CN114141836B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。其包括基板、薄膜晶体管层、封装层、无机间隔层以及触控金属层;薄膜晶体管层设置于基板上,并包括第一金属层,第一金属层包括至少位于换线区内的第一金属走线;封装层设置于薄膜晶体管层远离基板的一侧,封装层包括无机封装子层;无机间隔层与无机封装子层层叠设置于薄膜晶体管层远离基板的一侧;触控金属层设置于无机封装子层以及无机间隔层远离基板的一侧并包括至少位于换线区内的触控走线,触控走线在换线区与第一金属走线电连接;其中,无机封装子层以及无机间隔层均与换线区不重叠设置。本发明可以缩减换线区与显示区之间的距离,减小显示面板的边框宽度。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置中,触摸显示装置提供基于触摸的用户界面,使用户能够直观且方便地直接向装置输入数据或指令,而不是使用传统的数据输入***诸如按钮、键盘或鼠标。因此,触摸显示装置必须能够感测由用户执行的触摸并准确地确定触摸坐标。按感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种,目前市面上OLED显示屏多采用电容式触控面板,利用手指与感应单元的静电结合产生的电容变化,从而检测诱导产生的坐标。
DOT(Direct on touch)已逐渐取代外挂(Add-on)方式成为当前最热门的工艺,DOT是指将触控面板嵌入到基板上方膜层中,目前常见的是在封装层上方制备TP层。相比于外挂式的触控结构,DOT结构更加轻薄且透过率更高,且能够应用在柔性显示基板上。DOT目前分为两种:自容式(SDOT)和互容式(MDOT)两种,自容式是检测每个感应单元自身电容(对GND)的变化;互容式是检测两个交叉感应块之间形成的电容。
其中,在触控面板中,触控电极通过触控走线连接至面板的边框区域,且触控走线穿过换线孔与下层金属层连接,并通过下层金属层电连接至绑定端子,但是,由于封装层中的无机层在沉积过程中会延伸至下边框区域,且厚度越来越薄,因此,相关技术中,为了避免无机层存留在触控走线的换线孔内,进而将换线孔设置在无机层的覆盖范围以外,使得换线孔朝着远离显示区的方向进行设置,导致触控面板的边框宽度变大,不利于触控面板的窄边框需求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够缩减换线区与显示区之间的距离,减小显示面板的边框宽度。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区包括换线区;
所述显示面板还包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上,并包括第一金属层,且所述第一金属层包括至少位于所述换线区内的第一金属走线;
封装层,设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧,且所述封装层包括无机封装子层;
无机间隔层,与所述无机封装子层层叠设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧;以及
触控金属层,设置于所述无机封装子层以及所述无机间隔层远离所述基板的一侧并包括至少位于所述换线区内的触控走线,所述触控走线在所述换线区与所述第一金属走线电连接;
其中,所述无机封装子层以及所述无机间隔层均与所述换线区不重叠设置。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述基板上并位于所述非显示区的挡墙结构,所述挡墙结构位于所述换线区和所述显示区之间;
所述无机封装子层和所述无机间隔层均覆盖所述挡墙结构,并均从所述挡墙结构向远离所述显示区的方向延伸。
在本发明的一种实施例中,在所述挡墙结构远离所述显示区的一侧,所述无机封装子层靠近所述挡墙结构的厚度大于所述无机封装子层远离所述挡墙结构的厚度。
在本发明的一种实施例中,所述无机封装子层和所述无机间隔层在所述非显示区的边界,均位于所述挡墙结构和所述换线区之间。
在本发明的一种实施例中,所述无机封装子层在所述换线区设置有第一开孔;所述无机间隔层对应所述第一开孔设置有第二开孔,所述触控走线通过所述第一开孔和所述第二开孔与所述第一金属走线电连接。
在本发明的一种实施例中,所述无机间隔层还设置在所述第一开孔的侧壁上,所述第二开孔的尺寸小于所述第一开孔的尺寸。
在本发明的一种实施例中,所述薄膜晶体管层在所述换线区设置有第三开孔,所述无机封装子层还设置在所述第三开孔的侧壁上,所述第一开孔的尺寸小于所述第三开孔的尺寸,所述触控走线通过所述第一开孔、所述第二开孔、以及所述第三开孔与所述第一金属走线电连接。
在本发明的一种实施例中,所述封装层包括层叠设置的第一无机封装子层、有机封装子层、第二无机封装子层,所述无机封装子层包括所述第一无机封装子层和所述第二无机封装子层。
根据本发明的上述目的,提供一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区包括换线区;
所述显示面板的制作方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括第一金属层,所述第一金属层包括至少形成于所述换线区内的第一金属走线;
在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成封装层与无机间隔层,且所述封装层包括与所述无机间隔层层叠设置的无机封装子层;
至少去除位于所述换线区内的所述无机封装子层以及所述无机间隔层,以露出所述第一金属走线;以及
在所述无机封装子层与所述无机间隔层远离所述基板的一侧形成触控金属层,所述触控金属层包括至少形成于所述换线区内的触控走线,且所述触控走线在所述换线区与所述第一金属走线电连接。
在本发明的一种实施例中,所述在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成层叠设置的封装层与无机间隔层还包括以下步骤:
在所述薄膜晶体管层中形成位于所述换线区的第三开孔,以露出所述第一金属走线;
在所述薄膜晶体管层上形成层叠的所述无机封装子层与所述无机间隔层,且所述无机封装子层与所述无机间隔层覆盖所述第三开孔的侧壁以及底部。
在本发明的一种实施例中,所述至少去除位于所述换线区内的所述无机封装子层以及所述无机间隔层还包括以下步骤:
至少去除所述第三开孔底部的所述无机封装子层以及所述无机间隔层,以露出所述第一金属走线。
根据本发明的上述目的,提供一种显示装置,所述显示装置包括装置主体以及所述显示面板,或采用所述显示面板的制作方法制得的显示面板,所述装置主体与所述显示面板组合为一体。
本发明的有益效果:本发明通过在封装层的一侧形成无机间隔层,进而相对于现有技术中,可以提高第一金属走线上方的膜层厚度,其包括无机封装子层以及无机间隔层的厚度,且无机间隔层的材料为无机材料,进而在制程上,可以将换线区内的无机封装子层与无机间隔层一起蚀刻以形成开孔,而触控走线在换线区内与第一金属走线进行换线搭接,进而本发明可以将换线区的位置设置为更靠近显示区,不需要考虑由于无机封装子层延伸至换线区内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区与显示区之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的显示面板的一种截面结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的另一种截面结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种俯视结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的另一种截面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的显示面板的另一种截面结构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图;
图8a至图8d为本发明实施例提供的显示面板的一种制作过程中的结构图;
图9a至图9d为本发明实施例提供的显示面板的另一种制作过程中的结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种显示面板,请参照图1,显示面板包括显示区101以及位于显示区101至少一侧的非显示区102,且非显示区102包括换线区1021。
显示面板还包括基板10、薄膜晶体管层20、封装层30、无机间隔层40以及触控金属层50。
其中,薄膜晶体管层20设置于基板10上,且薄膜晶体管层20包括第一金属层21,第一金属层21包括至少位于换线区1021内的第一金属走线211;封装层30设置于薄膜晶体管层20远离基板10的一侧,且封装层30包括无机封装子层31;无机间隔层40与无机封装子层31层叠设置于薄膜晶体管层20远离基板10的一侧;触控金属层50设置于无机封装子层31与无机间隔层40远离基板10的一侧,并包括至少位于换线区1021内的触控走线51,且触控走线51在换线区1021与第一金属走线211电连接。
进一步地,无机封装子层31与无机间隔层40均与换线区1021不重叠设置。
在实施应用过程中,本发明实施例通过在显示面板中设置与无机封装子层31层叠设置的无机间隔层40,进而可以增加位于换线区1021内无机膜层的厚度,以便于在制程中可以同步去除位于换线区1021内的无机封装子层31以及无机间隔层40,而触控走线51在换线区1021与第一金属走线211进行换线搭接,进而本发明可以将换线区1021的位置设置为更靠近显示区101,不需要考虑由于无机封装子层31延伸至换线区1021内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区1021与显示区101之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。
具体地,下面结合具体实施例以对本发明实施例提供的显示面板的结构进行详细描述。
在本发明的一种实施例中,请参照图1以及图2,显示面板包括显示区101以及非显示区102,需要说明的是,在本发明实施例中,以位于显示面板下端的非显示区102为例进行说明。且非显示区102包括换线区1021以及位于换线区1021远离显示区101一侧的弯折绑定区(图中并未示出)。
显示面板还包括基板10、设置于基板10上的薄膜晶体管层20、设置于薄膜晶体管层20上的封装层30、设置于封装层30上的无机间隔层40以及设置于无机间隔层40上的触控金属层50。
其中,薄膜晶体管层20包括薄膜晶体管器件以及覆盖薄膜晶体管器件的绝缘层,具体可包括第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23,进一步地,第一金属层21可包括源极、漏极以及数据线等器件,而第二金属层22可包括栅极以及栅线等器件,而绝缘层23可包括位于上述器件之间的绝缘子层。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板的截面结构图示中,仅示出了显示面板靠近非显示区一侧的结构,且图示中可以表明薄膜晶体管层20包括上述膜层,但是并不限于上述膜层,此外,图示中第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23的叠构方式仅为靠近非显示区102一侧的结构,而第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23在显示区101内的叠构方式可参照常规OLED显示面板中的薄膜晶体管阵列结构进行设置,在此不作限定。
在本实施例中,第一金属层21包括位于显示区101内的源极、漏极以及数据线等,且第一金属层21还包括至少位于换线区1021内的第一金属走线211。
此外,薄膜晶体管层20还包括设置于第一金属层21远离基板10一侧的层间绝缘层70,且层间绝缘层70位于显示区101的部分可用作平坦层,在非显示区102的边缘处也可用作垫高挡墙结构24的一部分,在换线区1021还内可作为绝缘层覆盖于第一金属走线211上。
需要说明的是,显示面板还包括设置于层间绝缘层70上的像素定义层(图中并未示出),且像素定义层在显示区101内形成多个像素开口,每个像素开口内形成有发光单元,像素定义层还在非显示区102内与层间绝缘层70层叠形成挡墙结构24,且挡墙结构24位于显示区101与换线区1021之间。
具体地,挡墙结构24包括设置于靠近显示区101一侧的第一挡墙241以及位于第一挡墙241远离显示区101一侧的第二挡墙242。
封装层30设置于薄膜晶体管层20远离基板10的一侧,且封装层30包括无机封装子层31,需要说明的是,本发明实施例提供的封装层30可以为有机层、无机层的层叠结构,或者无机层、有机层以及无机层的层叠结构,例如封装层30包括第一无机封装子层、有机封装子层以及第二无机封装子层,其中,有机封装子层将被挡墙结构24阻挡,而第一无机封装子层与第二无机封装子层将延伸至非显示区102内,以提高封装效果。本发明实施例中的无机封装子层31包括第一无机封装子层与第二无机封装子层,且本发明实施例提供的图示中仅示出延伸至显示区101边缘以及非显示区102内的无机封装子层31为例,进行说明。
进一步地,在挡墙结构24远离显示区101的一侧,无机封装子层31在靠近挡墙结构24处的厚度大于无机封装子层31远离挡墙结构24处的厚度。
具体地,无机封装子层31包括位于显示区101内的第一无机封装部311以及连接于第一无机封装部311并位于挡墙结构24远离显示区101一侧的第二无机封装部312。具体地,第一无机封装部311可覆盖显示区101并延伸至挡墙结构24远离显示区101的一侧,第二无机封装部312连接于第一无机封装部311,并朝着挡墙结构24远离显示区101的一侧进行延伸,以覆盖换线区1021。其中,由于无机封装子层31在制程中,常采用化学气相沉积法进行制备,使得无机封装子层31在边缘区域的厚度会慢慢减小,即第二无机封装部312在挡墙结构24远离显示区101一侧的厚度变薄,即第二无机封装部312的厚度小于第一无机封装部311的厚度。
无机间隔层40设置于封装层30远离基板10的一侧,且无机间隔层40与无机封装子层31层叠设置,具体地,无机间隔层40与第二无机封装部312层叠设置于非显示区102内,并位于层间绝缘层70上。
进一步地,无机间隔层40包括对应位于第一无机封装部311上的第一无机间隔部401以及对应位于第二无机封装部312上的第二无机间隔部402。
可选的,无机间隔层40与无机封装子层31的材料皆可包括氧化硅以及氮化硅中的至少一者。
在本实施例中,显示面板还包括位于换线区1021内的开孔,无机封装子层31在换线区1021内设置有第一开孔61,无机间隔层40在换线区1021内设置有第二开孔62,薄膜晶体管层20在换线区1021设置有第三开孔63。
具体地,具体地,第二无机封装部312在换线区1021内设置有第一开孔61,第二无机间隔部402在换线区1021内设置有第二开孔62,层间绝缘层70在换线区1021设置有第三开孔63,以露出至少位于换线区1021内的第一金属走线211。
其中,无机间隔层40还设置于第一开孔61的侧壁,且第二开孔62的尺寸小于第一开孔61的尺寸,无机封装子层31还设置于第三开孔63的侧壁,且第一开孔61的尺寸小于第三开孔63的尺寸。
本发明实施例提供的显示面板可用于触控显示面板中,即触控金属层50包括间隔分布于显示区101内的多个触控电极以及连接于各触控电极的触控走线51,且触控走线51延伸至换线区1021内,并穿过第一开孔61、第二开孔62以及第三开孔63与第一金属走线211搭接。即各触控电极通过触控走线51在换线区1021内进行换线,以电连接至第一金属走线211,而第一金属走线211延伸至弯折绑定区与线路板进行绑定连接。以实现将电信号由线路板经由第一金属走线211、触控走线51传输至各触控电极中。
承上,在本发明实施例中,通过在封装层30远离基板的一侧形成无机间隔层40,以增加位于换线区1021内层间绝缘层70上的无机膜层的厚度,进而有利于在蚀刻过程中将换线区1021内的无机封装子层31与无机间隔层40一并去除,而触控走线51通过换线区1021与第一金属走线211进行换线搭接,进而本发明可以将换线区1021的位置设置为更靠近显示区101,不需要考虑由于无机封装子层31延伸至换线区1021内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区1021与显示区101之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。
在本发明的另一种实施例中,请参照图3以及图4,本实施例与上述实施例的区别之处在于,换线区1021的设置范围。在本实施例中,无机封装子层31与无机间隔层40在非显示区102的边界,均位于挡墙结构24与换线区1021之间。
具体地,可去除换线区1021内的无机封装子层31以及无机间隔层40。进一步地,无机封装子层31在挡墙结构24远离显示区101一侧的厚度慢慢减小,在本实施例中可去除位于挡墙结构24远离显示区101一侧且厚度变薄的部分无机封装子层31以及对应该部分无机封装子层31的无机间隔层40,以露出层间绝缘层70位于换线区1021内的部分上表面。
在本实施例中,层间绝缘层70中设置有位于换线区1021内的第三开孔63,且触控走线51通过第三开孔63与第一金属走线211电连接。
承上,在本发明实施例中,通过在封装层30远离基板的一侧形成无机间隔层40,以增加位于换线区1021内层间绝缘层70上的无机膜层的厚度,进而有利于在蚀刻过程中将换线区1021内的无机封装子层31与无机间隔层40一并去除,而触控走线51在换线区1021内与第一金属走线211进行换线搭接,进而本发明可以将换线区1021的位置设置为更靠近显示区101,不需要考虑由于无机封装子层31延伸至换线区1021内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区1021与显示区101之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。且本实施例中去除无机膜层的面积较大,相对于上一实施例而言,对于蚀刻精度需求较小,且可以减小非显示区102内的膜层厚度,当显示面板的非显示区102需要弯折时,可以提高显示面板非显示区102的弯折性能。
在本发明的另一种实施例中,请参照图5,本实施例与第一个实施例的区别之处在于,无机间隔层40设置于封装层30靠近基板10的一侧,即无机间隔层40设置于封装层30与层间绝缘层70之间。
在本实施例中,无机封装子层31在换线区1021内设置有第一开孔61,无机间隔层40在换线区1021内设置有第二开孔62,层间绝缘层70在换线区1021内设置有第三开孔63。
其中,无机封装子层31还设置于第二开孔62的侧壁,且第一开孔61的尺寸小于第二开孔62的尺寸;无机间隔层40还设置于第三开孔63的侧壁,且第二开孔62的尺寸小于第三开孔63的尺寸。
承上,在本发明实施例中,通过在封装层30远离基板的一侧形成无机间隔层40,以增加位于换线区1021内层间绝缘层70上的无机膜层的厚度,进而有利于在蚀刻过程中将换线区1021内的无机封装子层31与无机间隔层40一并去除,而触控走线51通过换线区1021与第一金属走线211进行换线搭接,进而本发明可以将换线区1021的位置设置为更靠近显示区101,不需要考虑由于无机封装子层31延伸至换线区1021内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区1021与显示区101之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。
在本发明的另一种实施例中,请参照图6,本实施例与第二个实施例的区别之处在于,无机间隔层40设置于封装层30靠近基板10的一侧,即无机间隔层40设置于封装层30与层间绝缘层70之间。
在本实施例中,无机封装子层31与无机间隔层40在非显示区102内的边界,均位于挡墙结构24与换线区1021之间。
承上,在本发明实施例中,通过在封装层30远离基板的一侧形成无机间隔层40,以增加位于换线区1021内层间绝缘层70上的无机膜层的厚度,进而有利于在蚀刻过程中将换线区1021内的无机封装子层31与无机间隔层40一并去除,而触控走线51通过换线区1021与第一金属走线211进行换线搭接,进而本发明可以将换线区1021的位置设置为更靠近显示区101,不需要考虑由于无机封装子层31延伸至换线区1021内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区1021与显示区101之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。且本实施例中去除无机膜层的面积较大,相对于上一实施例而言,对于蚀刻精度需求较小,且可以减小非显示区102内的膜层厚度,当显示面板的非显示区102需要弯折时,可以提高显示面板非显示区102的弯折性能。
另外,本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法,且该显示面板即为上述实施例中所述的显示面板,该显示面板包括显示区101以及位于显示区101至少一侧的非显示区102,且非显示区102包括换线区1021,请参照图1以及图7,该显示面板的制作方法包括:
S10、提供基板10。
S20、在基板10上形成薄膜晶体管层20,薄膜晶体管层20包括第一金属层21,第一金属层21包括至少形成于换线区1021内的第一金属走线211。
S30、在薄膜晶体管层20远离基板10的一侧形成封装层30与无机间隔层40,且封装层30包括与无机间隔层40层叠设置的无机封装子层31。
S40、至少去除位于换线区1021内的无机封装子层31以及无机间隔层40,以露出第一金属走线211。
S50、在无机封装子层31与无机间隔层40远离基板10的一侧形成触控金属层50,触控金属层50包括至少形成于换线区1021内的触控走线51,且触控走线51在换线区1021与第一金属走线211电连接。
具体地,在本发明的一种实施例中,请参照图1、图2、图7以及图8a至图8d,该显示面板的制作方法包括:
提供基板10。
在基板10上形成薄膜晶体管层20,且薄膜晶体管层20包括第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23,进一步地,第一金属层21可包括源极、漏极以及数据线等器件,而第二金属层22可包括栅极以及栅线等器件,而绝缘层23可包括位于上述器件之间的绝缘子层。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板的截面结构图示中,仅示出了显示面板靠近非显示区102一侧的结构,且图示中可以表明薄膜晶体管层20包括上述膜层,但是并不限于上述膜层,此外,图示中第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23的叠构方式仅为靠近非显示区102一侧的结构,而第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23在显示区101内的叠构方式可参照常规OLED显示面板中的薄膜晶体管阵列结构进行设置,在此不作限定。
在本实施例中,第一金属层21包括位于显示区101内的源极、漏极以及数据线等,且第一金属层21还包括位于换线区1021内的第一金属走线211。
薄膜晶体管层20还包括设置于第一金属层21远离基板10的一侧的层间绝缘层70,且层间绝缘层70的材料包括有机材料,层间绝缘层70位于显示区101的部分可用作平坦层,在换线区1021内可作为绝缘层覆盖于第一金属走线211上。
然后,在层间绝缘层70远离基板10的一侧形成像素定义层(图中并未示出),像素定义层在显示区101内形成多个像素开口,每个像素开口内形成有发光单元,像素定义层还在非显示区102内与层间绝缘层70层叠形成挡墙结构24。具体包括设置于靠近显示区101一侧的第一挡墙241以及位于第一挡墙241远离显示区101一侧的第二挡墙242。
接着,在层间绝缘层70位于换线区1021的部分形成第三开孔63,以露出第一金属走线211的部分上表面。
在层间绝缘层70远离基板10的一侧形成封装层30,且封装层30包括无机封装子层31,而无机封装子层31包括位于显示区101内的第一无机封装部311以及连接于第一无机封装部311并位于挡墙结构24远离显示区101一侧的第二无机封装部312。具体地,第一无机封装部311可覆盖显示区101并延伸至挡墙结构24远离显示区101的一侧,第二无机封装部312连接于第一无机封装部311,并朝着挡墙结构24远离显示区101的一侧进行延伸,以覆盖换线区1021。其中,由于无机封装子层31可采用化学气相沉积法进行制备,进而使得无机封装子层31在其边缘处厚度将变薄,以使得第二无机封装部312的厚度小于第一无机封装部311的厚度。
其中,第二无机封装部312还覆盖第三开孔63的底部和侧壁。
在封装层30远离基板10的一侧形成无机间隔层40,且无机间隔层40包括位于对应位于第一无机封装部311上的第一无机间隔部401以及位于对应位于第二无机封装部312上的第二无机间隔部402。
其中,第二无机间隔部402还覆盖第三开孔63的底部和侧壁,即覆盖于第二无机封装部312上。
可选的,无机间隔部40的材料包括氧化硅以及氮化硅中的至少一者。
在无机间隔层40上涂布光布81,且光阻81在第三开孔63处留有开口,并去除第三开孔63底部的第二无机间隔部402以及第二无机封装部312,以在第二无机封装部312中形成第一开孔61,在第二无机间隔部402中形成第二开孔62,以露出第一金属走线211的部分上表面。
然后,去除光阻81。
在无机间隔层40远离基板10的一侧形成触控金属层50,且触控金属层50包括位于显示区101内且间隔分布的多个触控电极,以及连接于触控电极的触控走线51,且触控走线51延伸至换线区1021内并穿过第一开孔61、第二开孔62以及第三开孔63与第一金属走线211电性连接。
在本发明的另一种实施例中,请参照图3、图4、图7以及图9a至图9d,该显示面板的制作方法包括:
提供基板10。
在基板10上形成薄膜晶体管层20,且薄膜晶体管层20包括第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23,进一步地,第一金属层21可包括源极、漏极以及数据线等器件,而第二金属层22可包括栅极以及栅线等器件,而绝缘层23可包括位于上述器件之间的绝缘子层。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板的截面结构图示中,仅示出了显示面板靠近非显示区一侧的结构,且图示中可以表明薄膜晶体管层20包括上述膜层,但是并不限于上述膜层,此外,图示中第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23的叠构方式仅为靠近非显示区102一侧的结构,而第一金属层21、第二金属层22以及绝缘层23在显示区101内的叠构方式可参照常规OLED显示面板中的薄膜晶体管阵列结构进行设置,在此不作限定。
在本实施例中,第一金属层21包括位于显示区101内的源极、漏极以及数据线等,且第一金属层21还包括位于换线区1021内的第一金属走线211。
薄膜晶体管层20还包括设置于第一金属层21远离基板10一侧的层间绝缘层70,且层间绝缘层70的材料包括有机材料,层间绝缘层70位于显示区101的部分可用作平坦层,在换线区1021内可作为绝缘层覆盖于第一金属走线211上。
然后,在层间绝缘层70远离基板10的一侧形成像素定义层(图中并未示出),像素定义层在显示区101内形成多个像素开口,每个像素开口内形成有发光单元,像素定义层还在非显示区102内与层间绝缘层70层叠形成挡墙结构24。具体包括设置于靠近显示区101一侧的第一挡墙241以及位于第一挡墙241远离显示区101一侧的第二挡墙242。
接着,在层间绝缘层70位于换线区1021的部分形成第三开孔63,以露出第一金属走线211的部分上表面。
在层间绝缘层70远离基板10的一侧形成封装层30,且封装层30包括无机封装子层31,而无机封装子层31包括位于显示区101内的第一无机封装部311以及连接于第一无机封装部311并位于挡墙结构24远离显示区101一侧的第二无机封装部312。具体地,第一无机封装部311可覆盖显示区101并延伸至挡墙结构24远离显示区101的一侧,第二无机封装部312连接于第一无机封装部311,并朝着挡墙结构24远离显示区101的一侧进行延伸,以覆盖换线区1021。其中,由于无机封装子部31可采用化学气相沉积法进行制备,进而使得无机封装子层31在其边缘处厚度将变薄,以使得第二无机封装部312的厚度小于第一无机封装部311的厚度。
其中,第二无机封装部312还覆盖第三开孔63的底部和侧壁。
在封装层30远离基板10的一侧形成无机间隔层40,且无机间隔层40包括对应第一无机封装部311的第一无机间隔部401以及对应第二无机封装部312的第二无机间隔部402。
其中,第二无机间隔部402还覆盖第三开孔63的底部和侧壁,即覆盖于第二无机封装部312上。
可选的,无机间隔部40的材料包括氧化硅以及氮化硅中的至少一者。
在无机间隔层40上涂布光阻82,且光阻82至少覆盖挡墙结构24靠近显示区101的一侧,并露出换线区1021内无机封装子层31与无机间隔层40,接着,去除未被光阻82覆盖的无机封装子层31与无机间隔层40,以露出第三开孔63的底部和侧壁以及位于未被光阻82覆盖的层间绝缘层70的上表面;可选的,可去除第二无机封装部312以及第二无机间隔部402。
然后,去除光阻82。
在无机间隔层40远离基板10的一侧形成触控金属层50,且触控金属层50包括位于显示区101内且间隔分布的多个触控电极,以及连接于触控电极的触控走线51,且触控走线51延伸至换线区1021并穿过第三开孔63与第一金属走线211电性连接。
另外,本发明实施例还提供一种显示装置,显示装置包括装置主体以及上述实施例中所述的显示面板,或采用上述实施例中所述的显示面板的制作方法制得的显示面板,装置主体与显示面板组合为一体。
综上所述,本发明实施例通过在显示面板中设置于无机封装子层31层叠设置的无机间隔层40,进而可以增加位于换线区1021内无机膜层的厚度,进而有利于在蚀刻过程中将换线区1021内的无机封装子层31与无机间隔层40一并去除,而触控走线51通过换线区1021与第一金属走线211进行换线搭接,进而本发明可以将换线区1021的位置设置为更靠近显示区101,不需要考虑由于无机封装子层31延伸至换线区1021内,由于厚度太薄而无法有效蚀刻,导致接触不良的现象发生,进而可以缩减换线区1021与显示区101之间的距离,减小显示面板的边框宽度,实现窄边框显示面板。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区包括换线区;
所述显示面板还包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上,并包括第一金属层,且所述第一金属层包括至少位于所述换线区内的第一金属走线;
封装层,设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧,且所述封装层包括无机封装子层;
无机间隔层,与所述无机封装子层层叠设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧;以及
触控金属层,设置于所述无机封装子层以及所述无机间隔层远离所述基板的一侧并包括至少位于所述换线区内的触控走线,所述触控走线在所述换线区与所述第一金属走线电连接;
挡墙结构,设置于所述基板上并位于所述非显示区内,所述挡墙结构位于所述换线区和所述显示区之间,所述无机封装子层和所述无机间隔层均覆盖所述挡墙结构,并均从所述挡墙结构向远离所述显示区的方向延伸;
其中,所述无机封装子层以及所述无机间隔层均与所述换线区不重叠设置,所述无机封装子层和所述无机间隔层在所述非显示区的边界,均位于所述挡墙结构和所述换线区之间,或者,所述无机封装子层在所述换线区设置有第一开孔,所述无机间隔层对应所述第一开孔设置有第二开孔,所述触控走线通过所述第一开孔和所述第二开孔与所述第一金属走线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述挡墙结构远离所述显示区的一侧,所述无机封装子层靠近所述挡墙结构的厚度大于所述无机封装子层远离所述挡墙结构的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机间隔层还设置在所述第一开孔的侧壁上,所述第二开孔的尺寸小于所述第一开孔的尺寸。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层在所述换线区设置有第三开孔,所述无机封装子层还设置在所述第三开孔的侧壁上,所述第一开孔的尺寸小于所述第三开孔的尺寸,所述触控走线通过所述第一开孔、所述第二开孔、以及所述第三开孔与所述第一金属走线电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括层叠设置的第一无机封装子层、有机封装子层、第二无机封装子层,所述无机封装子层包括所述第一无机封装子层和所述第二无机封装子层。
6.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及位于所述显示区至少一侧的非显示区,所述非显示区包括换线区;
所述显示面板的制作方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括第一金属层,所述第一金属层包括至少形成于所述换线区内的第一金属走线;
在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成封装层与无机间隔层,且所述封装层包括与所述无机间隔层层叠设置的无机封装子层;
在同一道制程中至少去除位于所述换线区内的所述无机封装子层以及所述无机间隔层,以露出所述第一金属走线;以及
在所述无机封装子层与所述无机间隔层远离所述基板的一侧形成触控金属层,所述触控金属层包括至少形成于所述换线区内的触控走线,且所述触控走线在所述换线区与所述第一金属走线电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成层叠设置的封装层与无机间隔层还包括以下步骤:
在所述薄膜晶体管层中形成位于所述换线区的第三开孔,以露出所述第一金属走线;
在所述薄膜晶体管层上形成层叠的所述无机封装子层与所述无机间隔层,且所述无机封装子层与所述无机间隔层覆盖所述第三开孔的侧壁以及底部。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述至少去除位于所述换线区内的所述无机封装子层以及所述无机间隔层还包括以下步骤:
至少去除所述第三开孔底部的所述无机封装子层以及所述无机间隔层,以露出所述第一金属走线。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括装置主体以及如权利要求1至5任一项所述的显示面板,或采用如权利要求6至8任一项所述的显示面板的制作方法制得的显示面板,所述装置主体与所述显示面板组合为一体。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962947A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板和显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102451726B1 (ko) * 2016-03-28 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105810716A (zh) * 2016-04-01 2016-07-27 友达光电股份有限公司 柔性显示装置及制备方法
KR20180068011A (ko) * 2016-12-13 2018-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106803514B (zh) * 2017-02-22 2020-06-30 上海天马微电子有限公司 一种集成触控的有机发光二极管显示装置
CN106951125B (zh) * 2017-03-30 2019-09-13 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
KR102330864B1 (ko) * 2017-05-12 2021-11-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102438255B1 (ko) * 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019067254A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ内蔵表示装置、及びタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法
CN114899338A (zh) * 2019-08-30 2022-08-12 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置
CN110854129A (zh) * 2019-10-23 2020-02-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板及oled面板
CN110851019A (zh) * 2019-11-11 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板的制造方法、触控显示面板及显示装置
CN111430440B (zh) * 2020-04-27 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN112667106B (zh) * 2020-12-31 2024-05-28 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962947A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板和显示装置

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