CN114156646A - 辐射单元、天线及基站 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种辐射单元、天线及基站，一种辐射单元，包括辐射部和为辐射部馈电的馈电部，所述辐射部包括辐射体与抑制导体，所述抑制导体沿所述辐射体的轮廓的边缘设置，且所述抑制导体与所述辐射体之间具有缝隙，以构成缝隙耦合关系，所述抑制导体与所述辐射体响应外部高频信号穿过所述缝隙时所产生的高频谐振而激励出流向相反的两路感应电流。本发明的辐射单元通过设置多个抑制导体抵消因外部高频信号透射而激励产生的高频感应电流，使得辐射单元维持其辐射性能，以便于本发明的辐射单元作为低频辐射单元与高频辐射单元共阵设置。

Description

辐射单元、天线及基站

技术领域

本发明属于移动通信技术领域，具体涉及一种辐射单元、配置了所述辐射单元的天线以及配置了所述天线的基站。

背景技术

随着现代移动通信技术的迅猛发展，用户对于高容量、低时延通信的需求与日俱增，由此第五代移动通信网络应运而生。在国内5G移动通信网络建设过程中，需要多种网络制式协同发展，例如5G与4G网络同时工作；但不同的网络制式需要采用不同频段的天线，使得每个基站站址上的天线数量急剧增加，极大地增加了天线基站站址的建设和维护费用，导致了天线环境资源的浪费，且过多的天线也会影响城市面貌。因此，业内采用将多种制式的天线集成为一体，以形成一种小尺寸、共口径与集成化的多频天线来满足移动通信的应用需求，以期解决目前5G天面空间不足，挂高不够、覆盖不广以及性能不佳等问题。

一般4G天线主要采用低频辐射单元，5G天线主要采用高频辐射单元，低频辐射单元的体积大于高频辐射单元的体积。在多频天线中，各辐射单元被放置于一个有限的空间内，低频辐射单元与高频辐射单元共口径设置时，存在强烈的交叉频带散射干扰，不可避免地会对高频辐射单元产生遮挡，使得低频辐射单元将会被高频辐射单元发射的高频信号激励而产生高频感应电流，从而影响多频天线的电气性能，造成不同频带天线之间的端口隔离度恶化与方向图畸变等问题，进而影响多频天线合成波束的性能。

发明内容

本发明的首要目的在于解决上述问题至少之一而提供一种辐射单元、天线及基站。

为满足本发明的各个目的，本发明采用如下技术方案：

适应本发明的目的之一而提供一种辐射单元，包括辐射部和为辐射部馈电的馈电部，所述辐射部包括辐射体与抑制导体，所述抑制导体沿所述辐射体的轮廓的边缘设置，且所述抑制导体与所述辐射体之间具有缝隙，以构成缝隙耦合关系，所述抑制导体与所述辐射体响应外部高频信号穿过所述缝隙时所产生的高频谐振而激励出流向相反的两路感应电流。

进一步的，所述抑制导体成对设置，该成对设置的抑制导体关于所述辐射部所在极化的极化轴线呈对称结构。

进一步的，所述辐射体以线状本体围闭成封闭结构，所述抑制导体设置于所述封闭结构的内侧和/或外侧；或者，所述辐射体以线状本体布置成开放结构，所述抑制导体设置于所述线状本体的其中一侧；或者，所述辐射体以块状本体或线状本体设置成条状结构，所述抑制导体设置于所述块状本体或线状本体的外侧。

具体的，所述抑制导体设有内部镂空结构。

进一步的，所述抑制导体由一个节段或多个节段相连接构成，所述节段呈直线段状或曲线段状。

进一步的，每个抑制导体/节段均呈长条状，每个抑制导体/每个节段的延伸长度为外部高频信号的工作波长的0.1至0.45倍之间，所述抑制导体/节段和所述辐射体的缝隙距离为所述外部高频信号的工作波长的0.001至0.1倍之间。

进一步的，所述辐射体与所述抑制导体设置于介质板的同一面，或者，所述辐射体设置于介质板的正面，所述抑制导体设置于介质板的反面，或者，所述辐射体设置于介质板的反面，所述抑制导体设置于介质板的正面。

进一步的，所述抑制导体的其中一个节段与所述辐射体轮廓上的其中一条边空间相交。

适应本发明的目的之一而提供一种天线，包括反射板与辐射阵列，所述辐射阵列包括构成低频辐射阵列的低频辐射单元列与构成高频辐射单元阵列的高频辐射单元列，至少存在一个低频辐射单元列布设于多个高频辐射单元列之间，所述布设于多频高频辐射单元列之间的低频辐射单元为如上一目的任意一项所述的辐射单元，在面向反射板的投影方向上，至少一个所述的低频辐射单元的投影完全或部分覆盖所述高频辐射单元列中与之相邻的多个高频辐射单元的投影。

适应本发明的目的之一而提供一种基站，该基站配置有如上一目的所述的天线，用于发射该基站通行的信号。

相对于现有技术，本发明的优势如下：

首先，本发明的辐射单元沿辐射体的轮廓设置多个抑制导体，当外部高频信号透射所述辐射单元，辐射体与所述抑制导体之间被激励出两路流向相反的高频感应电流，辐射体与抑制导体之间相互缝隙耦合，以相互抵消该两路高频感应电流，以使得当外部高频信号透射时，不影响辐射单元的方向图与端口隔离度等辐射性能的稳定性，以便于本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵设置。

其次，本发明的辐射单元可通过控制辐射体与抑制导体之间的缝隙距离，以控制辐射单元抵消高频感应电流的性能，以便于与相对应信号频率的高频辐射单元共阵设置。

再次，本发明的辐射单元的抑制导体的结构与布设形式简单，便于沿辐射体的轮廓间隔设置所述多个抑制导体，简化加工工艺，节省生产成本，便于大规模的生产制造。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为发明的典型实施例的辐射单元的俯视示意图。

图2为本发明的典型实施例的辐射单元的辐射臂的结构示意图。

图3为本发明的辐射单元的抑制导体与辐射体之间的感应电流流向示意图。

图4为本发明的一个实施例的辐射单元的俯视透视示意图。

图5为本发明的另一个实施例的辐射单元的俯视透视示意图。

图6为本发明的再一个实施例的辐射单元的俯视示意图。

图7为本发明的又一个实施的辐射单元的俯视示意图。

图8为本发明典型实施例的辐射单元与传统的辐射单元的雷达散射截面值的对比图。

图9为本发明典型实施例的辐射单元与高频辐射单元共阵时，本发明的辐射单元的端口驻波比图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是实例性的，仅用于解释本发明而不能解释为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本发明提供了一种辐射单元，该辐射单元沿其辐射体的轮廓设有多个抑制导体，所述抑制导体与所述辐射体之间缝隙耦合，当外部高频信号透射抑制导体与辐射体之间的缝隙时，产生高频谐振，抑制导体与辐射体之间产生两路流向相反的高频感应电流，该两路高频感应电流相互缝隙耦合，因流向不同而相互抵消，以降低散射效应，增强匹配特征，使得本发明的辐射单元便于与高频辐射单元共阵设置。

结合图1，所述辐射单元10包括以极化正交设置的两对辐射臂20，该两对辐射臂20关于同一中心点呈对称结构，所述辐射臂20包括辐射部21和为辐射部21馈电的馈电部22。

抑制导体212沿所述辐射体211的轮廓边缘设置，所述抑制导体212与所述辐射体211之间具有间隔，不相连接。所述辐射体211与所述抑制导体212设置于同一平面上，或者辐射体211与抑制导体212不设置于同一平面上。所述辐射体211的轮廓包括其外轮廓与内轮廓，所述抑制导体212与辐射体211的外轮廓或内轮廓间隔设置，构成缝隙耦合关系，在外部高频信号的透射下，抑制导体212与辐射体211之间的缝隙产生高频谐振，抑制导体212与辐射体211之间产生两路流向相反的感应电流，该两路感应电流相互耦合抵消。

在本发明的典型实施例中，结合图2，所述辐射部21包括辐射体211与多个抑制导体212，该多个抑制导体212顺次沿所述辐射体211的轮廓边缘设置。所述多个抑制导体212在结构上互不相连，且抑制导体212在结构上与辐射体211互不相连。抑制导体212沿所述辐射体211的轮廓间隔设置，抑制导体212与所述辐射体211之间构成缝隙耦合关系。

结合图3，当外部高频信号透射辐射单元10时，居于同一缝隙24两侧的抑制导体212与辐射体211之间产生高频谐振，抑制导体212相应的产生一路高频感应电流(称该路高频感应电流为第一高频感应电流)，辐射体211相应的产生一路高频感应电流(称该路高频感应电流为第二高频感应电流)，第一高频感应电流与第二高频感应电流的流向相反。

因抑制导体212与辐射体211之间构成缝隙耦合关系，抑制导体212可将辐射体211上的部分第二高频感应电流耦合至其上，耦合至抑制导体212上的第二高频感应电流抵消部分第一高频感应电流，同理的，辐射体211可将抑制导体212上的部分第一高频感应电流耦合至其上，耦合至辐射体211上的第一高频感应电流抵消部分第二高频感应电流。

由此，辐射体211与抑制导体212之间相互耦合抵消高频感应电流，且沿辐射体211的外轮廓设有多个抑制导体212，该多个抑制导体212与辐射体211共同作用，以抵消因高频谐振产生的高频感应电流，使得当外部高频信号透射时，不会影响本发明的辐射单元10的辐射性能。

结合图1与图2，所述抑制导体212有一个节段构成，该节段呈直线段状(称该抑制导体212为第一抑制导体213)，第一抑制导体213沿辐射体211外轮廓设置，且第一抑制导体213不与辐射体211相接。所述第一抑制导体213可与所述辐射体211设置于同一参考平面上，在部分实施例中，第一抑制导体213与辐射体211也可以设置于不同平面上。在一个实施例中，构成第一抑制导体的节段也可呈曲线段状。

第一抑制导体213与辐射体211的其中一条边相对应缝隙耦合，称该条边为耦合边2111。所述耦合边2111为辐射体211的一条完整的边或为辐射体211的一条边的其中一个区段或者由辐射体211的多条边相组合形成。

第一抑制导体213与所述耦合边2111相互平行，第一抑制导体213的各个区段距离耦合边2111的距离相等，使得第一抑制导体213与耦合边2111之间均匀地耦合，且均匀相互耦合抵消高频感应电流。在部分实施例中，第一抑制导体213与所述耦合边2111之间的耦合缝隙也可呈不等间距，或者说呈不规则缝隙耦合，也可以起到在高频信号穿过时产生高频谐振的作用。

在一个实施例中，结合图4与图5，所述抑制导体212由多个节段2141组合而成，所述节段2141呈直线段状或曲线段状。

在进一步的实施例中，参照图5所示，以矩形环状辐射体211为例，部分所述抑制导体212可以是由两个节段形成具有夹角的抑制导体212(称该抑制导体212为第二抑制导体214)。所述节段2141呈直线段状，两个节段2141形成夹角的角度在0至180度之间，具体在本实施例中该夹角呈直角。所述第二抑制导体214对应设置于辐射体211的两条边相交区段处，第二抑制导体214的两个节段2141分别与辐射体211的相邻两条边中的其中一条相缝隙耦合。第二抑制导体214的两个节段2141之间的夹角的大小与该第二抑制导体214所对应的辐射体211的相邻两条边之间的夹角的大小相对应。在其他实施例中，若辐射体为其他形状，例如圆环形，抑制导体的节段也可相应的呈弧形。

在一个实施例中，结合图6，部分所述抑制导体212由两个节段2151组成，形成具有钝角的抑制导体212(称该抑制导体212为第三抑制导体215)。两个节段2151形成夹角的角度在0至180度之间，具体在本实施例中该夹角呈钝角。

应当理解的是，对于由多个节段依次连接而成的抑制导体212，其节段2141的数量可以不做限制；相邻节段2141之间的连接过渡也不限于夹角，例如可以是圆弧、曲线等；对于同一辐射体211设有多个抑制导体212的情况，各个抑制导体212可以为相同形状(例如图1和图2所示)，可以部分相同，也可以为各不相同形状，对此不作限制。

在一个实施例中，抑制导体212或节段的长度为外部高频信号的工作波长的0.1至0.45倍之间，抑制导体212或节段和所述辐射体211之间的缝隙24距离为外部高频信号的工作波长的0.001至0.1倍之间。如此，可以起到较好的散射抑制作用。

在一个实施例中，所述抑制导体212设有内部镂空结构，以减少对透射辐射单元10的外部高频信号的阻挡。在部分实施例中，所述内部镂空结构的形状可以与所述抑制导体212的形状相对应。

所述多个抑制导体212沿所述辐射体211的轮廓边缘依次设置，所述多个抑制导体212均匀地分布于辐射体211的轮廓边缘的其中一侧，以便于该多个抑制导体212可均匀地各自与相对应的耦合边2111相缝隙耦合，相互抵消高频感应电流。

在一个实施例中，所述多个抑制导体212成对设置，成对设置的抑制导体212关于所述辐射臂20所在极化的极化轴线呈对称关系，多对抑制导体212关于极化轴线呈对称关系，使得所述多个抑制导体212可关于极化轴线均匀地与相对应的耦合边2111相耦合，在辐射体211的各个部分均匀地耦合抵消高频感应电流。

在本发明的典型实施例中，结合图1与图2，所述辐射体211由线状本体2112围成封闭结构，也即是说，辐射体211由线状本体2112围成环状结构。所述线状本体2112构成辐射体211的边，线状本体2112中的与抑制导体212相耦合的区段为所述耦合边2111。所述多个抑制导体212均匀地布设于所述环状结构的辐射体211的外轮廓的其中一侧，也即是说，抑制导体212既可以设置于环状结构的辐射体211的内侧，也可以设置于环状结构的辐射体211的外侧，每个抑制导体212与各自相对应的耦合边2111相缝隙耦合。

具体言之，所述辐射体211由线状本体2112围成六边形环状结构2113，辐射体211的六条边均为所述的耦合边2111，抑制导体212的数量对应为六个。该六个抑制导体212与相对应的耦合边2111之间相互平行设置，且六个抑制导体212分为三对，每对抑制导体212关于所在辐射体211所处极化的极化轴线呈对称结构。优选的，在该典型实施例中，所应用的抑制导体为所述第一抑制导体213。

结合图8，图8为本发明典型实施例的辐射单元10与传统的辐射单元的雷达散射截面值的对比图。由图8可知，本发明的辐射单元10的雷达散射截面值远低于传统辐射单元的雷达散射截面值，本发明的辐射单元10的辐射性能远高于传统的辐射单元的辐射性能。

在一个实施例中，结合图4，所述辐射体211由线状本体2112围成矩形环状结构2114，该矩形环状的辐射体211包括四条边，该四条边与多个抑制导体212相互耦合。

具体言之，在本实施例中，所述矩形环状的辐射体211与六个抑制导体212相互耦合。其中六个抑制导体212中的四个抑制导体为所述第一抑制导体213，所述四个第一抑制导体213分别与所述辐射体211的四条边相互缝隙耦合；六个抑制导体212中剩余的两个抑制导体为第二抑制导体214。所述第二抑制导体214对应设置于所述矩形环状的辐射体211的两条边相交区段处，第二抑制导体214的两个节段分别与辐射体211的相邻的两条边中的其中一条相缝隙耦合。

在本实施例中，所述辐射体211设置于第一参考平面上，所述抑制导体212设置于第二参考平面上，所述第一参考平面与所述第二参考平面相互平行。在第一参考平面的投影方向上，所述多个抑制导体212的投影均匀地设置于所述辐射体211的投影的外轮廓的内侧或外侧。

在基于该实施例的进一步的实施例中，结合图5，在第一参考平面的投影方向上，所述第二抑制导体214的其中一个节段2141的投影与所述辐射体211的其中一条边的投影相交。

具体言之，第二抑制导体214的两个节段2141分别为第一节段2142与第二节段2143，其中第一节段2142与辐射体211的第一边216相耦合，第二节段2143与辐射体211的第二边217相耦合。

在第二参考平面的投影方向上，所述第一节段2142的投影与第二边217的投影相交，且第一节段2142的投影与所述第一边216的投影相平行，第一节段2142的部分投影设置于所述辐射体211的投影之内，也即是说，所述第一节段2142与所述第二边217空间相交，第二抑制导体214与所述辐射体211之间实现缝隙耦合关系。

在一个实施例中，所述辐射体由线状本体围成多边形环状或圆环状或椭圆环状。

在一个实施例中，结合图6，所述辐射体211由线状本体2112绕折呈开放结构，也即是说，所述辐射体211不为封闭结构。由线状本体2112绕折呈开放结构的辐射体211的外轮廓没有严格意义上的外侧，线状本体2112的两侧均为该呈开放结构的辐射体211的外轮廓的外侧，抑制导体212可设置线状本体2112的其中一侧。

在本实施例中，所述辐射体211由线状本体2112绕折成L形结构2115，具体言之，所述辐射体211由第三边218与第四边219相接而成，第三边218与第四边219相互垂直，第三边218与第四边219等长，第三边218与第四边219各自的一端相接，第三边218与第四边219相接处设置于所述馈电部22。

所述多个抑制导体212设置于所述L形辐射体2115的设有直角的一侧(称该侧为第一侧)，该多个抑制导体212沿L形辐射体2115的第一侧间隔设置。

在一个实施例中，所述L形辐射体2115的外轮廓之外同时加载第一抑制导体213与第三抑制导体215，所述第一抑制导体213与所述第三抑制导体215的数量与所述辐射体211的长度尺寸相关。例如，在L形辐射体2115上加载一对第一抑制导体213与一对第三抑制导体215。

在一个实施例中，所述多个抑制导体设置于所述L形辐射体的未设有直角的一侧(称该侧为第二侧)，该多个抑制导体沿所述L形辐射体的第二侧均匀设置。

在进一步的实施例中，所述多个抑制导体间隔设置于所述L形辐射体的线状本体的第一侧与第二侧。

在一个实施例中，结合图7，所述辐射体211由块状本体2116构成，以使辐射体211呈长条状结构。所述多个抑制导体212设置于所述辐射体211的外轮廓之外，且该多个抑制导体212沿所述辐射体211的外轮廓顺次设置。

所述块状本体2116的横向宽度较大，仅在块状本体2116的横向方向其中一侧设置所述抑制导体212不能良好的将块状本体2116上的高频感应电流完全耦合至抑制导体212上，完全抵消块状本体2116上的高频感应电流。因此，本发明在块状本体2116的长度方向两侧均设置抑制导体212，使得设置于块状本体2116长度方向两侧的抑制导体212可完全耦合块状本体2116上的高频感应电流，完全抵消块状本体2116上的高频感应电流。

在本实施例中，所述辐射体211由呈矩形状的块状本体2116构成，所述多个抑制导体212顺次设置于所述辐射体211的外轮廓之外。在本实施例中，辐射体211外加载的抑制导体为所述第一抑制导体213。

在一个实施例中，所述辐射体由线状本体构成长条状结构，所述抑制导体设置线状本体的其中一侧。

在本发明的典型实施例中，所述辐射体211与所述抑制导体212均设置于第一参考平面上。具体的，所述第一参考平面为介质板23的正面或反面上。

在一个实施例中，所述辐射体211设置于所述第一参考平面上，所述抑制导体212设置于所述第二参考平面上，所述第一参考平面与所述第二参考平面相互平行。具体的，所述第一参考平面为介质板23的正面，所述第二参考平面为介质板23的反面。

在一个实施例中，所述第一参考平面为介质板23的反面，所述第二参考平面为介质板23的正面。

本发明还提供了一种天线，该天线包括反射板与设置于反射板上的低频辐射单元列与高频辐射单元列。所述低频辐射单元列包括多个彼此并联馈电的低频辐射单元，所述低频辐射单元为上文所述的辐射单元10，所述高频辐射单元列包括多个彼此并联馈电的高频辐射单元60。所述低频辐射单元10与所述高频辐射单元60相邻设置，且低频辐射单元10于反射板上的投影完全覆盖或部分覆盖与之相邻的高频辐射单元60于反射板上的投影。

所述低频辐射单元列与高频辐射单元列均沿同一轴线共线布阵，因低频辐射单元列的低频辐射单元为上文所述的辐射单元10，低频辐射单元10可通过多个抑制导体抵消被高频辐射单元60发射的高频信号激励产生的高频感应电流，不会影响低频辐射单元10与高频辐射单元60的辐射性能。

结合图9，图9为本发明典型实施例的辐射单元与高频辐射单元共阵时，本发明的辐射单元的端口驻波比图。图9中示意出了本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵时的结构示意图；在于高频辐射单元共阵时，本发明的辐射单元的±45°极化端口的驻波在690MHz～960MHz频段内都小于1.5。由此，本发明的辐射单元在与高频辐射单元共阵时，具有良好的端口驻波比。

本发明还提供了一种基站，所述基站配置了上文所述的天线，通过所述天线接收或发射相应频段的天线信号。

综上所述，本发明的辐射单元通过设置多个抑制导体抵消因外部高频信号透射而激励产生的高频感应电流，使得辐射单元维持其辐射性能，以便于本发明的辐射单元作为低频辐射单元与高频辐射单元共阵设置。

以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中发明的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。

Claims (10)

1.一种辐射单元，包括辐射部和为辐射部馈电的馈电部，其特征在于，所述辐射部包括辐射体与抑制导体，所述抑制导体沿所述辐射体的轮廓的边缘设置，且所述抑制导体与所述辐射体之间具有缝隙，以构成缝隙耦合关系，所述抑制导体与所述辐射体响应外部高频信号穿过所述缝隙时所产生的高频谐振而激励出流向相反的两路感应电流。

2.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述抑制导体成对设置，该成对设置的抑制导体关于所述辐射部所在极化的极化轴线呈对称结构。

3.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射体以线状本体围闭成封闭结构，所述抑制导体设置于所述封闭结构的内侧和/或外侧；或者，所述辐射体以线状本体布置成开放结构，所述抑制导体设置于所述线状本体的其中一侧；或者，所述辐射体以块状本体或线状本体设置成条状结构，所述抑制导体设置于所述块状本体或线状本体的外侧。

4.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述抑制导体设有内部镂空结构。

5.如权利要求1至4任意一项所述的辐射单元，其特征在于，所述抑制导体由一个节段或多个节段相连接构成，所述节段呈直线段状或曲线段状。

6.如权利要求5所述的辐射单元，其特征在于，每个抑制导体/节段均呈长条状，每个抑制导体/每个节段的延伸长度为外部高频信号的工作波长的0.1至0.45倍之间，所述抑制导体/节段和所述辐射体的缝隙距离为所述外部高频信号的工作波长的0.001至0.1倍之间。

7.如权利要求1任意一项所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射体与所述抑制导体设置于介质板的同一面，或者，所述辐射体设置于介质板的正面，所述抑制导体设置于介质板的反面，或者，所述辐射体设置于介质板的反面，所述抑制导体设置于介质板的正面。

8.如权利要求5或6所述的辐射单元，其特征在于，所述抑制导体的其中一个节段与所述辐射体轮廓上的其中一条边空间相交。

9.一种天线，包括反射板与辐射阵列，所述辐射阵列包括构成低频辐射阵列的低频辐射单元列与构成高频辐射单元阵列的高频辐射单元列，其特征在于，至少存在一个低频辐射单元列布设于多个高频辐射单元列之间，所述布设于多频高频辐射单元列之间的低频辐射单元为如权利要求1至8任意一项所述的辐射单元，在面向反射板的投影方向上，至少一个所述的低频辐射单元的投影完全或部分覆盖所述高频辐射单元列中与之相邻的多个高频辐射单元的投影。

10.一种基站，其特征在于，该基站配置有如权利要求9所述的天线，用于发射该基站通行的信号。

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