CN114144897A - 接合体及弹性波元件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。接合体9A具备：支撑基板6、压电性材料基板1A、以及支撑基板与压电性材料基板之间的多层膜22。多层膜22具备按以下顺序具有第一层3、第二层7A、第三层3以及第四层7A的层叠结构2。第一层3及第三层3包含硅氧化物，第二层7A及第四层7B包含金属氧化物。第二层7A的折射率高于第一层3的折射率及第三层3的折射率。第二层7A的折射率与第四层7B的折射率不同。
Description
技术领域
本发明涉及压电性材料基板与支撑基板的接合体及弹性波元件。
背景技术
已知移动电话等中所使用的能够作为滤光元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。
在将压电基板与硅基板接合时，已知在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接键合(专利文献1)。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接键合(等离子体活化法)。
另外，已知所谓的FAB(Fast Atom Beam)方式的直接键合法(专利文献2)。在该方法中，在常温下对各接合面照射中性化原子束来进行活化，实施直接键合。
另外，提出了如下方案，即，在压电性单晶基板与支撑基板之间设置包含Ta2O5等的中间层，对中间层和支撑基板分别照射中性束，由此使表面活化，实施直接键合(专利文献3)。
专利文献4中，提出了如下结构，即，在支撑基板与压电性材料基板之间设置有将多个SiO2层或Ta2O5层进行层叠得到的多层膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第7213314B2
专利文献2：日本特开2014－086400
专利文献3：WO2017/163722A1
专利文献4：WO2018/154950 A1
发明内容
对于专利文献3的弹性波元件，在面向中频率(面向0.7～3.5GHz的4G等)的情况下，发现Q值等特性改善。但是，在面向高频率(面向3.5～6GHz的5G等)的情况下，得知Q值的改善较少。
另外，像专利文献4中所记载那样，在支撑基板与压电性材料基板之间***有SiO2/Ta2O5的多层膜的弹性波元件中，将从压电性材料基板朝向支撑基板漏出的弹性波利用多层膜进行反射，实现了损耗降低。但是，判明：在面向高频率(面向3.5～6GHz的5G等)的情况下，即便是这种弹性波元件，Q值的提高也未必充分。
本发明的课题在于：提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。
本发明的特征在于，具备：
支撑基板、
压电性材料基板、以及
所述支撑基板与所述压电性材料基板之间的多层膜，
所述多层膜具备按以下顺序具有第一层、第二层、第三层以及第四层的层叠结构，
所述第一层及所述第三层包含硅氧化物，所述第二层及第四层包含金属氧化物，所述第二层的折射率高于所述第一层的折射率及所述第三层的折射率，所述第二层的所述折射率与所述第四层的折射率不同。
本发明涉及一种弹性波元件，其特征在于，具备：
前述接合体、以及
设置在前述压电性材料基板上的电极。
发明效果
本发明的发明人针对像专利文献4中所记载那样在支撑基板与压电性材料基板之间***有SiO2/Ta2O5的多层膜的弹性波元件，研究了：在面向高频率(面向3.5～6GHz的5G等)的情况下，Q值的提高未必充分的原因。结果，推测：由于适合于中频(4G等)的多层膜品质和适合于更高频(5G等)的多层膜品质不同，所以，在高频区域中，很难得到期望的Q值。
本发明的发明人基于上述推测，在多层膜内设置按以下顺序具有第一层、第二层、第三层以及第四层的层叠结构，此时，使第一层及第三层为硅氧化物，使第二层及第四层为折射率比硅氧化物的折射率高的金属氧化物。并且，使包含金属氧化物的第二层的折射率和第四层的折射率不同，由此发现Q值得到进一步改善。特别是，即便在高频带(5G带)中，也发现得到高Q值，实现了本发明。
附图说明
图1中，(a)表示在压电性材料基板1上设置有多层膜22的状态，(b)表示在多层膜22上设置有接合层4的状态，(c)表示将接合层4的表面活化的状态。
图2中，(a)表示将支撑基板6的表面活化的状态，(b)表示支撑基板与压电性材料基板的接合体9。
图3中，(a)表示通过加工而使接合体9A的压电性材料基板1A变薄的状态，(b)表示在接合体9A设置有电极的状态。
图4中，(a)表示将设置在多层膜上的接合层4和设置在支撑基板6上的接合层14直接键合得到的接合体9B，(b)表示在接合体9B的压电性材料基板1A上设置电极11得到的弹性波元件10B。
图5中，(a)表示将多层膜22和支撑基板6直接键合得到的接合体9C，(b)表示在接合体9C的压电性材料基板1A上设置有电极的状态。
图6是表示第四层的折射率和第二层的折射率不同时利用光学椭偏法得到的折射率分布的图表。
图7是表示第二层及第四层的折射率相同且相对低时利用光学椭偏法得到的折射率分布的图表。
图8是表示第二层及第四层的折射率相同且相对高时利用光学椭偏法得到的折射率分布的图表。
具体实施方式
以下，适当参照附图，对本发明详细地进行说明。
如图1(a)所示，压电性材料基板1具有一对表面1a、1b。在该一个表面1a形成多层膜22。本例中，通过在压电性材料基板1上设置例如2个层叠结构2而得到多层膜22。各层叠结构2为如下结构，即，从压电性材料基板1侧观察，交替地设置有第一层3A、第二层7A、第三层3B、第四层7B。应予说明，本例中，从压电性材料基板侧，将第一层、第二层、第三层、第四层依次层叠，不过，也可以为：从压电性材料基板1侧观察，将第四层、第三层、第二层、第一层依次层叠。
如图1(b)所示，可以在多层膜22的表面22a进一步设置接合层4。这种情况下，如图1(c)所示，可以像箭头A那样对接合层4的表面照射中性束，使接合层4的表面活化，制成活化面5。
另一方面，如图2(a)所示，像箭头B那样对支撑基板6的表面照射中性束，使支撑基板6的表面活化，制成活化面6a。接下来，如图2(b)所示，使第一接合层4的活化面5和支撑基板6的活化面6a直接接触，施加压力，由此如图2(b)所示得到接合体9。箭头C为接合边界。
优选的实施方式中，对接合体9的压电性材料基板1的表面1b进一步进行研磨加工，如图3(a)所示，使压电性材料基板1A的厚度变小，得到接合体9A。1c为研磨面。图3(b)中，在压电性材料基板1A的研磨面1c上形成规定的电极11，由此制作弹性波元件10A。
优选的实施方式中，在支撑基板上也设置接合层14，与多层膜上的接合层直接键合。由此，得到图4(a)所示的接合体9B。接合边界以箭头C表示。如图4(b)所示，通过在该接合体的压电性材料基板1A上设置电极11，能够得到弹性波元件10B。
另外，优选的实施方式中，将支撑基板和多层膜直接键合。由此，得到图5(a)所示的接合体9C。将接合边界以箭头C表示。如图5(b)所示，通过在该接合体的压电性材料基板1A上设置电极11，能够得到弹性波元件10C。
本发明中，在支撑基板与压电性材料基板之间设置的多层膜具备按以下顺序具有第一层、第二层、第三层以及第四层的层叠结构，第一层及第三层包含硅氧化物，第二层及第四层包含金属氧化物，第二层的折射率高于第一层的折射率及第三层的折射率，第二层的折射率和第四层的折射率不同。第一层、第二层、第三层以及第四层可以从支撑基体侧趋向压电性材料基板侧依次排列，或者，可以从压电性材料基板侧趋向支撑基体侧依次排列。
构成第一层及第三层的硅氧化物优选组成为SiOx(1.80≤x≤2.50)。
另外，构成第二层及第四层的金属氧化物没有特别限定，从提高Q值的观点出发，特别优选为铪氧化物、钽氧化物或锆氧化物。
此处，铪氧化物的组成优选为HfOz(1.80≤z≤2.50)。钽氧化物的组成优选为Ta2Oy(4.60≤y≤5.50)。另外，锆氧化物的组成优选为ZrOz(1.80≤z≤2.50)。
优选的实施方式中，多层膜具有多个前述层叠结构。由此，折射率调制变得有效，Q值更有效地降低。多层膜所具有的层叠结构的数量优选为2以上。不过，如果层叠结构的数量过多，则支撑基板对压电性材料基板的约束效果降低，因此，层叠结构数优选为5以下，更优选为3以下。
从本发明的观点出发，第二层的折射率与第一层的折射率之差、第二层的折射率与第三层的折射率之差优选为0.2以上，更优选为0.3以上。另一方面，第二层的折射率与第一层的折射率之差、第二层的折射率与第三层的折射率之差优选为0.8以下，更优选为0.6以下。
从本发明的观点出发，第四层的折射率与第二层的折射率之差优选为0.02以上，更优选为0.03以上。另一方面，该差优选为0.10以下。
第一层、第三层包含硅氧化物，折射率通常为1.40～1.58。第一层的折射率和第三层的折射率优选大致相同，从该观点出发，第一层的折射率与第三层的折射率之差优选为0.01以下。不过，通过使第一层的折射率和第三层的折射率不同，能够使Q值进一步提高，因此，从该观点出发，优选使第一层与第三层的折射率之差为0.02以上，更优选为0.03以上。但是，该差优选为0.10以下。
在以下的条件下，测定各层的折射率。
采用高速分光椭偏仪，利用以下装置及测定条件，实施测定。
“装置”
M-2000(J.A.Woollam公司制)、旋转补偿器型
“测定条件”
入射角：65、70、75度
测定波长：195～1680nm
光束直径：2mm×8mm
然后，实施以下解析。
“解析模型”
金属氧化物/硅氧化物/金属氧化物/硅氧化物/金属氧化物/硅氧化物/金属氧化物/硅氧化物/基板
“解析方法”
将测定得到的Δ(相位差)和ψ(振幅反射率)的图谱与根据上述解析模型计算出的Δ、ψ进行比较，以接近测定值(Δ、ψ)的方式改变介电函数或膜厚，进行拟合。对于各膜的光学常数，将根据单层成膜时的参考得到的值设为初始值。基于测定值和理论值进行最佳拟合(均方误差收敛到最小值)的结果，得到折射率的波长分散。
第一层的厚度、第二层的厚度、第三层的厚度以及第四层的厚度分别优选为20nm以上，更优选为100nm以上。另一方面，如果各层的厚度过厚，则支撑基板对压电性材料基板的约束变弱，因此，从该观点出发，各层的厚度优选为300nm以下。
构成多层膜的第一层、第二层、第三层、第四层的成膜方法没有限定，可例示：溅射(sputtering)法、化学气相生长法(CVD)、蒸镀。例如，溅射的情况下，可以根据有无偏置电压而使第二层的折射率和第四层的折射率发生变化。即，通过外加偏置电压，能够使金属氧化物层的折射率相对升高，通过不外加偏置电压，能够使相同的金属氧化物层的折射率降低。另外，离子辅助蒸镀的情况下，可以通过辅助能量来调整各层的折射率。即，通过使辅助能量增大，能够使金属氧化物层的折射率相对升高，通过使辅助能量减小，能够使相同的金属氧化物层的折射率降低。
构成多层膜的各层的具体制造条件取决于腔体规格，因此，适当选择，不过，优选例中，使总压为0.28～0.34Pa，使氧分压为1.2×10-3～5.7×10－2Pa，使成膜温度为常温。
优选的实施方式中，可以在压电性材料基板与支撑基板之间设置一层或多层的接合层。作为上述接合层的材质，可例示以下材质。
Si(1－v)Ov、Ta2O5、Al2O3、Nb2O5、TiO2。
更优选的实施方式中，在支撑基板与压电性材料基板之间设置的所述接合层的组成为Si(1－v)Ov(0.008≤v≤0.408)。
该组成是：与SiO2(与v＝0.667对应)相比，氧比率相当低的组成。通过进一步夹有包含该组成的硅氧化物Si(1－v)Ov的接合层，能够使接合层的绝缘性进一步提高。
构成各接合层的Si(1－v)Ov的组成中，如果v小于0.008，则接合层的电阻降低。因此，优选使v为0.008以上，更优选为0.010以上，特别优选为0.020以上，特别优选为0.024以上。另外，通过使v为0.408以下，使得接合强度进一步提高，因此，优选使v为0.408以下，更优选为0.225以下。
各接合层的厚度没有特别限定，从制造成本的观点出发，优选为0.01～10μm，更优选为0.01～0.5μm。
各接合层的成膜方法没有限定，可例示：溅射(sputtering)法、化学气相生长法(CVD)、蒸镀。此处，特别优选为，在将溅射靶设为Si的反应性溅射时，调整向腔体内流动的氧气量，由此能够控制各接合层的氧比率(v)。
各接合层的具体制造条件取决于腔体规格，因此，适当选择，不过，优选例中，使总压为0.28～0.34Pa，使氧分压为1.2×10-3～5.7×10-2Pa，使成膜温度为常温。另外，作为Si靶，可例示掺杂有B的Si。
通过EDS，在以下的条件下，测定接合层的氧浓度。
测定装置：
采用元素分析装置(日本电子JEM-ARM200F)，进行元素分析。
测定条件：
针对利用FIB(聚焦离子束)法进行薄片化的样品，以加速电压200kV进行观察。
本发明中，支撑基板可以由单晶构成，也可以由多晶构成。支撑基板的材质优选选自由硅、硅铝氧氮陶瓷、蓝宝石、堇青石、多铝红柱石以及氧化铝构成的组。氧化铝优选为透光性氧化铝。
硅可以为单晶硅，也可以为多晶硅，另外，可以为高阻硅。
硅铝氧氮陶瓷为将氮化硅和氧化铝的混合物烧结得到的陶瓷，具有如下组成。
Si6－wAlwOwN8－w
即，硅铝氧氮陶瓷具有在氮化硅中混合有氧化铝的组成，w表示氧化铝的混合比率。w更优选为0.5以上。另外，w更优选为4.0以下。
蓝宝石为具有Al2O3的组成的单晶，氧化铝为具有Al2O3的组成的多晶。堇青石为具有2MgO·2Al2O3·5SiO2的组成的陶瓷。多铝红柱石为具有3Al2O3·2SiO2～2Al2O3·SiO2的范围的组成的陶瓷。
压电性材料基板的材质具有需要的压电性即可，没有限定，优选为具有LiAO3的组成的单晶。此处，A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素。因此，LiAO3可以为铌酸锂，也可以为钽酸锂，还可以为铌酸锂－钽酸锂固溶体。
以下，对本发明的各构成要素进一步进行说明。
本发明的接合体的用途没有特别限定，例如可以优选用于弹性波元件、光学元件。
作为弹性波元件，已知弹性表面波器件、兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR)等。例如，弹性表面波器件在压电性材料基板的表面设置了激发弹性表面波的输入侧的IDT(Interdigital Transducer)电极(也称为梳形电极、帘状电极)和接收弹性表面波的输出侧的IDT电极。如果对输入侧的IDT电极施加高频信号，则在电极间产生电场，激发弹性表面波并在压电性材料基板上传播。并且，从在传播方向上设置的输出侧的IDT电极，能够将传播的弹性表面波作为电信号输出。
在压电性材料基板的底面可以具有金属膜。在制造兰姆波元件作为弹性波器件时，金属膜发挥出使压电性材料基板的背面附近的机电耦合系数变大的作用。在这种情况下，兰姆波元件成为如下结构：在压电性材料基板的表面形成梳齿电极，利用在支撑基板设置的腔体，压电性材料基板的金属膜暴露出来。作为这样的金属膜的材质，例如可以举出：铝、铝合金、铜、金等。应予说明，在制造兰姆波元件的情况下，可以使用具备在底面不具有金属膜的压电性材料层的复合基板。
另外，在压电性材料基板的底面可以具有金属膜和绝缘膜。在制造薄膜谐振器作为弹性波器件时，金属膜发挥出电极的作用。在这种情况下，薄膜谐振器成为如下结构：在压电性材料基板的表面和背面形成电极，通过使绝缘膜成为腔体，从而压电性材料基板的金属膜暴露出来。作为像这样的金属膜的材质，例如可以举出：钼、钌、钨、铬、铝等。另外，作为绝缘膜的材质，例如可以举出：二氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等。
另外，作为光学元件，可例示：光开关元件、波长转换元件、光调制元件。另外，在压电性材料基板中能够形成周期极化反转结构。
本发明的对象为弹性波元件，在压电性材料基板的材质为钽酸锂的情况下，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、从Y轴向Z轴旋转了123～133°(例如128°)的方向的压电性材料基板由于传播损失小，因此优选。
另外，在压电性材料基板包含铌酸锂的情况下，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、从Y轴向Z轴旋转了86～94°(例如90°)的方向的压电性材料基板由于传播损失小，因此优选。进而，压电性材料基板的大小没有特别限定，例如直径为50～150mm，厚度为0.2～60μm。
为了得到本发明的接合体，优选以下方法。
首先，使待接合的表面(多层膜的表面、接合层的表面、压电性材料基板的表面、支撑基板的表面)平坦化，得到平坦面。此处，使各表面平坦化的方法有精研(lap)研磨、化学机械研磨加工(CMP)等。另外，优选使平坦面为Ra≤1nm，更优选使其为0.3nm以下。
接下来，对各接合层的各表面进行清洗，以便除去研磨剂的残渣、加工变质层。表面的清洗方法有湿洗、干洗、刷洗等，为了简便且高效率地得到清洁表面，优选为刷洗。此时，特别优选：作为清洗液使用Sunwash LH540，然后，使用丙酮与IPA的混合溶液利用刷洗机进行清洗。
接下来，通过对各接合层照射中性束，使各接合面活化。
在采用中性束进行表面活化时，优选使用专利文献2中记载的装置产生中性束，进行照射。即，作为束源，使用鞍域型的高速原子束源。然后，向腔体中导入不活泼气体，从直流电源向电极施加高电压。由此，利用在电极(正极)与壳体(负极)之间产生的鞍域型的电场，电子e运动并生成由不活泼气体产生的原子和离子的射束。在到达了栅格的射束中，离子束在栅格被中和，因此从高速原子束源射出中性原子的射束。构成射束的原子种优选不活泼气体(氩气、氮气等)。
采用射束照射进行活化时的电压优选为0.5～2.0kV，电流优选为50～200mA。
接下来，在真空气氛中，使活化的接合面彼此接触并接合。此时的温度为常温，具体地，优选40℃以下，更优选30℃以下。另外，接合时的温度特别优选20℃以上25℃以下。接合时的压力优选100～20000N。
实施例
(初步实验)
首先，在压电性材料基板上形成氧化硅层、氧化铪层，并记录得到如下各层的成膜条件。不过，为了调整铪氧化物层的折射率，如下调节偏置电压。
硅氧化物层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.52
铪氧化物层(HfO2)：偏置电压100V：
厚度150nm、折射率2.07
铪氧化物层(HfO2)：偏置电压200V：
厚度150nm、折射率2.12
铪氧化物层(HfO2)：偏置电压400V：
厚度150nm、折射率2.15
(实施例A1)
接下来，按参照图1～图3说明的方法，试制弹性表面波元件。
具体地，使用具有OF部、直径为4英寸、厚度为250μm的钽酸锂基板(LT基板)作为压电性材料基板1。LT基板使用了将弹性表面波(SAW)的传播方向作为X、切出角为旋转Y切割板的128°Y切割X传播LT基板。对压电性材料基板1的表面1a进行了镜面研磨以使算术平均粗糙度Ra成为0.3nm。其中，采用原子间力显微镜(AFM)，在10μm×10μm的视野内测定Ra。
接下来，通过溅射法，在压电性材料基板1上依次形成2个层叠结构2，得到多层膜22。不过，在压电性材料基板上，首先形成包含氧化硅的第一层，之后依次形成第二层、第三层、第四层。关于各层的厚度及折射率，按照初步实验，如下调节。
第一层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第二层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.12
第三层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第四层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.07
接下来，在多层膜2上形成接合层4。具体而言，使用直流溅射法，靶使用掺杂有硼的Si。另外，作为氧源，导入氧气。此时，通过调节氧气导入量，对腔体内的气氛的总压和氧分压进行调节。接合层4的厚度为50nm。接合层4的表面的算术平均粗糙度Ra为0.2～0.6nm。接下来，对接合层4进行化学机械研磨加工(CMP)，使膜厚为80～190nm，使Ra为0.08～0.4nm。
另一方面，作为支撑基板6，准备出具有定向平面(OF)部、直径为4英寸、厚度为500μm的包含硅的支撑基板6。利用化学机械研磨加工(CMP)对支撑基板6的表面进行精加工，算术平均粗糙度Ra达到0.2nm。
接下来，对接合层4的表面及支撑基板6即Si基板表面照射中性束，使表面活化，进行直接键合。
具体而言，对接合层4的表面和支撑基板6的表面进行清洗，去除污垢后，导入至真空腔体。抽真空直至10-6多帕后，对各表面照射120sec高速原子束(加速电压1kV、Ar流量27sccm)。接下来，使接合层4的射束照射面(活化面)和支撑基板6的活化面接触后，以10000N加压2分钟，进行接合。接下来，将得到的各例的接合体于100℃加热20小时。利用光学椭偏法，对得到的接合体进行测定，得到图6所示的折射率图表。
接下来，对压电性材料基板1的表面进行磨削及研磨，以使其厚度从当初的250μm变为1μm。接下来，形成测定用电极图案，得到弹性表面波元件。然后，测定频率5.5GHz下的Q值，示于表1。
其中，Q值如下测定。
在晶片上制作表面弹性波谐振器，采用网络分析仪，对频率特性进行测定。根据由此得到的频率特性，计算出共振频率fr及其半值宽度Δfr，求出fr/Δfr，由此得到Q值。
(实施例A2)
与实施例A1同样地得到接合体及弹性表面波元件。其中，构成多层膜的各层如下调节。针对得到的元件，测定频率5.5GHz下的Q值，示于表1。
第一层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第二层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.15
第三层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第四层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.05
(比较例A1)
与实施例A1同样地得到接合体及弹性表面波元件。其中，构成多层膜的各层如下调节。利用光学椭偏法，对得到的接合体进行测定，得到图7所示的折射率图表。另外，针对得到的元件，测定频率5.5GHz下的Q值，示于表1。
第一层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第二层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.07
第三层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第四层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.07
(比较例A2)
与实施例A1同样地得到接合体及弹性表面波元件。其中，构成多层膜的各层如下调节。利用光学椭偏法，对得到的接合体进行测定，得到图8所示的折射率图表。另外，针对得到的元件，测定频率5.5GHz下的Q值，示于表1。
第一层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第二层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.12
第三层(SiO2)：厚度150nm、折射率1.53
第四层(HfO2)：厚度150nm、折射率2.12
[表1]
如表1所示，比较例A1中，将第二层、第四层的折射率调节得较低，如图7所示，第二层、第四层的折射率与初步实验中得到的折射率为相同程度。
比较例A2中，将第二层、第四层的折射率调节得较高，如图8所示，第二层、第四层的折射率与初步实验中得到的折射率为相同程度。另外，Q值与比较例A1中的Q值相同，没有发现使折射率提高带来的效果。
实施例A1中，得到图6所示的折射率分布。
此外，如表1所示，判明：Q值相对于基准值竟提高了20％。
实施例A2中，虽然使第二层的折射率和第四层的折射率发生变化，但是，观察到与图6类似的厚度方向上看到的折射率调制。
此外，如表1所示，判明：Q值相对于基准值有大幅提高。
(实施例B1、B2、比较例B1、B2)
实施例A1、A2、比较例A1、A2中，将第二层的材质从HfO2变更为Ta2O5。然后，针对得到的元件测定Q值，结果，得到与实施例A1、A2、比较例A1、A2同样的结果。
(实施例C1、C2、比较例C1、C2)
实施例A1、A2、比较例A1、A2中，将第二层的材质从HfO2变更为ZrO2。然后，针对得到的元件测定Q值，结果，得到与实施例A1、A2、比较例A1、A2同样的结果。
Claims (9)
1.一种接合体，其特征在于，具备：
支撑基板、
压电性材料基板、以及
所述支撑基板与所述压电性材料基板之间的多层膜，
所述多层膜具备按以下顺序具有第一层、第二层、第三层以及第四层的层叠结构，
所述第一层及所述第三层包含硅氧化物，所述第二层及第四层包含金属氧化物，所述第二层的折射率高于所述第一层的折射率及所述第三层的折射率，所述第二层的所述折射率与所述第四层的折射率不同。
2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，
所述多层膜具有多个所述层叠结构。
3.根据权利要求1或2所述的接合体，其特征在于，
所述金属氧化物为铪氧化物、钽氧化物或锆氧化物。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的接合体，其特征在于，
所述第二层的所述折射率与所述第一层的所述折射率之差为0.3～0.8。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的接合体，其特征在于，
所述第二层的所述折射率与所述第四层的所述折射率之差为0.02以上。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的接合体，其特征在于，
所述第一层的厚度、所述第二层的厚度、所述第三层的厚度以及所述第四层的厚度分别为20nm以上300nm以下。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的接合体，其特征在于，
在所述压电性材料基板与所述支撑基板之间具备组成为Si(1－v)Ov的接合层，其中，0.008≤v≤0.408。
8.一种弹性波元件，其特征在于，具备：
权利要求1～7中的任一项所述的接合体、以及
设置在所述压电性材料基板上的电极。
9.根据权利要求8所述的弹性波元件，其特征在于，
所述弹性波元件用于频率3.5～6GHz的弹性波。
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