CN114315361B - 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 - Google Patents
纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114315361B CN114315361B CN202111574952.0A CN202111574952A CN114315361B CN 114315361 B CN114315361 B CN 114315361B CN 202111574952 A CN202111574952 A CN 202111574952A CN 114315361 B CN114315361 B CN 114315361B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- sintering
- pressure
- temperature
- nanocrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 115
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 title abstract description 19
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical group [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical group [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical group O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DTDCCPMQHXRFFI-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)chromium lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].[La+3].[O-][Cr]([O-])(=O)=O.[O-][Cr]([O-])(=O)=O.[O-][Cr]([O-])(=O)=O DTDCCPMQHXRFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 11
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007709 nanocrystallization Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Abstract
本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
Description
技术领域
本申请属于无机非金属材料领域，具体涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。
背景技术
维氏硬度超过40GPa的材料被称为超硬材料。超硬材料被广泛应用于切割、车削、研磨等工业领域。上世纪50年代，人们就已经成功合成了金刚石和立方氮化硼，然而，到目前为止，超硬材料仍然局限于这两大家族。研究人员为获得除金刚石以及立方氮化硼之外的超硬材料，进行了不懈的努力，却鲜有回报。与此同时，结构纳米化的方法被广泛地应用于提升金刚石以及立方氮化硼材料的硬度。例如，通过降低立方氮化硼的晶粒尺寸至14nm，其硬度可提升至85GPa，为单晶立方氮化硼硬度的两倍。然而，由于传统硬质材料块材难以烧结致密且同时减小晶粒尺寸的幅度有限，传统硬质材料一直没有实现超硬。
立方碳化硅作为一种常用的磨削和切割材料，在机械性能、化学以及热稳定性、制备工艺等方面具有很好的优势。然而作为一种传统的硬质材料，立方碳化硅的硬度在26GPa左右，限制了其在工业上的广泛应用。实验上，通过放电等离子体烧结以及热压烧结制备的纳米晶块材，虽具有较小的晶粒尺寸，但其致密性不好，存在不同程度的气孔。气孔的存在会对材料的机械性能产生不利的影响。此外，也有研究人员通过高温高压的方法，在4GPa，1500～1900℃条件下对碳化硅纳米粉进行烧结，虽然得到了致密的纳米晶碳化硅块材，但由于块材具有较大的晶粒尺寸，其维氏硬度未超过26GPa。
另外，中国专利申请CN104086179A公开了一种通过对硅粉和石墨粉进行球磨，然后进行烧结，得到碳化硅块体陶瓷的方法。该专利报道的块材密度是93.0～97.0％，硬度为31.4～42.4GPa，但并未公开其硬度测试方法。然而根据其他权威文献(例如，“MonolithicNanocrystalline SiC Ceramics”，Branko
等，Journal of the EuropeanCeramic Society，Volume 36,Issue 12,September 2016,Pages 3005-3010)的报道，相似致密度的碳化硅块材的维氏硬度真实测量值(在硬度测量时获得的硬度-载荷曲线中，硬度值随载荷保持不变区域的硬度测量值，即渐近线硬度)仅为23GPa左右，因此推测CN104086179A中公开的硬度值不是维氏硬度或者不是渐近线硬度。另外，CN104086179A获得的碳化硅块体陶瓷是非晶体或者含有极少量纳米晶析出相的非晶体。相比于晶体材料，非晶体材料的使用范围受限；因为非晶体在高温下，会出现非晶态向晶态的转化，从而损害其本身的优异特性。实际的工程应用中，当碳化硅被用作隔离层或者磨料时，经常需要面临高温环境。因此，在这些情况下，使用非晶体材料是非常不利的。
发明内容
鉴于上述现有技术中碳化硅陶瓷材料的种种不足，业界非常需要开发新型的具有超高硬度的碳化硅晶体材料。
本申请通过高温高压烧结经过预处理后的各种碳化硅原料，获得了超硬的纳米晶碳化硅块材。
因此，本申请的第一方面的技术方案是一种纳米晶碳化硅块材，其平均晶粒尺寸小于100nm，其维氏硬度等于或高于40GPa。
本申请的第二方面的技术方案是一种纳米晶碳化硅块材制备方法，该制备方法包括以下步骤：
A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干；
B)预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体。
C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为4～28GPa，烧结温度为1000～2500℃，保温时间为1～60min。
D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1.与没有进行预处理的烧结技术相比，本发明提出的预处理技术能有效地去除碳化硅纳米颗粒表面的二氧化硅层，从而提高碳化硅的活性，降低其致密烧结所需要的烧结条件(压力、温度等)。
2.区别于各种无压热压以及放电等离子烧结技术，高温高压技术所需要的烧结温度较低且不需要用任何助烧剂，碳化硅块材的晶界烧结良好，样品接近于透明。
3.区别于化学气相沉积得到的超硬碳化硅薄膜，高温高压烧结所获得的碳化硅为块材，厚度更厚，更适用于机械加工。此外，样品的尺寸可以进一步做大，实际的应用范围更加的广阔。
4.在高温高压烧结中，高温可以促进晶粒间的合并以及强界面的生成，高压可以束缚原子扩散，限制晶粒粗化，从而提高了烧结样品的致密度和硬度。所得碳化硅样品平均晶粒尺寸很小，最小可达10nm以下。且通过调节原料前驱体和烧结工艺，可以得到各种晶粒尺寸的纳米晶超硬碳化硅块材。
5.所得碳化硅样品维氏硬度的真实测量值等于或高于40GPa，是一种新的超硬材料，丰富了超硬材料家族。这种材料可制成刀具，在精密加工领域具有很大的应用潜力。因此，这一研究结果对扩大碳化硅的应用范围以及指导合成新的超硬材料具有重要的意义。
下面结合附图和具体实施方式对本申请的纳米晶碳化硅块材及其制备方法做进一步的详细描述。
附图说明
图1中(A)、(B)、(C)、(D)、(E)分别示出了本申请实施例1、2、3、4、5所得样品的光学照片；
图2示出了本申请实施例4得到纳米晶碳化硅超硬块材的X射线衍射图；
图3示出了本申请实施例4得到纳米晶碳化硅超硬块材的断口扫描电镜图片；
图4示出了本申请实施例4得到纳米晶碳化硅超硬块材的透射电镜图片，(A)是样品的低倍透射电镜图片，(B)是样品中某一晶粒的高角环形暗场像，(C)是样品的选区电子衍射图；
图5示出了本申请实施例4得到纳米晶碳化硅超硬块材的硬度-载荷曲线。
具体实施方式
本申请的第一方面的技术方案是一种纳米晶碳化硅块材，其平均晶粒尺寸小于100nm，其维氏硬度等于或高于40GPa。
在本申请中，除非另有指明或定义，所有的术语应被解释为具有按照本领域技术人员所通常理解的含义。
在本申请的上下文中，“纳米晶碳化硅”是指从化学组成上看，基本由纯碳化硅构成的材料，而且从微观结构上看，材料由众多的尺寸在纳米级的碳化硅晶粒构成。
在本申请的上下文中，“维氏硬度”是指通过压痕法测量得到的材料硬度，即通过施加一定载荷使压头(通常为金刚石压头)压入被测试样品，在卸去载荷后在样品表面留下塑性变形的痕迹，然后将施加的载荷除以压痕的面积就得到样品的维氏硬度。维氏硬度测量时使用相对面间夹角为136°的金刚石正棱锥体压头在一定压力的作用下，垂直压入材料表面并保持一定时间，在样品表面留下塑性变形产生的菱形压痕；根据测量卸载后留下的压痕对角线长度，从而算出压痕的面积。具体地，维氏硬度的计算公式是：Hv＝1854.4F/L2，其中F为加载的载荷大小，单位为N；L为压痕平均对角线长度，单位为μm。值得注意的是，由于材料的硬度值在一定压力载荷范围内是变化的，尤其对于超硬材料来说，材料的刚度较高，小载荷作用下压坑的弹性应变较大，导致其硬度测量值偏高，只有当载荷大于某个极限值时，材料硬度才趋于一个恒定数值，即渐进线硬度值。对于本申请的纳米晶碳化硅块材而言，所有维氏硬度均是以变载荷测量方式获得的材料的真实硬度值，即采用变载荷方式测量材料的硬度，取硬度-载荷曲线中硬度值随载荷不变区域的硬度值(即渐进线硬度值)作为最终测量值。
本领域技术人员了解有多种技术手段可以获取材料的微观结构信息；例如，可以利用扫描电镜或透射电镜等仪器进行直接观察，或利用X射线谱图进行分析。为了准确表征，优选对材料内部样品进行分析；另外，为了避免样品中可能存在的少量污染物的干扰，可以随机取多个(例如3个以上或5个以上)样品点进行分析。
本领域技术人员可以理解，本申请的纳米晶碳化硅块材基本上由纯碳化硅构成，但并不排除原料本身中存在的或加工制造过程中无意引入的不可避免的少量杂质。就本申请目的而言,本申请的纳米晶碳化硅材料中杂质的重量含量通常最多5％，优选少于4％，更优选少于3％，例如少于2％、少于1％、少于0.5％。
本申请的纳米晶碳化硅块材中碳化硅晶粒的晶粒尺寸一般在1nm～100nm之间，例如所述晶粒尺寸可以大于2nm、大于3nm、大于4nm、大于5nm、大于8nm、大于10nm、大于20nm、大于30nm、大于40nm、大于50nm，所述晶粒尺寸可以小于100nm、小于90nm、小于80nm、小于70nm、小于60nm、小于50nm。碳化硅的晶粒尺寸可以由本领域技术人员根据XRD数据结合谢乐公式计算得到。
本申请的纳米晶碳化硅是块材，即以块体材料形式使用。“块材”在本申请中被理解为独立存在的单个材料体，其三个维度的尺寸之间不存在巨大差异，从而有别于纤维状材料、薄片或薄膜状材料、以及粉末或颗粒状材料。本申请的纳米晶碳化硅是块材的，其体积通常至少为0.05mm3，例如至少0.1mm3、至少0.5mm3、至少1mm3、至少5mm3、至少10mm3、至少20mm3、至少50mm3、至少100mm3等块体材料的体积上限并不受特别限制，可以根据实际需要和设备加工能力酌情选择，例如可以高达1000cm3。
本申请对纳米晶碳化硅块材的形状并无特别限制，根据实际需要，可以采用相应的模具直接制成或经切削研磨而加工成各种形状的块材，例如圆柱形、棱柱形、球形等等。例如，纳米晶碳化硅块材可以是直径为0.5～80mm，高度为0.5～50mm的圆柱形。
本申请的纳米晶碳化硅块材具有高硬度，其维氏硬度一般大于或等于40GPa，例如大于40.5GPa、大于41.5GPa、大于42GPa、大于42.5GPa、大于43GPa、大于44GPa、或甚至大于45GPa。
本申请的第二方面提供了一种制备第一方面所述纳米晶碳化硅块材的方法，该方法包括如下步骤：
A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干；
B)预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体；
C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为4～28GPa，烧结温度为1000～2500℃，保温时间为1～60min；
D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。
方法的步骤A)中所用碳原料为碳化硅纳米粉，即晶粒尺寸为纳米级的碳化硅粉末。优选地，所用的碳化硅纳米粉的晶粒尺寸为5～100nm(例如6nm、8nm、10nm、12nm、15nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或以这些尺寸为端点构成的任意数值范围内的任意晶粒尺寸)，优选为5～50nm。方法中可以采用单一晶粒尺寸的碳化硅纳米粉或是采用几种不同晶粒尺寸的碳化硅纳米粉的混合物。粉末的晶粒尺寸可以根据XRD数据通过本领域众所周知的谢乐公式进行估算。
方法的步骤A)中所用的各种原料优选地是高纯度的，例如其纯度优选高于97％，更优选高于98％、高于99％或高于99.5％。
方法的步骤A)中酸洗所用的酸优选为氢氟酸，其浓度优选为10％～40％，酸洗时间通常为15～90min。
方法的步骤A)中所用的水优选为去离子水。可以用水将酸洗液稀释至接近中性(约pH7)，即约pH 6～8，更优选pH 6.5～7.5。
方法的步骤A)中的酸洗优选在聚四氟乙烯容器中、在超声波作用下进行。例如，可以将碳化硅纳米粉和酸放置于聚四氟乙烯瓶中，而聚四氟乙烯瓶置于超声波清洗机里。超声处理过程例如可以以工作10min、静置5min为一个循环(一个循环时长记15min)，可以进行多个循环，超声的总时长与酸洗时间可以相同或不同。超声波处理可以保证原料在酸中充分分散。
在一些优选的实施方式中，方法的步骤A)中的酸洗过程中同时使用离心机和超声清洗机。离心处理会加速原料沉降，使之与酸液分离，例如设置转速为4000～11000r/min，离心时间为10～20min；而超声处理使沉降的原料与新加入的去离子水混合均匀，超声时间为5～10min。重复几次直至pH接近于7。
方法的步骤A)中的烘干可以在各种常规干燥设备中进行。优选地，步骤A)中的烘干操作使用真空干燥箱进行，其真空度设置高于1×10-1Pa，烘干温度为40～80℃，烘干时间为12～24h。
方法的步骤A)中的预处理能有效地去除碳化硅纳米颗粒表面的二氧化硅层，从而提高碳化硅的活性，降低其致密烧结所需要的烧结条件(压力、温度等)，更有利于改善烧结样品的硬度和致密度。
在方法的步骤B)中对烘干后的原料进行预压，得到预压坯。所述坯体根据需要可以是任意形状，例如柱体、块体和球体等。预压成坯可以在常规压坯机或液压机上进行，通常在室温下操作即可，可以在空气中或惰性气氛中进行。本申请的方法的步骤二中的预压压力没有特别限制，只要保证坯体密实即可，但为了达到更好的效果，预压压力应达到5MPa以上，例如8MPa、10MPa、20MPa等，优选的预压压力为5～10MPa。预压保持时间优选为0.5min以上和10min以内，更优选为1～5min。
在本申请的优选实施方式中，预压模式为双向加压。这样能够使成型模具内的粉料双向均匀受力，降低了预压坯上下压力梯度，避免预压坯上下密度相差较大，进而影响烧结后块体的整体致密度，从而使得坯体致密度更高，更有助于提高合成样品的性能。
在方法的步骤C)中对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结。在本申请的一个优选实施方式中，在4GPa以上28GPa以下的烧结压力、1000℃以上2500℃以下温度条件下进行烧结，保温时间为1～60min，以得到具有高硬度的碳化硅陶瓷。烧结压力例如为4GPa、5GPa、6GPa、7GPa、8GPa、9GPa、10GPa、11GPa、12GPa、13GPa、14GPa、15Pa、16GPa、17GPa、18GPa、19GPa、20GPa、21GPa、22GPa、23GPa、24GPa、25GPa、26GPa、27GPa、28GPa等或这些压力范围之内的任意压力。通常，更高的烧结压力有利于提高烧结样品硬度，因此烧结压力优选为10～28GPa。烧结温度例如可以为1000℃、1100℃、1200℃、1300℃、1400℃、1500℃、1600℃、1700℃、1800℃、1900℃、2000℃、2100℃、2200℃、2300℃、2400℃、2500℃等温度或这些温度范围之内的任意温度。在步骤C)中，优选保温时间为1～60min，例如5～45min或5～30min。步骤C)中升温速率可以控制在50～150℃/min之间。
烧结处理可以采用本领域技术人员熟知的高温高压烧结设备进行，例如美国Rockland Research公司生产的T25型压机或桂林冶金机械总厂制造的六面顶液压机CS-1B。烧结过程视需要可以在惰性气氛中进行，或在空气中进行。
对于高温高压烧结，通常先将步骤B)得到的预压坯体装入坩埚(例如氮化硼坩埚)中，然后放入组装块中进行高温高压烧结。其中组装块包括加热体、保温层、传压层等，加热体为铼片和/或石墨，保温层为氧化锆和/或氧化铝，传压层为氧化镁和/或铬酸镧。
烧结完成后，在步骤D)中对烧结样品进行冷却，使烧结样品及烧结设备的腔体降至室温，并且将设备内压调至环境压力(即卸压)，然后取出烧结样品，进行任选的加工和后处理(例如研磨和抛光等)后，即得到本申请的纳米晶碳化硅超硬块材。步骤D)中的冷却可以自然冷却或进行受控冷却，例如降温速率可以为50～150℃/min。
本发明通过优化高温高压烧结条件，以碳化硅纳米粉为原料获得了纳米晶碳化硅超硬块材。块材的致密化以及晶粒的细化是制备具有更高硬度的纳米晶碳化硅所必需的前提。本发明通过调节原料尺寸、改进预处理工艺以及调整烧结参数(压力、温度、保温时间等)，获得了具有良好的致密度以及更细小的晶粒纳米晶碳化硅，从而得到了超硬碳化硅陶瓷块材。高温高压烧结比放电等离子体烧结和热压烧结的烧结压力更高，更容易获得致密的纳米晶块材。
下面结合实施例对本申请的纳米晶碳化硅块材和制备方法做进一步描述。
实施例
以下描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的特定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不脱离本申请原理、没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为了简明起见，一些本领域常规采用的材料、设备和方法步骤未在实施例中一一注明。凡是在实施例中未具体注明的工艺方法和分析测试过程(及相关参数)均按本领域技术人员通常所采用的进行；未注明具体来源的材料和设备均为实验室常规材料和设备。
设备和材料分析检测方法
各实施例中所用高温高压烧结装置为美国Rockland Research公司生产的T25型压机或或桂林冶金机械总厂制造的六面顶液压机CS-1B；各实施例中所用碳化硅粉末原料由Alfa Aesar提供。
各实施例中所用主要分析检测方法及所用仪器如下：
X射线衍射：采用Rigaku DMAX-2500/P进行XRD图谱的测定。扫描速度为0.1度每分钟，范围为20度～90度。
粉体原料及块体的的晶粒尺寸：根据XRD数据结合谢乐公式，估算原料和块体的的晶粒尺寸。
SEM：采用赛默飞Scios DualBeam进行样品断口分析。电压为5KV，电流为0.1nA。
TEM以及HAADF：利用聚焦离子束(FIB)制备了TEM样品(5×10×0.08μm)，采用赛默飞Talos F200X扫描透射电镜(美国赛默飞世尔科技公司)进行进行测试，加速电压为200kV。
维氏硬度检测方法：采用德国KB-30-S型显微硬度仪对样品进行显微硬度的测试，测试参数为加载10s，保压15s。即使用相对面间夹角为136°的金刚石正棱锥体压头在一定压力的作用下，垂直压入材料表面并保持一定时间(加载10s，保压15s)，在样品表面留下塑性变形产生的菱形压痕，然后将施加的载荷除以压痕的面积就是压痕法测量得到的硬度。维氏硬度的计算公式是：Hv＝1854.4F/L2，其中F为加载的载荷大小，单位为N；L为压痕平均对角线长度，单位为μm。硬度测量采用变载荷方式进行，取样品硬度值取随载荷不变区域的测量值(即渐进线硬度值)作为最终的硬度测量值，如图5所示。
实施例1
用浓度为10％的氢氟酸对0.3g的碳化硅原料(平均晶粒尺寸5nm)进行处理，酸洗时间为60min。使用去离子水对酸液进行稀释，此过程中综合使用离心机与超声波清洗机。离心使酸液与原料分离，超声使原料与新加入的去离子水混合均匀。重复多次，直到PH接近7。离心机转速为4000r/min，离心时间均为15min，超声时间均为5min。将最后一次离心所得的原料进行烘干，烘干温度为60℃，时间为18h。
将烘干后的粉料加10MPa的压力，预制成直径为3.5mm、高为3mm的圆柱坯体，将其放入六方氮化硼坩埚中，将组装块装入国产六面顶合成装置，在压力为5GPa，温度为1900℃的条件下进行烧结，保温时间为20min。升温速率为100℃/min，降温速率为100℃/min。合成的碳化硅块体如图1(A)所示。样品的硬度如表一所示。
实施例2
用浓度为10％的氢氟酸对0.3g的碳化硅原料(平均晶粒尺寸30nm)进行处理，酸洗时间为30min。使用去离子水对酸液进行稀释，此过程中综合使用离心机与超声波清洗机。离心使酸液与原料分离，超声使原料与新加入的去离子水混合均匀。重复多次，直到PH接近7。离心机转速为11000r/min，离心时间均为20min。超声时间均为10min。将最后一次离心所得的原料进行烘干。烘干温度为40℃，时间为24h。
将烘干后的粉料加10MPa压力，预制成直径为1.2mm、高为2.3mm的圆柱坯体，将其放入六方氮化硼坩埚中，将组装块装入T25压机，在压力为15GPa，温度为1500℃的条件下进行烧结，保温时间为5min。升温速率为150℃/min，降温速率为150℃/min。合成的碳化硅块体如图1(B)所示，最中央的块材是碳化硅，从里向外依次是碳化硅、氮化硼坩埚、铼片。样品的硬度如表一所示。
实施例3
将0.15g平均晶粒尺寸5nm碳化硅原料和0.15g平均晶粒尺寸70nm碳化硅原料混合。用浓度为10％的氢氟酸对混合原料进行处理。酸洗时间为45min。使用去离子水对酸液进行稀释，此过程中综合使用离心机与超声波清洗机。离心使酸液与原料分离，超声使原料与新加入的去离子水混合均匀。重复多次，直到PH接近7。离心机转速为11000r/min，离心时间均为15min。超声时间均为5min。将最后一次离心所得的原料进行烘干。烘干温度为40℃，烘干时间为24h。
将烘干后的粉料加10MPa压力，预制成直径为1.2mm、高为2.3mm的圆柱坯体，将其放入六方氮化硼坩埚中，将组装块装入T25压机，在压力为20GPa，温度为1500℃的条件下进行烧结，保温时间为5min。升温速率为100℃/min，降温速率为100℃/min。合成的碳化硅块体如图1(C)所示。最中央的块材是碳化硅，从里向外依次是碳化硅、氮化硼坩埚、铼片。样品的硬度如表一所示。
实施例4
用浓度为20％的氢氟酸对0.3g的碳化硅原料(平均晶粒尺寸8nm)进行处理，酸洗时间为15min。使用去离子水对酸液进行稀释，此过程中综合使用离心机与超声波清洗机。离心使酸液与原料分离，超声使原料与新加入的去离子水混合均匀。重复多次，直到PH接近7。离心机转速为11000r/min，离心时间均为15min。超声时间均为5min。将最后一次离心所得的原料进行烘干。使用真空干燥箱烘干，烘干温度为60℃，时间为18h。
将烘干后的粉料加10MPa压力，预制成直径为1.2mm、高为2.3mm的圆柱坯体，将其放入六方氮化硼坩埚中，将组装块装入T25合成装置，在压力为25GPa，温度为1400℃的条件下进行烧结，保温时间为5min。升温速率为50℃/min，降温速率为50℃/min。合成的碳化硅块体如图1(D)所示，最中央的块材为碳化硅，从里向外依次是碳化硅、氮化硼坩埚、铼片。样品的硬度如表一所示。
实施例4样品的X射线衍射图片如图2所示。断口扫描电子显微镜图片以及透射电子显微镜(含高分辨)图片分别如图3和图4所示。硬度-载荷曲线如图5所示。图3证明了其已经烧结的十分致密，而图4反映出样品的晶粒尺寸很小，且晶粒内部具有一定量的孪晶亚结构。从图4(A)中可见明显的晶粒成分，晶粒与晶粒之间的晶界十分明显；在图4(C)中，衍射环十分清晰，说明该样品为多晶样品；图4(B)中的晶粒中的原子表现长程有序的周期型排列，说明了样品为多晶样品。图5反映出该样品的真实硬度测量值超过了40GPa，达到了超硬标准。
实施例5
用浓度为30％的氢氟酸对0.3g的碳化硅原料(平均晶粒尺寸10nm)进行处理，酸洗时间为30min。使用去离子水对酸液进行稀释，此过程中综合使用离心机与超声波清洗机。离心使酸液与原料分离，超声使原料与新加入的去离子水混合均匀。重复多次，直到PH接近7。离心机转速为4000r/min，离心时间均为10min。超声时间均为10min。将最后一次离心所得的原料进行烘干。使用真空烘干箱烘干，烘干温度为80℃，时间为24h。
将烘干后的粉料加5MPa压力，预制成直径为1.2mm、高为2.3mm的圆柱坯体，将其放入六方氮化硼坩埚中，将组装块装入T25合成装置，在压力为25GPa，温度为1700℃的条件下进行烧结，保温时间为30min。升温速率为50℃/min，降温速率为50℃/min。合成的碳化硅块体如图1(E)，最中央的块体为碳化硅，从里向外依次是碳化硅、氮化硼坩埚、铼片。样品的硬度如表一所示。
表一
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
本发明的说明书中列举了各种组分的可选材料，但是本领域技术人员应该理解：上述组分材料的列举并非限制性的，也非穷举性的，各种组分都可以用其他本发明说明书中未提到的等效材料替代，而仍可以实现本发明的目的。说明书中所提到的具体实施例也是仅仅起到解释说明的目的，而不是为例限制本发明的范围。
另外，本发明每一个组分的用量范围包括说明书中所提到的任意下限和任意上限的任意组合，也包括各具体实施例中该组分的具体含量作为上限或下限组合而构成的任意范围：所有这些范围都涵盖在本发明的范围内，只是为了节省篇幅，这些组合而成的范围未在说明书中一一列举。说明书中所列举的本发明的每一个特征，可以与本发明的其他任意特征组合，这种组合也都在本发明的公开范围内：只是为了节省篇幅，这些组合而成的范围未在说明书中一一列举。
Claims (9)
1.一种纳米晶碳化硅块材，其平均晶粒尺寸小于100 nm，其维氏硬度的渐进线硬度值高于40.5GPa，其体积大于0.05mm3，所述纳米晶碳化硅块材是由包括以下步骤的方法制备的：
A) 预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干，其中所述碳化硅纳米粉的晶粒尺寸为5~100 nm，其是单一尺寸晶粒的或是几种尺寸晶粒的混合；
B) 预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体；
C) 烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为15~28 GPa，烧结温度为1400~1900 ℃，保温时间为5~20 min；
D) 出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。
2.一种纳米晶碳化硅块材的制备方法，所述纳米晶碳化硅块材的平均晶粒尺寸小于100 nm，维氏硬度的渐进线硬度值高于40.5GPa，且体积大于0.05mm3，所述方法包括以下步骤：
A) 预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，进行酸洗处理，然后用水稀释至接近中性后取出，烘干，其中所述碳化硅纳米粉的晶粒尺寸为5~100 nm，其是单一尺寸晶粒的或是几种尺寸晶粒的混合；
B) 预压成型：将烘干后的原料进行预压，得到预压坯体；
C) 烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结，其中烧结压力为15~28 GPa，烧结温度为1400~1900 ℃，保温时间为5~20 min；
D) 出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理。
3.根据权利要求2所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中酸洗所用的酸为氢氟酸，其浓度为10%~40%，酸洗时间为15~90 min。
4.根据权利要求2所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中的酸洗在聚四氟乙烯容器中、在超声波作用下进行。
5.根据权利要求4所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)的酸洗过程中还使用离心机进行处理。
6.根据权利要求2至5任一项所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤A)中的烘干操作使用真空干燥箱进行，真空度高于1×10-1 Pa，烘干温度为40~80 ℃，烘干时间为12~24 h。
7.根据权利要求2至5任一项所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤B)中施加的预压力为5~10 MPa，预压方式为双向加压。
8.根据权利要求2至5任一项所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤C)中，先将步骤B)得到的预压坯体装入氮化硼坩埚中，然后放入组装块中进行高温高压烧结，其中组装块包括加热体、保温层、传压层，加热体为铼片和/或石墨，保温层为氧化锆和/或氧化铝，传压层为氧化镁和/或铬酸镧。
9.根据权利要求8所述的纳米晶碳化硅块材的制备方法，其特征在于：步骤C)中升温速率为50 ~150 ℃/min。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310555292.4A CN116693296A (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
| CN202111574952.0A CN114315361B (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111574952.0A CN114315361B (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310555292.4A Division CN116693296A (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114315361A CN114315361A (zh) | 2022-04-12 |
| CN114315361B true CN114315361B (zh) | 2023-06-06 |
Family
ID=81055039
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111574952.0A Active CN114315361B (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
| CN202310555292.4A Pending CN116693296A (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310555292.4A Pending CN116693296A (zh) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN114315361B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116657256B (zh) * | 2023-07-28 | 2023-11-10 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用 |
| CN117409898B (zh) * | 2023-10-24 | 2024-03-19 | 延边大学 | 一种复合多晶超硬材料及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829027A (en) * | 1987-01-12 | 1989-05-09 | Ceramatec, Inc. | Liquid phase sintering of silicon carbide |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4238434A (en) * | 1978-02-16 | 1980-12-09 | Ibigawa Electric Industry Co., Ltd. | Method of producing a silicon carbide sintered body |
| DE3616572A1 (de) * | 1985-05-25 | 1986-11-27 | Toshio Izumi Miyagi Hirai | Aluminiumoxid-zirkoniumoxid-siliciumcarbid-sinterkeramikverbundwerkstoff mit hoher festigkeit und grosser haerte und verfahren zu seiner herstellung |
| US6939506B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-09-06 | The Regents Of The University Of California | Diamond-silicon carbide composite and method for preparation thereof |
| JP2006232614A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Riyuukoku Univ | 炭化珪素の超高密度焼結体とその製造方法 |
| FR2933972B1 (fr) * | 2008-07-18 | 2011-06-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'une piece en carbure de silicium ne necessitant pas l'usage d'ajouts de frittage |
| CN110436930A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-11-12 | 广东工业大学 | 一种高性能纳米SiC陶瓷及其制备方法和应用 |
| CN112441594B (zh) * | 2019-09-04 | 2022-09-20 | 四川大学 | 一种高性能微米晶聚晶立方氮化硼的制备方法 |
| CN113277849B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-09-02 | 燕山大学 | 高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法 |
| CN113773088A (zh) * | 2021-09-29 | 2021-12-10 | 河南工业大学 | 一种莫来石结合SiC磨料的制备方法 |
-
2021
- 2021-12-21 CN CN202111574952.0A patent/CN114315361B/zh active Active
- 2021-12-21 CN CN202310555292.4A patent/CN116693296A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829027A (en) * | 1987-01-12 | 1989-05-09 | Ceramatec, Inc. | Liquid phase sintering of silicon carbide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116693296A (zh) | 2023-09-05 |
| CN114315361A (zh) | 2022-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114315361B (zh) | 纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法 | |
| EP2879990B1 (en) | Ultrahard nanotwinned boron nitride bulk materials and synthetic method thereof | |
| CN109437920B (zh) | 纳米/亚微米结构wBN超硬材料及wBN-cBN超硬复合材料及制备方法和刀具 | |
| KR20080108041A (ko) | 흑연 재료 및 흑연 재료의 제조 방법 | |
| Liu et al. | Spark plasma sintering behavior of nano‐sized (Ba, Sr) TiO3 powders: determination of sintering parameters yielding nanostructured ceramics | |
| Feng et al. | Effects of high-energy ball milling and reactive spark plasma sintering on the densification of HfC-SiC composites | |
| US8657893B2 (en) | Method for producing sintered cubic boron nitride compact | |
| Akkus et al. | Investigation of wear properties of CaO, MgO added stabilized zirconia ceramics produced by different pressing methods | |
| Ran et al. | Manipulating microstructure and mechanical properties of CuO doped 3Y-TZP nano-ceramics using spark-plasma sintering | |
| CN117447204B (zh) | 一种机械用碳材料的制备方法 | |
| Sun et al. | A (Hf0. 2Mo0. 2Nb0. 2Ta0. 2Ti0. 2) C system high-entropy ceramic with excellent mechanical and tribological properties prepared at low temperature | |
| US5728637A (en) | Nanocrystalline alumina-diamond composites | |
| Neuman et al. | Processing and mechanical properties of hot-pressed zirconium diboride–zirconium carbide ceramics | |
| Ovsyannikov et al. | High-hardness ceramics based on boron carbide fullerite derivatives | |
| Cygan et al. | Microstructure and Mechanical Properties of Alumina Composites with Addition of Structurally Modified 2D Ti3C2(MXene) Phase. Materials 2021, 14, 829 | |
| EP4183760A1 (en) | Conductive diamond/amorphous carbon composite material having high strength and process for preparing the same | |
| Sun et al. | High‐temperature self‐lubricating properties of single‐phase high‐entropy carbides under a vacuum environment | |
| Roy et al. | Water-based gelcasting of lead zirconate titanate and evaluation of mechanical properties of the gelcast samples | |
| CN114763307A (zh) | 层状碳晶界相增韧的金刚石复相材料及其制备方法 | |
| CN101209919A (zh) | 氧化铝/碳化钛微晶复相陶瓷及其制备方法 | |
| CN114763306A (zh) | 层状氮化硼晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷及其制备方法 | |
| Sedmale et al. | Ceramic of the mullite–ZrO 2–SiAlON system during spark plasma sintering | |
| Toksoy et al. | Densification and microstructural properties of boron-carbide in spark plasma sintering | |
| Egorov et al. | WEAR OF ALUMINA-BASED NANOSTRUCTURED COMPOSITE MATERIALS FABRICATED BY MICROWAVE SINTERING. | |
| EP4097064A1 (en) | Polycrystalline cubic boron nitride material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |