CN114200783A - 一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法。其通过对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。本发明能有效改善曝光区域之间的拼接效果，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。

Description

一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法
技术领域
本发明涉及一种图形拼接方法，尤其是一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法。
背景技术
无掩模激光直写光刻使用数字微镜器件(DMD)的数字掩模代替传统光刻的物理掩模，增强了光刻的灵活性。同时，通过将DMD倾斜一定的角度，在竖直方向和水平方向，实现亚像素级的DMD高精度扫描。
所谓的亚像素，是比像素更小的单位，即若干个亚像素组合在一起形成一个像素。一个DMD像元对应一个像素，利用DMD倾斜扫描，可以使得图形数据按照亚像素精度在DMD上显示。但是由于倾斜扫描，使图像的正反曝光区域之间不可避免地产生拼接。此外，由于镜头畸变以及其他因素的存在，会使得拼接区域的图像偏移或者模糊，难以满足高精度、高分辨率的工业需求。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其能有效改善曝光区域之间的拼接效果，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。
按照本发明提供的技术方案，一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；
对任一镜头，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，所述镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，且镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度；
对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。
对任意相邻的两个镜头，利用所述相邻的两个镜头投图时，位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域邻接；根据所述相邻的两个镜头的角度以及相应位置，确定重复曝光剪切区以及镜头间三角拼接区，其中，镜头间三角拼接区包括形成于左侧镜头的反曝光区域内的镜头间反曝光三角拼接区以及形成于右侧镜头的正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区，且镜头间正曝光三角拼接区与镜头间反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头间水平拼接长度；
对任意相邻两个镜头，对位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域进行图形拼接时，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，r为0.5～0.9。
镜头内水平拼接长度为N像素时，修正对镜头内正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素的范围内相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素的范围内有效曝光次数保持不变；对镜头内反曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围内的有效曝光次数保持不变，剩余的长度为S像素的范围内修正相应的有效曝光次数，从而使得镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相应的重复曝光次数之和满足(N-S)次，以满足镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，N-S＝kN，N为正整数。
镜头间水平拼接长度为N像素时，镜头间正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围内有效曝光次数保持不变，修整剩余的长度为S像素范围内相应的有效曝光次数；修正镜头间反曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素范围内的有效曝光次数保持不变不，从而使得镜头间正曝光三角拼接区和镜头间反曝光三角拼接区的重复曝光次数之和满足(N-S)次，以满足镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，N-S＝rN，N为正整数。
本发明的优点：对于一镜头内的镜头内三角拼接区，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，即可实现一镜头内正曝光区域与反曝光区域之间的直接拼接；
对于相邻的两个镜头，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，即能实现相邻镜头的镜头间三角拼接区的有效拼接；
可降低拼接区域的能量来削减镜头畸变产生的图像偏移和模糊，从而降低边缘分辨率对镜头的畸变指标的要求，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。
附图说明
图1为本发明利用与DMD相应镜头投图得到图形的示意图。
图2为本发明得到镜头内三角拼接区以及镜头间三角拼接区的示意图。
图3为本发明在进行图形拼接时的数据示意图。
图4为本发明对重复曝光剪切区剪切删除的示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
为了能有效改善曝光区域之间的拼接效果，可满足高精度、高分辨率的工业需求，本发明的用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，具体地，对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；
对任一镜头，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，所述镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，且镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度；
对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。
具体地，采用本技术领域常用的技术手段实现对DMD进行标定，如通过静态投图方式，具体标定的方式以及过程均为本技术领域人员所熟知。在对DMD标定后，能确定与DMD相对应任一镜头的角度以及相应位置，具体确定与DMD相对应任一镜头的角度以及相应位置的情况为本技术领域人员所熟知。
图1中，利用与DMD相对应镜头投图得到图形的示意图，其中，一个镜头对应一个曝光区域，根据镜头的位置划分曝光区域，图1中，Lens1，Lens2，Lens3，……分别为一镜头对应的曝光区域。同时，对于一个镜头的曝光区域，又可以划分为正曝光区域以及反曝光区域，图1中，region1、region2分别为一个镜头的正曝光区域与反曝光区域，同理，region3、region4分别为另一镜头相对应的正曝光区域与反曝光区域，其余的情况以此类推，与现有相一致，为本技术领域人员所熟知。
如图2所示，当镜头处于倾斜状态时，由所述镜头投图时，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，此时，利用镜头内三角拼接区直接曝光时，会存在重复曝光的现象，即需要进行图形拼接处理，所述图形拼接具体是指通过修正像素曝光次数，降低三角形拼接区域的能量，并且每个亚像素曝光位置能量又一致。
本发明实施例中，镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，如图2所示。具体地，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度。
具体实施时，对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9，即实现所需图形拼接的目的。
如图2和图3所示，镜头内水平拼接长度为N像素时，修正对镜头内正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素的范围内相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素的范围内有效曝光次数保持不变；对镜头内反曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围内的有效曝光次数保持不变，剩余的长度为S像素的范围内修正相应的有效曝光次数，从而使得镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相应的重复曝光次数之和满足(N-S)次，以满足镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，N-S＝kN，N为正整数。
本发明实施例中，对镜头内水平拼接长度，可以通过DMD的总行数以及镜头倾斜状态下的细分数计算得到，具体确定镜头内水平拼接长度的方式以及过程为本技术领域人员所熟知。在确定镜头内水平拼接长度后，即可确定镜头内正曝光三角拼接区、镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围，即为N个像素，具体确定镜头内水平拼接长度的方式以及过程为本技术领域人员所熟知。此外，还能通过本技术领域常用的技术手段确定镜头内正曝光三角拼接区以及镜头内反曝光三角拼接区未修正前相应的有效曝光次数，具体确定有效曝光次数的方式以及过程可根据需要设置。
图3中，左上角为图1和图2中的正曝光区域region1，中间部分为图1和图2的反曝光区域region2。图3中的mould即为掩膜数据，具体实施时，修正对镜头内正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素的范围内相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素的范围内有效曝光次数保持不变。由上述说明可知，确定镜头内正三角拼接区相应的掩膜数据，掩膜数据包括相应像素长度的有效曝光次数。修正对镜头内正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素的范围内相应的有效曝光次数，具体是指增加镜头内正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素的范围内的无效曝光次数，减少有效曝光次数；剩余的长度为S像素的范围内有效曝光次数保持不变，即保持原有的有效曝光次数。对镜头内反曝光三角拼接区有效曝光次数的修正或保持情况，具体修正或保持的过程可以参考镜头内正曝光三角拼接区的说明。
本发明实施例中，当镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相应的重复曝光次数之和满足(N-S)次，也就是镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍。S的大小一般可根据实际需要选择。
进一步地，对任意相邻的两个镜头，利用所述相邻的两个镜头投图时，位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域邻接；根据所述相邻的两个镜头的角度以及相应位置，确定重复曝光剪切区以及镜头间三角拼接区，其中，镜头间三角拼接区包括形成于左侧镜头的反曝光区域内的镜头间反曝光三角拼接区以及形成于右侧镜头的正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区，且镜头间正曝光三角拼接区与镜头间反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头间水平拼接长度；
对任意相邻两个镜头，对位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域进行图形拼接时，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，r为0.5～0.9。
由图1和图2可知，在DMD内，对任意相邻的两个镜头，在投图时会存在重叠区域，由于镜头畸变造成数据偏离目标位置，从而引起图像的偏移或模糊，如果镜头畸变显著，并且走线较粗，会造成短路；此外，镜头位置测量误差，导致数据分割不可避免地存在偏离。在实际应用中，DMD倾斜角度越大，三角区域就越大，从而对拼接效果的影响就越大。
因此，为了能实现对相邻镜头的图形进行有效拼接，需要将重叠区域剪切删除，即将重叠区域确定为重复曝光剪切区。对于重叠区域的大小，在对DMD标定时即可确定，如可用设备相机测量得到坐标值，然后计算得到重叠区域大小，具体确定方式以及过程为本技术领域人员所熟知。如图4所示，以正曝光区域region3为例，对于一帧图像的每一个DMD行数据(2048bit)，除了左右两端各64bit的无效数据，使用cut屏蔽1920bit中的数据，此数据就是重复数据(即图1中的cut部分)。
由上述说明可知，由于一个镜头能同时得到正曝光区域以及反曝光区域，而对于相邻的两个镜头时，一个镜头位于左侧，另一镜头位于右侧，其中，位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域邻接。因此，根据镜头的倾斜情况，左侧镜头投图得到的反曝光区域与右侧镜头投图得到的正曝光区域会存在镜头间三角拼接区。具体实施时，镜头间三角拼接区包括形成于左侧镜头的反曝光区域内的镜头间反曝光三角拼接区以及形成于右侧镜头的正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区，且镜头间正曝光三角拼接区与镜头间反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头间水平拼接长度，一般地，镜头间水平拼接长度与镜头内水平拼接长度相一致，具体为本技术领域人员所熟知。
任意相邻两个镜头，对位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域进行图形拼接时，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，具体可采用本技术领域常用的技术手段对重复曝光剪切区具体剪切删除，具体剪切删除的方式以及过程为本技术领域人员所熟知。
此外，配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍。本发明实施例中，设置镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍时，即可实现镜头间图形拼接的目的。
进一步地，镜头间水平拼接长度为N像素时，镜头间正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围内有效曝光次数保持不变，修整剩余的长度为S像素范围内相应的有效曝光次数；修正镜头间反曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素范围内的有效曝光次数保持不变不，从而使得镜头间正曝光三角拼接区和镜头间反曝光三角拼接区的重复曝光次数之和满足(N-S)次，以满足镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，N-S＝rN，N为正整数。
具体地，确定镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光三角拼接区有效曝光次数的具体方式，可以参考图3以及上述说明。
综上，对于一镜头内的镜头内三角拼接区，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，即可实现一镜头内正曝光区域与反曝光区域之间的直接拼接；
对于同一行相邻的两个镜头，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，即能实现相邻镜头的镜头间三角拼接区的有效拼接；
本发明的图形拼接方式，可降低拼接区域的能量来削减镜头畸变产生的图像偏移和模糊，从而降低边缘分辨率对镜头的畸变指标的要求，灵活性高，可满足高精度、高分辨率的工业需求。

Claims (4)

1.一种用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其特征是：对DMD进行标定，以确定与DMD相应任一镜头的角度以及相应位置；
对任一镜头，根据所述镜头的角度确定所述镜头投图形成的镜头内三角拼接区，所述镜头内三角拼接区包括形成于正曝光区域内的镜头内正曝光三角拼接区以及形成于反曝光区域内的镜头内反曝光三角拼接区，镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相互邻接，且镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头内水平拼接长度；
对一镜头投图形成的一正曝光区域与反曝光区域进行图形拼接时，配置镜头内正曝光三角拼接区的镜头内正曝光三角拼接区曝光参数以及镜头内反曝光三角拼接区的镜头内反曝光三角拼接区曝光参数，并使得得镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，k为0.5～0.9。
2.根据权利要求1所述的用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其特征是：对任意相邻的两个镜头，利用所述相邻的两个镜头投图时，位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域邻接；根据所述相邻的两个镜头的角度以及相应位置，确定重复曝光剪切区以及镜头间三角拼接区，其中，镜头间三角拼接区包括形成于左侧镜头的反曝光区域内的镜头间反曝光三角拼接区以及形成于右侧镜头的正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区，且镜头间正曝光三角拼接区与镜头间反曝光三角拼接区在水平方向的范围均为镜头间水平拼接长度；
对任意相邻两个镜头，对位于左侧镜头投图得到的反曝光区域与位于右侧镜头投图得到的正曝光区域进行图形拼接时，将右侧镜头的正曝光区域内相应的重复曝光剪切区剪切删除，并配置镜头间反曝光区域的镜头间反曝光三角拼接区曝光参数以及镜头间正曝光区域的镜头间正曝光三角拼接区曝光参数，且使得得镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，r为0.5～0.9。
3.根据权利要求1或2所述的用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其特征是：镜头内水平拼接长度为N像素时，修正对镜头内正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素的范围内相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素的范围内有效曝光次数保持不变；对镜头内反曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围内的有效曝光次数保持不变，剩余的长度为S像素的范围内修正相应的有效曝光次数，从而使得镜头内正曝光三角拼接区与镜头内反曝光三角拼接区相应的重复曝光次数之和满足(N-S)次，以满足镜头内正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头内反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为镜头内水平拼接长度所包含的像素数量的k倍，其中，N-S＝kN，N为正整数。
4.根据权利要求2所述的用于无掩模激光高精度扫描的图形拼接方法，其特征是：镜头间水平拼接长度为N像素时，镜头间正曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围内有效曝光次数保持不变，修整剩余的长度为S像素范围内相应的有效曝光次数；修正镜头间反曝光三角拼接区长度为(N-S)像素范围相应的有效曝光次数，剩余的长度为S像素范围内的有效曝光次数保持不变不，从而使得镜头间正曝光三角拼接区和镜头间反曝光三角拼接区的重复曝光次数之和满足(N-S)次，以满足镜头间正曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数与镜头间反曝光三角拼接区曝光参数内的有效曝光次数之和为与镜头间水平拼接长度所包含的像素数量的r倍，其中，N-S＝rN，N为正整数。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040214099A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure apparatus and method
CN104536269A (zh) * 2014-10-24 2015-04-22 江苏影速光电技术有限公司 倾斜式扫描中利用dmd三角区域进行拼接改善的方法
JP2015102777A (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 株式会社リコー 光ビーム走査装置、光ビーム走査装置の走査方法、光ビーム走査装置の走査プログラム、光ビーム走査装置の走査プログラムを格納した記録媒体および画像形成装置
CN108062007A (zh) * 2016-11-07 2018-05-22 俞庆平 一种提高光刻能量均匀性和改善拼接的方法
CN108062005A (zh) * 2016-11-07 2018-05-22 俞庆平 一种直写式丝网制版***的拼接改善方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040214099A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure apparatus and method
JP2015102777A (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 株式会社リコー 光ビーム走査装置、光ビーム走査装置の走査方法、光ビーム走査装置の走査プログラム、光ビーム走査装置の走査プログラムを格納した記録媒体および画像形成装置
CN104536269A (zh) * 2014-10-24 2015-04-22 江苏影速光电技术有限公司 倾斜式扫描中利用dmd三角区域进行拼接改善的方法
CN108062007A (zh) * 2016-11-07 2018-05-22 俞庆平 一种提高光刻能量均匀性和改善拼接的方法
CN108062005A (zh) * 2016-11-07 2018-05-22 俞庆平 一种直写式丝网制版***的拼接改善方法

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