CN114325110A - 一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法 - Google Patents
一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114325110A CN114325110A CN202111659755.9A CN202111659755A CN114325110A CN 114325110 A CN114325110 A CN 114325110A CN 202111659755 A CN202111659755 A CN 202111659755A CN 114325110 A CN114325110 A CN 114325110A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sample
- copper coating
- copper
- composite material
- calculating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,所述方法对于形状不规则、不统一的复合材料铜镀层,首先分别在室温下和4.2K下测量带铜镀层材料的总电阻;然后通过浓硝酸浸泡腐蚀去除铜镀层,由于基体不与浓硝酸发生反应从而得到去铜镀层材料;再分别在室温下和4.2K下测量去铜镀层材料的电阻;最后分别计算得到铜镀层室温下和4.2K下电阻,从而得到铜镀层RRR。此方法能够实现对复合材料中铜镀层RRR测量,弥补了操作繁杂、无法测量不规则形状样品的缺点,具有原理简单、操作方便、样品准备便捷、测试精度高等优点。为复合材料RRR性能提供了评估手段,保障了高性能功率耦合器研发,推进了大国重器中国造。
Description
技术领域
本发明涉及材料性能测试领域,具体是一种复合材料铜镀层剩余电阻率(RRR值)的测试方法。
背景技术
近年来,射频超导(SRF)技术飞速发展,独特的高能量利用率、加速流强大、功率高等特性,使射频超导技术已经成为加速器发展的主流方向之一,成为诸多大科学装置的首选技术。射频超导谐振腔是超导加速器的核心部件,其优越之处在于它可以在连续波(CW)模式或长宏脉冲模式下,提供高的加速梯度。RF加速结构会影响束的品质,如能散度、发射度、束晕、最大流强等等。要得到好的束流品质,对加速器提出了非常高的要求。超导腔高的加速梯度能减少腔的数目,缩短了CW加速器的长度。由于超导腔壁损耗极小,腔形易优化,超导腔束孔大,减弱了束腔相互作用。超导腔现已广泛应用于各种大型加速器和光源装置中,如储存环、自由电子激光、强流加速器和高能加速器等。射频超导谐振腔的发展主线是提高超导腔的加速梯度。
功率耦合器是超导射频腔运行的关键部件。该部件的主要功能是在适配条件下,将射频功率有效的从源传输到粒子束。这种复杂的设备在严格的条件下运行:1)它应该通过陶瓷窗处理和传输高射频功率(~250kW-500kW);2)它是室温(T~300K)下加速低温模块的热部件与低温(T<100k)下的冷部件之间的接口;3)它也是在室温下工作的波导中的大气压力与SRF腔中的超高真空(<10-8mbar)之间的界面。由于这种工作条件,射频功率耦合器应仔细设计,以可靠地实现所需的性能。将射频功率从外部(在室温下)传递到SRF腔内(在4K温度下),要求具有良好的导电性能;而另一方面为了减小向低温的漏热,要求其进行热隔离。不锈钢部件在内部镀上少量的铜可以满足这些相互冲突的要求。因此,为功率耦合器的不同部件(如内导体、外导体、波纹管)开发高性能铜镀层至关重要。
剩余电阻率(RRR值)是间接衡量SRF体系中任何涂层膜质量的关键参数,RRR定义为金属电阻在室温与4.2K时的比值,能够反应金属加工状态和纯度。较低的RRR意味着较低的导热系数和较高的电阻,同时意味着材料的热稳定性较差。因此,测量射频超导体系中铜镀层的RRR值至关重要。
目前,常见的RRR值测量方法主要有四引线法和涡流无损测量,其中涡流无损测量主要是是针对已加工成型的超导腔体,但其测量精度较低。而四引线法测量精度较高,但测量较为复杂,受到测量样品形状的影响。为此,提出了一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法。
目前尚无相同文章或相似的文献或专利报道,没有发表过文章。
发明内容
本发明技术解决问题:克服现有的不足,提供一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,解决现有测试铜镀层RRR值时,操作难度大、耗费时间长,受带铜镀层材料形状限制的问题。
本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明的一种测试复合材料铜镀层RRR值的方法,其特征在于:对于形状不规则、不统一的带复合材料铜镀层,使用浓硝酸腐蚀的方法去除铜镀层,在室温和4.2K下分别测试铜镀层被腐蚀前后的材料电阻,从而计算求得铜镀层的RRR值。
其具体包括如下步骤:
1)在复合材料铜镀层样品两端部焊接电流引线,在距离带材两端端部10mm的位置作电位点并焊接测量信号线。
2)在室温下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量复合材料铜镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U1,计算其室温下电阻R1。
3)在4.2K低温条件下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量复合材料铜镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U2,计算4.2K下电阻R2。
4)待样品升温至室温后,将样品置于98%浓硝酸中浸泡20分钟,去除表面铜镀层,得到去镀层样品。
5)在去铜镀层样品两端重新焊接电流引线,在距离带材两端部10mm的位置重新焊接电流测量信号线。
6)在室温下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量去镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U3,计算4.2K下电阻R3。
7)在4.2K低温条件下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量去镀层带材的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U4,计算4.2K下电阻R4。
8)通过公式:
得:
计算得到铜镀层RRR值。
为了保证酸腐蚀前后电位点间距相同,避免电流连接处欧姆热效应,所述的电流引线焊接于样品两端部,信号线电位点距离样品端部10mm。
所述的为样品供电的恒流源电流不确定度需小于0.3%。为了计算方便,通常室温及4.2K下为样品提供相同电流,为了避免通电时样品发热及保证4.2K下电压数值,电流密度应在0.1-10A/m2内,一般通以1A电流。
通电时电压由纳伏表测量,电压测量不确定度需小于0.5%。
样品需保持自然、不受力状态,避免应变对电阻测量精度的影响。
所述的去铜镀层的方法为,使用98%浓硝酸浸泡20分钟。
本发明与现有技术相比的优点在于:本发明能够实现对复合材料中铜镀层RRR测量,弥补了操作繁杂、无法测量不规则形状样品的缺点,具有原理简单、操作方便、样品准备便捷、测试精度高等优点。为复合材料RRR性能提供了评估手段,保障了高性能功率耦合器研发,推进了大国重器中国造。
附图说明
图1为测试铜镀层RRR值的操作流程;
图2为电流引线、测量信号线焊接位置。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
如图1所示,本发明的一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,对于形状不规则、不统一的带铜镀层材料,使用浓硝酸腐蚀的方法去除铜镀层,在室温和4.2K下分别测试铜镀层被腐蚀前后的材料电阻,从而计算求得铜镀层的RRR值。
其具体包括如下步骤:
(1)如图2所示,在复合材料铜镀层样品两端部焊接电流引线,在距离带材两端端部10mm的位置作电位点并焊接测量信号线。
(2)在室温下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量复合材料铜镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U1,计算其室温下电阻R1。
(3)在4.2K低温条件下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量复合材料铜镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U2,计算4.2K下电阻R2。
(4)待样品升温至室温后,将样品置于98%浓硝酸中浸泡20分钟,去除表面铜镀层,得到去镀层样品。
(5)在去铜镀层样品两端重新焊接电流引线,在距离带材两端部10mm的位置重新焊接电流测量信号线。
(6)在室温下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量去镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U3,计算4.2K下电阻R3。
(7)在4.2K低温条件下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量去镀层带材的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U4,计算4.2K下电阻R4。
(8)通过公式:
得:
为了保证酸腐蚀前后电位点间距相同,避免电流连接处欧姆热效应,所述的电流引线焊接于样品两端部,信号线电位点距离样品端部10mm。
所述的为样品供电的恒流源电流不确定度需小于0.3%。为了计算方便,通常室温及4.2K下为样品提供相同电流,为了避免通电时样品发热及保证4.2K下电压数值,电流密度应在0.1-10A/m2内,一般通以1A电流。
通电时电压由纳伏表测量,电压测量不确定度需小于0.5%。
样品需保持自然、不受力状态,避免应变对电阻测量精度的影响。
所述的去铜镀层的方法为,使用98%浓硝酸浸泡20分钟。
总之,本发明原理简单、方法简明,解决了常规的测试RRR值的方法操作复杂、消耗时间长,受制于带铜镀层材料形状的限制,无法测量形状不规则、不统一的带铜镀层材料的问题。具有实验流程清晰、操作简单、样品准备便捷、测试精度高的特点,适用于小尺寸带铜镀层材料的RRR值测试。
Claims (6)
1.一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在复合材料铜镀层样品两端部焊接电流引线,在距离复合材料铜镀层样品两端端部10mm的位置作电位点并焊接测量信号线,以避免焊接信号线过程中产生的热量对电流引线的焊接点产生影响,并确保后续硝酸腐蚀去镀层再焊接信号线时位置相同,减小测量误差;
(2)在室温下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量复合材料铜镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U1,计算其室温下电阻R1;
(3)在4.2K低温条件下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量复合材料铜镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U2,计算4.2K下电阻R2;
(4)待样品升温至室温后,将样品置于98%浓硝酸中浸泡20分钟,去除表面铜镀层,得到去镀层样品;
(5)在去铜镀层样品两端重新焊接电流引线,在距离带材两端部10mm的位置重新焊接电流测量信号线;
(6)在室温下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量去镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U3,计算4.2K下电阻R3;
(7)在4.2K低温条件下使用恒流源分别通±1A大小的电流,测量去镀层样品的电压值,并将测量的正负电压值取绝对值并求平均值U4,计算4.2K下电阻R4;
(8)通过公式得到铜镀层剩余电阻率,即RRR值:
2.根据权利要求1所述的复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,其特征在于:所述步骤(1)中,为了保证酸腐蚀前后电位点间距相同,避免电流连接处欧姆热效应,在距离复合材料带材两端端部设定的10mm的位置作电位点并焊接测量信号线。
3.根据权利要求1所述的复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,其特征在于:所述步骤(2)、(6)中,恒流源的电流不确定度小于0.3%,室温及4.2K下为带铜镀层样品和去铜镀层样品提供相同电流;为避免通电时样品发热及保证4.2K下电压数值,电流密度在0.1-10A/m2内。
4.根据权利要求1所述的复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,其特征在于:通电时电压由纳伏表测量,电压测量不确定度需小于0.5%。
5.根据权利要求1所述的复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,其特征在于:所述步骤(2)、(6)中,带铜镀层样品和去铜镀层样品需保持自然、不受力状态,避免应变对电阻测量精度的影响。
6.根据权利要求1所述的复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法,其特征在于:所述步骤(6)中,去铜镀层的方法为:使用98%浓硝酸浸泡20分钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111659755.9A CN114325110B (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111659755.9A CN114325110B (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114325110A true CN114325110A (zh) | 2022-04-12 |
CN114325110B CN114325110B (zh) | 2023-08-15 |
Family
ID=81018599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111659755.9A Active CN114325110B (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114325110B (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4756923A (en) * | 1986-07-28 | 1988-07-12 | International Business Machines Corp. | Method of controlling resistivity of plated metal and product formed thereby |
JPH0320656A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Fujikura Ltd | 銅の純度評価方法 |
US20050013636A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-20 | Yuuji Sawai | Method for evaluating changes in resistance of electric resistance member and image forming apparatus using same |
JP2008130787A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Nec Electronics Corp | 配線評価方法、配線評価プログラムおよび配線評価装置 |
CN101581743A (zh) * | 2009-07-31 | 2009-11-18 | 中国科学院电工研究所 | 金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法 |
US20110058155A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Riken | Mobility measuring apparatus, method therefor, and resistivity measuring apparatus and method therefor |
CN102866298A (zh) * | 2012-09-04 | 2013-01-09 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 多通道温度梯度法rrr测试样品杆 |
CN202770860U (zh) * | 2012-07-30 | 2013-03-06 | 西部超导材料科技股份有限公司 | 一种测量导线剩余电阻率比的样品架 |
CN102981054A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-20 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种高纯铌材剩余电阻率测试样品的处理方法 |
-
2021
- 2021-12-30 CN CN202111659755.9A patent/CN114325110B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4756923A (en) * | 1986-07-28 | 1988-07-12 | International Business Machines Corp. | Method of controlling resistivity of plated metal and product formed thereby |
JPH0320656A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Fujikura Ltd | 銅の純度評価方法 |
US20050013636A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-20 | Yuuji Sawai | Method for evaluating changes in resistance of electric resistance member and image forming apparatus using same |
JP2008130787A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Nec Electronics Corp | 配線評価方法、配線評価プログラムおよび配線評価装置 |
CN101581743A (zh) * | 2009-07-31 | 2009-11-18 | 中国科学院电工研究所 | 金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法 |
US20110058155A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Riken | Mobility measuring apparatus, method therefor, and resistivity measuring apparatus and method therefor |
CN202770860U (zh) * | 2012-07-30 | 2013-03-06 | 西部超导材料科技股份有限公司 | 一种测量导线剩余电阻率比的样品架 |
CN102866298A (zh) * | 2012-09-04 | 2013-01-09 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 多通道温度梯度法rrr测试样品杆 |
CN102981054A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-20 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种高纯铌材剩余电阻率测试样品的处理方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
刘云峰: "超导铌材剩余电阻率的测量", 《宁夏工程技术》, vol. 11, no. 2, pages 148 - 150 * |
刘勃 等: "MgB2超导股线低温临界性能与力学性能研究", 《超导技术》, vol. 43, no. 8, pages 42 - 45 * |
马永胜 等: "超导高频铜腔镀铌研究进展", 《真空科学与技术学报》, no. 03, pages 73 - 79 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114325110B (zh) | 2023-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Latti et al. | A review of microstrip T-resonator method in determining the dielectric properties of printed circuit board materials | |
Biondi et al. | Millimeter wave absorption in superconducting aluminum. I. Temperature dependence of the energy gap | |
Gamzina et al. | Nanoscale surface roughness effects on THz vacuum electron device performance | |
CN107543970B (zh) | 一种基于数据库校准方法的介电常数测量方法 | |
Pan et al. | Development of a 500 MHz high power RF test stand | |
CN109781780B (zh) | 一种简易高导热材料导热系数稳态测试*** | |
CN112034002B (zh) | 一种热电材料塞贝克系数的测量装置和方法 | |
Du et al. | Experimental Investigation of an Ultrawide Bandwidth $ W $-Band Pulsed Traveling-Wave Tube With Microfabricated Folded-Waveguide Circuits | |
Mori et al. | Multipactor suppression in dielectric-assist accelerating structures via diamondlike carbon coatings | |
Han et al. | An evaluation of heat dissipation capability of slow-wave structures | |
CN114325110A (zh) | 一种复合材料铜镀层剩余电阻率的测试方法 | |
Hill et al. | High-power vacuum window in WR10 | |
Bringhurst et al. | Thin-sample measurements and error analysis of high-temperature coaxial dielectric probes | |
Ao et al. | First high-power model of the annular-ring coupled structure for use in the Japan Proton Accelerator Research Complex linac | |
CN111679131A (zh) | 一种厚膜材料介电常数的测量方法 | |
CN113075460B (zh) | 一种通信电缆等效介电常数、等效介质损耗角正切值的测试方法 | |
Aizaz et al. | Measurements of thermal conductivity and Kapitza conductance of niobium for SRF cavities for various treatments | |
Gershon et al. | Adjustable resonant cavity for measuring the complex permittivity of dielectric materials | |
Meng et al. | A system to measure complex permittivity of low loss ceramics at microwave frequencies and over large temperature ranges | |
Bringhurst et al. | High-temperature dielectric properties measurements of ceramics | |
CN217901889U (zh) | 一种变温岩石介电特性测试装置 | |
CN111983319A (zh) | 一种金属材料微波表面电阻率高温测试装置及测试方法 | |
CN115616030B (zh) | 一种导热系数的测量方法 | |
Arakawa et al. | Calibrated 2-port microwave measurement up to 26.5 GHz for wide temperature range from 4 K to 300 K | |
Schmierer et al. | Results of the APT RF power coupler development for superconducting linacs |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |