CN114203928A - 电极及其制备方法、oled器件和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种电极，包括透明导电层和嵌段共聚物层，所述透明导电层的表面具有多个凹槽，所述嵌段共聚物层设置在所述凹槽内，所述嵌段共聚物层呈褶皱状。该电极可以用于OLED器件中，褶皱状的嵌段共聚物层可以改善光的折射、反射、衍射等，同时改善OLED器件的波导模式和等离子体模式，从而提高光的取出，提升出光效率。本申请还提供了电极的制备方法、OLED器件以及电子设备。

Description

电极及其制备方法、OLED器件和电子设备

技术领域

本申请属于电子产品技术领域，具体涉及电极及其制备方法、OLED器件和电子设备。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种有机电致发光器件，具有自发光、广视角、高亮度以及低耗电等优势，然而目前的OLED器件的出光效率较低，仅有约20％的光能出射到OLED器件之外。因此，OLED器件的出光效率有待提高。

发明内容

鉴于此，本申请提供了一种电极及其制备方法、OLED器件和电子设备，从而提高OLED器件的出光效率，有利于OLED器件的应用。

第一方面，本申请提供了一种电极，包括透明导电层和嵌段共聚物层，所述透明导电层的表面具有多个凹槽，所述嵌段共聚物层设置在所述凹槽内，所述嵌段共聚物层呈褶皱状。

第二方面，本申请提供了一种电极的制备方法，包括：

在透明导电衬底的表面成型多个通槽，得到透明导电基底；

在所述通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层呈褶皱状；

在所述嵌段共聚物层的表面成型透明导电材料膜，所述透明导电材料膜与所述透明导电基底连接，得到电极。

第三方面，本申请提供了一种电极的制备方法，包括：

在透明导电衬底的表面成型多个非贯通槽，得到透明导电基板；

在所述非贯通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层呈褶皱状，得到电极。

第四方面，本申请提供了一种OLED器件，包括层叠设置的衬底、阳极、有机发光层和阴极，所述阳极和所述阴极中的至少一个包括第一方面所述的电极或第二方面所述的制备方法制得的电极或第三方面所述的制备方法制得的电极。

第五方面，本申请提供了一种电子设备，包括壳体以及与所述壳体相连的显示装置，所述显示装置包括第四方面所述的OLED器件。

本申请提供了一种电极和电极的制备方法，该电极可以用于OLED器件中，褶皱状的嵌段共聚物层可以改善光的折射、反射、衍射等，同时改善OLED器件的波导模式和等离子体模式，从而提高光的取出，提升出光效率；具有该电极的OLED器件具有优异的出光效率，并且褶皱状的嵌段共聚物能够有效增加OLED器件的载流子注入，拓宽载流子复合区，提高OLED器件的电流效率，从而提升OLED器件的发光效率；具有该OLED器件的电子设备具有优异的发光效率，更能够满足使用需求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。

图1为本申请一实施方式提供的电极的制备方法流程图。

图2为本申请一实施方式提供的透明导电基底的结构示意图。

图3为本申请一实施方式提供的S102的示意图。

图4为本申请一实施方式提供的S103的示意图。

图5为本申请另一实施方式提供的S103的示意图。

图6为本申请又一实施方式提供的S103的示意图。

图7为本申请另一实施方式提供的电极的制备方法流程图。

图8为本申请一实施方式提供的透明导电基板的示意图。

图9为本申请一实施方式提供的S202的示意图。

图10为本申请又一实施方式提供的电极的制备方法流程图。

图11为本申请一实施方式提供的S203的示意图。

图12为本申请另一实施方式提供的S203的示意图。

图13为本申请一实施方式提供的电极的制备过程的示意图。

图14为本申请另一实施方式提供的电极的制备过程的示意图。

图15为本申请一实施方式提供的电极的结构示意图。

图16为图15中虚线区域的放大图。

图17为本申请一实施方式提供的透明导电层的俯视示意图。

图18为本申请另一实施方式提供的透明导电层的俯视示意图。

图19为本申请又一实施方式提供的透明导电层的俯视示意图。

图20为本申请另一实施方式提供的电极的结构示意图。

图21为本申请一实施方式提供的图20虚线区域的放大图。

图22为本申请另一实施方式提供的图20中虚线区域的放大图。

图23为本申请一实施方式提供的OLED器件的结构示意图。

标号说明：

透明导电层-11、凹槽-111、嵌段共聚物层-12、透明导电膜-13、电极-10、透明导电衬底-20、透明导电基底-21、通槽211、透明导电基板-21’、非贯通槽-211’、透明导电材料膜-22、衬底-30、阳极-40、有机发光层-50、阴极-60、OLED器件-100。

具体实施方式

以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1，为本申请一实施方式提供的电极的制备方法流程图，包括：

S101：在透明导电衬底的表面成型多个通槽，得到透明导电基底。

S102：在通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，嵌段共聚物层呈褶皱状。

S103：在嵌段共聚物层的表面成型透明导电材料膜，透明导电材料膜与透明导电基底连接，得到电极。

相关技术中，OLED器件的效率分为内量子效率和外量子效率。内量子效率为OLED器件内平均每注入一个空穴电子对所产生的光子数，目前可实现近100％的内量子效率。外量子效率为OLED器件发出的总光子数与注入电子数的比值，由于各层折射率的差异、各层间的界面存在的全反射，导致光子辐射到器件外部时会产生损耗，如金属表面等离子损耗、波导模式损耗等，大部分有机发光层发出的光被限制在OLED器件内部或由侧面发射，导致出光效率低，即由正面出射的光子数与器件内产生的总光子数的比值低；因此，器件结构带来的较低的光提取效率，导致器件的外量子效率低。本申请提供的电极可以用于光电器件中，如OLED器件中，电极中通过设置褶皱状的嵌段共聚物层，从而可以改变光线的传输方向和路径，改善光的折射、反射、衍射等，如减少全反射损耗、形成干涉效应等，有利于波导模式和等离子体模式的光取出，提升出光效率；该电极有利于提高OLED器件的外量子效率，更有利于OLED器件的使用。

在S101中，通过在透明导电衬底的表面成型多个通槽，得到透明导电基底，有利于后续嵌段共聚物层的设置。可以理解的，透明导电基底的表面具有多个通槽。

在本申请中，透明导电衬底为透明状，从而保证光的辐射，避免自身透过率影响出光效率；透明导电衬底具有导电性能，从而保证电极的使用。在本申请实施方式中，透明导电衬底的材质包括金属单质、合金和非金属导电材料中的至少一种。在本申请一实施方式中，透明导电衬底的材质包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、银纳米线和石墨烯中的至少一种。采用上述材质可以制得高透过率的透明导电衬底。可以理解的，透明导电衬底的材质还可以选择其他能够满足透明导电衬底使用要求的物质。

在本申请实施方式中，可以通过物理刻蚀方法和化学刻蚀方法中的至少一种成型通槽。在本申请一实施例中，在透明导电衬底的表面上涂覆光刻胶，形成光刻胶层，光刻胶层覆盖无需成型通槽的表面；在透明导电衬底的表面涂覆化学刻蚀液，经刻蚀后，在透明导电衬底的表面形成多个通槽，得到透明导电基底。其中，可以根据需要对通槽的分布、刻蚀时间和温度进行设置，以及选择能够与透明导电衬底发生化学反应的化学刻蚀液。具体的，通槽的尺寸可以相同，也可以不同；刻蚀温度可以在常温下进行，如15℃-30℃。在一实施例中，采用王水进行刻蚀成型通槽。在一具体实施例中，采用王水在ITO层表面成型通槽。在本申请另一实施例中，可以通过激光刻蚀的方式成型通槽。

请参阅图2，为本申请一实施方式提供的透明导电基底的示意图，其中透明导电基底21的表面具有多个通槽211。在本申请实施方式中，相邻通槽211之间的间距为10nm-100nm，如此，保证通槽211之间的间距相差不大，进而在嵌段共聚物层改善光传输路径和方向时，使得电极表面光的传输路径和方向的改变更加均匀一致，保证在提升出光效率的同时提高各处出光的均匀性，并且有利于形成干涉光，提高出光效率。在本申请实施方式中，通槽211呈周期性排布，如此能够进一步提升出光的均匀性。具体的，通过设置通槽211之间的间距呈周期性变化，进一步提升出光均匀性，同时有利于形成干涉光，提高出光效率。在本申请一实施例中，相邻通槽211之间的间距相等，从而能够大幅度提高出光效率以及出光均匀性。

在S102中，通过在通槽211中涂覆嵌段共聚物溶液，自组装后形成褶皱状的嵌段共聚物层。可以理解的，自组装为嵌段共聚物中性质不同的嵌段通过非共价键相互作用自发组合形成的一类结构明确、稳定，同时具有某种特定功能或性能的分子聚集体或超分子结构的现象；嵌段共聚物的自组装既防止了不同性质嵌段之间的完全分离，同时又实现了微观上的相分离，从而得到具有褶皱状的形貌。本申请中通过涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后形成稳定规则排列的褶皱结构，该褶皱结构在通槽211中致密排列。在本申请中，嵌段共聚物层沿通槽211深度方向上的正投影完全覆盖通槽211的开口。请参阅图3，为本申请一实施方式提供的S102的示意图，在图2所示的透明导电基底21上的通槽211中成型嵌段共聚物层12，嵌段共聚物层12呈褶皱状。

在本申请实施方式中，嵌段共聚物溶液包括嵌段共聚物和溶剂。其中，嵌段共聚物选自能够自组装形成褶皱形貌的物质，溶剂选自能够溶解分散嵌段共聚物的物质。具体的，溶剂包括卤代烃类、醚类、酰胺类和亚砜类中的至少一种，如二氯甲烷、二甲基甲酰胺、二甲亚砜等，采用有机溶剂溶解分散嵌段共聚物，有利于自组装时溶剂的挥发，提高自组装效率。在本申请中，嵌段共聚物溶液的浓度可以根据需要进行选择。在本申请实施方式中，通过悬涂工艺涂覆嵌段共聚物溶液。悬涂工艺更有利于嵌段共聚物的自组装以及形成更加规整的褶皱结构。在本申请中，自组装可以在常温下进行，如15℃-30℃等。在本申请中，形成的嵌段共聚物层12与透明导电基底21连接。

在S103中，通过在嵌段共聚物层12的表面成型透明导电材料膜，从而保证电极在厚度方向上的各处导电。在本申请中，透明导电材料膜的材质可以参见透明导电衬底材质的选择，当然透明导电材料膜和透明导电衬底的材质可以相同，也可以不同。在本申请实施方式中，可以通过沉积或涂覆的方式在嵌段共聚物层12的表面成型透明导电材料膜。具体的，可以但不限于通过溅射的方式形成透明导电材料膜。

请参阅图4，为本申请一实施方式提供的S103的示意图，在图3所示的嵌段共聚物层12的表面成型透明导电材料膜22。在本申请实施方式中，透明导电材料膜22远离嵌段共聚物层12的一侧表面为平整表面，有利于电极在应用时后续平整层结构的设置。当然，透明导电材料膜22远离嵌段共聚物层12的一侧表面也可以为非平整表面，如具有与嵌段共聚物层12相同的形状的褶皱等。

在本申请一实施方式中，透明导电材料膜22仅覆盖嵌段共聚物层12。请参阅图4，其中透明导电材料膜22仅覆盖嵌段共聚物层12。进一步的，沿嵌段共聚物层12至透明导电材料膜22的方向为第一方向，透明导电基底21具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面至第二表面的方向为第一方向，透明导电材料膜22远离嵌段共聚物层12的一侧表面与透明导电基底21的第二表面齐平，有利于电极在应用时后续平整层结构的设置。在本申请另一实施方式中，透明导电材料膜22不仅覆盖嵌段共聚物层12，还覆盖透明导电基底21。请参阅图5，为本申请另一实施方式提供的S103的示意图，透明导电材料膜22覆盖嵌段共聚物层12以及透明导电基底21。在一实施例中，透明导电材料膜22在嵌段共聚物层12上的正投影完全覆盖嵌段共聚物层12。在另一实施例中，透明导电材料膜22在嵌段共聚物层12上的正投影完全覆盖嵌段共聚物层12，且透明导电材料膜22在透明导电基底21上的正投影完全覆盖透明导电基底21。

在本申请中，在通槽211延伸方向上，嵌段共聚物层12具有相对设置的两个表面，透明导电材料膜22至少成型在嵌段共聚物层12的一侧表面。请参阅图4，其中透明导电材料膜22成型在嵌段共聚物层12的一侧表面；请参阅图6，为本申请又一实施方式提供的S103的示意图，其中透明导电材料膜22成型在嵌段共聚物层12的相对两个表面上，从而进一步保证在通槽211延伸方向上的各处导电，且电学性能相近，有利于电极的使用。

在本申请实施方式中，在成型透明导电材料膜22之前还包括对嵌段共聚物层12进行刻蚀。通过对嵌段共聚物层12进行刻蚀，进一步改善嵌段共聚物层12的褶皱形貌，增加褶皱结构的褶皱程度和表面积，使得褶皱结构的一致性以及分布的均匀性得到提高，同时增加嵌段共聚物层12的表面积，有利于进一步提高出光效率。在本申请实施方式中，可以通过物理刻蚀方法和化学刻蚀方法中的至少一种对嵌段共聚物层12进行刻蚀，以使得嵌段共聚物层12的褶皱形貌更加明显。在本申请一实施例中，通过化学刻蚀液对嵌段共聚物层12进行刻蚀。具体的，化学刻蚀液根据嵌段共聚物的性能进行选择。在本申请另一实施例中，通过激光对嵌段共聚物层12进行刻蚀。

请参阅图7，为本申请另一实施方式提供的电极的制备方法流程图，包括：

S201：在透明导电衬底的表面成型多个非贯通槽，得到透明导电基板。

S202：在非贯通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，嵌段共聚物层呈褶皱状，得到电极。

S201与S101的不同之处在于，S201在透明导电衬底的表面成型非贯通槽，从而保证得到的透明导电基板在非贯通槽延伸方向上的各处均导电，保证电极的使用性能。

在本申请中，透明导电衬底材质的选择参见S101中的描述，嵌段共聚物层12的成型参见S102中的描述；非贯通槽成型的方法、相邻非贯通槽的间距、非贯通槽的设置方式参见上述通槽211对应的描述，可以理解的非贯通槽和通槽211的成型方法、间距设置、排布方式设置可以相同，也可以不同，在此不在赘述。在本申请中，透明导电衬底的表面可以只成型非贯通槽，也可以只成型通槽211，还可以既成型非贯通槽又成型通槽211。在本申请中，可以将通槽211和非贯通槽中的至少一种称之为沟槽结构，即在透明导电衬底的表面成型沟槽结构，得到透明导电基底21或透明导电基板。请参阅图8，为本申请一实施方式提供的透明导电基板的示意图，其中透明导电基板21’的表面具有多个非贯通槽211’。请参阅图9，为本申请一实施方式提供的S202的示意图，在图8所示的透明导电基板21’表面上的非贯通槽211’中成型嵌段共聚物层12。

在本申请实施方式中，电极的制备方法还包括对嵌段共聚物层12进行刻蚀，进一步改善嵌段共聚物层12的褶皱形貌，增加褶皱结构的褶皱程度和表面积，使得褶皱结构的一致性以及分布的均匀性得到提高，同时增加嵌段共聚物层12的表面积，有利于进一步提高出光效率。对嵌段共聚物层12的刻蚀方法如上所述，在此不再赘述。

请参阅图10，为本申请又一实施方式提供的电极的制备方法流程图，包括：

S201’：在透明导电衬底的表面成型多个非贯通槽，得到透明导电基板。

S202’：在非贯通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，嵌段共聚物层呈褶皱状。

S203：在嵌段共聚物层的表面成型透明导电材料膜，透明导电材料膜与透明导电基板连接，得到电极。

其中，S201’和S202’可以参考上述S201和S202的论述，在此不在赘述。

在S203中，通过设置透明导电材料膜22，增加了非贯通槽211’延伸方向上导电层的厚度，从而保证电极各处工作性能相近。

请参阅图11，为本申请一实施方式提供的S203的示意图，在图9所示的嵌段共聚物层12的表面成型透明导电材料膜22。透明导电材料膜22的设置请参见上述描述，在此不在赘述。在本申请一实施方式中，透明导电材料膜22仅覆盖嵌段共聚物层12。请参阅图11，其中透明导电材料膜22仅覆盖嵌段共聚物层12。进一步的，透明导电材料膜22远离嵌段共聚物层12的一侧表面与透明导电基板21’具有非贯通槽211’的表面齐平，有利于电极在应用时后续平整层结构的设置。在本申请另一实施方式中，透明导电材料膜22不仅覆盖嵌段共聚物层12，还覆盖透明导电基板21’。请参阅图12，为本申请另一实施方式提供的S203的示意图，透明导电材料膜22覆盖嵌段共聚物层12以及透明导电基板21’。在一实施例中，透明导电材料膜22在嵌段共聚物层12上的正投影完全覆盖嵌段共聚物层12。在另一实施例中，透明导电材料膜22在嵌段共聚物层12上的正投影完全覆盖嵌段共聚物层12，且透明导电材料膜22在透明导电基板21’上的正投影完全覆盖透明导电基板21’。

在本申请实施方式中，电极的制备方法还包括提供透明导电衬底。在本申请一实施例中，提供透明导电衬底包括在基板上成型透明导电衬底，具体的可以但不限于通过沉积、涂覆等方式成型透明导电衬底，基板对透明导电衬底起到承载、支撑的作用。在一具体实施例中，将在基板上成型透明导电衬底后，将透明导电衬底剥离即可。在另一具体实施例中，直接对基板上的透明导电衬底的表面进行处理以形成多个沟槽结构，无需进行剥离，简化工艺流程，操作更加方便。

在本申请实施方式中，电极的制备方法还包括对透明导电衬底进行清洗。在一实施例中，将透明导电衬底依次置于水、丙酮和异丙醇溶液中清洗，干燥后再在紫外线臭氧环境中清洗；具体的，紫外线臭氧清洗可以但不限于为10min、12min、15min或20min等。

请参阅图13，为本申请一实施方式提供的电极的制备过程的示意图，包括：提供透明导电衬底20→在透明导电衬底20的表面成型多个通槽211，得到透明导电基底21→在通槽211中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层12，嵌段共聚物层12呈褶皱状→在嵌段共聚物层12的表面成型透明导电材料膜22，透明导电材料膜22与透明导电基底21连接，得到电极。其中，在通槽211延伸方向上，嵌段共聚物层12具有相对设置的两个表面，透明导电材料膜22至少成型在嵌段共聚物层12的一侧表面。进一步的，还可以对嵌段共聚物层12刻蚀，增大嵌段共聚物层12的表面积。

请参阅图14，为本申请另一实施方式提供的电极的制备过程的示意图，包括：提供透明导电衬底20→在透明导电衬底20的表面成型多个非贯通槽211’，得到透明导电基板21’→在非贯通槽211’中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层12，嵌段共聚物层12呈褶皱状，得到电极。进一步的，还可以在嵌段共聚物层12的表面成型透明导电材料膜22，透明导电材料膜22与透明导电基板21’连接。进一步的，还可以对嵌段共聚物层12刻蚀，增加嵌段共聚物层12的表面积。

本申请提供的电极的制备方法简单，操作方便，可以制得能够改善器件出光效率的电极，有利于电极的大规模使用。

请参阅图15，为本申请一实施方式提供的电极的结构示意图，电极10包括透明导电层11和嵌段共聚物层12，透明导电层11的表面具有多个凹槽111，嵌段共聚物层12设置在凹槽111内；请参阅图16，为图15中虚线区域的放大图，其中嵌段共聚物层12呈褶皱状。

在本申请中，透明导电层11为透明状，从而保证光的辐射，避免自身透过率影响出光效率；透明导电层11具有导电性能，从而保证电极10的使用。

在本申请，电极10应用至OLED器件中时，OLED器件的发光方式的不同，以及电极10位置的不同，对电极10透明性能的要求也不相同。在本申请一实施例中，当电极10作为底发射OLED器件的阳极时，透明导电层11具有高透光性能，具体的，透明导电层11的可见光透过率可以但不限于在90％以上。在本申请另一实施例中，当电极10作为顶发射OLED器件的阴极时，透明导电层11具有半透光性能，具体的，透明导电层11的可见光透过率可以但不限于在50％以上。可以理解的，透明导电层11的透过率可以根据需要进行选择，对此不作限定。

在本申请实施方式中，透明导电层11的材质包括金属单质、合金和非金属导电材料中的至少一种。在本申请一实施方式中，透明导电层11的材质包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、银纳米线和石墨烯中的至少一种。采用上述材质可以制得高透过率的透明导电层11。可以理解的，透明导电层11的材质还可以选择其他能够满足透明导电层11使用要求的物质。在本申请中，当透明导电层11由多种材质组成时，多种材质可以混合后形成透明导电层11，也可以是每种材质单独成膜后，再层叠在一起形成透明导电层11。在一具体实施例中，透明导电层11为氧化铟锡层。在另一具体实施例中，透明导电层11由氧化铟锡和氧化铟锌混合形成。在又一具体实施例中，透明导电层11包括层叠设置的氧化铟锡层和银纳米线层。

在本申请中，透明导电层11的厚度可以根据应用需要进行选择，透明导电层11的厚度大于凹槽111的深度即可。在本申请一实施例中，透明导电层11的厚度大于或等于100nm，有利于降低电极10的厚度，提升电极10的应用范围。进一步的，透明导电层11的厚度为100nm-5μm。更进一步的，透明导电层11的厚度为100nm-200nm、100nm-500nm、500nm-1μm、500nm-2μm或3μm-5μm。在本申请实施方式中，透明导电层11的方块电阻为5Ω/□-15Ω/□，有利于提升电极10的导电性能；具体的，透明导电层11的方块电阻可以但不限于为5Ω/□、8Ω/□、10Ω/□、13Ω/□或15Ω/□等。

在本申请中，嵌段共聚物层12整层呈褶皱状，从而改变的光的折射、反射、衍射等，进而有利于器件内部光的取出，提高出光效率。可以理解的，嵌段共聚物层12的表面具有褶皱结构，从而能够减少光的全反射，降低波导模式对光的损耗，提高光取出能力。在本申请中，褶皱结构可以但不限于包括球体、类球体、圆柱体、类圆柱体等。

在本申请实施方式中，嵌段共聚物层12的厚度为10nm-100nm。如此，既能够保证褶皱状的嵌段共聚物层12对出光效率的改善，同时又不会过多增加电极10的厚度，更有利于电极10的使用。在本申请一实施方式中，嵌段共聚物层12的厚度为15nm-30nm、15nm-90nm、20nm-50nm、20nm-80nm、35nm-60nm、35nm-76nm、50nm-80nm、65nm-90nm或70nm-100nm等。具体的，嵌段共聚物层12的厚度可以但不限于为10nm、20nm、30nm、40nm、55nm、65nm、70nm、85nm或95nm等。

在本申请中，嵌段共聚物涂覆后经自组装得到褶皱状的嵌段共聚物层12，也就是说，嵌段共聚物层12的材质包括嵌段共聚物，嵌段共聚物又称镶嵌共聚物，是将两种或两种以上性质不同的聚合物链段连在一起制备而成的一种特殊聚合物。嵌段共聚物可以包括无规多嵌段共聚物、两嵌段共聚物、三嵌段共聚物、接枝共聚物、星型共聚物等。在本申请一实施例中，嵌段共聚物包括至少两个聚合物嵌段，聚合物嵌段包括聚苯乙烯(PS)嵌段、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)嵌段、聚二甲基硅烷(PDMS)嵌段、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)嵌段、聚氧化乙烯(PEO)嵌段和聚丁二烯(PB)嵌段中的至少一种。可以理解的，嵌段共聚物包括至少两个聚合物嵌段，即嵌段共聚物层12的材质包括至少两个聚合物嵌段，嵌段共聚物中的聚合物嵌段的性质不同。在一具体实施例中，嵌段共聚物包括PS-b-PMMA、PS-b-PEO、PEO-b-PS-b-PEO、PMMA-b-PDMS-b-PMMA、PS-b-PDMS-b-PS和PVP-b-PDMS-b-PVP中的至少一种。可以理解的，嵌段共聚物还可以选择其他能够自组装形成具有褶皱形貌的物质，本申请对嵌段共聚物的具体材质、分子量不作限定。

在本申请中，嵌段共聚物层12设置在透明导电层11的凹槽111中，由于透明导电层11的表面具有多个凹槽111，从而使得嵌段共聚物层12分割设置在凹槽111中。在本申请实施方式中，嵌段共聚物层12包括多个嵌段共聚物子层，一个嵌段共聚物子层对应设置在一个凹槽111中。可以理解的，透明导电层11的表面具有多个凹槽111，每一凹槽111中均设置有嵌段共聚物子层，也可以部分凹槽111中设置有嵌段共聚物子层。在本申请实施方式中，至少80％以上的凹槽111中设置有嵌段共聚物子层，从而保证出光效率的有效提升。可以理解的，将垂直于凹槽111深度方向定义为第一方向。在本申请实施方式中，在第一方向上，嵌段共聚物子层完全填充凹槽111，有利于器件出光效率的进一步提升。

在本申请实施方式中，透明导电层11的表面设置有多个凹槽111，相邻凹槽111之间的间距为10nm-100nm，如此，保证凹槽111之间的间距相差不大，进而在嵌段共聚物层12改善光传输路径和方向时，使得电极10表面光的传输路径和方向的改变更加均匀一致，保证在提升出光效率的同时提高各处出光的均匀性，并且有利于形成干涉光，提高出光效率。可以理解的，凹槽111为非贯通的槽。在本申请实施例中，相邻凹槽111之间的间距为10nm-30nm、10nm-50nm、20nm-45nm、20nm-55nm、30nm-50nm、30nm-65nm、45nm-60nm、45nm-70nm、50nm-75nm、50nm-80nm、65nm-80nm、70nm-90nm或85nm-100nm。具体的，相邻凹槽111之间的间距可以但不限于为10nm、20nm、25nm、40nm、55nm、60nm、70nm、75nm、80nm或95nm等。在本申请实施方式中，凹槽111呈周期性排布，如此能够进一步提升出光的均匀性。具体的，通过设置凹槽111之间的间距呈周期性变化，进一步提升出光均匀性，同时有利于形成干涉光，提高出光效率。在本申请一实施例中，相邻凹槽111之间的间距相等，从而能够大幅度提高出光效率以及出光均匀性。

在本申请实施方式中，凹槽111的深度为100nm-200nm。如此，既有利于嵌段共聚物层12的设置，同时又不会过多影响透明导电层11的性能。进一步的，凹槽111的深度为100nm-130nm、100nm-150nm、120nm-160nm、125nm-155nm、130nm-165nm、150nm-170nm、155nm-175nm或170nm-200nm。具体的，凹槽111的深度可以但不限于为100nm、120nm、135nm、150nm、160nm、175nm、180nm或195nm等。在本申请实施方式中，凹槽111开口的横向尺寸为微纳级。如此，有利于在透明导电层11的表面设置多个凹槽111，提高出光的均匀性。可以理解的，凹槽111开口的横向尺寸为凹槽111开口在第一方向上的尺寸。在本申请一实施例中，凹槽111开口的横向尺寸小于10μm。如此，在提高器件出光的均匀性以及出光效率的同时降低制备工艺难度。进一步的，凹槽111开口的横向尺寸小于5μm。更进一步的，凹槽111开口的横向尺寸小于1μm。如此，更有利于提高器件出光的均匀性以及出光效率。

在本申请中，凹槽111的开口的形状可以根据需要进行选择。在本申请实施方式中，凹槽111的开口呈多边形、圆形和环形中的至少一种。请参阅图17，为本申请一实施方式提供的透明导电层的俯视示意图，其中凹槽111的开口呈多边形。具体的，多边形包括三角形、四边形、五边形等。请参阅图18，为本申请另一实施方式提供的透明导电层的俯视示意图，其中凹槽111开口呈圆形。请参阅图19，为本申请又一实施方式提供的透明导电层的俯视示意图，其中凹槽111开口呈环形。在本申请一实施例中，凹槽111的开口呈多边形或圆形，更容易匹配不同表面形状的电极10，提升出光效率和出光均匀性。在本申请实施方式中，凹槽为圆柱槽、环状槽、多边体槽等。

请参阅图20，为本申请另一实施方式提供的电极的结构示意图，电极10包括透明导电层11、嵌段共聚物层12和透明导电膜13，透明导电层11的表面具有多个凹槽111，嵌段共聚物层12设置在凹槽111内，透明导电膜13设置在嵌段共聚物层12的表面，且与透明导电层11连接。通过设置透明导电膜13，增加了凹槽111区域导电层的厚度，从而保证电极10各处工作性能相近。在本申请中，透明导电膜13为透明状且具有导电能力，透明导电膜13的透光率可以根据器件的发光方式以及电极10的位置进行选择，具体的可以参见透明导电层11材质的选择，在此不再赘述；透明导电层11和透明导电膜13的材质可以相同，也可以不同。在一实施例中，透明导电层11和透明导电膜13的材质均为氧化铟锡。在另一实施例中，透明导电层11的材质为氧化铟锡，透明导电膜13的材质为银纳米线。在本申请实施方式中，透明导电膜13完全覆盖嵌段共聚物层12，从而保证电极10的工作性能。请参阅图21，为本申请一实施方式提供的图20中虚线区域的放大图，其中透明导电膜13远离嵌段共聚物层12的表面呈褶皱状。也就是说，设置的透明导电膜13的相对两个表面与嵌段共聚物层12的表面相匹配，均呈现褶皱状。请参阅图22，为本申请另一实施方式提供的图20中虚线区域的放大图，其中透明导电膜13远离嵌段共聚物层12的表面平整。也就是说，此时透明导电膜13远离嵌段共聚物层12的表面不具有褶皱结构，从而使得电极10在器件中使用时，便于后续相对平整的层结构的设置。在本申请实施方式中，透明导电膜13远离嵌段共聚物层12的表面呈水平状，且透明导电膜13远离嵌段共聚物层12的表面与透明导电层11的其中一表面在同一水平面。也就是说，透明导电层11具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上具有凹槽111，透明导电膜13远离嵌段共聚物层12的表面与第一表面在同一水平面上；如此，透明导电膜13对透明导电层11上的凹槽111进行了填充，使得在电极10表面看不到凹槽111的存在，保证了电极10表面的平整性，进而使电极10在器件中使用时，更有利于后续平整的层结构的设置，可以有效避免凹凸不平的表面对后续层结构的设置以及器件性能的影响。在本申请实施方式中，沿凹槽111的深度方向上，透明导电层11和透明导电膜13的厚度和大于或等于200nm，从而可以更有利于提升电极10的导电性能。在本申请中，透明导电层11的表面具有多个凹槽111，嵌段共聚物层12包括多个嵌段共聚物子层，一个嵌段共聚物子层对应设置在一个凹槽111中；可以理解的，透明导电膜13包括多个透明导电子膜，每一嵌段共聚物子层表面均设置有透明导电子膜。

在本申请实施方式中，通过图1所示的方法制备电极10时，当透明导电材料膜22覆盖在嵌段共聚物层12一表面时，透明导电基底21以及透明导电材料膜22共同形成了电极10中的透明导电层11；当透明导电材料膜22覆盖在嵌段共聚物层12相对两个表面时，透明导电基底21以及部分透明导电材料膜22共同形成了电极10中的透明导电层11，部分透明导电材料膜22形成了电极10中的透明导电膜13。请参阅图4，其中透明导电基底21以及透明导电材料膜22共同形成了电极10中的透明导电层11；请参阅图6，其中透明导电基底21以及部分透明导电材料膜22共同形成了电极10中的透明导电层11，部分透明导电材料膜22形成了电极10中的透明导电膜13，例如如图6所示的方向，嵌段共聚物层12下方的透明导电材料膜22与透明导电基底21共同形成了电极10中的透明导电层11，嵌段共聚物层12上方的透明导电材料膜22形成了透明导电膜13。

在本申请实施方式中，通过图10所示的方法制备电极10时，当透明导电材料膜22仅覆盖在嵌段共聚物层12表面时，透明导电基板21’成为电极10中的透明导电层11，透明导电材料膜22成为电极10中的透明导电膜13；当透明导电材料膜22不仅覆盖在嵌段共聚物层12表面，还覆盖透明导电基板21’时，覆盖在透明导电基板21’表面的透明导电材料膜22与透明导电基板21’共同形成了电极10中的透明导电层11，覆盖在嵌段共聚物层12表面的透明导电材料膜22成为电极10中的透明导电膜13。请参阅图11，其中透明导电基板21’形成了电极10中的透明导电层11，透明导电材料膜22形成了电极10中的透明导电膜13；请参阅图12，其中覆盖在透明导电基板21’上的透明导电材料膜22的部分以及透明导电基板21’形成了电极10中的透明导电层11，覆盖在嵌段共聚物层12表面的透明导电材料膜22的部分成为电极10中的透明导电膜13。

本申请提供的电极10可以用于光电器件中，尤其是有机光电器件中，如OLED器件中。本申请提供了一种OLED器件，包括上述任一实施例中的电极10。具有该电极10的OLED器件具有优异的出光效率，有利于OLED器件在显示装置中的应用。请参阅图23，为本申请一实施方式提供的OLED器件的结构示意图，OLED器件100包括层叠设置的衬底30、阳极40、有机发光层50和阴极60，阳极40和阴极60中的至少一个包括上述电极10。也就是说，本申请提供的电极10可以作为阳极40，也可以作为阴极60。在本申请中，衬底30可以但不限于具有透光性能，如玻璃衬底、塑胶衬底等；有机发光层50还可以包括层叠设置的空穴传输层、有机材料层以及电子传输层，空穴传输层设置在阳极40和有机发光材料层之间，电子传输层设置在有机材料层和阴极60之间。OLED器件100的发光过程包括载流子注入、载流子传输、载流子复合、激子迁移以及激子辐射退激发出光子，本申请提供的电极10不仅可以提高OLED器件100的出光效率，同时还能够有效增加OLED器件100的载流子注入，拓宽载流子复合区，提高OLED器件100的电流效率，提升OLED器件100的发光效率。

在本申请一实施例中，OLED器件100中的阳极40为电极10，对比例中采用ITO作为阳极40，其余结构相同，对两者的出光效率进行比较发现，具有本申请电极10的OLED器件100的出光效率提高了5％以上。进一步的，具有本申请电极10的OLED器件100的出光效率提高了5％-10％，有利于OLED器件100的应用。

本申请还提供了一种显示装置，显示装置包括上述OLED器件100，从而有利于提升显示装置的使用性能。本申请还提供了一种电子设备，包括上述任一实施例的OLED器件100。可以理解的，电子设备可以但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、手表、MP3、MP4、GPS导航仪、数码相机等。在本申请实施方式中，电子设备包括壳体以及与壳体相连的显示装置，显示装置包括上述OLED器件100。本申请提供的电子设备具有优异的显示性能，更能够满足使用需求。

以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种电极，其特征在于，包括透明导电层和嵌段共聚物层，所述透明导电层的表面具有多个凹槽，所述嵌段共聚物层设置在所述凹槽内，所述嵌段共聚物层呈褶皱状。

2.如权利要求1所述的电极，其特征在于，相邻所述凹槽之间的间距为10nm-100nm。

3.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述凹槽呈周期性排布。

4.如权利要求3所述的电极，其特征在于，相邻所述凹槽之间的间距相等。

5.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述嵌段共聚物层的厚度为10nm-100nm。

6.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述电极还包括透明导电膜，所述透明导电膜设置在所述嵌段共聚物层的表面，且与所述透明导电层连接。

7.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述嵌段共聚物层的材质包括至少两个聚合物嵌段，所述聚合物嵌段包括聚苯乙烯嵌段、聚甲基丙烯酸甲酯嵌段、聚二甲基硅烷嵌段、聚乙烯吡咯烷酮嵌段、聚氧化乙烯嵌段和聚丁二烯嵌段中的至少一种。

8.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述凹槽的深度为100nm-200nm，所述凹槽开口的横向尺寸为微纳级。

9.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述凹槽的开口呈多边形、圆形和环形中的至少一种。

10.一种电极的制备方法，其特征在于，包括：

在透明导电衬底的表面成型多个通槽，得到透明导电基底；

在所述通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层呈褶皱状；

在所述嵌段共聚物层的表面成型透明导电材料膜，所述透明导电材料膜与所述透明导电基底连接，得到电极。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，成型所述透明导电材料膜之前，还包括对所述嵌段共聚物层进行刻蚀。

12.一种电极的制备方法，其特征在于，包括：

在透明导电衬底的表面成型多个非贯通槽，得到透明导电基板；

在所述非贯通槽中涂覆嵌段共聚物溶液，经自组装后得到嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层呈褶皱状，得到电极。

13.一种OLED器件，其特征在于，包括层叠设置的衬底、阳极、有机发光层和阴极，所述阳极和所述阴极中的至少一个包括权利要求1-9任一项所述的电极或权利要求10-12任一项所述的制备方法制得的电极。

14.一种电子设备，其特征在于，包括壳体以及与所述壳体相连的显示装置，所述显示装置包括权利要求13所述的OLED器件。

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