CN114284400A - 汽车前大灯制备方法 - Google Patents

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袁丁
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Abstract

本发明提供了一种汽车前大灯制备方法,包括:配置底板;将LED芯片固晶于底板表面;将预先配置的双层荧光膜片贴于LED芯片与电极相对的发光侧表面;双层荧光膜片包括一荧光胶层和一硅胶层,且荧光胶层靠近LED芯片表面设置;采用压膜工艺于双层荧光膜片表面及LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料;对双层荧光膜片及其表面的硅胶材料进行打磨至荧光胶层;切割得到单颗灯珠,完成汽车前大灯的制备。其通过压膜工艺在LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料,提高LED芯片四周胶体的硬度,避免传统点胶工艺中胶体偏软带来的掉白胶、灯珠表面凹凸不平等、漏蓝光等问题。

Description

汽车前大灯制备方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种汽车前大灯制备方法。
背景技术
目前,市场上汽车LED前大灯的制作路线通常有两种:
一种是将蓝光LED芯片固晶于陶瓷底板表面之后,直接在芯片发光侧表面进行荧光粉的喷涂操作。虽然这种工艺成本低,但是制作得到的LED灯珠出光效果并不理想,且容易出现荧光粉掉落的现象导致产品漏蓝光,产品定位低端。
另一种是将蓝光LED芯片固晶于陶瓷底板表面之后,进一步在芯片发光侧表面进行贴荧光膜片及在芯片四周点高反射率白胶并固化的操作。这种工艺相对于前一种来说,虽然在出光效果上有一定的改善,但是点胶工序中对白胶的流动性有较高的要求。在选用满足流动性的白胶进行封装中,会出现成型后硬度偏软的现象,且成品LED灯珠表面凹凸不平,导致下游客户在贴片中出现灯珠破损,影响美观,甚至出现漏蓝光的现象。
发明内容
为了克服以上不足,本发明提供了一种汽车前大灯制备方法,有效解决现有封装工艺带来的灯珠破损、漏蓝光等现象。
本发明提供的技术方案为:
一种汽车前大灯制备方法,包括:
配置底板;
将LED芯片固晶于所述底板表面;
将预先配置的双层荧光膜片贴于所述LED芯片与电极相对的发光侧表面;所述双层荧光膜片包括一荧光胶层和一硅胶层,且荧光胶层靠近LED芯片表面设置;
采用压膜工艺于所述双层荧光膜片表面及LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料;
对所述双层荧光膜片及其表面的硅胶材料进行打磨至荧光胶层;
切割得到单颗灯珠,完成汽车前大灯的制备。
本发明提供的汽车前大灯制备方法,至少能够带来以下有益效果:
1.通过压膜工艺在LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料,提高LED芯片四周胶体的硬度,避免传统点胶工艺中胶体偏软带来的掉白胶、灯珠表面凹凸不平等、漏蓝光等问题;
2.通过打磨的方式去除荧光膜片表面的硅胶材料,保证灯珠表面的平整性;且为了对荧光胶层进行保护,在荧光胶层表面制备硅胶层,打磨过程中作为缓冲层,对荧光胶层进行保护,进一步提升产品整体的美观,解决传统封装方式灯珠表面凹凸不平的问题,提升产品品质。
附图说明
图1-5为本发明汽车前大灯制备方法流程示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施案例或现有技术中的技术方案,下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,并获得其他的实施方式。
针对现有封装工艺对灯珠可能带来的影响,本发明提供了一种全新的汽车前大灯制备方法,包括:
S10配置底板;
S20将LED芯片固晶于底板表面;
S30将预先配置的双层荧光膜片贴于LED芯片与电极相对的发光侧表面;双层荧光膜片包括一荧光胶层和一硅胶层,且荧光胶层靠近LED芯片表面设置;
S40采用压膜工艺于双层荧光膜片表面及LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料;
S50对双层荧光膜片及其表面的硅胶材料进行打磨至荧光胶层;
S60切割得到单颗灯珠,完成汽车前大灯的制备。
具体来说,在步骤S10中,选用的底板(底板表面配置有用于固晶LED芯片的线路)可以自由选用,这里不做具体限定,为了便于散热,可以选用镀金的氮化铝陶瓷底板等。在步骤S20中,LED芯片的结构可以根据实际情况进行选用,为了有更好散热效果的同时便于后续的贴膜作业,可选用倒装LED芯片。LED芯片按照底板表面配置的线路规则排列,并进行固晶及回流焊作业,将一定数量的LED芯片2配置于整个底板1表面,如图1所示。
在步骤S30中,首先在LED芯片发光侧表面(与芯片电极相对的一侧表面)点贴膜硅胶(用于黏贴双层荧光膜片),之后采用贴膜吸嘴将预先配置好的双层荧光膜片贴附于LED芯片表面,最后进行烘烤,完成双层荧光膜片的贴膜操作,如图2所示,该双层荧光膜片包括一荧光胶层3和一硅胶层4。
在进行贴膜之前,需对双层荧光膜片进行制备,在制备过程中,首先按照配比将荧光粉与硅胶混合,涂覆于支撑膜上进行半固化操作具备一定粘性处于半固化状态的荧光胶层;之后于该处于半固化状态的荧光胶层表面进一步涂覆硅胶,并与荧光胶层一起进行全固化操作(即完全固化),切割成指定大小后等待后续作业,完成双层荧光膜片的制备。对于制备得到的处于半固化状态的荧光胶层,只要呈现出半固化的状态即可,即不具有明显的流动性且具有一定的粘性未完全固化,便于后续硅胶层的涂覆和固化。
应当注意,上述处于半固化状态的荧光胶层并不是指荧光胶层的某一固定的状态,只是定性的对荧光胶层的形态进行限定,在实际应用中,只要烘烤后荧光胶层具备足以粘附后续涂覆的硅胶的粘性(荧光胶层完全固化后表面不具有粘性)、自身具备固定形态不具备明显的流动性即可判定其满足条件,进入后续涂覆硅胶的步骤。通常来说,采用降低烘烤温度和/或减少烘烤时间(相对于完全固化时的烘烤温度和烘烤时间)得到处于半固化状态的荧光胶层,由于不同原材料及相同原材料不同混合比例的荧光胶完全固化时烘烤条件均会有所差异,是以,这里对其烘烤条件同样不做具体限定,应用中可以根据实际需求进行调整。
荧光胶层的厚度由荧光粉和硅胶的配比及需求色温确定,例如,在荧光粉与硅胶的质量比为10∶1时,厚度一般为50~80μm。硅胶层的厚度这里同样不做具体限定,由于其作用是在后续打磨过程中对荧光胶层进行保护,理论上来说能够在荧光胶层表面涂覆成型即可,当然硅胶层过薄在打磨过程中可能起不到保护作用,故进一步限定硅胶层的厚度大于50μm。另外,为了节约资源,硅胶层的厚度也不宜过厚,优选厚度为60μm。
为了解决封装产品芯片四周白胶硬度过软的问题,完成了贴膜作业之后,在步骤S40中,采用压膜工艺于双层荧光膜片表面及LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料5并进行烘烤,如图3所示,具体,该硅胶材料的硬度shore-D 70以上,相对于传统封装工艺通过点胶工艺使用的硅胶(硬度一般小于shore-D 60)来说,该硅胶材料的硬度更大,便于灯珠的后续贴片。这里仅对压制的硅胶材料的硬度进行限定,对于汽车前大灯来说,LED芯片四周围设的通常是高反射率白胶,即在普通硅胶中添加一定比例的反射颗粒(二氧化钛、二氧化硅等)使得反射率达到95%以上。
之后,在步骤S50中,对双层荧光膜片及其表面的硅胶材料进行打磨,直至露出荧光胶层至荧光胶层,如图4所示。这一过程中,为了避免荧光膜片受损,首先采用打磨设备进行粗磨(进给速度0.8-1.2μm/s),在打磨至接近双层荧光膜片再时采用细磨(进给速度0.1-0.3μm/s),直至双层荧光膜片表面的硅胶材料全部打磨完成。对于荧光胶层表面的硅胶层,可以根据实际情况对其进行研磨,为了避免过渡打磨对荧光胶层造成损害,可以适当保留,当然,为了不影响灯珠的性能,荧光胶层表面保留的硅胶层不宜过厚,研磨至30μm厚度以内为宜。
最后,使用切割机对整片底板进行切割成单颗灯珠,如图5所示,完成汽车前大灯的制备。
应当说明的是,上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种汽车前大灯制备方法,其特征在于,包括:
配置底板;
将LED芯片固晶于所述底板表面;
将预先配置的双层荧光膜片贴于所述LED芯片与电极相对的发光侧表面;所述双层荧光膜片包括一荧光胶层和一硅胶层,且荧光胶层靠近LED芯片表面设置;
采用压膜工艺于所述双层荧光膜片表面及LED芯片四周压制具备一定硬度的硅胶材料;
对所述双层荧光膜片及其表面的硅胶材料进行打磨至荧光胶层;
切割得到单颗灯珠,完成汽车前大灯的制备。
2.如权利要求1所述的汽车前大灯制备方法,其特征在于,所述将预先配置的双层荧光膜片贴于所述LED芯片与电极相对的发光侧表面之前,还包括配置双层荧光膜片的步骤,包括:
按照配比将荧光粉与硅胶混合,涂覆于支撑膜上并进行半固化操作得到具备一定粘性处于半固化状态的荧光胶层;
于所述处于半固化状态的荧光胶层表面进一步涂覆硅胶,并与荧光胶层一起进行全固化操作,完成双层荧光膜片的制备。
3.如权利要求1或2所述的汽车前大灯制备方法,其特征在于,所述双层荧光膜片中,荧光胶层的厚度为50~80μm,或硅胶层的厚度大于50μm。
4.如权利要求1或2所述的汽车前大灯制备方法,其特征在于,采用压膜工艺于所述双层荧光膜片表面及LED芯片之间压制具备一定硬度的硅胶材料中,所述硅胶材料的硬度为shore-D 70以上。
5.如权利要求1或2所述的汽车前大灯制备方法,其特征在于,对所述双层荧光膜片及其表面的硅胶材料进行打磨至荧光胶层中,包括:
采用第一进给速度对所述双层荧光膜片表面的硅胶材料进行粗磨;
采用第二进给速度对所述双侧荧光膜片中的硅胶层进行细磨至荧光胶层,所述第一进给速度大于所述第二进给速度。
6.如权利要求5所述的汽车前大灯制备方法,其特征在于,所述第一进给速度为0.8-1.2μm/s,第二进给速度为0.1-0.3μm/s。
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