CN114127934B - 显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括：基底和阵列分布在基底上的多个子像素；每个子像素均包括：稳压电极；子像素驱动电路，子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，第一晶体管的第一极与驱动晶体管的第二极耦接，第一晶体管的第二极与驱动晶体管的栅极耦接；第一晶体管的有源层包括间隔设置的第一半导体部分和第二半导体部分，以及分别与第一半导体部分和第二半导体部分耦接的导体部分；导体部分在基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的稳压电极在基底上的正投影交叠。本公开能够提高显示面板子像素亮度的均一性。

Description

显示基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
随着AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)技术的成熟，AMOLED在移动终端的使用也越来越普遍。然而显示面板各子像素亮度的均一性难以得到保证，可能对显示面板的显示效果造成不利影响。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置，以解决显示面子像素亮度均一性难以得到保证的问题。
为了解决上述技术问题，本公开是这样实现的：
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底和阵列分布在所述基底上的多个子像素；所述多个子像素划分为多行子像素，每行子像素均包括沿第一方向依次排列的N个所述子像素，所述N为正整数；其中，每个所述子像素包括：
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；所述第一晶体管的有源层包括间隔设置的第一半导体部分和第二半导体部分，以及分别与所述第一半导体部分和所述第二半导体部分耦接的导体部分；
沿所述第一方向上的第1个至第N-1个子像素还包括稳压电极；
每一行子像素中均包括多个第一子像素，沿所述第一方向上的第N个子像素中的第一子像素为目标子像素，所述目标子像素在该行子像素中最靠近所述显示基板的第一边界，所述目标子像素的所述第一晶体管的所述导体部分在所述基底上的正投影，与其所在行的第N-1个子像素的稳压电极在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括：
电源信号线，所述电源信号线的至少部分沿第二方向延伸，所述稳压电极与所述电源信号线耦接。
可选的，所述稳压电极包括相耦接的第一部分和第二部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述电源信号线在所述基底上的正投影交叠，所述第一部分与所述电源信号线在该交叠处耦接；所述第二部分的至少部分沿所述第一方向延伸至沿所述第一方向上的下一个子像素；
所述导体部分在所述基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的第二部分在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部沿第二方向延伸；
所述第一晶体管的第二极在所述基底上的正投影与所述第一导电连接部的第一端在所述基底上的正投影具有第一交叠区域，所述第一晶体管的第二极与所述第一导电连接部的第一端在所述第一交叠区域耦接；所述第一导电连接部的第二端与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第一部分在所述基底上的正投影，位于所述第一交叠区域在所述基底上的正投影与所述数据线在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与栅线耦接，所述数据写入晶体管的第一极与数据线耦接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第二部分在所述基底上的正投影与所述数据写入晶体管的第一极在所述基底上的正投影交叠；所述第二部分在所述基底上的正投影与所述数据线在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述数据线在所述基底上的正投影，位于所述数据写入晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，与相邻的下一个子像素中，第一晶体管包括的导体部分在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
第二导电连接部，所述第二导电连接部的至少部分沿所述第二方向延伸；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与复位信号线耦接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号线耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第二极耦接；
第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线耦接，第七晶体管的第一极与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的发光元件的阳极耦接；
所述第二晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于所述数据线在所述基底上的正投影，与所述第二导电连接部在所述基底上的正投影之间；
所述第七晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于其耦接的第二导电连接部在所述基底上的正投影，与其所属的子像素沿所述第一方向相邻的上一个子像素中的数据线在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与发光控制信号线耦接，所述第五晶体管的第一极与电源信号线耦接，所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与发光元件的阳极耦接；
所述第五晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于所述数据线在所述基底上的正投影，与所述电源信号线在所述基底上的正投影之间；
所述第六晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于其耦接的第二导电连接部在所述基底上的正投影，与其所属的子像素沿所述第一方向相邻的上一个子像素中的数据线在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
驱动晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影，与所述数据线在所述基底上的正投影之间，所述驱动晶体管的第二极在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的数据线在所述基底上的正投影之间。
可选的，子像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与电源信号线耦接，所述稳压电极与所述存储电容的第二极板同层同材料设置。
可选的，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
电源信号线，所述电源信号线的至少部分沿第二方向延伸；
存储电容的第二极板在所述基底上的正投影与所述电源信号线在所述基底上的正投影具有第二交叠区域，存储电容的第二极板与所述电源信号线在所述第二交叠区域耦接；所述数据线在所述基底上的正投影，位于所述第一交叠区域在所述基底上的正投影，以及其所属子像素沿第一方向相邻的下一个子像素中的驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影之间。
可选的，所述第一子像素包括绿色子像素。
可选的，所述目标子像素包括绿色子像素。
可选的，所述多个子像素还包括红色子像素和蓝色子像素。
可选的，每一行子像素包括沿所述第一方向设置的多组子像素，每一组子像素包括沿所述第一方向循环设置的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和绿色子像素。
可选的，沿所述第一方向的每行所述子像素中，最靠近所述第一边界的子像素为绿色子像素。
可选的，所述子像素驱动电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与栅线耦接；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与复位信号线耦接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号线耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第二极耦接；
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与栅线耦接，所述数据写入晶体管的第一极与数据线耦接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与发光控制信号线耦接，所述第五晶体管的第一极与电源信号线耦接，所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与发光元件的阳极耦接；
第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线耦接，第七晶体管的第一极与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的发光元件的阳极耦接；
存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与电源信号线耦接。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括以上任一项所述的显示基板。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤；
其中，所述多个子像素划分为多行子像素，每行子像素均包括沿第一方向依次排列的多个所述子像素；每个所述子像素均包括：
稳压电极；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；所述第一晶体管的有源层包括间隔设置的第一半导体部分和第二半导体部分，以及分别与所述第一半导体部分和所述第二半导体部分耦接的导体部分；所述导体部分在所述基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的稳压电极在所述基底上的正投影交叠；
每一行子像素中均包括多个第一子像素，所述多个第一子像素包括目标子像素，所述目标子像素在该行子像素中最靠近所述显示基板的第一边界。
可选的，所述子像素驱动电路包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与电源信号线耦接；
所述在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤，包括：
通过一次构图工艺，同时形成所述稳压电极与所述存储电容的第二极板。
这样，本公开实施例中，第一晶体管的有源层包括间隔设置的第一半导体部分和第二半导体部分，以及分别与第一半导体部分和第二半导体部分耦接的导体部分；导体部分在基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的稳压电极在基底上的正投影交叠。这样，稳压电极与导体部分形成一稳压电容，在第一晶体管的开关状态发生变化时，该稳压电容能够稳定第一晶体管的电压，从而提高显示面板子像素亮度的均一性。
附图说明
图1是本公开一实施例中子像素驱动电路的电路图；
图2A是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图2B是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图2C是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图2D是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图2E是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图2F是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图2G是本公开一实施例中显示基板的中间制程示意图；
图3是本公开一实施例中显示基板的稳压电极的结构示意图。
具体实施方式
本公开提供了一种显示基板。
在本公开的一个实施例中，显示基板包括：基底和阵列分布在基底上的多个子像素。多个子像素划分为多行子像素，每行子像素均包括沿第一方向依次排列的N个子像素，N为正整数。
每个子像素均包括子像素驱动电路。
如图1所示，子像素驱动电路包括驱动晶体管T3和第一晶体管T1，第一晶体管T1的第一极与驱动晶体管T3的第二极耦接，第一晶体管T1的第二极与驱动晶体管T3的栅极耦接。
如图2A至图2C所示，第一晶体管T1的有源层包括间隔设置的第一半导体部分211和第二半导体部分212，以及分别与第一半导体部分211和第二半导体部212分耦接的导体部分213。
沿第一方向上的第1个至第N-1个子像素还包括稳压电极，每一行子像素中均包括多个第一子像素，沿第一方向上的第N个子像素中的第一子像素为目标子像素，目标子像素在该行子像素中最靠近显示基板的第一边界，目标子像素的第一晶体管的导体部分在基底上的正投影，与其所在行的第N-1个子像素的稳压电极在基底上的正投影交叠。
如图2C所示，导体部分213在基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的稳压电极在基底上的正投影交叠。
本实施例中的技术方案可以针对位于显示基板各个位置的子像素，显示基板的边界处的子像素的第一晶体管T1对于电压变化更为敏感，因此，该技术方案更适合应用于最靠近显示面板边界处的子像素。
本实施例中，稳压电极24在基底上的正投影与导体部分213在基底上的正投影交叠，可以理解为稳压电极24和导体部分213分别为电容的一个极板，且两者形成一稳压电容，在第一晶体管T1的开关状态发生变化时，该稳压电容能够稳定第一晶体管T1的电压，从而提高显示面板子像素亮度的均一性。
在一些实施例中，如图2E所示，子像素还包括：电源信号线11，电源信号线11的至少部分沿第二方向延伸，稳压电极24与电源信号线11耦接，其中，第一方向指的是图2A至图2G中所示的横向，第二方向指的是图2A至图2G中所示的纵向。
稳压电极24与电源信号线11耦接，以通过电源信号线11为稳压电极24提供一稳定电压，从而在稳压电极24与导体部分213形成电容时，能够稳定第一晶体管T1的电压。
在一些实施例中，如图3所示，稳压电极24包括相耦接的第一部分241和第二部分241，第一部分241在所述基底上的正投影与电源信号线11在基底上的正投影交叠，第一部分241与电源信号线11在该交叠处耦接；第二部分242的至少部分沿第一方向延伸。
如图2C和图2D所示，导体部分213在基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的第二部分242在基底上的正投影交叠。
如图3所示，本实施例中的稳压电极24大致呈L形，如图2C所示，通过控制其端部的延伸位置和延伸方向，能够使稳压电极24与沿第一方向相邻的下一个子像素的导体部分213交叠，形成稳定电压的稳压电容。
在一些实施例中，如图2E所示，子像素还包括数据线16，数据线16的至少部分沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。
如图2E所示，子像素驱动电路还包括第一导电连接部29，第一导电连接部29沿第二方向延伸，示例性的，第二方向指的是图1中所示的纵向。
如图2E所示，第一晶体管T1的第二极在基底上的正投影与第一导电连接部29的第一端在基底上的正投影具有第一交叠区域291，第一晶体管T1的第二极与第一导电连接部29的第一端在第一交叠区域291耦接；第一导电连接部29的第二端与驱动晶体管T3的栅极耦接。
请同时参阅图2E和图3，第一部分241在基底上的正投影，位于第一交叠区域291在基底上的正投影与数据线16在基底上的正投影之间。
由于数据线16上的信号跳变会对驱动晶体管的栅极电位产生影响，而栅极电位的稳定性会影响像素的亮度，通过设置第一部分241在基底上的正投影位于第一交叠区域291在基底上的正投影与数据线16在基底上的正投影之间，有助于提升驱动晶体管T3的栅极电位的稳定性。
在一些实施例中，子像素还包括数据线16，数据线16的至少部分沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。
子像素驱动电路还包括数据写入晶体管T4，数据写入晶体管T4的栅极与栅线12耦接，数据写入晶体管T4的第一极与数据线16耦接，数据写入晶体管T4的第二极与驱动晶体管T3的第一极耦接。
请继续参阅图2E和图3，第二部分242在基底上的正投影与数据写入晶体管T4的第一极在基底上的正投影交叠；第二部分242在基底上的正投影与数据线16在基底上的正投影交叠。
在一些实施例中，数据线16在基底上的正投影，位于数据写入晶体管T4的沟道部分在基底上的正投影，与相邻的下一个子像素中，第一晶体管T1包括的导体部分在基底上的正投影之间。
在一些实施例中，如图2E所示，子像素还包括数据线16，数据线16的至少部分沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。
子像素驱动电路还包括第二导电连接部3030、第二晶体管T2和第七晶体管T7，第二导电连接部30的至少部分沿第二方向延伸。
如图1所示，第二晶体管T2的栅极与复位信号线15耦接，第二晶体管T2的第一极与初始化信号线14耦接，第二晶体管T2的第二极与第一晶体管T1的第二极耦接。
第七晶体管T7的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线15’耦接，第七晶体管T7的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线14’耦接，第七晶体管T7的第二极与对应的发光元件EL的阳极27耦接。
如图2E所示，第二晶体管T2的沟道部分在基底上的正投影，位于数据线16在基底上的正投影，与第二导电连接部30在基底上的正投影之间。
请继续参阅图2E，第七晶体管T7的沟道部分在基底上的正投影，位于其耦接的第二导电连接部30在基底上的正投影，与其所属的子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的数据线16在基底上的正投影之间。
在一些实施例中，子像素还包括数据线16，数据线16的至少部分沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。
子像素驱动电路还包括第五晶体管T5和第六晶体管T6，第五晶体管T5的栅极与发光控制信号线13耦接，第五晶体管T5的第一极与电源信号线11耦接，第五晶体管T5的第二极与驱动晶体管T3的第一极耦接。
第六晶体管T6的栅极与发光控制信号线13耦接，第六晶体管T6的第一极与驱动晶体管T3的第二极耦接，第六晶体管T6的第二极与发光元件EL的阳极27耦接。
第五晶体管T5的沟道部分在基底上的正投影，位于数据线16在基底上的正投影，与电源信号线11在基底上的正投影之间。
第六晶体管T6的沟道部分在基底上的正投影，位于其耦接的第二导电连接部30在基底上的正投影，与其所属的子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的数据线16在基底上的正投影之间。
在一些实施例中，子像素还包括数据线16，数据线16的至少部分沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。
驱动晶体管T3的第一极在基底上的正投影，位于驱动晶体管T3的栅极在基底上的正投影，与数据线16在基底上的正投影之间，驱动晶体管T3的第二极在基底上的正投影，位于驱动晶体管T3的栅极在基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的数据线16在基底上的正投影之间。
在一些实施例中，子像素驱动电路还包括存储电容Cst，存储电容Cst的第一极板与驱动晶体管T3的栅极耦接，存储电容Cst的第二极板与电源信号线11耦接，稳压电极24与存储电容Cst的第二极板同层同材料设置。
这样，稳压电极24和存储电容Cst能够通过一次构图工艺制作完成，有利于减少工艺流程，降低成本。
在一些实施例中，子像素还包括数据线16和电源信号线11。数据线16的至少部分沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。电源信号线11的至少部分沿第二方向延伸。
存储电容Cst的第二极板在基底上的正投影与电源信号线11在基底上的正投影具有第二交叠区域，存储电容Cst的第二极板与电源信号线11在第二交叠区域耦接；数据线16在基底上的正投影，位于第一交叠区域在基底上的正投影，以及其所属子像素沿第一方向相邻的下一个子像素中的驱动晶体管T3的栅极在基底上的正投影之间。
在一些实施例中，第一子像素包括绿色子像素G。
在一些实施例中，目标子像素包括绿色子像素G。
应当理解的是，绿色子像素G的第一晶体管T1对于电压变化更加敏感，因此，本实施例中主要针对绿色子像素G进行补偿。
在一些实施例中，多个子像素还包括红色子像素R和蓝色子像素B。
在一些实施例中，每一行子像素包括沿第一方向设置的多组子像素，每一组子像素包括沿第一方向循环设置的红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和绿色子像素G。
在一些实施例中，沿第一方向的每行子像素中，最靠近第一边界的子像素为绿色子像素G。
如图2G所示，本实施例中，不同颜色的子像素呈钻石型排列，可以理解为每一行子像素按照红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和绿色子像素G的顺序排列，示例性的，初始位置的像素的颜色可以是红色子像素R，也可以是蓝色子像素B，这样，位于最末端的子像素为绿色子像素G。换句话说，各行子像素中，靠近一侧边界处的子像素均为红色子像素R或蓝色子像素B，另一侧边界处的子像素均为绿色子像素G，第一边界为该绿色子像素G侧的边界。
在一些实施例中，如图1所示，在一个实施例中，子像素驱动电路包括：
第一晶体管T1，第一晶体管T1的栅极与栅线12耦接。
第二晶体管T2，第二晶体管T2的栅极与复位信号线15耦接，第二晶体管T2的第一极与初始化信号线14耦接，第二晶体管T2的第二极与第一晶体管T1的第二极耦接。
驱动晶体管T3。
数据写入晶体管T4，数据写入晶体管T4的栅极与栅线12耦接，数据写入晶体管T4的第一极与数据线16耦接，数据写入晶体管T4的第二极与驱动晶体管T3的第一极耦接。
第五晶体管T5，第五晶体管T5的栅极与发光控制信号线13耦接，第五晶体管T5的第一极与电源信号线11耦接，第五晶体管T5的第二极与驱动晶体管T3的第一极耦接。
第六晶体管T6，第六晶体管T6的栅极与发光控制信号线13耦接，第六晶体管T6的第一极与驱动晶体管T3的第二极耦接，第六晶体管T6的第二极与发光元件EL的阳极27耦接。
第七晶体管T7，第七晶体管T7的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线15’耦接，第七晶体管T7的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线14’耦接，第七晶体管T7的第二极与对应的发光元件EL的阳极27耦接。
存储电容Cst，存储电容Cst的第一极板与驱动晶体管T3的栅极耦接，存储电容Cst的第二极板与电源信号线11耦接。
本公开还提供了一种显示装置，包括以上任一项的显示基板。
由于本实施例的显示装置包括上述显示基板实施例的全部技术方案，因此至少能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
本公开还提供了一种显示基板的制作方法。
在一个实施例中，该显示基板的制作方法包括在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤。
制作过程中，如图2A所示，首先在基底上制作有源层21；如图2B所示，接下来制作第一栅极层22；如图2C所示，接下来制作第二栅极层23和稳压电极24；如图2D所示，进一步制作层间介质层25；如图2E所示，接下来制作源漏电极层，具体包括电源信号线11和数据线16；如图2F所示，进一步的，制作PLN过孔26；如图2G所示，进一步的，制作发光元件EL的阳极27和像素界定层28。
所制作的显示基板为以上显示基板实施例中任一显示基板，此处不再赘述。
在一些实施例中，子像素驱动电路包括存储电容Cst，存储电容Cst的第一极板与驱动晶体管T3的栅极耦接，存储电容Cst的第二极板与电源信号线11耦接；
在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤，包括：
通过一次构图工艺，同时形成稳压电极24与存储电容Cst的第二极板。
本实施例中，通过一次构图工艺制作稳压电极24和存储电容Cst的第二极板，能够减少工艺流程，有助于节约成本。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种显示基板，包括：基底和阵列分布在所述基底上的多个子像素；所述多个子像素划分为多行子像素，每行子像素均包括沿第一方向依次排列的N个所述子像素，所述N为正整数；其中，每个所述子像素包括：
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；所述第一晶体管的有源层包括间隔设置的第一半导体部分和第二半导体部分，以及分别与所述第一半导体部分和所述第二半导体部分耦接的导体部分；
沿所述第一方向上的第1个至第N-1个子像素还包括稳压电极；
每一行子像素中均包括多个第一子像素，沿所述第一方向上的第N个子像素中的第一子像素为目标子像素，所述目标子像素在该行子像素中最靠近所述显示基板的第一边界，所述目标子像素的所述第一晶体管的所述导体部分在所述基底上的正投影，与其所在行的第N-1个子像素的稳压电极在所述基底上的正投影交叠。
2.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
电源信号线，所述电源信号线的至少部分沿第二方向延伸，所述稳压电极与所述电源信号线耦接。
3.如权利要求2所述的显示基板，其中，所述稳压电极包括相耦接的第一部分和第二部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述电源信号线在所述基底上的正投影交叠，所述第一部分与所述电源信号线在该交叠处耦接；所述第二部分的至少部分沿所述第一方向延伸至沿所述第一方向上的下一个子像素；
所述导体部分在所述基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的第二部分在所述基底上的正投影交叠。
4.如权利要求3所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部沿第二方向延伸；
所述第一晶体管的第二极在所述基底上的正投影与所述第一导电连接部的第一端在所述基底上的正投影具有第一交叠区域，所述第一晶体管的第二极与所述第一导电连接部的第一端在所述第一交叠区域耦接；所述第一导电连接部的第二端与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第一部分在所述基底上的正投影，位于所述第一交叠区域在所述基底上的正投影与所述数据线在所述基底上的正投影之间。
5.如权利要求3所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与栅线耦接，所述数据写入晶体管的第一极与数据线耦接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第二部分在所述基底上的正投影与所述数据写入晶体管的第一极在所述基底上的正投影交叠；所述第二部分在所述基底上的正投影与所述数据线在所述基底上的正投影交叠。
6.如权利要求5所述的显示基板，其中，
所述数据线在所述基底上的正投影，位于所述数据写入晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，与相邻的下一个子像素中，第一晶体管包括的导体部分在所述基底上的正投影之间。
7.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
第二导电连接部，所述第二导电连接部的至少部分沿所述第二方向延伸；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与复位信号线耦接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号线耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第二极耦接；
第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线耦接，第七晶体管的第一极与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的发光元件的阳极耦接；
所述第二晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于所述数据线在所述基底上的正投影，与所述第二导电连接部在所述基底上的正投影之间；
所述第七晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于其耦接的第二导电连接部在所述基底上的正投影，与其所属的子像素沿所述第一方向相邻的上一个子像素中的数据线在所述基底上的正投影之间。
8.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与发光控制信号线耦接，所述第五晶体管的第一极与电源信号线耦接，所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与发光元件的阳极耦接；
所述第五晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于所述数据线在所述基底上的正投影，与所述电源信号线在所述基底上的正投影之间；
所述第六晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影，位于其耦接的第二导电连接部在所述基底上的正投影，与其所属的子像素沿所述第一方向相邻的上一个子像素中的数据线在所述基底上的正投影之间。
9.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
驱动晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影，与所述数据线在所述基底上的正投影之间，所述驱动晶体管的第二极在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的数据线在所述基底上的正投影之间。
10.如权利要求4所述的显示基板，其中，子像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与电源信号线耦接，所述稳压电极与所述存储电容的第二极板同层同材料设置。
11.如权利要求10所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：
数据线，所述数据线的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
电源信号线，所述电源信号线的至少部分沿第二方向延伸；
存储电容的第二极板在所述基底上的正投影与所述电源信号线在所述基底上的正投影具有第二交叠区域，存储电容的第二极板与所述电源信号线在所述第二交叠区域耦接；所述数据线在所述基底上的正投影，位于所述第一交叠区域在所述基底上的正投影，以及其所属子像素沿第一方向相邻的下一个子像素中的驱动晶体管的栅极在所述基底上的正投影之间。
12.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一子像素包括绿色子像素。
13.如权利要求12所述的显示基板，其中，所述目标子像素包括绿色子像素。
14.如权利要求12所述的显示基板，其中，所述多个子像素还包括红色子像素和蓝色子像素。
15.如权利要求14所述的显示基板，其中，每一行子像素包括沿所述第一方向设置的多组子像素，每一组子像素包括沿所述第一方向循环设置的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和绿色子像素。
16.如权利要求14所述的显示基板，其中，沿所述第一方向的每行所述子像素中，最靠近所述第一边界的子像素为绿色子像素。
17.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与栅线耦接；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与复位信号线耦接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号线耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第二极耦接；
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与栅线耦接，所述数据写入晶体管的第一极与数据线耦接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与发光控制信号线耦接，所述第五晶体管的第一极与电源信号线耦接，所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与发光元件的阳极耦接；
第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线耦接，第七晶体管的第一极与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的初始化信号线耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的发光元件的阳极耦接；
存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与电源信号线耦接。
18.一种显示装置，包括权利要求1至17中任一项所述的显示基板。
19.一种显示基板的制作方法，包括在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤；
所述多个子像素划分为多行子像素，每行子像素均包括沿第一方向依次排列的多个所述子像素；每个所述子像素均包括：
稳压电极；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；所述第一晶体管的有源层包括间隔设置的第一半导体部分和第二半导体部分，以及分别与所述第一半导体部分和所述第二半导体部分耦接的导体部分；所述导体部分在所述基底上的正投影，与其所属子像素沿第一方向相邻的上一个子像素中的稳压电极在所述基底上的正投影交叠；
每一行子像素中均包括多个第一子像素，所述多个第一子像素包括目标子像素，所述目标子像素在该行子像素中最靠近所述显示基板的第一边界。
20.如权利要求19所述的显示基板的制作方法，其中，所述子像素驱动电路包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与电源信号线耦接；
所述在基底上制作阵列分布的多个子像素的步骤，包括：
通过一次构图工艺，同时形成所述稳压电极与所述存储电容的第二极板。
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