CN114137313B - 桥丝电阻测试的自动校准*** - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012797 qualification Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
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-
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
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Abstract
本发明提供一种桥丝电阻测试的自动校准***、方法及介质，涉及***检测技术领域，该方法包括：主控单元、存储单元、测试模块、***接口电路及***模块；其中，主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；测试模块通过***接口电路与***模块电连接；测试模块收到校准命令后，把测量到的对应电压值回报给主控单元；主控单元计算出对应测量到的电阻值保存到相应的存储单元。本发明能够解决传统测试方法无法消除测试电路本身引入的误差的问题，达到测量桥丝电阻测试值更加精确的效果，保证最终产品的安全性和合格性。
Description
技术领域
本发明涉及***检测技术领域，具体地，涉及一种桥丝电阻测试的自动校准***。
背景技术
电子***的起爆主要靠桥丝电阻的发热产生的热量点燃药头引发，桥丝电阻的阻值是其发热效果的最重要因素，所以施工用的雷子***的桥丝电阻是其中的一个非常关键的器件，需要其有非常精准的阻值要求。但是由于生产工艺的限制，桥丝电阻器件的阻值会有一定的波动范围，所以需要在测试环节把不合格的桥丝电阻删选出来。
公开号为CN113075455A的发明专利，公开了一种电子***桥丝电阻检测方法及装置、电子***及***，该方法包括：获取检测指令；根据检测指令对储能电容充电，以使储能电容的电压值升至目标初始电压值；控制放电模块对储能电容放电，以使储能电容的电压值降至目标终值电压值，并记录储能电容的电压值降至目标终值电压值所用的放电时长；放电模块包括桥丝电阻和放电电阻；根据放电电阻的电阻值、放电时长、目标初始电压值和目标终值电压值计算桥丝电阻的电阻值；将桥丝电阻的电阻值发送至检测设备，以使检测设备根据桥丝电阻的电阻值生成检测结果。
传统的测试方法是直接用单片机的ADC模块通过公式计算得到桥丝电阻值，但是测试电路本身用的放大器、采样电阻、二极管和电容本身会带来一定的测试误差，所以传统测试方法测到的桥丝电阻包含了比较大的误差。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种桥丝电阻测试的自动校准***。
根据本发明提供的一种桥丝电阻测试的自动校准***，所述方案如下：
一种桥丝电阻测试的自动校准***，所述***包括：
主控单元、存储单元、测试模块、***接口电路及***模块；
其中，主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；
测试模块通过***接口电路与***模块电连接；
测试模块收到校准命令后，把测量到的对应电压值回报给主控单元；
主控单元计算出对应测量到的电阻值保存到相应的存储单元。
该***工作方法具体包括以下步骤：
步骤S1：主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；
步骤S2：测试模块收到校准命令，打开内部的电源模块，给***接口电路提供电源；
步骤S3：测试模块通过ADC多次采样得到***接口电路的电压值V2，并把电压值V2回报给主控单元；
步骤S4：主控单元通过电压值V2，计算得到主控单元的电压值V1；
步骤S5：通过电压值V1计算得到测试电阻值Rtest；
步骤S6：根据电阻值Rtest，计算得到测试通路上引入的所有误差Delta，并把该Delta误差记录到存储单元；
步骤S7：在成品电子***的桥丝测试中，用测试得到的桥丝电阻减去误差Delta得到实际的桥丝阻值。
优选的，所述测试模块采用STM32的MCU芯片和相应的***电路制作的模块。
优选的，所述***模块为带标准电阻的***模块，把普通电子***的桥丝电阻替换成高精度的电阻，该电阻阻值是1.5欧姆，精度是千分之一。
优选的，所述存储单元是主控单元的数据区，作为存储介质。
优选的，所述步骤S4包括：主控单元通过电压值V2，计算得到主控单元的电压值V1，计算公式为：
V1＝V2*R15/(R14+R15)
其中，R14和R15分别表示电阻R14和电阻R15的阻值。
优选的，所述步骤S2中给***接口电路提供的电源为3V。
优选的，所述步骤S5包括：主控单元计算得到测试电阻值Rtest，计算公式为：
I1＝(3V-V1)/R13
Rtest＝V1/I1
其中，R13表示电阻R13的阻值。
优选的，所述步骤S6中计算测试通路上引入的所有误差Delta，计算公式为：
Delta＝Rtest-1.5。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
本发明通过先校准再测试的方法，把测试电路引入的误差先记录下来，在测试电子***模块时抵消本身的误差，解决了传统测试方法无法消除测试电路本身引入的误差的问题，达到测量桥丝电阻测试值更加精确的效果，保证了最终产品的安全性和合格性。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明***结构图；
图2为本发明电路结构图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
本发明实施例提供了一种桥丝电阻测试的自动校准***，参照图1所示，该***具体包括，主控单元、存储单元、测试模块、***接口电路及***模块。
其中，主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；测试模块通过***接口电路与***模块电连接；测试模块收到校准命令后，把测量到的对应电压值回报给主控单元；主控单元计算出对应测量到的电阻值保存到相应的存储单元。
测试模块采用STM32的MCU芯片和相应的***电路制作的模块，具有高精度高速率的ADC采样性能。
***模块为带标准电阻的***模块，是把普通电子***的桥丝电阻替换成高精度的电阻，该电阻阻值是1.5欧姆，精度是千分之一。
存储单元是主控单元的数据区，具有高速率的读写速度，是可靠的存储介质。
本发明***工作方法具体包括以下步骤：
步骤S1：参照图1所示，主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；
步骤S2：参照图2所示，测试模块收到校准命令，打开内部的电源模块，给***接口电路提供3V的电源；
步骤S3：测试模块通过ADC多次采样得到图2所示的***接口电路的电压值V2，并把电压值V2回报给主控单元；
步骤S4：主控单元通过电压值V2，计算得到图1所示的电压值V1，计算公式为：
V1＝V2*R15/(R14+R15)
其中，R14和R15分别表示电阻R14和电阻R15的阻值。
步骤S5：通过电压值V1计算得到测试得到的电阻值Rtest；计算公式为：
I1＝(3V-V1)/R13
Rtest＝V1/I1
其中，R13表示电阻R13的阻值。
步骤S6：根据电阻值Rtest，计算得到测试通路上引入的所有误差Delta，计算公式为：
Delta＝Rtest-1.5
再把该Delta误差记录到存储单元；
步骤S7：在成品电子***的桥丝测试中，用测试得到的桥丝电阻减去误差Delta得到实际的桥丝阻值。
本发明实施例提供了一种桥丝电阻测试的自动校准***，采用先校准再测试的方法，把测试电路引入的误差先记录下来，在测试电子***模块时抵消本身的误差，从而得到相对精确的桥丝电阻测试值，最终以此检测电子***模块的合格性。
本领域技术人员知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现本发明提供的***及其各个装置、模块、单元以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得本发明提供的***及其各个装置、模块、单元以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器以及嵌入式微控制器等的形式来实现相同功能。所以，本发明提供的***及其各项装置、模块、单元可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置、模块、单元也可以视为硬件部件内的结构；也可以将用于实现各种功能的装置、模块、单元视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。
Claims (5)
1.一种桥丝电阻测试的自动校准***，其特征在于，包括：主控单元、存储单元、测试模块、***接口电路及***模块；
其中，主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；
测试模块通过***接口电路与***模块电连接；
测试模块收到校准命令后，把测量到的对应电压值回报给主控单元；
主控单元计算出对应测量到的电阻值保存到相应的存储单元；
该***工作方法具体包括以下步骤：
步骤S1：主控单元通过电信号发送校准命令到测试模块；
步骤S2：测试模块收到校准命令，打开内部的电源模块，给***接口电路提供电源；
步骤S3：测试模块通过ADC多次采样得到***接口电路的电压值V2，并把电压值V2回报给主控单元；
步骤S4：主控单元通过电压值V2，计算得到主控单元的电压值V1；
步骤S5：通过电压值V1计算得到测试电阻值Rtest；
步骤S6：根据电阻值Rtest，计算得到测试通路上引入的所有误差Delta，并把该误差Delta记录到存储单元；
步骤S7：在成品电子***的桥丝测试中，用测试得到的桥丝电阻减去误差Delta得到实际的桥丝阻值；
所述步骤S4包括：主控单元通过电压值V2，计算得到主控单元的电压值V1，计算公式为：
V1＝V2*R15/(R14+R15)
其中，R14和R15分别表示电阻R14和电阻R15的阻值；
所述步骤S5包括：主控单元计算得到测试电阻值Rtest，计算公式为：
I1＝(3V-V1)/R13
Rtest＝V1/I1
其中，R13表示电阻R13的阻值；
所述步骤S6中计算测试通路上引入的所有误差Delta，计算公式为：
Delta＝Rtest-1.5；
所述***接口电路包括：主控单元RES_CAL、主控单元PA3_ADC_RES；电阻R13、R14、R15、R16、R164；电容C4、C5；二极管D104以及运算放大器；
所述主控单元RES_CAL的一端分别连接电阻R13和电阻R164，所述电阻R164的另一端连接二极管D104和运算放大器的+IN接口，其中二极管D104的另一端接地；
所述运算放大器的+V接口连接电容C4，电容C4的另一端接地；所述运算放大器的-V接口接地；所述运算放大器的-IN接口分别连接电阻R14和电阻R15，所述电阻R15的另一端接地，所述电阻R14的另一端连接运算放大器的OUT接口和电阻R16，所述电阻R16的另一端连接主控单元PA3_ADC_RES和电容C5，所述电容C5的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的桥丝电阻测试的自动校准***，其特征在于，所述测试模块采用STM32的MCU芯片和相应的***电路制作的模块。
3.根据权利要求1所述的桥丝电阻测试的自动校准***，其特征在于，所述***模块为带标准电阻的***模块，把普通电子***的桥丝电阻替换成高精度的电阻，该电阻阻值是1.5欧姆，精度是千分之一。
4.根据权利要求1所述的桥丝电阻测试的自动校准***，其特征在于，所述存储单元是主控单元的数据区，作为存储介质。
5.根据权利要求1所述的桥丝电阻测试的自动校准***，其特征在于，所述步骤S2中给***接口电路提供的电源为3V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111405189.9A CN114137313B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 桥丝电阻测试的自动校准*** |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111405189.9A CN114137313B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 桥丝电阻测试的自动校准*** |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114137313A CN114137313A (zh) | 2022-03-04 |
| CN114137313B true CN114137313B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=80391808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111405189.9A Active CN114137313B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 桥丝电阻测试的自动校准*** |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114137313B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117517789B (zh) * | 2024-01-03 | 2024-04-16 | 上海芯跳科技有限公司 | 电子***桥丝测量电路及其方法 |
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| CN211426638U (zh) * | 2019-11-14 | 2020-09-04 | 重庆云铭科技股份有限公司 | 一种用于电子***桥丝阻值的高精度采集电路 |
| CN213481151U (zh) * | 2020-10-27 | 2021-06-18 | 东莞市安林电子有限公司 | 一种电子***点火桥丝的电阻测试电路 |
| CN113075455A (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-06 | 杭州晋旗电子科技有限公司 | 电子***桥丝电阻检测方法及装置、电子***及*** |
-
2021
- 2021-11-24 CN CN202111405189.9A patent/CN114137313B/zh active Active
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|---|
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|---|---|
| CN114137313A (zh) | 2022-03-04 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
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| GR01 | Patent grant |