CN114334272B - 网格透明导电膜及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 45
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 claims 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000005025 cast polypropylene Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本申请提供一种网格透明导电膜及其制备方法。所述方法包括对带胶柔性膜进行图案化处理，得到以柔性基底为底层的具有网格槽图案膜；对所述图案膜进行磁控溅射镀膜；将所述带胶柔性膜剥离，得到网格透明导电膜，其中，单根网格透明导电膜的线宽小于所述网格槽与网格槽之间空隙宽度，且单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm，网格槽与网格槽之间的空隙宽度为200μm至500μm。通过控制网格图案的宽度以及磁控溅射镀膜的工艺，实现离子状态的导电膜材料进入到网格图案内，并在网格图案内形成指定厚度和宽度的网格透明导电膜，简化了网格透明导电膜的制备步骤，降低网格透明导电膜的制造成本，还兼具提出了一种新的制造路线。
Description
技术领域
本发明涉及导电膜技术领域，特别是涉及一种网格透明导电膜及其制备方法。
背景技术
网格透明导电膜兼具高透过率和低面电阻的特性，在信息显示、电磁波屏蔽、透明加热等领域均有对应的市场需求。现有市面上网格透明导电膜中的填充物质基本上为金属，如银、铜等金属物质。从专利源头，目前市面上网格透明导电膜的制备方法包括加法工艺和减法工艺，均是掌握在美、日、韩等企业的手上，其中以3M的专利(CN104090673B)覆盖面为最广，几乎涵括了所有网格透明导电膜的专利源头部分。关键的是现有采用加法的制备方法涉及极高成本的模具、紫外激光直写光刻设备、压印、高精细的金属颗粒等；现有减法的制备方法涉及极高成本的曝光、显影、蚀刻等工艺，类似液晶显示(LCD)的制备产线。
发明内容
本发明的目的是提出一种新的制造路线，即提供一种低成本的网格透明导电膜及其制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现的：
一种网格透明导电膜的制备方法，所述方法包括：
对带胶柔性膜进行图案化处理，得到以柔性基底为底层的具有网格槽的图案膜；
对所述图案膜进行磁控溅射镀膜；
将所述带胶柔性膜剥离，得到网格透明导电膜，其中，单根网格透明导电膜的线宽小于所述网格槽与网格槽之间空隙宽度，且单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm，网格槽与网格槽之间的空隙宽度为200μm至500μm。
在其中一个实施例中，所述带胶柔性膜的厚度为30μm至90μm，所述带胶柔性膜的胶粘性为1g至5g。
在其中一个实施例中，所述对带胶柔性膜进行图案化处理，包括：在预设图案化状态下，对所述带胶柔性膜进行激光切割。
在其中一个实施例中，所述预设图案化状态包括激光切割波长、激光切割脉宽、激光切割功率以及激光切割移速中的至少一个。
在其中一个实施例中，所述激光切割功率为3W至15W。
在其中一个实施例中，所述激光切割移速为50mm/s至120mm/s。
在其中一个实施例中，所述网格槽的槽宽度小于20μm。
在其中一个实施例中，所述磁控溅射镀膜的工艺状态包括溅射反应压强、溅射气体流量以及溅射电源功率中的至少一个。
在其中一个实施例中，所述溅射反应压强为0.4Pa至1.3Pa，所述溅射气体流量为180sccm至350sccm，所述溅射电源功率为0.8KW至3KW。
一种网格透明导电膜，采用上述任一实施例所述的网格透明导电膜的制备方法制备得到。
与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：
基于带胶柔性膜制作对应的网格图案，之后再进行磁控溅射镀膜，通过控制网格槽的宽度以及磁控溅射镀膜的工艺，实现离子状态的导电膜材料进入到网格图案内，并在网格图案内形成适应对应应用场景需求的厚度和宽度的网格透明导电膜，在简化了网格透明导电膜的制备步骤的同时，可大幅度降低网格透明导电膜的制造成本，同时还提出一种新的制造路线，可以打破现有美、日、韩等企业在网格透明导电膜领域的专利源头垄断。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为一实施例中网格透明导电膜的制备方法的流程图；
图2A至图2D为图1所示的网格透明导电膜的制备方法各步骤对应结构的一种示意图；
图3为图1所示网格透明导电膜制备方法的具体实施示例图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明涉及一种网格透明导电膜的制备方法。在其中一个实施例中，所述网格透明导电膜的制备方法包括：对带胶柔性膜进行图案化处理，得到以柔性基底为底层的具有网格槽图案膜；对所述图案膜进行磁控溅射镀膜；将所述带胶柔性膜剥离，得到网格透明导电膜，其中，单根网格透明导电膜的线宽小于所述网格槽与网格槽之间空隙宽度，且单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm，网格槽与网格槽之间空隙宽度为200μm至500μm。基于带胶柔性膜制作对应的网格图案，之后再进行磁控溅射镀膜，通过控制网格槽的宽度以及磁控溅射镀膜的工艺，实现离子状态的导电膜材料进入到网格图案内，并在网格图案内形成指定厚度和宽度的网格透明导电膜，在简化了网格透明导电膜的制备步骤的同时，可大幅度降低网格透明导电膜的制造成本。同时提出一种新的制造路线，可以打破现有美、日、韩等企业在网格透明导电膜领域的专利源头垄断。
请参阅图1，其为本发明一实施例的网格透明导电膜的制备方法的流程图。所述网格透明导电膜的制备方法包括以下步骤的部分或全部。
S100：对所述带胶柔性膜进行图案化处理，得到网格图案膜。
在本实施例中，请一并参阅图2A，所述柔性基底100作为网格透明导电膜的底座，即所述柔性基底100是用于承载所述带胶柔性膜200的基板，所述柔性基底100将所述带胶柔性膜200固定贴合。而且，为了便于后续形成可透光的网格透明导电膜，所述柔性基底100采用具有透光特性的材质，例如，所述柔性基底100的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、带聚甲基丙烯酸甲酯的聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)以及聚酰亚胺中的至少一种。这样，在后续形成网格透明导电膜中，网格导电性与网格导电线之间的距离大于网格线的宽度，进一步确保了所述网格透明导电膜的透光性。而且，所述带胶柔性膜200作为在所述柔性基底100上的掩膜板，通过控制带胶柔性膜200中网格槽的宽度，可以有效地控制后续导电膜材料在镀膜后形成的导电膜宽度，进而控制所述网格透明导电膜的精细度。
此外，所述带胶柔性膜200的结构包括柔性膜、胶体以及离型膜，例如，所述带胶柔性膜200为带硅胶PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜、带硅胶PE(Polyethene，聚乙烯)膜、带硅胶CPP(Cast polypropylene，流延聚丙烯)膜、带硅胶PP(Polypropylene，聚丙烯)膜、带亚克力胶PET膜、带亚克力胶PE膜、带亚克力胶CPP膜、带亚克力胶PP膜、带可剥离胶PET膜、带可剥离胶PE膜、带可剥离胶CPP膜以及带可剥离胶PP膜中的至少一种。这样，所述带胶柔性膜200粘贴在所述柔性基底100上后，便于在后续形成了所述窄宽网格镀膜将剩余的带胶柔性膜200剥离。在本实施例中，所述带胶柔性膜200的各边缘与所述柔性基底100对应的边缘之间的间距均小于50mm，所述带胶柔性膜200的厚度为30μm至90μm，所述带胶柔性膜200的粘性为1g至5g。在另一个实施例中，所述带胶柔性膜200的各边缘与所述柔性基底100对应的边缘之间的间距均保持相等，或者有各自对应的间距。
请一并参阅图2B，在所述带胶柔性膜200贴合于所述柔性基底100上后，按照预定的图案对所述带胶柔性膜200进行图案化处理，便于在所述带胶柔性膜200的表面形成所需要的网格槽图案，形成的网格槽210用于收容后续的导电膜材料。所述图案化处理的作用是在所述带胶柔性膜200的表面形成一定图案的网格槽结构，即所述带胶柔性膜200经过所述图案化处理后形成多个网格槽210，多个网格槽210在所述带胶柔性膜200的表面上形成的图案与后续的网格透明导电膜的图案相同，便于后续在所述柔性基底100上形成预定图案的网格。其中，所述带胶柔性膜200上用于形成预定图案的网格槽的深度为所述带胶柔性膜200的厚度，确保后续在所述柔性基底100上形成网格，从而便于后续将导电膜材料通过网格槽镀膜在所述柔性基底100上。其中，所述带胶柔性膜200上形成的网格槽图案包括菱形图案、正方形图案、矩形图案、毛毛虫图案以及W型线性图案中的至少一种。在另一个实施例中，可以先对所述带胶柔性膜进行图案化处理，之后再将具有网格槽的图案膜粘贴至所述柔性基底上。
S200：对所述图案膜进行磁控溅射镀膜。
在本实施例中，请一并参阅图2C，所述网格图案膜为具有预定图案的带胶柔性膜200，即所述网格图案膜为所述带胶柔性膜200经过所述图案化处理后的到有图案的柔性膜，所述网格图案膜上形成有由预定图案结构的网格槽210，这些网格槽形成了所述网格图案膜上的预定图案。在得到所述网格图案膜后，为了便于在所述柔性基底100形成精细度较高的网格，即将较小宽度的网格形成于网格槽210内，对所述网格图案膜进行磁控溅射镀膜处理，以便于得到窄宽网格镀膜300，其中，窄宽网格镀膜300为在网格槽内填充有导电膜材料的薄膜，借助于磁控溅射机对靶材的轰击，即对导电膜材料轰击呈离子状态，使得导电膜材料的粒径达到纳米级别，便于将尽可能多的导电膜材料聚拢于所述网格图案膜上的网格槽内。此外，由于使用的是磁控溅射镀膜方式，导电膜材料在以离子形式沉积在所述图案膜的网格槽内时，通过控制磁控溅射机的工作状态，例如，通过调整磁控功率、频率以及传输速度，即可调节导电膜材料在槽底部的宽度和厚度。其中，所述窄宽网格镀膜300包括多层导电膜，例如，所述窄宽网格镀膜300包括金属氧化物膜、金属膜、金属合金膜以及加硬膜，所述金属膜包括银膜、铜膜、铝膜、钼膜、钛膜、铁膜以及铬膜中的至少一种；所述金属氧化物膜包括二氧化钛膜、氧化锌膜、掺锡氧化铟膜、氧化铌膜、氧化铝膜以及二氧化硅膜中的至少一种；所述金属合金膜包括镍合金膜、铬合金膜、钼合金膜以及钛合金膜中的至少一种；所述加硬膜包括氧化锆膜以及石墨膜中的至少一种。
S300：将所述带胶柔性膜剥离，得到网格透明导电膜，其中，单根网格透明导电膜的线宽小于所述网格槽与网格槽之间的空隙宽度，且单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm。
在本实施例中，请一并参阅图2D，所述窄宽网格镀膜300的一部分附着于所述图案膜上，即经过图案化后的带胶柔性膜200上，导电膜材料的一部分将附着于网格图案膜的网格槽内，导电膜材料的另一部分位于图案膜上。在所述图案膜的网格槽内形成了精细度较小的窄宽网格镀膜300后，将所述柔性基底100上剩余的带胶柔性膜200剥离，使得附着于所述图案膜上窄宽网格镀膜300剥除，而在所述图案膜的网格槽内的窄宽网格镀膜300保留在所述柔性基底100上，使得在所述柔性基底100上形成导电网格的宽度减小，从而使得所述网格透明导电膜的精细度提高。而且，所述图案膜的网格槽相当于在带有所述带胶柔性膜200的柔性基底100上开设通槽，即图案膜的网格槽宽度为此通槽的宽度。其中，所述网格透明导电膜包括至少一个导电网格，例如，所述网格透明导电膜由多个相同宽度的导电条组成。
在上述各实施例中，基于带胶柔性膜200制作对应的网格图案，之后再进行磁控溅射镀膜，通过控制网格槽的宽度以及磁控溅射镀膜的工艺，实现离子状态的导电膜材料进入到网格图案内，并在网格图案内形成指定厚度和宽度的网格透明导电膜，在简化了网格透明导电膜的制备步骤的同时，可大幅度降低网格透明导电膜的制造成本，同时提出一种新的制造路线，可以打破现有美、日、韩等企业在网格透明导电膜领域的专利源头垄断。在其中一个实施例中，所述对带胶柔性膜进行图案化处理，包括：在预设图案化状态下，对所述带胶柔性膜进行激光切割。在本实施例中，所述图案化处理是通过激光切割机实现的，将所述带胶柔性膜传输至所述激光切割机内，并在对应的指定的切割环境下进行切割，即在激光切割机的预设切割状态对所述带胶柔性膜进行图案切割，也即在激光切割机的预定工作状态下切割所述带胶柔性膜，并在所述带胶柔性膜上形成指定的图案。这样，借助于激光切割机的激光集束效果下，即激光切割的孔径小，使得所述带胶柔性膜上形成指定的图案的网格槽减小，例如，本实施例中的激光切割机的切割宽度可调范围为5μm至20μm。在另一个实施例中，所述带胶柔性膜的厚度为30μm至90μm，其中，所述带胶柔性膜的厚度即为网格槽的槽深，即形成的网格槽的底部将柔性基底刚好曝露出来，所述带胶柔性膜的胶粘性为1g至5g。此外，对于所述带胶柔性膜的胶粘性进行设定，便于将所述带胶柔性膜牢牢固定在柔性基底上，即为所述带胶柔性膜与所述柔性基底之间提供足够的粘贴力，减少了在磁控溅射镀膜时从所述柔性基底上脱落或是分离的情况，确保能制备出符合要求的网格透明导电膜。
进一步地，所述预设图案化状态包括激光切割波长、激光切割脉宽、激光切割功率以及激光切割移速中的至少一个。在本实施例中，所述预设切割状态为激光切割机的预定工作状态，每一个预设切割状态对应于一种切割宽度，即切割宽度与预设切割状态一一对应，便于针对不同的切割宽度的要求，通过调整所述预设切割状态即可实现，从而便于获取所需要的激光切割宽度，进而便于在所述带胶柔性膜上形成所需要的网格槽宽度。其中，所述激光切割移速和所述激光切割功率共同影响图案膜的网格槽深度，所述激光切割功率和所述激光切割频率影响图案膜的网格槽宽度，例如，在所述激光切割功率一定的情况下，通过调整所述激光切割移速以改变图案膜的网格槽深度，确保图案膜的网格槽将柔性基底暴露出来，通过调整所述激光切割频率以改变图案膜的网格槽宽度，以便于获取指定宽度的网格槽，从而便于在图案膜的网格槽内形成指定宽度的导电网格，进而便于制作出指定宽度的网格透明导电膜。其中，激光切割波长为紫外激光，激光切割机为飞秒激光器。在另一个实施例中，所述激光切割功率为3W至15W，便于在所述带胶柔性膜上形成一定深度和宽度的网格槽。此外，为了便于控制图案的宽度，便于后续可向网格槽内注入足够的导电膜材料，所述激光切割移速为50mm/s至120mm/s，使得所述网格槽内的宽度分布均匀，有助于提高后续网格透明导电膜的线宽一致性。
在其中一个实施例中，所述网格槽的宽度小于20μm。在本实施例中，经过图案化处理后，所述带胶柔性膜上的网格槽即为激光切割后形成的，在控制了激光切割波长、激光切割脉宽、激光切割功率以及激光切割移速后，便于对所述网格槽的宽度进行调整，其中，借助于激光切割的高精度特点，也是为了得到线宽为5μm至20μm的网格透明导电膜，通过调节激光切割波长、激光切割脉宽、激光切割功率以及激光切割移速，将所述网格槽的宽度控制在小于20μm的宽度，满足了对所述网格透明导电膜的要求。
在其中一个实施例中，所述对所述图案膜进行磁控溅射镀膜，包括：在预设镀膜状态下，对所述图案膜进行磁控溅射镀膜。在本实施例中，所述窄宽网格镀膜是通过激光切割机实现的，将所述图案膜传输至所述磁控溅射机内，并在对应的指定的溅射镀膜环境下进行镀膜，也即在磁控溅射机的预定工作状态下溅射镀膜所述图案膜，并在所述图案膜上形成指定的膜层。这样，借助于磁控溅射机的溅射轰击靶材的功能，即磁控溅射通过轰击导电膜靶材，使得所述图案膜上形成一层导电膜，从而使得所述网格图案的网格槽内沉积有导电膜材料，和位于所述图案膜上的导电膜以形成所述窄宽网格镀膜。
进一步地，所述预设镀膜状态包括溅射真空度、溅射反应压强、溅射气体流量、溅射电源功率、溅射电压、溅射电流、溅射频率以及溅射传输速度中的至少一个。在本实施例中，所述预设镀膜状态为磁控溅射机的预定工作状态，每一个预设镀膜状态对应于一种镀膜宽度，即镀膜宽度与预设镀膜状态一一对应，便于针对不同的镀膜宽度的要求，通过调整所述预设镀膜状态即可实现，从而便于获取所需要的溅射镀膜宽度，进而便于在所述图案膜的网格槽内形成指定宽度的导电网格。其中，所述溅射反应压强为0.4Pa至1.3Pa，反应压力越小，离子状态的导电膜材料容易进入到网格槽体内，反应压力越大，离子状态的导电膜材料在传输过程中消耗过多的动能，不易传输，会更多的停留到带胶柔性膜的表面。在另一个实施例中，所述溅射电源功率为0.8KW至3KW，电源功率大或是小，对离子状态的导电膜材料进入到网格槽内的概率影响较小，功率越大，网格槽内的导电膜就越厚，功率越小，网格槽内的导电膜就越薄，所述溅射气体流量为180sccm至350sccm，同等功率和反应压力条件下，气体流量越大，对应产生的等离子体就会越多，意味着就会有更多的离子状态的导电膜材料进入到网格槽内，对应网格槽内的导电膜就越厚。
在其中一个实施例中，所述网格透明导电膜的网格线宽为5μm至8μm。在本实施例中，单根网格透明导电膜的线宽为5μm至8μm，适用于网格不可见的使用场景，所述网格线宽即为在所述图案膜的网格槽内形成的导电网格的宽度，带有所述带胶柔性膜的柔性基底依次经过依次激光切割以及磁控溅射镀膜，借助于带胶柔性膜与柔性基底之间的厚度小的特点，使得在磁控溅射镀膜时的离子靶材聚拢，降低了离子状态下的导电膜粒子扩散效果，便于在所述柔性基底上形成小线宽的导电网格，从而减小了所述网格透明导电膜的网格线宽，从而使得网格透明导电膜的网格线宽达到指定宽度。在另一个实施例中，所述网格透明导电膜的网格线宽为8μm至12μm，适用于人眼微可见的应用场景，使得所述网格透明导电膜的网格线宽能达到12μm以下。
具体实施例：
请参阅图3，给出了本发明的制备方法的具体实施过程，分别对应于步骤S100、S200以及S300，即步骤S100为图3中的网格槽示例对应的图，步骤S200为图3中的磁控溅射沉积对应的图，S300为图3中剥离带胶柔性膜对应的图。其中，网格槽的宽度为10μm，经过磁控溅射沉积后表面宽度会到17.6μm，剥离带胶柔性膜后导电膜线宽为8.8μm，该宽度介于肉眼不可见和微可见的范围之内。网格槽的宽度大于导电膜的线宽，这个原因在于激光对带胶柔性膜在切割的过程中，因为热量的缘故，会使得网格槽两边的边缘出现微凸起，类似“火焰山”的情形，这个凸出的程度跟激光切割过程中所使用的激光源、功率和频率和均有关系，在具体实施例中需要控制这些工艺参数，以使得微凸起尽可能低，控制在0至1.5μm的范围之内。由于边缘微凸起的存在，磁控溅射沉积过程中，离子状态的导电膜材料进入到网格槽内的宽度也会对应变窄，这个变窄的程度跟微凸起的宽度接近一致。因此剥离带胶柔性膜后，导电膜的线宽宽度均会一定程度上小于网格槽的宽度。
在其中一个实施例中，本申请还提供一种网格透明导电膜，采用上述任一实施例所述的网格透明导电膜的制备方法制备得到。在本实施例中，所述网格透明导电膜的制备方法包括对带胶柔性膜进行图案化处理，得到以柔性基底为底层的具有网格槽图案膜；对所述图案膜进行磁控溅射镀膜；将所述带胶柔性膜剥离，得到网格透明导电膜，其中，单根网格透明导电膜的线宽小于所述网格槽与网格槽之间空隙宽度，且单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm。基于带胶柔性膜制作对应的网格图案，之后再进行磁控溅射镀膜，通过控制网格图案的宽度以及磁控溅射镀膜的工艺，实现离子状态的导电膜材料进入到网格图案内，并在网格图案内形成指定厚度和宽度的网格透明导电膜，在简化了网格透明导电膜的制备步骤的同时，可大幅度降低网格透明导电膜的生产成本。
在其中一个实施例中，所述网格透明导电膜包括柔性基底以及导电网格层，所述导电网格层形成于所述柔性基底上，所述导电网格层用于在所述柔性基底上形成导电图案。其中，所述导电网格层包括多个导电网格条，多个所述导电网格条形成导电图案，每一个所述导电网格条的线宽为5μm至20μm，即单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm。而且，该方法制备得到的网格透明导电膜透光率可以达到90％以上，以及单元通道的阻抗小于15Kohm。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括：
对带胶柔性膜进行图案化处理，得到以柔性基底为底层的具有网格槽的图案膜；
对所述图案膜进行磁控溅射镀膜；
将所述带胶柔性膜剥离，得到网格透明导电膜，其中，单根网格透明导电膜的线宽小于所述网格槽与网格槽之间空隙宽度，且单根网格透明导电膜的线宽为5μm至20μm，网格槽与网格槽之间的空隙宽度为200μm至500μm；
其中，所述柔性基底的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、带聚甲基丙烯酸甲酯的聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及聚酰亚胺中的至少一种，所述带胶柔性膜为带硅胶PET膜、带硅胶PE膜、带硅胶CPP膜、带硅胶PP膜、带亚克力胶PET膜、带亚克力胶PE膜、带亚克力胶CPP膜、带亚克力胶PP膜、带可剥离胶PET膜、带可剥离胶PE膜、带可剥离胶CPP膜以及带可剥离胶PP膜中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述带胶柔性膜的厚度为30μm至90μm，所述带胶柔性膜的胶粘性为1g至5g。
3.根据权利要求1所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述对带胶柔性膜进行图案化处理，包括：
在预设图案化状态下，对所述带胶柔性膜进行激光切割。
4.根据权利要求3所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述预设图案化状态包括激光切割波长、激光切割脉宽、激光切割功率以及激光切割移速中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述激光切割功率为3W至15W。
6.根据权利要求4所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述激光切割移速为50mm/s至120mm/s。
7.根据权利要求1所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述网格槽的槽宽度小于20μm。
8.根据权利要求1所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜的工艺状态包括溅射反应压强、溅射气体流量以及溅射电源功率中的至少一个。
9.根据权利要求8所述的网格透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述溅射反应压强为0.4Pa至1.3Pa，所述溅射气体流量为180sccm至350sccm，所述溅射电源功率为0.8KW至3KW。
10.一种网格透明导电膜，其特征在于，采用上述权利要求1至9中任一项所述的网格透明导电膜的制备方法制备得到。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111471384.1A CN114334272B (zh) | 2021-12-04 | 2021-12-04 | 网格透明导电膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111471384.1A CN114334272B (zh) | 2021-12-04 | 2021-12-04 | 网格透明导电膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114334272A CN114334272A (zh) | 2022-04-12 |
| CN114334272B true CN114334272B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=81049064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111471384.1A Active CN114334272B (zh) | 2021-12-04 | 2021-12-04 | 网格透明导电膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114334272B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114334272A (zh) | 2022-04-12 |
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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