线层2引出。第二连接部51,既可以如图3所示,第二连接部51设置于驱动装置5朝向第一基体1的一侧,也可以是第二连接部51设置于驱动装置5内部。
本申请实施例对第一连接部21与第二连接部51的结构不作限定,示例性的,第一连接部21与第二连接部51可以为焊盘,也可以为导线,还可以为导线的连接端,还可以为布线层自身的导电材料等。第一连接部21与第二连接部51的结构可以相同,也可以不同。
本申请实施例对第一连接部21与第二连接部51的材料不作限定,只要具有导电特性的材料,或在一定条件下可以导通的材料均可。
请参阅图4,图4示出了本申请一实施例提供的成像模组的结构示意图。
在一些实施例中,如图4所示,驱动装置5具有由自身引出的第一引线52,第一引线52复用为第一连接线6,不需要额外的连接线即可实现驱动装置5与感光芯片3的电连接,可以使得成像模组整体结构更为紧凑,又由于无需引入其他导电结构,因此可以减少成像模组整体结构的发热,减少能耗。
在一些实施例中,如图4所示,第一连接线可以采用侧边走线的方式,以使成像模组内部结构更为紧凑,减少走线路径,优化能耗。
请参阅图5和图6,图5示出了本申请实施例提供的一种成像模组的结构示意图。图6示出了图4中成像模组的俯视图。
在一些实施例中,如图5和图6所示,成像模组还包括第一焊盘14,第一焊盘14位于第二表面12且与第二连接部51电连接。第一连接线6与第一焊盘14电连接。通过设置第一焊盘14,可以便于第一连接线6与第一焊盘14的焊接,保证驱动装置5与第一连接线6之间连接可靠。
本实施例对第一焊盘14的结构形状不做限制,第一焊盘14可以是沿平行于第二表面12所在平面延伸的结构体。示例性的,第一焊盘14可以是条状也可以是面状。通过对第一焊盘14形状作针对性设计,以得到更优的焊接位置。
示例性的,若第一连接部21与第二连接部51二者沿平行于第二表面12所在平面错位设置,如图5所示,第一焊盘14的至少部分复用为第二连接部,可以将第一焊盘14的形状限定为沿平行于第二表面12所在平面的方向,且由第一连接部21至第二连接部51的方向延伸的条状结构体,这种设置方式能够利用第一焊盘14减少第一连接线6的走线距离,优化导电路径,改善能耗。同时,相较于走线连接的形式,采用焊盘的连接方式连接更为牢固可靠,不易松脱、扯断,无需设置多条导电线,可以避免由于导电线数量过多导致成像模组结构臃肿、内部连接不稳定、导电线连接精度低、功耗较大等问题。
请继续参阅图5和图6,在一些实施例中,第一基体1具有贯穿第一表面11与第二表面12的第一转接通道13,至少部分第一连接线6位于第一转接通道13。第一转接通道13例如可以是通孔,也可以是具有一定深度的盲孔。第一转接通道13可以对第一连接线6提供保护,避免第一连接线6整体暴露于外界,提高连接的可靠性。此外,借助于第一转接通道13,可以将位于第一基体1两侧的布线层2及驱动装置5电连接,减少电连接的走线路径,减少能耗。
请参阅图7,图7示出了本申请实施例提供的一种成像模组的内部结构示意图。
在一些实施例中,如图7所示,成像模组还包括第二基体7,第二基体7设置于第一基体1的第二表面12,且位于第一基体1与驱动装置5之间。第二基体7可以包括玻璃或印刷电路板。
相较于只有第一基体1的情况,引入第二基体7可以获得更大的工艺灵活性。如,布线层2可以设置于第一基体1,驱动装置5可以设置于第二基体7,因此对于布线层2和感光芯片3的封装过程,以及驱动装置5和第二基体7的安装过程可以并行,优化制作工艺,提高生产效率;又如,第二基体7是玻璃,可以利用成膜工艺将导电结构形成于玻璃,第二基体7是印刷电路板则可以将焊盘结构印制于印刷电路板,还可以利用印刷电路板扩展功能。另外,当第一基体为柔性材料时,第二基体可以是刚性材料,第一基体1与第二基体7组合使用,可以提高自身支撑能力,有利于成像模组整体结构稳固,提高整体结构的可靠性。
在一些实施例中,第二基体7为印刷电路板,第一焊盘14设置于第二基体7背离第一基体1的一侧。在印刷电路板上设置焊盘,工艺简单可靠,成本低。并且,根据驱动装置5和布线层2的位置关系,特别是,根据第二连接部51与第一连接部21之间的位置关系,在印刷电路板上可以制作出与该位置关系相适应的走线形式或焊盘结构,可以优化导电路径,也可以使成像模组内部走线更为简洁,易于维护。此外,前述实施例中关于第一焊盘14的设置方式及技术效果可以类推到本实施例,故不再赘述。
请继续参阅图7,在一些实施例中,如图7所示,第二基体7朝向驱动装置5的一侧设置有第一焊盘,第一焊盘14复用为第二连接部51,第一连接部21与第二连接部51通过跳线连接的方式实现电连接。
请参阅图8,图8示出了本申请一个实施例提供的成像模组的内部结构示意图。
在一些实施例中,如图8所示,第二基体7具有相对的第三表面71和第四表面72,以及贯穿第三表面71和第四表面72的第二转接通道73,布线层2与驱动装置5分别设置于第三表面71和第四表面72。至少部分第一连接线6位于第二转接通道73。在前述实施例有益效果的基础上,通过第二转接通道73实现布线层2与驱动装置5的过孔连接,减少第一连接线6的走线路径,优化能耗。
如图8所示,本实施例中,第二转接通孔73与第一转接通孔13贯通,但实际结构并不限于此。例如,第一转接孔13与第二转接孔73可以错位设置,也就是说,第一转接孔13与第二转接孔73在第二基体7上的正投影具有间隔。
请继续参阅图8,在一些实施例中,成像模组还包括光学组件8,光学组件8可以获取图像信号。示例性的,光学组件8可以是一个或多个镜头。
在本实施例中,第二基体7具有沿自身厚度方向贯穿的通孔74;光学组件8通过通孔74获取图像信号,由光学组件8捕捉到的外界光线可以通过通孔74直接入射至感光芯片3,降低光线损耗,提高成像模组的成像质量。
可选的,第二基体7为印刷电路板,通孔74开设于印刷电路板,在保证透光率的基础上不影响印刷电路板其他区域的正常工作。
在一些实施例中,第一基体1包括透明材料,也就是说第一基体1为透光基体或第一基体1具有透光区域,光学组件8至少部分对应于第一基体1的透光区域,因此,由光学组件8捕捉到的光线可以穿过透光区域而照射至感光芯片3,无需对第一基体1进行打孔、减薄等操作,简化制作工艺,提高第一基体1的结构稳定性。
在一些实施例中,光学组件8在第一表面11的正投影具有第一轮廓,第一基体1自身具有第二轮廓,第一轮廓与第二轮廓的形状相对应。本实施例对第一轮廓与第二轮廓二者形状不做限定,形状可以是圆形也可以是椭圆形,可以是方形也可以是矩形。第一轮廓与第二轮廓的形状相对应,也就是说光学组件8和第一基体1的形状相互适配,例如光学组件8为圆形光学镜头,则第一基体1的形状可以为圆形,光学组件8与第一基体1具有相互适配的形状因而可以优化成像模组内部空间的分配,使成像模组具有更为紧凑的结构。
请参阅图9,图9示出了本申请一个实施例提供的成像模组的内部结构示意图。
在一些实施例中,如图9所示,成像模组还包括第一电路板9A,第一电路板9A用于连接外部电路。布线层2背离第一基体1的一侧具有导电块23,第一电路板9A包括第一控制芯片91,布线层2通过导电块23与第一控制芯片91电连接。第一控制芯片91通过第一电路板9A与布线层2电连接于感光芯片3,可以对感光芯片3转换的电信号进行处理,也可以直接控制感光芯片3。
在本实施例中,电路板还包括无源器件,无源器件例如可以是无源电阻或无源电容。无源器件与第一控制芯片91通过第一电路板9A连接,并在第一控制芯片91的控制下能够实现预设的电路功能。
可选的,无源器件与感光芯片3通过布线层2内部的导电结构电连接,从而实现与第二控制芯片92之间的电连接,进而与第二控制芯片92构成用于实现滤波、耦合等功能电路。
布线层2背离第一基体1的一侧具有导电块23,导电块23的数量可以是一个或多个,感光芯片3可以通过导电块23实现与外部电路之间的信号传输。导电块23可以采用具有较好导电性的材料制成,比如铜、银、金、镍等等,以减少信号通过导电块23时的损耗,导电块23的数量、形状和尺寸均可以根据实际情况设置,本实施例对此并不作具体限制,但为了更易于实现封装,通常可以采用金属植球的形式更易于实现装配。
请参阅图10并结合图8,图10示出了图8中成像模组的俯视图。
在一些实施例中,成像模组包括第二控制芯片92,位于布线层2背离第一基体1的一侧并与布线层2电连接,封装层4覆盖第二控制芯片92。感光芯片3将光信号转换为电信号,第二控制芯片92可以对该电信号进行处理与分析。封装层4覆盖第二控制芯片92,可以保护第二控制芯片92免受外界水、氧和污物的污染,以及外力破坏。将第二控制芯片92与感光芯片3均集成于封装层4所形成的封装结构中,可以使得成像模组厚度更薄,结构更紧凑。
示例性的,第二控制芯片92可以为有源芯片,有源芯片可以包括数字信号处理(Digital Signal Process,DSP)模块,用于对感光芯片3采集的信息进行分析。
在一些实施例中,第一控制芯片91与第二控制芯片92可以共同封装于第一基体1,无需将第一控制芯片91与第二控制芯片92设置于用于连接外部电路的柔性电路板。由此可以减少柔性电路板的使用,仅通过布线层2便将第一控制芯片91、第二控制芯片92以及感光芯片3三者电连接,因此成像模组整体结构更为紧凑、可靠。
可选的,第一控制芯片91和/或第二控制芯片92为有源芯片。
可选的,第一控制芯片91和/或第二控制芯片92是AI芯片、Memory芯片、VPN芯片、SOC芯片中的一种或多种。
在一些实施例中,请继续参阅图8,成像模组还包括用于和外部电路连接的第二电路板9B,具体的,第二电路板9B可以为柔性印刷电路板(FPC)。
在一些实施例中,请继续参阅图8,成像模组还包括滤光元件15,通过滤光元件15可以使得成像模组所采集图像视觉效果接近于人眼视觉。滤光元件15设置于感光芯片3和光学组件8之间,可以对通过光学组件8所采集的光线中的杂散光进行过滤,使得感光芯片3最终的成像效果接近于人眼视觉。
需要说明的是,滤光元件15包括但不限于蓝玻璃,红外截止滤光件,全频谱滤光片等。可选的,成像模组还可以包括滤光元件15的安装支架,滤光元件15安装于滤光元件15的安装支架,一方面为了保持滤光元件15与感光组件的感光路径,另一方面可以改善滤光元件15的安装环境,便于拆装与更换。
可选的,滤光元件15可以是贴合在第一基板靠近光学组件一侧的滤光膜,或者,滤光元件15也可以是贴合于封装层一侧的滤光膜。滤光元件15通过成膜工艺制作于第一基板或封装层,能够减小成像模组内部的元件数量,减薄成像模组厚度,也更易于实现成像模组的柔性化。
可选的,成像模组还包括滤光元件15的支架,滤光元件15的支架支撑于光学组件8的一侧,以使滤光元件15与光学组件8的间距恒定。
在一些实施例中,如11所示,布线层2包括层叠设置的多个子布线层242,相邻子布线层242之间具有绝缘层,绝缘层包括镂空区域25,镂空区域25的至少部分对应感光芯片3。外界光线无需穿过绝缘材料便可以通过镂空区域25直接入射至感光芯片3的感光区,因此可以减少绝缘层对光线的损耗,保证入射光线的光信号的准确度,增大感光芯片3采集的光量,提高成像模组的成像精度。
需要说明的是,镂空区域25可以有多种形式,请一并参阅图11及图12,图12示出了本申请一个实施例提供的成像模组的内部结构示意图。如图11所示,镂空区域25可以是整面镂空的形式;如图12所示,镂空区域25也可以是包含有多个分散设置孔洞,多个孔洞组合而成的区域。可选的,镂空区域25的形状与感光芯片3的形状对应。进一步的,镂空区域25的形状可以与感光芯片3的感光区的形状相对应。
可选的,镂空区域25大于感光芯片3的外周尺寸,留有一定的进光余量可以避免感光芯片3出现部分区域被遮挡而导致进光量不足的现象。
在一些实施例中,第一基体1包括柔性材料和/或滤光材料。第一基体1包括柔性材料,可以使得第一基体1实现弯折、卷曲等柔性变形功能,能够适应于曲面显示装置,且柔性基体相较于刚性基体其韧性更强,不易折断和开裂,在受到冲击时也能对成像模组整体结构提供一定程度的缓冲。第一基体1包括滤光材料,意味着第一基体1不仅可以作为布线层2的衬底,还能够复用为滤光结构。特别是,当第一基体1具有较高的透明度,带有滤光材料的且透光的第一基体1可以复用为滤光镜头,也就是说,成像模组中可以不需要设置其他的滤光结构或滤光镜头,因此可以减少成像模组整体结构的厚度,优化了产品成本。
图13为本申请一个实施例的电子装置。参考图13,本申请实施例还提供了一种电子设备。电子设备包括上述任一个实施例提供的成像模组。本申请实施例提供的电子设备可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有成像功能的产品或部件。
综上所述,本申请实施例提供了一种成像模组和电子设备,成像模组基于扇出型面板级封装工艺(FOPLP)对感光芯片3进行封装,利用布线层2对感光芯片3的连接电路端口进行重新布局,从而使得感光芯片3的第一连接部21与驱动装置的第二连接部之间的位置和导通相对更为自由,通过第一连接部21与第二连接部之间的电连接实现感光芯片3与驱动装置的电性连接,连接位置紧凑、可靠,可以更好的适应成像模组小型化的需求。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替换,这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种成像模组,其特征在于,包括:
第一基体,具有相对的第一表面和第二表面;
布线层,设置于所述第一表面;
感光芯片,位于所述布线层背离所述第一基体的一侧并与所述布线层电连接;
封装层,覆盖所述感光芯片,且至少部分朝向所述第一基体的所述感光芯片由所述封装层露出;
驱动装置,设于所述第二表面;其中,
所述布线层具有第一连接部,所述驱动装置具有第二连接部,所述第一连接部与所述第二连接部电连接。
2.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,还包括:
第一连接线,所述第一连接线的一端电连接于所述第一连接部,另一端电连接于所述第二连接部。
3.根据权利要求2所述的成像模组,其特征在于,
所述驱动装置具有由自身引出的第一引线,所述第一引线复用为所述第一连接线。
4.根据权利要求2所述的成像模组,其特征在于,还包括:
第一焊盘,位于所述第二表面且与所述第二连接部电连接;所述第一连接线与所述第一焊盘电连接。
5.根据权利要求2所述的成像模组,其特征在于,所述第一基体具有贯穿所述第一表面与所述第二表面的第一转接通道,至少部分所述第一连接线位于所述第一转接通道。
6.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,还包括:
第二基体,设置于所述第一基体的所述第二表面,且位于所述第一基体与所述驱动装置之间,所述第二基体包括玻璃或印刷电路板。
7.根据权利要求6所述的成像模组,其特征在于,所述第二基体为印刷电路板,所述第一焊盘设置于所述第二基体背离所述第一基体的一侧。
8.根据权利要求6所述的成像模组,其特征在于,所述第二基体具有相对的第三表面和第四表面,以及贯穿所述第三表面和所述第四表面的第二转接通道,所述布线层与所述驱动装置分别设置于所述第三表面和所述第四表面;
至少部分所述第一连接线位于所述第二转接通道。
9.根据权利要求7所述的成像模组,其特征在于,所述第二基体具有沿自身厚度方向贯穿的通孔;
所述成像模组还包括光学组件,所述光学组件通过所述通孔获取图像信号。
10.根据权利要求9所述的成像模组,其特征在于,所述光学组件在所述第一表面的正投影具有第一轮廓,所述第一基体自身具有第二轮廓,所述第一轮廓与所述第二轮廓的形状相对应。
11.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,还包括:
第一电路板,用于连接外部电路;
所述布线层背离所述第一基体的一侧具有导电块,所述第一电路板包括第一控制芯片,所述布线层通过所述导电块与所述第一控制芯片电连接。
12.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述成像模组包括:
第二控制芯片,位于所述布线层背离所述第一基体的一侧并与所述布线层电连接,所述封装层覆盖所述第二芯片。
13.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述布线层包括层叠设置的多个子布线层,相邻所述子布线层之间具有绝缘层,所述绝缘层包括镂空区域,所述镂空区域的至少部分对应所述感光芯片。
14.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述第一基体包括柔性材料和/或滤光材料。
15.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至14任一项所述的成像模组。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111678940.2A CN114388545B (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 成像模组及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111678940.2A CN114388545B (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 成像模组及电子设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114388545A true CN114388545A (zh) | 2022-04-22 |
CN114388545B CN114388545B (zh) | 2024-07-19 |
Family
ID=81199646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111678940.2A Active CN114388545B (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 成像模组及电子设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114388545B (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1694509A (zh) * | 2001-11-30 | 2005-11-09 | 松下电器产业株式会社 | 固态成像装置及其制作方法 |
CN103956370A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-07-30 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器模组及其形成方法 |
CN103956371A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-07-30 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器模组及其形成方法 |
CN109273474A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-25 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种感光芯片封装结构及其封装方法 |
CN110661938A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
WO2020103212A1 (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
CN111627940A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
CN113471152A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 上海中航光电子有限公司 | 封装结构及封装方法、摄像头模组、电子设备 |
CN113471153A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 上海中航光电子有限公司 | 封装结构及封装方法、摄像头模组及电子设备 |
-
2021
- 2021-12-31 CN CN202111678940.2A patent/CN114388545B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1694509A (zh) * | 2001-11-30 | 2005-11-09 | 松下电器产业株式会社 | 固态成像装置及其制作方法 |
CN103956370A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-07-30 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器模组及其形成方法 |
CN103956371A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-07-30 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器模组及其形成方法 |
CN110661938A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
CN112740647A (zh) * | 2018-06-29 | 2021-04-30 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
CN109273474A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-25 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种感光芯片封装结构及其封装方法 |
WO2020103212A1 (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
CN111627940A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | Cmos图像传感器封装模块及其形成方法、摄像装置 |
CN113471152A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 上海中航光电子有限公司 | 封装结构及封装方法、摄像头模组、电子设备 |
CN113471153A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 上海中航光电子有限公司 | 封装结构及封装方法、摄像头模组及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114388545B (zh) | 2024-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112740647B (zh) | 感光组件、摄像模组及其制作方法 | |
KR100959922B1 (ko) | 카메라 모듈 및 그 제조방법 | |
US8139145B2 (en) | Camera module | |
US8564716B2 (en) | Camera module | |
US20070223913A1 (en) | Camera Module, Method of Manufacturing the Same, and Printed Circuit Board for the Camera Module | |
EP1708269A1 (en) | Semiconductor device module and manufacturing method of semiconductor device module | |
KR20110001659A (ko) | 카메라 모듈 | |
US20120276951A1 (en) | Low rise camera module | |
CN211879388U (zh) | 感光模块 | |
CN113471153B (zh) | 封装结构及封装方法、摄像头模组及电子设备 | |
CN111163255A (zh) | 影像感测模块 | |
CN109729242B (zh) | 摄像模组及其扩展走线封装感光组件、拼板组件和制造方法 | |
CN113488493A (zh) | 芯片封装结构及其制作方法和模组 | |
CN211018974U (zh) | 摄像头模组及电子产品 | |
CN112770019B (zh) | 感光组件及其制备方法和摄像模组 | |
CN112183396A (zh) | 显示组件和显示装置 | |
US7700956B2 (en) | Sensor component and panel used for the production thereof | |
CN113471152B (zh) | 封装结构及封装方法、摄像头模组、电子设备 | |
CN114388545A (zh) | 成像模组及电子设备 | |
CN111666783A (zh) | 基材结构、传感器模组、电子设备及安装方法 | |
JP3609980B2 (ja) | 撮像装置および携帯電話機 | |
US8049809B2 (en) | Solid-state image pickup device and electronic instruments | |
CN210224034U (zh) | 封装结构、图像采集模组以及智能手机终端 | |
CN210092062U (zh) | 芯片模组和电子设备 | |
JPH10233471A (ja) | 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant |