CN114292480A - 一种具有优异抗断裂性和拉伸性etfe薄膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其为通过在ETFE树脂中共混其他类型的另一种聚合物树脂，增加聚合物的空间聚集态和链段缠绕，调控ETFE薄膜的结晶度，改善其力学性能。其中另一种聚合物树脂的熔体流动速率至多为50g/10min，确保两种树脂能够均匀地共混，且至少为20g/10min，这样加入后可以明显改善膜的均匀拉伸性。根据本发明可以制造耐断裂性和均一的拉伸性优异的膜，可以解决在传递模塑法过程中脱模膜的形变问题，提高半导体封装质量和效率。
Description
技术领域
本发明属于密封薄膜技术领域，具体涉及一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜。
背景技术
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等工艺。半导体芯片通常被容纳（密封）在被称为封装的容器中，与外界隔离，以阻挡外界空气进入，使用诸如环氧树脂作为可固化树脂来进行安装在半导体器件的基板上。
传递模塑法或压缩模塑法是热固性塑料的一种成型方法，模塑时先将模塑料在加热室加热软化，然后压入已被加热的模腔内熟化成型。作为制造半导体器件的通用方法，其中，将其上安装有半导体芯片等的基板设置为以在模具中的预定位置处放置可固化树脂，并将可固化树脂填充到模具中并固化。
其中，为了促进封装从模具中脱模，可将脱模膜放置在模具的表面上与可固化树脂接触。在密封时，通过真空抽吸等将脱模膜拉长，因此，通常要求当通过模塑工艺使用脱模膜时，操作过程容易造成脱模膜形成褶皱。
ETFE膜具有良好的化学稳定性能与防腐蚀性能、紫外线可见光穿透率高、抗拉抗撕裂强度高，理论上可作为脱模膜，应用于半导体封装，从而有效地降低热膨胀系数和翘曲以及最大化导热系数的效应。在用可固化树脂密封时，有时会在脱模膜上局部施加载荷。例如，在传递模塑中，必须使可固化树脂更快地流动，以使可固化树脂在其流动期间不会被固化。另外，作为脱模膜，要求膜具有抗破损性，具备在密封面积大且均匀的情况下，即使被很大程度地拉伸，该膜也不会破裂；在局部施加强力的情况下，能完全均匀地伸长，且厚度均匀。
本发明人在研究ETFE膜作为脱模膜应用于半导体封装的应用前景时，发现ETFE膜在上述载荷下，会导致局部变形或破裂。由于受力导致形变，当剥离膜局部拉伸时，在剥离膜中将形成厚度差。如果离型膜的局部厚度存在差异，则该差异将转移至包装，使得包装的厚度局部变厚，从而引起内部应力不均，可能造成封装内部的半导体芯片损坏。特别是，在密封部的角部，膜容易被强力拉伸，并且膜容易变薄，因此包装物也有相应变厚的趋势。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，而提供一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜。
本发明所采取的技术方案如下：一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其包含ETFE树脂与另一种树脂，所述的另一种树脂的熔体流动速率为20至50g / 10min；所述的另一种树脂为PFA、FEP、ECTFB、PVDF、PLA中的任何一种树脂，所述薄膜的熔体流动速率为6~20 g / 10min。
所述ETFE树脂与另一种树脂的质量比为80~90:10~20。
其添加有排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、氟塑料添加剂、工程类添加剂的任意一种或多种作为功能添加剂。
所述ETFE树脂、另一种树脂、功能添加剂的质量比为80~90:10~20:10～15。
其添加有石墨烯，所述ETFE树脂、另一种树脂、石墨烯的质量比为80~90:10~20:3～5。
其添加有抗静电剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、抗静电剂的质量比为80~90:10~20:1 .5～2 .5。
其添加有抗拉伸剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、抗拉伸剂的质量比为80~90:10~20: 5～8。
其添加有阻燃剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、阻燃剂的质量比为80~90:10~20: 4～6。
所述膜的算术平均粗糙度Ra为0.2〜2.0μm。
所述膜的厚度为30〜100μm。
本发明的有益效果如下：本发明提供的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，为通过在ETFE树脂中共混其他类型的另一种聚合物树脂，增加聚合物的空间聚集态和链段缠绕，调控ETFE薄膜的结晶度，改善其力学性能。其中另一种聚合物树脂的MFR至多为50g /10min，确保两种树脂能够均匀地共混，且至少为20g / 10min，这样加入后可以明显改善膜的均匀拉伸性。根据本发明可以制造耐断裂性和均一的拉伸性优异的膜，可以解决在传递模塑法过程中脱模膜的形变问题，提高半导体封装质量和效率。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明作进一步地详细描述。
本说明书中的术语的含义如下。
构成高分子链并决定高分子结构以一定方式连接起来的原子组合称为结构单元，又称单元。“单元”是由单体的聚合直接形成的，衍生自单体的一个分子的原子团和可通过化学转化所述原子团的一部分而获得的原子团的总称。此外，基于特定单体的单元可以通过在单体名称上附加“单元”来表示（例如，基于四氟乙烯的单元也可以称为四氟乙烯单元。）
ETFE分别与PFA，FEP，ECTFE，PVDF和PLA各自中的“其他单体单元”是指除每种共聚物中的基本单体单元（例如ETFE中的乙烯单元和四氟乙烯单元，或四氟乙烯单元和全氟（烷基乙烯基）醚）以外的单体单元。
“膜”是通过将树脂模制成膜形式而获得的模制品。
平均粗糙度Ra是根据JIS B0601：2013（ISO 4287：1997，AMD。1：2009）测量的值。粗糙度曲线的标准长度Ir（截止值λc）设定为0.8mm。
在本发明中，膜的熔体流动速率（MFR）是指通过将膜进行折叠，在室温（20至25℃）下通过压机将其压碎，然后将其精细切割以获得切屑，等料筒达到预期的实验温度，将切屑放入模具中，待试样熔融通过口模毛细管被挤出从而获得的MFR。将MFR测量仪器的量筒静置5分钟，然后通过以下方法进行测量。
另外，“树脂的MFR”是指相对于成型材料（树脂片、颗粒、粉末等），通过与上述膜的MFR同样的测定而得到的MFR。在成膜之前，有时将“树脂的MFR”简称为“ MFR”。
本发明提供一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其包含ETFE树脂与另一种树脂，所述的另一种树脂的熔体流动速率为20至50g / 10min；所述的另一种树脂为PFA、FEP、ECTFB、PVDF、PLA中的任何一种树脂，所述薄膜的熔体流动速率为6〜20 g / 10min。
其中，ETFE树脂熔体流动速率为6至12g / 10min之间，膜的MFR可以通过待混合的相同类型的两种树脂的各自的MFR（树脂的MFR），树脂混合比率，其它添加剂的含量等来调节。由于另一种树脂的熔体流动速率为20至50g / 10min，所以一定量的另一种树脂的熔体流动速率的掺入使膜的MFR至少为6 g / 10min，当另一种树脂的熔体流动速率较大以及掺入增多时，膜的MFR会明显增大，在本发明的一些实施例和对比例，通过大量的实验研究对比，发现膜的MFR大于20 g / 10min时，膜的均匀拉伸性会明显降低。因此，膜的MFR应为6〜20 g / 10min。
作为构成共混树脂的树脂，在将本发明的膜用作生产半导体器件，ETFE的脱模膜的情况下，从脱模性，模具追随性等方面的优异方面出发，本发明选择PFA，FEP，ECTFB，PVDF或PLA与ETFE共混。
其中，ETFE是包含四氟乙烯（以下也称为“ TFE”）单元和乙烯单元（以下也称为“ E单元”）的共聚物，其中TFE单元/ E单元的摩尔之比为60/40 TFE单元和E单元的总比例为40〜60 mol％，其他单体单元相对于TFE单元和E单元的合计量为0〜6 mol％；
在本发明的一些实施例中，在ETFE中，从耐热性和机械强度更优异的观点出发，TFE单元/ E单元的摩尔之比优选为60/40至50/50。从耐热性和机械强度变得更优异的观点出发，其他单体单元在TFE单元和E单元的总数中的比例优选为0.1〜4mol％。
其中，PFA是包含TFE单元和PAVE单元的共聚物，其中TFE单元/ PAVE单元的摩尔之比为99/1至85/15，并且其他单体单元占TFE单元和PAVE单元的总数的比例为0〜5mol％；
在本发明的一些实施例中，在PFA中，从耐热性和机械强度更优异的观点出发，TFE单元/ PAVE单元的摩尔之比优选为99/1至95/5。从耐热性和机械强度将更加优异的观点出发，其他单体单元相对于TFE单元和PAVE单元的总量的比例优选为0〜3mol％。
其中，FEP是包含TFE单元和HFP单元的共聚物，其中TFE单元/ HFP单元的摩尔之比为75/25至95/5，并且其他单体单元占TFE单元和HFP单元的总数的比例为0〜5mol％；
在本发明的一些实施例中，在FEP中，从耐热性和机械强度更优异的观点出发，TFE单元/ HFP单元的摩尔之比优选为75/25至93/7。从耐热性和机械强度将更加优异的观点出发，其他单体单元在TFE单元和HFP单元的总数中所占的比例优选为0〜3mol％。
其中，ECTFE是包含三氟氯乙烯（以下也称为“ CTFE”）单元和E单元的共聚物，其中CTFE单元/ E单元的摩尔之比为60/40至40/60，并且其他单体的比例相对于CTFE单元和E单元的总和的单元为0〜5mol％；
在本发明的一些实施例中，在ECTFE中，从耐热性和机械强度更优异的观点出发，CTFE单元/ E单元的摩尔之比优选为55/45至45/55。从耐热性和机械强度更优异的观点出发，其他单体单元相对于E单元和CTFE单元的总量的比例优选为0〜4mol％。
其中，PVDF是纯度≥99.99%的偏氟乙烯均聚物，少量会以偏氟乙烯与其他少量含氟乙烯基单体的共聚物的形式存在。
其中，在本发明的一些实施例中，所述ETFE树脂与另一种树脂的质量比为80~90:10~20。
其中，在本发明的一些实施例中，其添加有排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、氟塑料添加剂、工程类添加剂的任意一种或多种作为功能添加剂。功能添加剂可以根据需要进行选择适量加入。具体的，所述ETFE树脂、另一种树脂、功能添加剂的质量比为80~90:10~20:10～15。
其中，在本发明的一些实施例中，其添加有石墨烯，所述ETFE树脂、另一种树脂、石墨烯的质量比为80~90:10~20:3～5。石墨烯是一种以sp²杂化连接的碳原子紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料。在本发明的一些实施例和对比例，通过大量的实验研究对比，发现在ETFE膜从螺杆挤出机模头成膜后，通过冷却筒冷却的过程中，温度从275℃以上降至80-100℃，添加石墨烯后，可明显减小ETFE表层和里层的温度梯度，ETFE和改性树脂的晶体尺寸减小，并有微晶化趋势，同时结晶度减小。制得的ETFE的断裂伸长率和韧性增加。同时也由于石墨烯的添加，改善了ETFE膜在制备过程中的粘辊现象。
其中，在本发明的一些实施例中，其添加有抗静电剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、抗静电剂的质量比为80~90:10~20:1 .5～2 .5。
其中，在本发明的一些实施例中，其添加有抗拉伸剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、抗拉伸剂的质量比为80~90:10~20: 5～8。
其中，在本发明的一些实施例中，其添加有阻燃剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、阻燃剂的质量比为80~90:10~20: 4～6。
其中，在本发明的一些实施例中，所述膜的算术平均粗糙度Ra为0.2〜2.0μm。本发明的ETFE膜用于生产半导体器件的脱模膜的情况下，本发明的膜的表面算术平均粗糙度Ra是最关键的指标。当算术平均粗糙度Ra为0.2μm以上时，表面和模具不易引起粘连，同时特别优选算术平均粗糙度Ra为2.0μm以下，可使膜从模具的脱模性更优异。
其中，在本发明的一些实施例中，所述膜的厚度为30至100μm。，特别优选为40至75μm。当本发明的膜的厚度至多100μm时，否则对应用有影响。当本发明的膜的厚度为40μm以内时，其均匀拉伸性优异。此外，膜的处理通过卷对卷的表面预处理(例如等离子处理）是容易的，并且在将本发明的膜在拉动的同时以覆盖模腔的方式布置膜时，不易形成褶皱。
制备膜的方法的具体实例可以是通过流延挤出成型法方法制备膜。
本发明进一步提供上述薄膜用作制造半导体装置的脱模膜的应用。
以下为本发明的一些具体实施例：
实施例一：
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，其包括以下原料：ETFE树脂，PFA树脂，以排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、常规氟塑料添加剂、常规工程类添加剂的任意一种以上作为功能添加剂，石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，所述ETFE树脂、PFA树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂的用量按重量计为：80:20：10：3：1 .5：5：4。
添加功能添加剂为聚甲基丙烯酸甲酯。
添加石墨烯为单层石墨烯，尺寸为3um。
添加抗静电剂为非离子型抗静电剂，选自乙氧基化脂肪族烷基胺或乙氧基化烷基酸胺中的任意一种。
添加抗拉伸剂为云母。
添加阻燃剂为氧化锌。
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，包括以下步骤：
步骤1），向高速混合机中依次加入ETFE树脂、PFA树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，充分混合；
步骤2），混合好的物料通过抽料机加入到螺杆挤出机，加热至280℃，熔融流延挤出，通过模头成型薄膜；
步骤3），依次通过100℃，90℃，80℃三个电磁冷却筒冷却成型的薄膜；
步骤4），待薄膜硬化后，等离子体设备处理薄膜的表面官能团，减少灰尘；
步骤5），切边，收卷得到ETFE薄膜。
步骤6），该ETFE薄膜厚度为50μm，宽度400mm，颜色为透明，膜的熔体流动速率9 g/10min，算术平均粗糙度0.4μm，ETFE薄膜的性能如表一所示。
实施例二：
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，其包括以下原料：ETFE树脂，FEP树脂，以排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、常规氟塑料添加剂、常规工程类添加剂的任意一种以上作为功能添加剂，石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，所述ETFE树脂、FEP树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂的用量按重量计为：90:10：15：5：2 .5：8：6。
添加功能添加剂为聚甲基丙烯酸甲酯。
添加石墨烯为单层石墨烯，尺寸为3um。
添加抗静电剂为非离子型抗静电剂，选自乙氧基化脂肪族烷基胺或乙氧基化烷基酸胺中的任意一种。
添加抗拉伸剂为云母。
添加阻燃剂为有机磷系。
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，包括以下步骤：
步骤1)，向高速混合机中依次加入ETFE树脂、FEP树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，充分混合；
步骤2)，混合好的物料通过抽料机加入到螺杆挤出机，加热至290℃，熔融流延挤出，通过模头成型薄膜；
步骤3)，依次通过100℃，90℃，80℃三个电磁冷却筒冷却成型的薄膜；
步骤4)，待薄膜硬化后，等离子体设备处理薄膜的表面官能团，减少灰尘；
步骤5)，切边，收卷得到ETFE薄膜。
步骤6)，该ETFE薄膜厚度为50μm，宽度400mm，颜色为透明，膜的熔体流动速率10g/10min，算术平均粗糙度1.2μm，ETFE薄膜的性能如表一所示。
实施例三：
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，其包括以下原料：ETFE树脂，ECTFB树脂，以排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、常规氟塑料添加剂、常规工程类添加剂的任意一种以上作为功能添加剂，石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，所述ETFE树脂、ECTFB树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂的用量按重量计为：85:15：10：5：2 .5：8：6。
添加功能添加剂为聚甲基丙烯酸甲酯。
添加石墨烯为单层石墨烯，尺寸为3um。
添加抗静电剂为非离子型抗静电剂，选自乙氧基化脂肪族烷基胺或乙氧基化烷基酸胺中的任意一种。
添加抗拉伸剂为云母。
添加阻燃剂为氧化锌。
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，包括以下步骤：
步骤1)，向高速混合机中依次加入ETFE树脂、ECTFB树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，充分混合；
步骤2)，混合好的物料通过抽料机加入到螺杆挤出机，加热至290℃，熔融流延挤出，通过模头成型薄膜；
步骤3)，依次通过100℃，90℃，80℃三个电磁冷却筒冷却成型的薄膜；
步骤4)，待薄膜硬化后，等离子体设备处理薄膜的表面官能团，减少灰尘；
步骤5)，切边，收卷得到ETFE薄膜。
步骤6)，该ETFE薄膜厚度为50μm，宽度400mm，颜色为透明，膜的熔体流动速率8 g/10min，算术平均粗糙度0.6μm，ETFE薄膜的性能如表一所示。
实施例四：
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，其包括以下原料：ETFE树脂，PVDF树脂，以排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、常规氟塑料添加剂、常规工程类添加剂的任意一种以上作为功能添加剂，石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，所述ETFE树脂、PVDF树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂的用量按重量计为：87:13：15：5：2 .5：8：6。
添加功能添加剂为聚甲基丙烯酸甲酯。
添加石墨烯为单层石墨烯，尺寸为3um。
添加抗静电剂为非离子型抗静电剂，选自乙氧基化脂肪族烷基胺或乙氧基化烷基酸胺中的任意一种。
添加抗拉伸剂为云母。
添加阻燃剂为有机磷系。
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，包括以下步骤：
步骤1)，向高速混合机中依次加入ETFE树脂、PVDF树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，充分混合；
步骤2)，混合好的物料通过抽料机加入到螺杆挤出机，加热至290℃，熔融流延挤出，通过模头成型薄膜；
步骤3)，依次通过100℃，90℃，80℃三个电磁冷却筒冷却成型的薄膜；
步骤4)，待薄膜硬化后，等离子体设备处理薄膜的表面官能团，减少灰尘；
步骤5)，切边，收卷得到ETFE薄膜。
步骤6)，该ETFE薄膜厚度为50μm，宽度400mm，颜色为透明，膜的熔体流动速率10g/10min，算术平均粗糙度1.0μm，ETFE薄膜的性能如表一所示。
实施例五：
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，其包括以下原料：ETFE树脂，PLA树脂，以排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、常规氟塑料添加剂、常规工程类添加剂的任意一种以上作为功能添加剂，石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，所述ETFE树脂、PLA树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂的用量按重量计为：90:10：15：5：2 .5：6：5。
添加功能添加剂为聚甲基丙烯酸甲酯。
添加石墨烯为单层石墨烯，尺寸为3um。
添加抗静电剂为非离子型抗静电剂，选自乙氧基化脂肪族烷基胺或乙氧基化烷基酸胺中的任意一种。
添加抗拉伸剂为云母。
添加阻燃剂为有机磷系。
一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜及其制造方法，包括以下步骤：
步骤1)，向高速混合机中依次加入ETFE树脂、PLA树脂、功能添加剂、石墨烯、抗静电剂、抗拉伸剂及阻燃剂，充分混合；
步骤2)，混合好的物料通过抽料机加入到螺杆挤出机，加热至275℃，熔融流延挤出，通过模头成型薄膜；
步骤3)，依次通过100℃，90℃，80℃三个电磁冷却筒冷却成型的薄膜；
步骤4)，待薄膜硬化后，等离子体设备处理薄膜的表面官能团，减少灰尘；
步骤5)，切边，收卷得到ETFE薄膜。
步骤6)，该ETFE薄膜厚度为50μm，宽度400mm，颜色为透明，，的熔体流动速率8 g/10min，算术平均粗糙度0.7μm，ETFE薄膜的性能如表一所示。
在将树脂放入MFR测量仪器的圆筒中并使其静置以使其在以下条件下测量树脂（包括共混树脂）的MFR。在以下条件下测量膜的MFR：将膜折叠，在室温（20至25℃）下通过压机将其压碎，然后将其精细切割以获得切屑，等料筒达到预期的实验温度，将切屑放入模具中，待试样熔融通过口模毛细管被挤出从而获得的MFR。将MFR测量仪器的量筒静置5分钟，然后通过以下方法进行测量。
使用膜作为脱模膜，通过以下步骤获得批量密封体。
一、制备具有安装在300mm×100mm的矩形基板上的900个半导体芯片的结构，并根据上述方法，使用压缩成型装置，形成用于密封的树脂密封部（固化性树脂的固化物）。形成厚度为0.5mm的用可固化树脂密封半导体芯片，以获得批量密封体。打开成型后的模具时，目视观察剥离膜和树脂密封部的剥离状态，并通过以下基准进行评价抗断裂性能：
◯（良好）：通常去皮；
Δ（可接受）：离型膜轻轻粘附到树脂密封部分，并在拉伸的同时剥离；
×（不良）：离型膜附着在密封体上，没有剥离。
二、在剥离试验中获得批式密封体时，从模具中回收膜，并且目测在膜的拐角处是否存在针孔以及是否存在可固化树脂泄漏。通过以下标准进行观察和评估耐破损性能：
◯（良好）：未确认有针孔；
Δ（可接受）：确认有针孔，但可固化树脂没有泄漏；
×（不良）：确认有小孔，并且固化性树脂泄漏。
下表为实施例一至五的性能参数：
表一
本发明的膜由两种均属于ETFE分别与PFA，FEP，ECTFB，PVDF，PLA的任何一种的树脂的共混树脂制成，其中膜的MFR为至少6g / 10min，并且小于20g / 10min。当用作制造半导体装置的脱模膜时，由于均匀的拉伸性优异，因此在使其跟随模具时或使固化性树脂在其上流动时，其整体均匀地延伸。因此，在密封时在剥离膜中不太可能出现局部厚度的差异。可以抑制封装的内部应力的翘曲或不均匀，并且可以抑制封装对半导体芯片等的损坏，因此，可以提高要制造的半导体器件的可靠性。
本发明的膜的用途不受特别限制，例如，用于生产半导体器件的离型膜，用于5G基材膜，用于建筑物膜，太阳能电池背光膜等。本发明所述的ETFE分别与PFA，FEP，ECTFB，PVDF，PLA中任意一种树脂混合所制备的薄膜具有优异的伸长率和强度，并且具有优异的抗断裂性和均一的可拉伸性，因此高度用作用于生产半导体器件的离型膜，并且特别用作离型剂通过传递模塑法或压缩模塑法生产半导体器件的薄膜。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：其包含ETFE树脂与另一种树脂，所述的另一种树脂的熔体流动速率为20至50g / 10min；所述的另一种树脂为PFA、FEP、ECTFB、PVDF、PLA中的任何一种树脂，所述薄膜的熔体流动速率为6〜20 g / 10min。
2.根据权利要求1所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：所述ETFE树脂与另一种树脂的质量比为80~90:10~20。
3.根据权利要求1所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：其添加有排斥剂、润滑剂、清洁剂、溶剂/制冷剂、组合剂、氟塑料添加剂、工程类添加剂的任意一种或多种作为功能添加剂。
4.根据权利要求3所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于： 所述ETFE树脂、另一种树脂、功能添加剂的质量比为80~90:10~20:10～15。
5.根据权利要求1所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：其添加有石墨烯，所述ETFE树脂、另一种树脂、石墨烯的质量比为80~90:10~20:3～5。
6.根据权利要求1所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：其添加有抗静电剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、抗静电剂的质量比为80~90:10~20:1 .5～2 .5。
7.根据权利要求1所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：其添加有抗拉伸剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、抗拉伸剂的质量比为80~90:10~20: 5～8。
8.根据权利要求1所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：其添加有阻燃剂，所述ETFE树脂、另一种树脂、阻燃剂的质量比为80~90:10~20: 4～6。
9.如权利要求1-8任一项所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：所述膜的算术平均粗糙度Ra为0.2〜2.0μm。
10.如权利要求1-8任一项所述的具有优异抗断裂性和拉伸性ETFE薄膜，其特征在于：所述膜的厚度为30〜100μm。
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| CN109415522A (zh) * | 2016-07-04 | 2019-03-01 | Ａｇｃ株式会社 | 膜及其制造方法 |
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