CN114362711A - 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 - Google Patents
一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114362711A CN114362711A CN202111670601.XA CN202111670601A CN114362711A CN 114362711 A CN114362711 A CN 114362711A CN 202111670601 A CN202111670601 A CN 202111670601A CN 114362711 A CN114362711 A CN 114362711A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bonding layer
- bulk acoustic
- bottom electrode
- cavity
- piezoelectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器按照从下向上的顺序依次包括衬底、键合层、底电极、复合压电薄膜和顶电极；其中，所述顶电极、所述复合压电薄膜和所述底电极形成三明治结构；所述复合压电薄膜为若干层压电层叠加组成；所述衬底、所述键合层、所述底电极包围形成有空气腔。本发明的谐振器在给顶电极通电后，复合压电薄膜产生形变并激励出体声波，并且当所述体声波传输到复合压电薄膜与底电极之间时，由于空气腔的存在，所述体声波在底电极的表面发生全反射，并被限制在顶电极与底电极之间，形成了谐振。且由于复合压电薄膜的机电耦合系数较高，进一步提高薄膜声波谐振器的带宽。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜体声波谐振器技术领域，具体涉及一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法。
背景技术
随着现代无线通信技术向着高频、高速的方向发展，对射频通信常用的前端滤波器提高了更高的要求。在工作频率不断提高的同时，对器件体积、使用性能、稳定性和集成性也有了更高的要求，过去使用的声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave，SAW)由于其体积偏大、工艺兼容和工作频段等的问题，已经不能够满足高频通信的需求。
而薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)是一种新型滤波器，相对于声表面滤波器不仅体积小、功率容量大、可继承、工作频段高等特点，还拥有更好的带外抑制和***损耗，在目前的5G通信中有很广的使用。
一般来说，薄膜体声波谐振器的结构主要包括横膈膜型、空气隙型和固态装配型三种，均为“电极-压电薄膜-电极”的三明治结构，其原理是利用压电薄膜的压电特性，当在电极施加交流电压时，压电效应使电能转换为机械能，使压电薄膜发生机械形变，从而在压电薄膜体内激励出体声波；当体声波传输到压电薄膜与电极的表面时，由于电极外普通声学层的作用，声波会被反射回来，因而将体声波限制在两电极之间。因此，为了减少声波的损失，尽量使得体声波全反射。而空气的声阻抗可以认为近似为零，因此制作时要使顶电极和底电极的表面与空气接触，由于顶电极是与空气接触的，而底电极生长在衬底上，很难在制作工艺中使得底电极的表面与空气接触，同时还要保证机械强度而不影响薄膜声波谐振器的结构。
另外，传统的FBAR器件通常采用AlN薄膜作为压电薄膜，但是AlN薄膜的机电耦合系数仅为6.5％，制备而成的FBAR器件往往带宽较低，ZnO是一种压电耦合系数更高的压电材料，但是仅采用ZnO薄膜制备而成的FBAR器件损耗较大，很难制备适用于高频段高带宽的体声波滤波器。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中薄膜体声波谐振器结构复杂、不稳定等问题。本发明的技术方案为：
第一方面，本发明提供一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，按照从下向上的顺序依次包括衬底、键合层、底电极、复合压电薄膜和顶电极；其中，所述顶电极、所述复合压电薄膜和所述底电极形成三明治结构；所述复合压电薄膜为若干层压电层叠加组成；所述衬底、所述键合层、所述底电极包围形成有空气腔。
进一步地，所述衬底材料为单晶高阻硅。
进一步地，所述键合层的厚度为800nm～10um。
进一步地，所述复合压电薄膜为2～8层压电层叠加组成，每层所述压电层材质为AlN或ZnO，每层所述压电层的厚度为100nm～3μm。
优选地，所述复合压电薄膜由AlN压电层和ZnO压电层交替叠加组成。
进一步地，所述空气腔的深度为800nm～10um。
进一步地，底电极和顶电极均为金属电极，材料为Al、Pt、Mo、W、Ti和Au中的一种。
进一步地，所述顶电极和所述底电极的厚度为50nm～500nm。
第二方面，本发明提供一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤(1)，选取两个衬底，在第一个衬底上生长多层压电材料，形成复合压电薄膜；
步骤(2)，在所述复合压电薄膜上生长底电极层，并通过蚀刻法对底电极层进行图形化处理，获得底电极；
步骤(3)，在所述底电极上生长键合层一，并采用蚀刻法对键合层一进行图形化处理，同时在所述键合层一表面做活化处理，生成第一晶圆；
步骤(4)，在另一衬底上生长键合层二，通过蚀刻法对键合层二进行图形化处理，同时在所述键合层二表面做活化处理，生成第二晶圆；
步骤(5)，将第一晶圆通过倒装方式与第二晶圆进行键合，使得第一晶圆固定于第二晶圆的上方，键合层一和键合层二组合成一体形成键合层，同时所述键合层、所述底电极以及所述第一晶圆的衬底之间形成空气腔；
步骤(6)，将所述第二晶圆的衬底与复合压电薄膜分离；并在复合压电薄膜上生长顶电极，即得。
可选地，所述键合层一和所述键合层二为相同材质，选自SiO2、Si、Au、Sn中的一种。
可选地，所述键合层一和所述键合层二为不同材质，选自Au/Sn、Si/SiO2中的一种。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明的谐振器在给顶电极通电后，复合压电薄膜产生形变并激励出体声波，并且当所述体声波传输到复合压电薄膜与底电极之间时，由于空气腔的存在，所述体声波在底电极的表面发生全反射，并被限制在顶电极与底电极之间，形成了谐振。且由于复合压电薄膜的机电耦合系数较高，进一步提高薄膜声波谐振器的带宽。
附图说明
图1为本发明实施例1制备谐振器过程中在第一外延衬底上生长并处理完复合压电薄膜与底电极的结构示意图。
图2为本发明实施例1制备谐振器过程中形成的第一晶圆结构示意图。
图3为本发明实施例1制备谐振器过程中形成的第二晶圆结构示意图。
图4为本发明实施例制备的高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的结构示意图。
图5为图4的俯视图。
图6为本发明对比例1的空腔型薄膜体声波谐振器的结构示意图。
图7为本发明实施例1的高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的阻抗特性曲线。
图8为本发明实施例2的高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的阻抗特性曲线。
图9为本发明实施例3的高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的阻抗特性曲线。
图10为本发明实施例4的高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的阻抗特性曲线。
图11为本发明对比例1的空腔型薄膜体声波谐振器的阻抗特性曲线。
图1～6中：外延衬底101、第四压电薄膜102、第三压电薄膜103、第二压电薄膜104、第一压电薄膜105、底电极一106、键合层一107、转移衬底一201、键合层二202、顶电极一301、转移衬底二401、键合层三402、底电极二403、压电层404、顶电极二405。
具体实施方式
在本发明的描述中，需要说明的是，实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，本发明的保护范围包括但不限于以下实施例，在不偏离本申请的精神和范围的前提下任何对本发明的技术方案的细节和形式所做出的修改均落入本发明的保护范围内。
实施例1
本实施例提供了一种宽带薄膜体声波谐振器，结构如图4和5所示，所述谐振器按照从下向上的顺序依次包括转移衬底一201、键合层二202、键合层一107、底电极一106、复合压电薄膜、顶电极一301；键合层二202、键合层一107形成一体的键合层；所述复合压电薄膜包括4层结构：第一压电薄膜105、第二压电薄膜104、第三压电薄膜103、第四压电薄膜102。底电极一106、键合层、转移衬底一201形成一空气腔。顶电极一108、复合压电薄膜和底电极一103构成三明治结构。
转移衬底一101为单晶高阻硅；底电极一106为150nm厚的金属Al；顶电极一301为150nm厚的金属Al；第一压电薄膜105为150nm厚的AlN薄膜；第二压电薄膜104为200nm厚的ZnO薄膜；第三压电薄膜103为150nm厚的AlN薄膜；第四压电薄膜102为200nm厚的ZnO薄膜；键合层一和键合层二都是二氧化硅材质，键合层一107的厚度为2μm；键合层二202厚度为2μm，故空气腔的深度为4μm。
该谐振器的制备方法为：
步骤(1)选用一单晶硅片作为外延衬底，并在所述外延衬底上交替生长AlN、ZnO压电材料，形成复合压电薄膜。如图1所示。
步骤(2)在所述复合压电薄膜上生长底电极，并通过蚀刻法获取底电极的形状。
步骤(3)在所述底电极上生长一层二氧化硅，作为键合层一，并采用蚀刻法进行图形化处理，同时在所述键合层的表面做活化处理，生成第一晶圆。如图2所示。
步骤(4)选另一转移衬底并在所述转移衬底上生长一层二氧化硅作为键合层二，通过光刻刻蚀获得相应图案，同时在所述键合层的表面做活化处理，生成第二晶圆。如图3所示。
步骤(5)将第二晶圆的键合层和第一晶圆的填平层对准进行键合，使得第一晶圆固定于第二晶圆的上方固定，并使得所述复合压电薄膜实现转移，使得键合层、底电极、转移衬底之间形成空气腔。
步骤(6)将所述外延衬底与所述复合压电薄膜分离，并在复合压电薄膜上生长顶电极，形成完整的器件结构。
所获得的谐振器阻抗特性曲线如图7所示，可以看出实施例1的串联谐振频率为3934MHz、并联谐振频率为4068MHz，带宽为134MHz。
实施例2
本实施例提供了一种宽带薄膜体声波谐振器，结构如图4和5所示，与实施例1的谐振器结构大体相同，细节区别在于：底电极一106为100nm厚的金属Al；顶电极一301为100nm厚的金属Al；第一压电薄膜105为150nm厚的AlN薄膜；第二压电薄膜104为250nm厚的ZnO薄膜；第三压电薄膜103为150nm厚的AlN薄膜；第四压电薄膜为102为250nm厚的ZnO薄膜。制备方法同实施例1。
所获得的谐振器阻抗特性曲线如图8所示，可以看出实施例2的串联谐振频率为3930MHz，并联谐振频率为4071MHz，带宽为141MHz。
实施例3
本实施例提供了一种宽带薄膜体声波谐振器，结构与实施例2的谐振器结构大体相同，细节区别在于：采用7层压电薄膜组成，前4层压电薄膜同实施例2，5～7层压电薄膜为：第五层AlN薄膜；第六层ZnO薄膜；第七层AlN薄膜，ZnO与AlN的厚度分别为170nm、80nm。
所获得的谐振器阻抗特性曲线如图9所示，可以看出实施例3的串联谐振频率为3887MHz，并联谐振频率为4028MHz，带宽为141MHz。
实施例4
本实施例提供了一种宽带薄膜体声波谐振器，结构与实施例2的谐振器结构大体相同，细节区别在于：采用9层压电薄膜组成，前4层压电薄膜同实施例2，5～9层压电薄膜为：第五层AlN薄膜、第六层ZnO薄膜、第七层AlN薄膜、第八层ZnO薄膜、第九层AlN薄膜，ZnO与AlN的厚度分别为150nm、50nm。
所获得的谐振器阻抗特性曲线如图10所示，可以看出实施例4的串联谐振频率为3846MHz，并联谐振频率为3986MHz，带宽为140MHz。
对比例1
本实施例提供了一种通用薄膜体声波谐振器，结构如图6所示，所述谐振器包括从下到上依次分布的转移衬底二401、键合层三402、底电极二403、压电层404，顶电极二405。底电极二403、键合层三402、转移衬底二401也包围形成一空气腔，在压电层404上表面和下表面分别相对连接有顶电极二403和底电极二405，顶电极二405、压电层404和底电极二403构成三明治结构。
转移衬底二401为单晶高阻硅；底电极二403为200nm厚的金属Al；顶电极二405为200nm厚的金属Al；压电层为404为1μm厚的AlN薄膜；键合层402的厚度为4μm。该谐振器的阻抗特性曲线如图11所示，可以看出对比例1的串联谐振频率为3938MHz，并联谐振频率为4048MHz，带宽为110MHz。
综上，通过实施例与对比例的对比，可见实施例1的串联谐振频率为3934MHz、并联谐振频率为4068MHz，带宽为134MHz；实施例2的串联谐振频率为3930MHz，并联谐振频率为4071MHz，带宽为141MHz；实施例3的串联谐振频率为3887MHz，并联谐振频率为4028MHz，带宽为141MHz；实施例4的串联谐振频率为3846MHz，并联谐振频率为3986MHz，带宽为140MHz；对比例1的串联谐振频率为3938MHz，并联谐振频率为4048MHz，带宽为110MHz。因此，本发明通过控制ZnO/AlN的比例，可以调整带宽，在相同的谐振频率下，实施例1的带宽相对对比例1提升了21.8％，实施例2的带宽相对对比例1提升了28.2％，实施例3的带宽相对对比例1提升了28.9％，实施例4的带宽相对对比例1提升了29.4％。实施例1～4的效果均优于对比例1，说明本发明获得了一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下向上的顺序依次包括衬底、键合层、底电极、复合压电薄膜和顶电极；其中，所述顶电极、所述复合压电薄膜和所述底电极形成三明治结构；所述复合压电薄膜为若干层压电层叠加组成；所述衬底、所述键合层、所述底电极包围形成有空气腔。
2.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述衬底材料为单晶高阻硅。
3.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述键合层的厚度为800nm～10um。
4.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述复合压电薄膜为2～8层压电层叠加组成，所述压电层材质为AlN或ZnO，每层压电层的厚度为100nm～3μm。
5.根据权利要求4所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述复合压电薄膜由AlN压电层和ZnO压电层交替叠加组成。
6.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述空气腔的深度为800nm～10um。
7.根据权利要求1所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：底电极和顶电极均为金属电极，材料为Al、Pt、Mo、W、Ti和Au中的一种。
8.根据权利要求7所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极和所述底电极的厚度为50nm～500nm。
9.权利要求1～8任意一项所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤(1)，选取两个衬底，在第一个衬底上生长多层压电材料，形成复合压电薄膜；
步骤(2)，在所述复合压电薄膜上生长底电极层，并通过蚀刻法对底电极层进行图形化处理，获得底电极；
步骤(3)，在所述底电极上生长键合层一，并采用蚀刻法对键合层一进行图形化处理，生成第一晶圆；
步骤(4)，在另一衬底上生长键合层二，通过蚀刻法对键合层二进行图形化处理，同时在所述键合层二表面做活化处理，生成第二晶圆；
步骤(5)，将第一晶圆通过倒装方式与第二晶圆进行键合，使得第一晶圆固定于第二晶圆的上方，键合层一和键合层二组合成一体形成键合层，同时所述键合层、所述底电极以及所述第一晶圆的衬底之间形成空气腔；
步骤(6)，将所述第二晶圆的衬底与复合压电薄膜分离；并在复合压电薄膜上生长顶电极，即得。
10.根据权利要求9所述的一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述键合层一和所述键合层二为相同材质，选自SiO2、Si、Au、Sn中的一种；或者，所述键合层一和所述键合层二为不同材质，选自Au/Sn、Si/SiO2中的一种。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111670601.XA CN114362711A (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| PCT/CN2022/143187 WO2023125757A1 (zh) | 2021-12-31 | 2022-12-29 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111670601.XA CN114362711A (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114362711A true CN114362711A (zh) | 2022-04-15 |
Family
ID=81105592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111670601.XA Pending CN114362711A (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114362711A (zh) |
| WO (1) | WO2023125757A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023125757A1 (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| WO2023143005A1 (zh) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种高带宽硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204392205U (zh) * | 2015-01-30 | 2015-06-10 | 国家电网公司 | 一种用于无线通信***的多层压电薄膜体声波谐振器 |
| CN105897211B (zh) * | 2016-05-18 | 2020-01-14 | 华南理工大学 | 多谐振模式的薄膜体声波谐振器及其制备方法和滤波器 |
| US10727809B2 (en) * | 2016-12-15 | 2020-07-28 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with multilayer piezoelectric structure |
| CN112039460B (zh) * | 2019-07-19 | 2022-05-10 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法 |
| CN111697937A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-09-22 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN114362711A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN114531126A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-24 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种宽带薄膜体声波谐振器的制备方法 |
-
2021
- 2021-12-31 CN CN202111670601.XA patent/CN114362711A/zh active Pending
-
2022
- 2022-12-29 WO PCT/CN2022/143187 patent/WO2023125757A1/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023125757A1 (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| WO2023143005A1 (zh) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种高带宽硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023125757A1 (zh) | 2023-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112532195B (zh) | 一种无源空腔型单晶薄膜体声波谐振器结构及制备方法 | |
| CN105703733A (zh) | 一种固态装配型薄膜体声波谐振器的制备方法 | |
| WO2021109444A1 (zh) | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN111262543A (zh) | 一种钪掺杂氮化铝兰姆波谐振器与制备方法 | |
| CN114362711A (zh) | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN111446944B (zh) | 一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN110784188B (zh) | 谐振器及其制备方法 | |
| CN113193846B (zh) | 一种带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器 | |
| CN114531126A (zh) | 一种宽带薄膜体声波谐振器的制备方法 | |
| CN112953454A (zh) | 一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法 | |
| CN111555733A (zh) | 一种兰姆波谐振器结构及其制备方法 | |
| EP2936680A1 (en) | Mems component comprising aln and sc and method for manufacturing a mems component | |
| CN112671367A (zh) | 一种新型fbar滤波器及其制备方法 | |
| CN113285014A (zh) | 单晶掺杂薄膜、声波谐振器用压电薄膜及其制备方法 | |
| CN111697937A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN111106812A (zh) | 一种高性能薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN112134540A (zh) | 一种复合电极的体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN212163290U (zh) | 一种钪掺杂氮化铝兰姆波谐振器 | |
| CN114070245A (zh) | 磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用 | |
| CN212381185U (zh) | 一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器 | |
| JP2021520755A (ja) | フィルムバルク音響波共振器およびその製造方法 | |
| WO2021109426A1 (zh) | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器单元、滤波器及电子设备 | |
| CN112332798A (zh) | 一种固态装配型薄膜体声波谐振器及其制作方法 | |
| CN114584096A (zh) | 一种高带宽硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| WO2024108750A1 (zh) | 一种固态体声波谐振器及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |