CN114213122B - 压电陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及陶瓷材料技术领域，特别涉及压电陶瓷材料及其制备方法。所述压电陶瓷材料为具有钙钛矿结构的化合物，分子通式为ABX3；其中，A位点元素包括Pb和掺杂元素I，所述掺杂元素I选自Cu和La中的一种或几种；B位点元素包括Zr、Ti和掺杂元素II，所述掺杂元素II选自Zn和Nb中的一种或几种；X位点元素包括O和F。所述压电陶瓷材料能在≤950℃的温度下与纯银浆料多层共烧结，成本低，而且介电性能、压电常数以及机电耦合系数较高。

Description

压电陶瓷材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及陶瓷材料技术领域，特别涉及压电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
随着智能时代的到来，压电陶瓷元件作为一种高性能的感知和执行元件获得越来越多的应用，随着应用的展开，微型化的压电元件成为未来发展的主要方向。微型化的压电元件中多层共烧压电元件是关键的组成部分。
任何器件的应用除了本身的性能、功能之外，都脱离不了其本身成本的制约；因此对于多层共烧压电元件来讲，除了高性能的要求，对于如何降低成本成为了关键。
多层共烧元件，是指由压电陶瓷材料和电极浆料共烧结制备而成的元件，由于其制备工序节省了一个烧结的步骤，本身成本得到了控制，进一步解决成本主要取决于共烧电极成本，一般而言，共烧电极浆料成本占整个压电元件成本的70％左右，针对压电多层元件而言一般共烧电极有两种选择：一种是以银为主的银钯浆料(Ag/Pd)，市面使用的常用银钯比例为(70/30～100/0)，一种是以铜为主的铜浆料。
选择铜浆料作为多层压电元件的共烧电极其材料直接成本很低，理论上是比较好的一种选择，但是由于铜电极烧结对于气氛控制及材料设计都有很高的要求，目前不是一种主流的选择。选择银或银钯电极作为多层压电元件共烧电极是目前的一种主要选择，但是不同的厂家选择的银钯比例存在比较大的差异，有选择(Ag/Pd：70/30)(银钯合金中70％为银，30％为钯)，有选择(Ag/Pd：85/15)，有选择(Ag/Pd：90/10)，也有选择(Ag/Pd：95/5，也有部分厂家使用纯银电极。如果将纯银浆料的成本定义为1，那么对应95/5银钯浆料成本为5，90/10银钯浆料成本为10，70/30银钯浆料成本为30。可见银钯比例不同的银钯浆料，成本不同。
而选择什么样的银钯电极浆料的核心是选择什么样的压电陶瓷材料与其共烧，进一步的核心是在涂覆电极浆料后，压电陶瓷材料适合在什么温度与电极浆料烧结，如果共烧结温度不高于950℃，可以选择纯银浆料，成本可以控制较低；而如果压电陶瓷材料的烧结温度不高于990℃，可以选择90/10银钯浆料。这样来看，如何制备高性能低温共烧结的压电陶瓷材料成本关键。
发明内容
基于此，本发明提供一种压电陶瓷材料，其可通过在≤950℃的温度下与纯银浆料多层共烧结制备而成，成本低，而且介电性能、压电常数以及机电耦合系数较高。
技术方案为：
一种压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料为具有钙钛矿结构的化合物，分子通式为ABX3；
其中，A位点元素包括Pb和掺杂元素I，所述掺杂元素I选自Cu和La中的一种或几种；
B位点元素包括Zr、Ti和掺杂元素II，所述掺杂元素II选自Zn和Nb中的一种或几种；
X位点元素包括O和F。
在其中一个实施例中，所述X位点元素中，O元素与F元素的摩尔比为(2.985-2.991)：(0.009-0.015)。
在其中一个实施例中，所述X位点元素中，O元素与F元素的摩尔比为2.9905：0.0095。
在其中一个实施例中，所述A位点为Pb2+ aCu+ (1-a)；
B位点为(ZnbNb1-b)4+ (1-c-d)Zr4+ cTid 4+；
X位点OeF(3-e)；
其中，a、b、c、d、e表示摩尔分数；
0.99≤a≤0.998；0.3≤b≤0.45；0.45≤c≤0.495；0.45≤d≤0.495。
本发明还提供一种上述压电陶瓷材料的制备方法。
技术方案为：
一种压电陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
取包含A位点元素、B位点元素和X位点元素的制备原料，进行研磨混料、煅烧、粉碎、成型、涂覆电极浆料、共烧结和极化处理，制备压电陶瓷材料；
所述共烧结的温度≤950℃。
在其中一个实施例中，所述包含A位点元素、B位点元素和X位点元素的制备原料包括氧化物和氟化物；
所述氧化物包括Pb的氧化物、掺杂元素I的氧化物、Zr的氧化物、Ti的氧化物和掺杂元素II的氧化物；
所述氟化物包括Pb的氟化物和Zn的氟化物中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述Pb的氧化物选自PbO和Pb3O4中的一种或几种；
所述掺杂元素I的氧化物选自Cu2O和LaO中的一种或几种；
所述Zr的氧化物为ZrO2；
所述Ti的氧化物为TiO2；
掺杂元素II的氧化物选自Nb2O5和ZnO中的一种或几种；
所述Pb的氟化物为PbF2；
所述Zn的氟化物为ZnF2。
在其中一个实施例中，所述烧结的时间为4h-6h。
在其中一个实施例中，所述研磨混料的方法为球磨湿法混料。
在其中一个实施例中，所述煅烧的温度为750-850℃，所述煅烧的时间为2h-3h。
在其中一个实施例中，所述成型的方法为：利用粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。
在其中一个实施例中，所述电极浆料为纯银浆料。
在其中一个实施例中，所述极化的电场强度为1.5KV/cm-2.5KV/cm，温度为100-120℃。
与传统方案相比，本发明具有以下有益效果：
本发明的压电陶瓷材料是一种锆钛酸铅(PZT)材料，通过引入掺杂元素I和掺杂元素II对A位点的铅和B位点的锆钛进行了掺杂，在此基础上，还对将X位点的氧进行了氟掺杂，在实现降低烧结温度的同时，抑制氧的挥发不会导致出现氧空位，保证压电陶瓷材料的高性能。本发明的压电陶瓷材料能够在≤950℃的温度下与纯银浆料多层共烧结，减低成本，而且介电性能、压电常数以及机电耦合系数较高。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明作进一步详细的说明。本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明公开内容理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
术语
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本发明中，所使用的术语“和/或”、“或/和”、“及/或”的可选范围包括两个或两个以上相关所列项目中任一个项目，也包括相关所列项目的任意的和所有的组合，所述任意的和所有的组合包括任意的两个相关所列项目、任意的更多个相关所列项目、或者全部相关所列项目的组合。
本发明中，“一种或几种”指所列项目的任一种、任两种或任两种以上。其中，“几种”指任两种或任两种以上。
本发明中，所使用的“其组合”、“其任意组合”、“其任意组合方式”等中包括所列项目中任两个或任两个以上项目的所有合适的组合方式。
本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。
本发明中，涉及到百分比含量，如无特别说明，对于固液混合和固相-固相混合均指质量百分比，对于液相-液相混合指体积百分比。
本发明中，涉及到百分比浓度，如无特别说明，均指终浓度。所述终浓度，指添加成分在添加该成分后的体系中的占比。
本发明中，涉及到温度参数，如无特别限定，既允许为恒温处理，也允许在一定温度区间内进行处理。所述的恒温处理允许温度在仪器控制的精度范围内进行波动。
锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料具有钙钛矿结构，可通过分子通式为ABX3来描述，其中，A代表钙钛矿晶格的A位点；B代表钙钛矿晶格的B位点。
目前的压电元件主要还是使用锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料来制备。针对压电元件低温烧结一般有以下三种方法：
1、通过加入低熔点玻璃的方法实现低温烧结。
2、通过改善陶瓷材料形貌或者细度的方法实现低温烧结。
3、通过加入低价态氧化物的方法实现低温烧结。
针对第1种方法，加入低熔点玻璃，一般是先制备低熔点玻璃粉，如硼铋镉、硼铋铅，之后将其加入PZT材料中混合并磨细，预烧结制备压电陶瓷生坯，完成生坯后通过排胶、烧结、极化等环节完成压电元件的制作。加入低熔点玻璃的方法简单，但存在以下缺点：玻璃量较少的时候，降温效果不够显著(烧结温度不低于1000℃)，玻璃量较多的时候，虽然烧结温度可以降低到900℃，但是材料性能远低于正常PZT材料。
针对第2种方法，改善陶瓷材料形貌或者细度一般有两种办法：一种是采用化学法制备高纯纳米PZT材料；一种是采用普通的固相合成的方法制备压电陶瓷材料，完成材料制备后进行高能球磨完成超细材料的制备。改善形貌或者细度的方法虽然对于材料的性能影响较小，但是降温效果不够明显，很难将烧结温度降低到1000℃以下，而且超细的材料制备成多层共烧结元件过程中由于比表面积过大，导致成型难度较高，也不是一种很好的选择。
针对第3种方法，加入低价态氧化物，一般是加入低价态的氧化物替代PZT中的铅或者锆钛，替代PZT中的铅的氧化物有氧化钾、氧化钠(一般以碳酸盐形式加入)、氧化亚银、氧化亚铜；替代PZT中锆钛的氧化物有氧化锌、氧化镍、氧化锂(一般以碳酸盐形式加入)、氧化铁、氧化钴等。加入低价态的氧化物后降温效果比较明显，但是由于加入后会导致PZT(ABO3结构)中A位点或B位点价态下降导致对应的氧挥发形成氧空位，从而引起材料性能的下降。为了解决此问题，很多公司或者研究结构采用了高价态氧化物和低价态氧化物的复合加入降温的方法，比如埃普科斯公司采用A位点加入三价的钕(3+)对冲A位点的一价的钾(1+)和B位的二价的镍(2+)，从而抑制氧的挥发，而保证PZT高性能的实现。但是采用此方法设计思路没有普适性，也很难普遍地将烧结温度降低到950℃以下。
本发明通过引入掺杂元素I和掺杂元素II对A位点的铅和B位点的锆钛进行了掺杂，在此基础上，还对将X位点的氧进行了氟掺杂，在实现降低烧结温度的同时，还能与纯银浆料实现多层共烧结，减低成本，同时抑制氧的挥发不会导致出现氧空位，保证压电陶瓷材料的高性能。
技术方案为：
一种压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料为具有钙钛矿结构的化合物，分子通式为ABX3；
其中，A位点元素包括Pb和掺杂元素I，所述掺杂元素I选自Cu和La中的一种或几种；
B位点元素包括Zr、Ti和掺杂元素II，所述掺杂元素II选自Zn和Nb中的一种或几种；
X位点元素包括O和F。
可选地，所述X位点元素中，O元素与F元素的摩尔比为(2.985-2.991)：(0.009-0.015)。F元素是掺杂元素，且原子粒径比O大，如果超过上述范围，可能对性能产生不利影响。
优选地，所述X位点元素中，O元素与F元素的摩尔比为2.9905：0.0095。
可选地，掺杂元素I以Cu和La的低价态形式掺杂；掺杂元素II以Zn和Nb的复合价态形式掺杂。
在一个实施例中，所述A位点为Pb2+ aCu+ (1-a)；
B位点为(ZnbNb1-b)4+ (1-c-d)Zr4+ cTid 4+；
X位点OeF(3-e)；
其中，a、b、c、d、e表示摩尔分数；
0.99≤a≤0.998；0.3≤b≤0.45；0.45≤c≤0.495；0.45≤d≤0.495。
原则上，Cu元素、Zn元素、Nb元素作为掺杂元素，比Pb元素、Zr元素、Ti元素的量要少。
本发明还提供一种上述压电陶瓷材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
取包含A位点元素、B位点元素和X位点元素的制备原料，进行研磨混料、煅烧、粉碎、成型、涂覆电极浆料、共烧结和极化处理，制备压电陶瓷材料；
所述共烧结的温度≤950℃。
其中，可通过把制备原料中的一部分氧化物替换为氟化物，可以实现将X位点的氧进行氟掺杂。
可选地，可将低价态氧化物替换或部分替换成氟化物。
在一个实施例中，所述包含A位点元素、B位点元素和X位点元素的制备原料包括氧化物和氟化物；
所述氧化物包括Pb的氧化物、掺杂元素I的氧化物、Zr的氧化物、Ti的氧化物和掺杂元素II的氧化物；
所述氟化物包括Pb的氟化物和Zn的氟化物中的一种或几种。
在一个实施例中，氟化物的加入量可以是占整个制备原料的0.1～2.0％(mol)，氟化物的加入时机可以是研磨混料时加入，也可以在生坯成型时加入。
所述研磨混料的方法为球磨湿法混料。该步骤的目的是使各原料混合均匀。进一步地，球磨的介质可以为ZrO2。可以理解地，湿法混料后，还包括对混合物进行脱水干燥的步骤，脱水干燥可以是烘干，烘干的温度可以为150℃，时间可以是2h。脱水干燥后，煅烧。
在一个实施例中，所述煅烧的温度为750-850℃，所述煅烧的时间为2h-3h。通过煅烧，形成混晶相。
煅烧后粉碎，得到粉体。粉碎可通过球磨实现，球磨的介质可以为ZrO2。可选地，粉末的粒径为0.6μm-0.8μm。
粉粹后，利用粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。
可选地，所述粘结剂为有机粘结剂。
可选地，成型时可施加压力，压力可以为20吨-50吨，成型后的密度控制在4.5-5.1g/cm3。
所述电极浆料为纯银浆料。烧结温度降低后，可使用纯银浆料实现多层共烧结，成本较低。
在一个实施例中，所述共烧结的时间为4h-6h。
在一个实施例中，共烧结后，极化处理，制备压电陶瓷材料。
可选地，极化的电场强度为1.5KV/cm-2.5KV/cm，优选为2KV/cm，温度为100-120℃。
可选地，极化的时间为30s-10min。
本发明的压电陶瓷材料能够在≤950℃的温度下于纯银浆料多层共烧结，减低成本，而且介电性能、压电常数以及机电耦合系数较高。
以下结合具体实施例和对比例进行进一步说明，以下具体实施例中所涉及的原料，若无特殊说明，均可来源于市售，所使用的仪器，若无特殊说明，均可来源于市售，所涉及到的工艺，如无特殊说明，均为本领域技术人员常规选择。
实施例1
本实施例提供一种压电陶瓷材料，其压电陶瓷材料的分子通式为ABX3中，A位：pb2 + 0.9905Cu+ 0.0095
B位：(Zn1/3Nb2/3)4+ 0.05Zr4+ 0.48Ti4+ 0.47
O位：O2.9905F0.0095
上述压电陶瓷材料的制备方法如下：
按上述通式配比，称0.3286mol Pb3O4，0.47mol TiO2，0.48mol ZrO2，0.00475molCu2O，0.00475mol PbF2，0.033mol Nb2O5，0.0167mol ZnO作为制备原料，将上述制备原料用球磨进行湿法混合，再将混合物进行脱水干燥，在800℃下煅烧2h，粉碎后得到煅烧粉末，利用有机粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。然后涂覆纯银浆料进行多层共烧结，烧结温度为950℃，保温4h，然后在120℃的环境下施加2KV/cm的直流电压进行极化处理，得到具有压电性能的陶瓷材料。
用阻抗分析仪测得本实施例的压电陶瓷材料的各项性能，结果如下：
性能
介电：2000，Kp＝0.67，Qm＝50，d33＝460。
实施例2
本实施例提供一种压电陶瓷材料，其压电陶瓷材料的分子通式为ABX3中，A位：pb2 + 0.9905Cu+ 0.0095
B位：(Zn1/3Nb2/3)4+ 0.05Zr4+ 0.48Ti4+ 0.47
O位：O2.9905F0.0095
上述压电陶瓷材料的制备方法如下：
按上述通式配比，称0.3302mol Pb3O4，0.47mol TiO2，0.48mol ZrO2，0.00475molCu2O，0.00475mol ZnF2，0.033mol Nb2O5，0.0119mol ZnO作为制备原料，将上述制备原料用球磨进行湿法混合，再将混合物进行脱水干燥，在800℃下煅烧2h，粉碎后得到煅烧粉末，利用有机粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。然后涂覆纯银浆料进行多层共烧结，烧结温度为950℃，保温4h，然后在120℃的环境下施加2KV/cm的直流电压进行极化处理，得到具有压电性能的陶瓷材料。
采用与实施例1相同的方法，测本实施例的压电陶瓷材料的各项性能，结果如下：
介电：2000，Kp＝0.67，Qm＝50，d33＝460。
对比例1
本对比例提供一种压电陶瓷材料，其压电陶瓷材料的分子通式为ABX3中，A位：pb2 + 0.9905Cu+ 0.0095
B位：(Zn1/3Nb2/3)4+ 0.05Zr4+ 0.48Ti4+ 0.47
O位：O2.99525
上述压电陶瓷材料的制备方法如下：
按上述通式配比，称0.3302mol Pb3O4，0.47mol TiO2，0.48mol ZrO2，0.00475molCu2O，0.033mol Nb2O5，0.01667mol ZnO作为制备原料，将上述制备原料用球磨进行湿法混合，再将混合物进行脱水干燥，在800℃下煅烧2h，粉碎后得到煅烧粉末，利用有机粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。然后涂覆纯银浆料进行多层共烧结，烧结温度为950℃，保温4h，然后在120℃的环境下施加2KV/cm的直流电压进行极化处理，得到具有压电性能的陶瓷材料。
采用与实施例1相同的方法，测本实施例的压电陶瓷材料的各项性能，结果如下：
介电：1700，Kp＝0.60，Qm＝50，d33＝370。
对比例2
本对比例提供一种压电陶瓷材料，其压电陶瓷材料的分子通式为ABX3中，A位：pb2 + 0.981Cu+ 0.0095La3+ 0.0095
B位：(Zn1/3Nb2/3)4+ 0.05Zr4+ 0.48Ti4+ 0.47
O位：O3.0
上述压电陶瓷材料的制备方法如下：
按上述通式配比，称0.327mol Pb3O4，0.47mol TiO2，0.48mol ZrO2，0.00475molCu2O，0.033mol Nb2O5，0.0095mol LaO，0.01667mol ZnO作为制备原料，将上述制备原料用球磨进行湿法混合，再将混合物进行脱水干燥，在800℃下煅烧2h，粉碎后得到煅烧粉末，利用有机粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。然后涂覆纯银浆料进行多层共烧结，烧结温度为950℃，保温4h，发现未烧熟。
对比例3
本对比例提供一种压电陶瓷材料，作为对照，其压电陶瓷材料的分子通式为ABX3中，
A位：pb2+
B位：Zn4+ 0.05Zr4+ 0.48Ti4+ 0.47
O位：O3.0
上述压电陶瓷材料的制备方法如下：
按上述通式配比，称0.333mol Pb3O4，0.47mol TiO2，0.48mol ZrO2，0.05mol ZnO作为制备原料，将上述制备原料用球磨进行湿法混合，再将混合物进行脱水干燥，在800℃下煅烧2h，粉碎后得到煅烧粉末，利用有机粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。然后涂覆70/30银钯浆料进行多层共烧结，烧结温度为1150度，保温时间2h，然后在120℃的环境下施加2KV/cm的直流电压进行极化处理，得到具有压电性能的陶瓷材料。
采用与实施例1相同的方法，测本实施例的压电陶瓷材料的各项性能，结果如下：
介电：2000，Kp＝0.66，Qm＝50，d33＝450
根据以上结果可知：
实施例1和实施例2分别以PbF2和ZnF2替换一部分ZnO，对压电陶瓷材料的X位点的氧进行了氟掺杂，相对于对比例1仅对A位点和B位点进行低价态和复合价态掺杂，在实现降低烧结温度的同时，抑制氧的挥发不会导致出现氧空位，具有更高的介电性能和更高的压电常数以及更高的机电耦合系数。对比例2的配方下，纯银浆料无法与压电陶瓷材料在950℃实现多层共烧结。对比例4中，未对A位点和B位点进行低价态和复合价态掺杂，也未对X位点的氧进行了氟掺杂，而是采用70/30银钯浆料，使其与该配方压电陶瓷材料在高温下共烧结，所制备的陶瓷材料的各项性能基本近似于实施例1和实施例2的陶瓷材料，说明实施例1和实施例2能够在降低烧结温度的同时，与纯银浆料多层共烧结，保持压电陶瓷材料的高性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种压电陶瓷材料，其特征在于，所述压电陶瓷材料为具有钙钛矿结构的化合物，分子通式为ABX3；
其中，A位点元素包括Pb和掺杂元素I，所述掺杂元素I选自 Cu；
B位点元素包括Zr、Ti和掺杂元素II，所述掺杂元素II选自Zn和Nb；
X位点元素包括O和F；
所述A位点为Pb2+ aCu+  (1-a)；
B位点为（ZnbNb1-b) 4+ （1-c-d）Zr4+ cTi4+ d；
X位点OeF（3-e）；
其中，a、b、c、d、e表示摩尔分数；
0.99≤a≤0.998；b为1/3；0.45≤c≤0.495；0.45≤d≤0.495。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷材料，其特征在于，所述X位点元素中，O元素与F元素的摩尔比为（2.985-2.991）：（0.009-0.015）。
3.一种权利要求1所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
取包含A位点元素、B位点元素和X位点元素的制备原料，进行研磨混料、煅烧、粉碎、成型、涂覆电极浆料、共烧结和极化处理，制备压电陶瓷材料，其中，煅烧后粉碎得到粉体；
所述共烧结的温度≤950℃。
4.根据权利要求3所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述包含A位点元素、B位点元素和X位点元素的制备原料包括氧化物和氟化物；
所述氧化物包括Pb的氧化物、掺杂元素I的氧化物、Zr的氧化物、Ti的氧化物和掺杂元素II的氧化物；
所述氟化物包括Pb的氟化物和 Zn的氟化物中的一种或几种。
5.根据权利要求4所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述Pb的氧化物选自PbO；
所述掺杂元素I的氧化物选自Cu2O；
所述Zr的氧化物为ZrO2；
所述Ti的氧化物为TiO2；
掺杂元素II的氧化物选自Nb2O5和 ZnO；
所述Pb的氟化物为PbF2；
所述Zn的氟化物为ZnF2。
6.根据权利要求3所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述共烧结的时间为4h~6h。
7.根据权利要求3~6任一项所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述研磨混料的方法为球磨湿法混料。
8.根据权利要求3~6任一项所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述煅烧的温度为750~850℃，所述煅烧的时间为2h~3h。
9.根据权利要求3~6任一项所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述成型的方法为：利用粘结剂使所述粉体成型至预设尺寸。
10.根据权利要求3~6任一项所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述电极浆料为纯银浆料。
11.根据权利要求3~6任一项所述的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述极化的电场强度为1.5 KV/cm~2.5KV/cm，温度为100~120℃。
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