CN114220820A - Oled显示面板及oled显示面板制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供OLED显示面板及OLED显示面板制造方法，在阵列基板上形成围绕显示区的至少一防裂槽。当OLED显示面板在对阵列基板上的切割线区进行激光切割程序时，由所述切割线区处产生的裂缝被防裂槽所阻断而无法延伸到非显示区深层，更无法延伸到显示区内，避免了因裂缝延伸到所述显示区内而导致产品良率下降的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，具体涉及一种有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode,OLED)显示面板制造方法及OLED显示面板。
背景技术
现有技术的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光性、响应速度快、广视角等特点，应用前景广阔。
请参照图1，现有技术的OLED显示面板9上形成有显示区900、围绕所述显示区900并作为所述显示区900的边界的非显示区901、以及位于所述边界外侧且围绕所述非显示区901的切割线区902。所述切割线区902用于供激光切割装置L'对所述OLED显示面板9进行激光切割以制成OLED显示面板 9的成品。
请参照图2，上述OLED显示面板9为无机/有机/无机的叠层结构，包括阵列基板90、内无机层94、有机层、以及外无机层96。所述阵列基板90上设置有阵列控制电路层。所述内无机、所述有机层、以及所述外无机层96依序迭设在所述阵列基板90上。此外，有机层位于所述显示区900内。
上述内无机层94及外无机层96采用共同遮罩(Common Mask)以化学气象沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)法进行沉积到所述阵列基板90上。由于以CVD法成膜时，基板和遮罩之间有一定的间隙，且受到受遮罩制作精度的限制，从而产生所述内无机层94及所述外无机层96的阴影效应(Shadow Effect)，导致切割线区902有CVD膜(无机层)覆盖。当沿着所述切割线区902进行激光切割OLED显示面板9的CVD膜以及阵列基板90时，容易在OLED显示面板9上产生裂缝C'。当对OLED显示面板9进行额外材料贴合时，会使所述OLED显示面板9上的裂缝C'延伸至非显示区901甚至进一步延伸到所述显示区900中，导致所述OLED显示面板9的封装结构失效，影响所述OLED 显示面板9良率。
发明内容
本申请实施例提供一种有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板及OLED显示面板制造方法，以解决现有技术OLED显示面板在对阵列基板上的切割线区进行激光切割程序时，容易在所述OLED显示面板上产生延伸至非显示区甚至显示区内的裂缝，导致产品良率下降的技术问题。
在一方面，本申请实施例提供一种OLED显示面板，包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述OLED显示面板还包括：
阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的阵列控制电路层，所述阵列控制电路层包括一设置在所述衬底基板上的阻隔层；
至少一防裂槽，形成在所述阵列基板上，贯穿所述阻隔层且延伸到所述衬底基板中，其中所述防裂槽位于所述非显示区中；
内无机层，形成在所述阵列基板上，其中，所述内无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述内无机层的其余部分至少部分断开；
有机层，形成在所述内无机层上，其中所述有机层位于所述显示区中；以及
外无机层，形成在所述内无机层上且覆盖所述有机层，其中，所述外无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述外无机层的其余部分至少部分断开。
在本发明一些实施例中，所述阵列基板进一步包括至少一挡墙，所述挡墙形成在所述阵列基板的所述阻隔层上，且位于所述非显示区中，且所述防裂槽围绕所述挡墙；以及
所述内无机层覆盖所述挡墙。
在本发明一些实施例中，所述挡墙与所述防裂槽的距离大于或等于5um。
在本发明一些实施例中，所述防裂槽与所述非显示区远离所述显示区的边缘之间的距离大于所述防裂槽与所述显示区相邻边缘之间的距离。
在本发明一些实施例中，所述防裂槽的靠近所述阻隔层的开口端的宽度小于所述防裂槽的远离所述阻隔层的底端的宽度。
在本发明一些实施例中，所述防裂槽截面轮廓为梯形，所述防裂槽的截面轮廓的高度大于或等于2um，且所述防裂槽的截面轮廓的最小宽度W为自 10um至30um，所述防裂槽的截面轮廓的腰与水平线的夹角θ为自0°至90°。
在本发明一些实施例中，所述阻隔层为无机膜层，所述衬底基板包括有机膜层，所述防裂槽贯穿所述无机膜层并延伸至所述有机膜层中。
在本发明一些实施例中，所述内无机层的形成在所述防裂槽中的所述至少一部分与所述内无机层的其余部分完全断开。
在本发明一些实施例中，所述外无机层的形成在所述防裂槽中的所述至少一部分与所述外无机层的其余部分完全断开。
在另一方面，本申请实施例提供一种OLED显示面板制造方法，所述 OLED显示面板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，所述方法包括：
阵列基板形成步骤，包括在衬底基板上设置阵列控制电路层以形成一阵列基板，所述阵列控制电路层包括一设置在所述衬底基板上的阻隔层；
防裂槽形成步骤，包括在所述阵列基板上形成至少一贯穿所述阻隔层且延伸到所述衬底基板中的防裂槽，其中所述防裂槽位于所述非显示区中；
内无机层形成步骤，包括在所述阵列基板上形成内无机层，其中，所述内无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述内无机层的其余部分至少部分断开；
有机层形成步骤，包括在所述内无机层上形成有机层，其中所述有机层位于所述显示区中；以及
外无机层形成步骤，包括在所述内无机层上形成一覆盖所述有机层的外无机层，其中，所述外无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述外无机层的其余部分至少部分断开
本申请至少包括下列优点：
本申请提供的OLED显示面板及OLED显示面板制造方法，在阵列基板上形成围绕显示区的至少一防裂槽。当OLED显示面板在对阵列基板上的切割线区进行激光切割程序时，由所述切割线区处产生的裂缝被防裂槽所阻断而无法延伸到非显示区深层，更无法延伸到显示区内，使得本申请避免现有技术OLED显示面板在对阵列基板上的切割线区进行激光切割程序时，容易在所述 OLED显示面板上产生延伸至非显示区甚至显示区内的裂缝，导致产品良率下降的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的OLED显示面板的俯视图；
图2是现有技术的OLED显示面板的局部剖视图；
图3是本申请实施例提供的OLED显示面板制造方法的步骤流程图；
图4是本申请实施例提供的OLED显示面板俯视图；
图5是本申请实施例提供的OLED显示面板局部剖视图；
图6是本申请实施例提供的OLED显示面板放大局部剖视图，其中省略内无机层及外无机层；以及
图7是本申请另一实施例提供的OLED显示面板局部剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属本申请保护的范围。
此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，幷不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板1以及OLED显示面板制造方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图4及图5，本申请实施例提供的OLED显示面板1，包括：阵列基板10、至少一防裂槽103、内无机层40、有机层50、以及外无机层60。
所述阵列基板10，包括衬底基板11以及设置在所述衬底基板11上的阵列控制电路层，其中所述阵列基板10上定义有显示区100、围绕所述显示区 100的非显示区101，其中，非显示区101包括设置在非显现区101远离显示区100边缘的切割线区102，所述阵列控制电路层包括一设置在所述衬底基板 11上的阻隔层12。
具体地，所述切割线区102可以是预先以色墨打印在所述阵列基板10上的墨线，也可以是预先以切割装置在所述阵列基板10上割划出的浅槽结构。具体地，所述阵列基板10的所述阵列控制电路层包括设置在所述阻隔层12 上的像素定义层PDL以及阳极层AN。所述切割线区102主要用于供激光切割装置L沿着所述切割线区102对所述阵列基板10进行切割，以完成OLED显示面板1的成品。在实际应用中，切割线区102经过切割后仅会剩下处于非显示区101中的部分，还有部分被切割掉的并未在图5中显示。
所述至少一防裂槽103，形成在所述阵列基板10上，贯穿所述阻隔层12 且延伸到所述衬底基板11中，其中所述防裂槽103围绕所述显示区100且位于所述非显示区101中。具体地，所述防裂槽103用于阻挡所述激光切割装置 L沿着所述切割线区102对所述阵列基板10进行切割时所产生的裂缝C，避免所述裂缝C通过所述防裂槽103而延伸深入非显示区101甚至延伸到显示区100而造成显示面板损坏的问题。
请参照图6，所述防裂槽103的截面轮廓可为梯形，使所述防裂槽103的靠近所述阻隔层12的开口端的宽度小于所述防裂槽103的远离所述阻隔层12 的底端的宽度。此时，所述梯形截面轮廓的高度H大于或等于2um，所述梯形截面轮廓的最小宽度W(即是所述开口端的宽度)为自10um至30um的范围，所述梯形截面轮廓的腰与水平线的夹角θ为自0°至90°的角度范围。通过上述的数值范围，能够让防裂槽103有较佳的防裂效果。此外，所述防裂槽103 在所述阵列基板10的深度可大于所述防裂槽103在所述阻隔层12的深度，以进一步提升所述防裂槽103提供给所述阵列基板10的防裂效果。
请参照图7，于本创作一实施例中，所述防裂槽103为两个以上，且以同心圆方式环绕所述显示区100，藉此增加所述显示面板的防裂效果。
此外，在所述防裂槽形成步骤S02之后，可进一步通过精细金属掩模板(Fin MetalMask,FMM)和蒸镀工艺，将红(R)、蓝(G)、或绿色(B)发光材料EL的像素区的阳极层AN上方。或者，以打印方式将红(R)、蓝(G)、或绿色(B)发光材料EL打印至相应的像素区的阳极层AN上方。
所述内无机层40，形成在所述阵列基板10上，其中，所述内无机层40 的至少一部分41形成在所述防裂槽103中且与所述内无机层40的其余部分至少部分断开。具体地，所述内无机层40可通过等离子体增强化学气相沉积 (Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVP)法沉积氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等阻水材料到所述阵列基板10上而形成。
所述有机层50，形成在所述内无机层40上，其中所述有机层50位于所述显示区100中。具体地，所述有机层50通常通过喷墨打印(Inkjet Printing,IJP) 方式而形成。
所述外无机层60，形成在所述内无机层40上且覆盖所述有机层50，其中，所述外无机层60的至少一部分61形成在所述防裂槽103中且与所述外无机层 60的其余部分至少部分断开。具体地，所述外无机层60可通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVP)法沉积氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等阻水材料到所述内无机层40及所述有机层50 上而形成。
在本发明一实施例中，所述阵列基板10进一步包括至少一挡墙31、32，所述挡墙31、32形成在所述阵列基板10的所述阻隔层12上，且位于所述非显示区101中，且所述防裂槽103围绕所述挡墙。所述内无机层40覆盖所述挡墙31、32。所述挡墙31、32可做为所述有机层50的边界。
在本申请一实施例中，所述挡墙31、32可为多个，且其中最靠近所述防裂槽103的所述挡墙31、32与所述防裂槽103的距离D大于或等于5um。
在本申请一实施例中，远离所述显示区100的挡墙32高度须大于靠近所述显示区100的挡墙31。
在本申请一实施例中，所述防裂槽103与所述非显示区101远离显示区 100的边缘之间的距离大于所述防裂槽103与所述显示区100相邻边缘之间的距离。
在本发明一实施例中，所述阻隔层12为无机膜层，所述衬底基板11包括有机膜层，所述防裂槽103贯穿所述无机膜层并延伸至所述有机膜层中。
在本发明一实施例中，所述内无机层40的形成在所述防裂槽103中的所述至少一部分41与所述内无机层40的其余部分完全断开。在所述防裂槽103 内完全断开的所述内无机层40部分，可有效阻隔裂缝沿着所述内无机层40 延伸到所述显示区100中。
在本发明一实施例中，所述外无机层60的形成在所述防裂槽103中的所述至少一部分61与所述外无机层60的其余部分完全断开。在所述防裂槽103 内完全断开的所述外无机层60部分，可有效阻隔裂缝沿着所述外无机层60 延伸到所述显示区100中。
请参照图3至图5，本申请实施例提供的OLED显示面板1制造方法包括：阵列基板形成步骤S01、防裂槽形成步骤S02、内无机层形成步骤S03、有机层形成步骤S04、以及外无机层形成步骤S05。
所述阵列基板形成步骤S01包括在衬底基板11上设置阵列控制电路层以形成一阵列基板10，所述阵列控制电路层包括一设置在所述衬底基板11上的阻隔层12。
具体地，所述切割线区102可以是预先以色墨打印在所述阵列基板10上的墨线，也可以是预先以切割装置在所述阵列基板10上割划出的浅槽结构。具体地，所述阵列基板10的所述阵列控制电路层包括设置在所述阻隔层12 上的像素定义层PDL以及阳极层AN。所述切割线区102主要用于供激光切割装置L沿着所述切割线区102对所述阵列基板10进行切割，以完成OLED显示面板1的成品。
所述防裂槽形成步骤S02包括在所述阵列基板10上形成至少一贯穿所述阻隔层12且延伸到所述衬底基板11中的防裂槽103，其中所述防裂槽103围绕所述显示区100且位于所述非显示区101中。此外，所述防裂槽形成步骤 S02可通过光刻工艺而完成。具体地，所述防裂槽103用于阻挡所述激光切割装置L沿着所述切割线区102对所述阵列基板10进行切割时所产生的裂缝C，避免所述裂缝C通过所述防裂槽103而延伸深入非显示区101甚至延伸到显示区100而造成显示面板损坏的问题。
请参照图6，所述防裂槽103的截面轮廓可为梯形，使所述防裂槽103的靠近所述阻隔层12的开口端的宽度小于所述防裂槽103的远离所述阻隔层12 的底端的宽度。此时，所述梯形截面轮廓的高度H大于或等于2um，所述梯形截面轮廓的最小宽度W(即是所述开口端的宽度)为自10um至30um的范围，所述梯形截面轮廓的腰与水平线的夹角θ为自0°至90°的角度范围。通过上述的数值范围，能够让防裂槽103有较佳的防裂效果。此外，所述防裂槽103 在所述阵列基板10的深度可大于所述防裂槽103在所述阻隔层12的深度，以进一步提升所述防裂槽103提供给所述阵列基板10的防裂效果。
请参照图7，于本创作一实施例中，所述防裂槽103为两个以上，且以同心圆方式环绕所述显示区100，藉此增加所述显示面板的防裂效果。
此外，在所述防裂槽形成步骤S02之后，可进一步通过精细金属掩模板(Fin MetalMask,FMM)和蒸镀工艺，将红(R)、蓝(G)、或绿色(B)发光材料EL的像素区的阳极层AN上方。或者，以打印方式将红(R)、蓝(G)、或绿色(B)发光材料EL打印至相应的像素区的阳极层AN上方。
所述内无机层形成步骤S03包括在所述阵列基板10上形成内无机层40，其中，所述内无机层40的至少一部分41形成在所述防裂槽103中且与所述内无机层40的其余部分至少部分断开。具体地，所述内无机层40可通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVP)法沉积氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等阻水材料到所述阵列基板10上而形成。
所述有机层形成步骤S04包括在所述内无机层40上形成有机层50，其中所述有机层50位于所述显示区100中。具体地，所述有机层50通常通过喷墨打印(Inkjet Printing,IJP)方式而形成。
所述外无机层形成步骤S05包括在所述内无机层40上形成一覆盖所述有机层50的外无机层60，其中，所述外无机层60的至少一部分61形成在所述防裂槽103中且与所述外无机层60的其余部分至少部分断开。具体地，所述外无机层60可通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVP)法沉积氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等阻水材料到所述内无机层40及所述有机层50上而形成。
此外，上述内无机层形成步骤S03、有机层形成步骤S04、以及外无机层形成步骤S05共同构成薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)步骤。
所述内无机层形成步骤S03，包括在所述阵列基板10上形成内无机层40，其中，所述内无机层40的至少一部分41形成在所述防裂槽103中且与所述内无机层40的其余部分完全断开。在所述防裂槽103内完全断开的所述内无机层40部分，可有效阻隔裂缝沿着所述内无机层40延伸到所述显示区100中。
在本发明一实施例中，所述外无机层形成步骤S05，包括在所述内无机层 40上形成一覆盖所述有机层50的外无机层60，其中，所述外无机层60的至少一部分61形成在所述防裂槽103中且与所述外无机层60的其余部分完全断开。在所述防裂槽103内完全断开的所述外无机层60部分，可有效阻隔裂缝沿着所述外无机层60延伸到所述显示区100中。
在本申请一实施例中，所述防裂槽103与所述非显示区101远离显示区 100的边缘之间的距离大于所述防裂槽103与所述显示区101相邻边缘之间的距离。
在本发明一实施例中，所述阵列基板形成步骤S01进一步包括在所述阵列基板10的所述阻隔层12上形成至少一位于所述非显示区101中的挡墙31、 32，其中所述防裂槽103围绕所述挡墙31、32。所述内无机层40覆盖所述挡墙31、32。所述挡墙31、32可做为所述有机层50的边界。
在本申请一实施例中，所述挡墙31、32可为多个，且其中最靠近所述防裂槽103的所述挡墙31、32与所述防裂槽103的距离D大于或等于5um。
在本申请一实施例中，所述防裂槽103与所述切割线区102之间的距离大于所述防裂槽103与所述显示区101相邻边缘之间的距离。
在本申请一实施例中，远离所述显示区100的挡墙32高度须大于靠近所述显示区100的挡墙31。
本申请至少包括下列优点：
本申请提供的OLED显示面板1制造方法及OLED显示面板1，在阵列基板 10上形成围绕显示区100的至少一防裂槽103。当OLED显示面板1在对阵列基板10上的切割线区102进行激光切割程序时，由所述切割线区102处产生的裂缝 C被防裂槽103所阻断而无法延伸到非显示区101深层，更无法延伸到显示区 100内，使得本申请避免现有技术OLED显示面板1在对阵列基板10上的切割线区102进行激光切割程序时，容易在所述OLED显示面板1上产生延伸至非显示区101甚至显示区100内的裂缝C，导致产品良率下降的技术问题。
以上对本申请实施例所提供的OLED显示面板1制造方法以及OLED显示面板1进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板，包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，其特征在于，所述OLED显示面板还包括：
阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的阵列控制电路层，所述阵列控制电路层包括一设置在所述衬底基板上的阻隔层；
至少一防裂槽，形成在所述阵列基板上，贯穿所述阻隔层且延伸到所述衬底基板中，其中所述防裂槽位于所述非显示区中；
内无机层，形成在所述阵列基板上，其中，所述内无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述内无机层的其余部分至少部分断开；
有机层，形成在所述内无机层上，其中所述有机层位于所述显示区中；以及
外无机层，形成在所述内无机层上且覆盖所述有机层，其中，所述外无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述外无机层的其余部分至少部分断开。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括至少一挡墙，所述挡墙形成在所述阵列基板的所述阻隔层上，且位于所述非显示区中，且所述防裂槽围绕所述挡墙；以及
所述内无机层覆盖所述挡墙。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述挡墙与所述防裂槽的距离大于或等于5um。
4.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述防裂槽与所述非显示区远离所述显示区的边缘之间的距离大于所述防裂槽与所述显示区相邻边缘之间的距离。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述防裂槽的靠近所述阻隔层的开口端的宽度小于所述防裂槽的远离所述阻隔层的底端的宽度。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述防裂槽截面轮廓为梯形，所述防裂槽的截面轮廓的高度大于或等于2um，且所述防裂槽的截面轮廓的最小宽度W为自10um至30um，所述防裂槽的截面轮廓的腰与水平线的夹角θ为自0°至90°。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阻隔层为无机膜层，所述衬底基板包括有机膜层，所述防裂槽贯穿所述无机膜层并延伸至所述有机膜层中。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述内无机层的形成在所述防裂槽中的所述至少一部分与所述内无机层的其余部分完全断开。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述外无机层的形成在所述防裂槽中的所述至少一部分与所述外无机层的其余部分完全断开。
10.一种OLED显示面板制造方法，所述OLED显示面板包括显示区、围绕所述显示区的非显示区，其特征在于，所述方法包括：
阵列基板形成步骤，包括在衬底基板上设置阵列控制电路层以形成一阵列基板，所述阵列控制电路层包括一设置在所述衬底基板上的阻隔层；
防裂槽形成步骤，包括在所述阵列基板上形成至少一贯穿所述阻隔层且延伸到所述衬底基板中的防裂槽，其中所述防裂槽位于所述非显示区中；
内无机层形成步骤，包括在所述阵列基板上形成内无机层，其中，所述内无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述内无机层的其余部分至少部分断开；
有机层形成步骤，包括在所述内无机层上形成有机层，其中所述有机层位于所述显示区中；以及
外无机层形成步骤，包括在所述内无机层上形成一覆盖所述有机层的外无机层，其中，所述外无机层的至少一部分形成在所述防裂槽中且与所述外无机层的其余部分至少部分断开。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108649141A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏及其制备方法 |
| CN110429193A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-11-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN110518141A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN110518046A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
| CN110556407A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111403621A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
| CN112736093A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113471394A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-10-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板的切割修边方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102485295B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2023-01-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN111354743B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-10-18 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
| CN111415965B (zh) * | 2020-04-20 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
| CN112952017B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-09-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113130618A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-07-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108649141A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏及其制备方法 |
| CN110429193A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-11-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN110518141A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN110518046A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
| CN110556407A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111403621A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
| CN112736093A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113471394A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-10-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板的切割修边方法、显示面板及显示装置 |
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