CN114093268A - 一种曲面显示基板、其驱动方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种曲面显示基板、其驱动方法及装置，其中，该曲面显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板被划分为平面显示区和至少一个曲面显示区，所述曲面显示区相较于所述平面显示区弯折一预设角度；所述曲面显示区包括至少一个压敏电容结构以及与所述至少一个压敏电容结构耦接的转换电路，所述至少一个压敏电容结构和所述转换电路构成虚拟按键模组。用于将按键集成于屏幕上，提高曲面显示装置的视觉效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种曲面显示基板、其驱动方法及装置。
背景技术
目前三维(3-Dimension，3D)盖板的柔性有机电致发光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)屏幕，凭借其高占空比和正面无边框的出众显示效果为大众所接收。
然而，由于3D柔性屏幕向下弯折，覆盖了终端设备的侧面，原放置于侧面的诸如电源、音量和锁屏等按键被挤压，且置于侧面非屏幕区域留出的空间，整体视觉效果较差。
如何提高曲面显示装置的视觉效果成为急需解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种曲面显示基板、其驱动方法及装置，用于将按键集成于屏幕上，提高曲面显示装置的视觉效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种曲面显示基板，包括：
衬底基板，所述衬底基板被划分为平面显示区和至少一个曲面显示区，所述曲面显示区相较于所述平面显示区弯折一预设角度；
所述曲面显示区包括至少一个压敏电容结构以及与所述至少一个压敏电容结构耦接的转换电路，所述至少一个压敏电容结构和所述转换电路构成虚拟按键模组。
在一种可能的实现方式中，一个所述压敏电容结构包括依次背离所述衬底基板的传感电极和公共电极，所述传感电极和所述公共电极之间具有能够承受一定的形变量的间距。
在一种可能的实现方式中，所述至少一个压敏电容结构为并联的多个电容值互不相同的电容结构，所述虚拟按键模组被划分为与各所述压敏电容结构对应的多个虚拟按键区域。
在一种可能的实现方式中，各个所述压敏电容结构对应的所述公共电极为一体结构，各个所述压敏电容结构对应的所述传感电极为彼此分离的结构，且在所述衬底基板上的正投影面积大小互不相同。
在一种可能的实现方式中，所述曲面显示基板包括发光功能层和驱动电路层，所述传感电极与所述驱动电路层中的栅电极或源漏电极同层设置。
在一种可能的实现方式中，所述曲面显示基板还包括设置在所述发光功能层上的封装层，以及设置在所述封装层背离所述发光功能层的一侧的触控功能层，所述公共电极与所述触控功能层中的其中一个触控电极同层设置，其中，所述封装层在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个压敏电容结构在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
在一种可能的实现方式中，所述封装层和所述触控功能层之间还设置有透明光学胶，所述透明光学胶和所述封装层的总厚度范围为20μm～40μm，其中，所述透明光学胶在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个压敏电容结构在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
在一种可能的实现方式中，所述转换电路包括复位电路、存储电容、补偿电路、驱动晶体管和输出电路；其中：
所述复位电路与所述驱动晶体管的栅极耦接，用于在第一控制端的控制下，将所述公共电极提供的公共电压信号加载至所述驱动晶体管的栅极；
所述存储电容耦接于恒压电源端和所述驱动晶体管的栅极之间；
所述补偿电路耦接于所述驱动晶体管的栅极和第一极之间，用于将所述驱动晶体管的阈值电压以及所述公共电压信号写入所述存储电容；
所述输出电路耦接于输出端和所述驱动晶体管的第一极之间，用于在第二控制端的控制下导通；
所述驱动晶体管的第二极与所述恒压电源端耦接，用于在外力作用在所述虚拟按键模组上时，将所述压敏电容结构产生的电容变化对应的电信号经导通的所述输出电路以及所述输出端输出，其中，各所述传感电极均与所述驱动晶体管的栅极耦接。
在一种可能的实现方式中，所述复位电路包括复位晶体管，所述复位晶体管的栅极与所述第一控制端耦接，所述复位晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述复位晶体管的第二极与所述公共电极耦接；
所述补偿电路包括补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极与第三控制端耦接，所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述输出电路包括输出晶体管，所述输出晶体管的栅极与所述第二控制端耦接，所述输出晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第一极耦接，所述输出晶体管的第二极与所述输出端耦接。
第二方面，本发明实施例提供了一种曲面显示装置，包括：
如上面任一项所述的曲面显示基板，以及通过柔性电路板与所述曲面显示基板连接的控制电路；
在外力作用于所述虚拟按键模组时，所述控制电路用于接收所述压敏电容结构发生的电容变化所对应的电信号变化，并根据所述电信号变化控制所述曲面显示基板执行屏幕显示相关的动作。
第三方面，本发明实施例提供了一种如上面任一项所述的曲面显示基板的驱动方法，包括：
在外力作用于所述虚拟按键模组时，通过所述转换电路获得所述压敏电容结构所产生的电容变化；
将所述电容变化转换为电信号变化。
在一种可能的实现方式中，若所述压敏电容结构的电容变化由C1增大至 (C1+ΔC)，则所述将所述电容变化转换为电信号变化，包括：
按照以下公式将所述电容变化转换为电信号变化：
其中，V1表示加载至恒压电源端的电压信号，Vth表示所述驱动晶体管的阈值电压，C0表示所述转换电路中存储电容的电容值，Vcom表示加载至所述公共电极的公共电压信号，ΔVA表示所述电信号变化。
在一种可能的实现方式中，在所述在外力作用于所述虚拟按键模组之前，所述方法还包括：
在第一阶段，在第一控制端对所述转换电路中的复位电路的控制下，将所述公共电极提供的公共电压信号加载至所述转换电路中的驱动晶体管的栅极；
在第二阶段，将所述驱动晶体管的阈值电压以及所述公共电压信号写入所述转换电路中的存储电容；
在第三阶段，在第二控制端对所述转换电路中的输出电路的控制下，导通所述输出电路。
本发明的有益效果如下：
本发明实施例提供了一种曲面显示基板、其驱动方法及装置，其中，该曲面显示基板包括衬底基板，该衬底基板被划分为平面显示区和至少一个曲面显示区，该曲面显示区相较于平面显示区弯折一预设角度，该曲面显示区包括至少一个压敏电容结构以及与该至少一个压敏电容结构耦接的转换电路，该至少一个压敏电容结构和转换电路构成虚拟按键模组，也就是说，通过设置在曲面显示基板的至少一个压敏电容结构和转换电路构成的虚拟按键模组，实现对实体按键的等同替换，如此一来，将按键有效地集成在了屏幕上，提高了曲面显示装置的视觉效果。
附图说明
图1为相关技术中实体按键的设置位置示意图；
图2为本发明实施例提供的一种曲面显示基板的其中一种结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种曲面显示基板的其中一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种曲面显示基板的其中一种俯视结构图；
图5为沿着图4中MM方向的其中一种剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种曲面显示基板的其中一种结构示意图；
图7为沿着图4中MM方向的其中一种剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种曲面显示基板中转换电路的其中一种电路结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种曲面显示装置的其中一种结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种曲面显示基板的驱动方法的方法流程图；
图11为本发明实施例提供的一种曲面显示基板发生形变的其中一种结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种曲面显示基板的驱动方法的另外一种方法流程图；
图13为图8所示的转换电路的其中一种时序图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
在现有技术中，如图1所示，将实体按键01设置在显示装置的侧面的非屏幕区域，整体视觉效果较差。目前采用将应力传感器贴附在OLED背面，通过监控应力传感器上的电阻感应屏幕上的压力形变，通过专用的电桥电路进行量化，并将电阻变化转为电压信号，这样的话，仍然需要一个单独的处理电路，也就是说，仍有一个独立于屏幕之外的按键模组，不仅增加了设备的复杂性，而且整体视觉效果仍然较差。
鉴于此，本发明实施例提供了一种曲面显示基板、其驱动方法及装置，用于将按键集成于屏幕上，提高曲面显示装置的视觉效果。
请参考图2和图3所示，本发明实施例提供了一种曲面显示基板，该曲面显示基板包括：
衬底基板1，所述衬底基板1被划分为平面显示区A1和至少一个曲面显示区A2，所述曲面显示区A2相较于所述平面显示区A1弯折一预设角度；
所述曲面显示区A2包括至少一个压敏电容结构2以及与所述至少一个压敏电容结构2耦接的转换电路3，所述至少一个压敏电容结构2和所述转换电路3构成虚拟按键模组4。
在具体实施过程中，所述衬底基板1可以是柔性基板，还可以是刚性基板，在此不做限定。所述衬底基板1被划分为平面显示区A1和至少一个曲面显示区A2，所述至少一个曲面显示区A2可以是一个，还可以是多个，在此不做限定。所述平面显示区A1和所述至少一个曲面显示区A2的分布情况可以是如图4所示，还可以根据实际应用需要来布局所述平面显示区A1和所述至少一个曲面显示区A2，在此不做限定。所述曲面显示区A2相较于所述平面显示区 A1弯折一预设角度，所述预设角度为根据实际应用需要预先设置的角度，通过该预设角度可以用来表征曲面显示基板的弯折程度。
仍结合图3所示，所述曲面显示区A2包括至少一个压敏电容结构2以及与所述至少一个压敏电容结构2耦接的转换电路3，所述至少一个压敏电容结构2可以是一个，还可以是多个，具体可以根据实际应用需要来设置所述至少一个压敏电容结构2的个数，在此不做限定。可以监测所述至少一个压敏电容结构2上的电容感应所述曲面显示基板上的压力形变，通过所述转换电路3可以将所述至少一个压敏电容结构2所感应的电容变化转化为电信号变化，该电信号变化可以是电压变化，还可以是电流变化，在此不做限定。如此一来，通过设置在曲面显示基板上的至少一个压敏电容结构2和转换电路3可以构成虚拟按键模组4，该虚拟按键模组4可以实现对现有技术中的实体按键的等同替换，从而将按键有效地集成在了屏幕上，提高了曲面显示装置的视觉效果。
在本发明实施例中，一个所述压敏电容结构2包括依次背离所述衬底基板 1的传感电极5和公共电极6，所述传感电极5和所述公共电极6之间具有能够承受一定的形变量的间距。
在具体实施过程中，如图5所示为沿着图4中MM方向的其中一种剖面结构示意图，一个所述压敏电容结构2包括依次背离所述衬底基板1的传感电极 5和公共电极6，也就是说，通过所述传感电极5和所述公共电极6可以构成一个所述压敏电容结构2。所述传感电极5和所述公共电极6之间具有能够承受一定的形变量的间距，如此一来，在外力作用于所述压敏电容结构2上时，所述传感电极5和所述公共电极6可以产生一定的形变，从而产生相应的电容变化，通过所述压敏电容结构2实现了对外力的感知。此外，可以根据实际应用需要来设置所述曲面显示基板处于未按压状态时所述传感电极5和所述公共电极6之间所能承受一定的形变量的间距，在此不做限定。
在本发明实施例中，所述至少一个压敏电容结构2为并联的多个电容值互不相同的电容结构，所述虚拟按键模组4被划分为与各所述压敏电容结构2对应的多个虚拟按键区域。
在具体实施过程中，所述至少一个压敏电容结构2可以是多个，相应地，所述至少一个压敏电容结构2可以为并联的多个电容值互不相同的电容结构，结合图6所示，所述至少一个压敏电容结构2可以包括a～e在内的五个压敏电容结构2，各个压敏电容结构2彼此并联在一起，且各自的电容值互不相同，这样的话，在外力作用在所述虚拟按键模组4上时，可以根据电容变化来确定相应位置的压敏电容结构2被按压，由于各个压敏电容结构2的电容值互不相同，从而提高了所述虚拟按键模组4的外力感测的精度。此外，所述虚拟按键模组4可以被划分为与各所述压敏电容结构2对应的多个虚拟按键区域，各个虚拟按键区域可以实现对曲面显示基板相应功能的按键控制，从而提高了曲面显示基板的使用性能。
在本发明实施例中，各个所述压敏电容结构2对应的所述公共电极6为一体结构，各个所述压敏电容结构2对应的所述传感电极5为彼此分离的结构，且在所述衬底基板1上的正投影面积大小互不相同。
仍结合图6所示，各个所述压敏电容结构2对应的所述公共电极6为一体结构，在具体实施过程中，所述公共电极6可以是覆盖整个虚拟按键模组4区域的金属网格结构，加载至所述公共电极6上的电压可以是参考电压，可以通入直流电。各个所述压敏电容结构2对应的所述传感电极5可以为彼此分离的结构，这样的话，各个所述传感电极5之间彼此互不影响，可以通过各个所述传感电极5来划分所述虚拟按键模组4所对应的虚拟按键区域，比如，各个所述传感电极5所对应的虚拟按键区域可以实现相应的功能，不同的所述传感电极5所对应的虚拟按键区域所实现的功能不同。此外，各个所述压敏电容结构 2对应的传感电极5在所述衬底基板1上的正投影面积大小互不相同，从而可以保证各个传感电极5所对应的压敏电容结构2之间的电容值的互不相同，进而提高了所述虚拟按键模组4的外力感测的精度。
在本发明实施例中，所述曲面显示基板包括发光功能层和驱动电路层，所述传感电极5与所述驱动电路层中的栅电极或源漏电极同层设置。
在具体实施过程中，所述发光功能层可以包括阳极、像素定义层、有机发光层和阴极，阳极设置在平坦层上，通过平坦层上开设的过孔与源漏电极连接，像素定义层设置在阳极和平坦层上，其上设置有像素开口，像素开口暴露出阳极，有机发光层设置在像素开口内，阴极设置在有机发光层上，有机发光层在阳极和阴极施加电压的作用下出射相应颜色的光线。所述发光功能层包括规则排布的多个像素单元，每个像素单元可以包括红色(R)子像素、绿色(G) 子像素和蓝色(B)子像素三个子像素。此外，每个像素单元还可以包括四个子像素，比如，每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，或者，每个像素单元包括红色子像素、两个绿色子像素和蓝色子像素。在本发明实施例中，对每个像素单元中的子像素的个数和排布方式不作限制。
在具体实施过程中，所述驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的晶体管和存储电容C0，以每个子像素包括一个晶体管和一个存储电容C0为例，每个子像素的驱动电路层可以包括：设置在衬底基板1上的缓冲层，设置在所述缓冲层上的有源层，覆盖有源层的第一栅极绝缘层，设置在所述第一栅极绝缘层上的栅电极和第一电容电极，覆盖栅电极和第一电容电极的第二栅极绝缘层，设置在所述第二栅极绝缘层上的第二电容电极，覆盖第二电容电极的层间绝缘层，所述层间绝缘层上开设有过孔，过孔暴露出有源层，设置在所述层间绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过过孔与有源层连接，覆盖前述结构的平坦层。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成晶体管，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容C0。其中，所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和层间绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物 (SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或聚噻吩等材料，即本发明实施例适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术或有机物技术制造的晶体管。
在具体实施过程中，所述传感电极5可以与所述驱动电路层中的栅电极或源漏电极同层设置，从而在实现外力感测的同时，简化了所述曲面显示基板的制作工艺。需要说明的是，对于发光功能层和驱动电路层的具体制作工艺可以参照相关技术中的实现，在此不做详述。
在本发明实施例中，结合图7所示，所述曲面显示基板还包括设置在所述发光功能层上的封装层7，以及设置在所述封装层7背离所述发光功能层的一侧的触控功能层8，所述公共电极6与所述触控功能层8中的其中一个触控电极同层设置，其中，所述封装层7在所述衬底基板1上的正投影与所述至少一个压敏电容结构2在所述衬底基板1上的正投影互不交叠。
仍结合图7所示，所述曲面显示基板还包括设置在所述发光功能层上的封装层7，以及设置在所述封装层7背离所述发光功能层的一侧的触控功能层8，所述触控功能层8包括依次背离所述发光功能层的桥接层、绝缘层和触控层，所述触控层包括多个第一触控电极和多个第二触控电极，此外，所述触控层可以是互容式触控结构，还可以是自容式触控结构，具体可以根据实际应用来设置所述触控层的结构，在此不做限定。其中，所述第一触控电极可以是驱动电极(Tx)，所述第二触控电极可以是感应电极(Rx)，所述第一触控电极可以是感应电极(Rx)，所述第二触控电极可以是驱动电极(Tx)。所述公共电极6 可以与所述触控功能层8中的其中一个触控电极同层设置，比如，所述公共电极6可以是与所述触控功能层8中的第一触控电极同层设置，所述公共电极6 还可以是与所述触控功能层8中的第二触控电极同层设置，从而在实现外力感测的同时，简化了所述曲面显示基板的制作工艺。
此外，所述封装层7可以包括依次背离所述发光功能层的第一无机层、有机层和第二无机层，通过所述封装层7可以防止外界水汽进入所述发光功能层，提高了所述曲面显示基板的使用性能。所述触控功能层8设置在所述封装层7 上，远离了背板和蒸镀膜层中的金属层，寄生电容小，避免了对电路速度的影响以及信号损失，从而在保证外力感测的同时，提高了所述曲面显示基板的触控精度。
在本发明实施例中，仍结合图7所示，所述封装层7和所述触控功能层8 之间还设置有透明光学胶9，所述透明光学胶9和所述封装层7的总厚度范围为20μm～40μm，其中，所述透明光学胶9在所述衬底基板1上的正投影与所述至少一个压敏电容结构2在所述衬底基板1上的正投影互不交叠。
仍结合图7所示，所述封装层7和所述触控功能层8之间还设置有透明光学胶9(Optically Clear Adhesive，OCA)，所述透明光学胶9和所述封装层7 的总厚度范围为20μm～40μm，可以根据实际应用需要来设置所述透明光学胶9的厚度和所述封装层7的厚度。如此一来，通过一定厚度的所述透明光学胶9和所述封装层7，保证了所述传感电极5和所述公共电极6之间具有能够承受一定的形变的间距。此外，所述透明光学胶9在所述衬底基板1上的正投影与所述至少一个压敏电容结构2在所述衬底基板1上的正投影互不交叠，所述封装层7在所述衬底基板1上的正投影与所述至少一个压敏电容结构2在所述衬底基板1上的正投影互不交叠，在保证所述传感电极5和所述公共电极6 之间具有能够承受一定形变的间距的同时，避免了所述封装层7和所述透明光学胶9对所述至少一个压敏电容结构2的影响，提高了虚拟按键模组4对外力的感测精度。
需要说明的是，在具体实施过程中，所述曲面显示基板还可以包括与所述转换电路3耦接的放大电路和去噪电路，可以通过该放大电路将所述转换电路 3输出的电信号变化进行放大，避免了噪声干扰。此外，可以通过去噪电路去除其中的噪声，从而保证了外力的感测精度。当然，还可以根据实际应用需要来设置与转换电路3耦接的其它电路来提高电信号变化的质量，在此不再详述。
在本发明实施例中，如图8所示，所述转换电路3包括复位电路10、存储电容C0、补偿电路20、驱动晶体管DT和输出电路30；其中：
所述复位电路10与所述驱动晶体管DT的栅极耦接，用于在第一控制端 S1的控制下，将所述公共电极6提供的公共电压信号Vcom加载至所述驱动晶体管DT的栅极；
所述存储电容C0耦接于恒压电源端VD和所述驱动晶体管DT的栅极之间；
所述补偿电路20耦接于所述驱动晶体管DT的栅极和第一极之间，用于将所述驱动晶体管DT的阈值电压以及所述公共电压信号Vcom写入所述存储电容C0；
所述输出电路30耦接于输出端Vout和所述驱动晶体管DT的第一极之间，用于在第二控制端S2的控制下导通；
所述驱动晶体管DT的第二极与所述恒压电源端VD耦接，用于在外力作用在所述虚拟按键模组4上时，将所述压敏电容结构2产生的电容变化对应的电信号经导通的所述输出电路30以及所述输出端Vout输出，其中，各所述传感电极5均与所述驱动晶体管DT的栅极耦接。
仍结合图8所示，与所述驱动晶体管DT的栅极耦接的所述复位电路10，在所述第一控制端S1的控制下，可以将所述公共电极6提供的公共电压信号 Vcom加载至所述驱动晶体管DT的栅极(如图8中A点)，如此一来，通过所述复位电路10可以实现对所述驱动晶体管DT的栅极电压的复位。所述转换电路3还包括耦接于恒压电源端VD和所述驱动晶体管DT的栅极之间的存储电容C0，以及耦接所述驱动晶体管DT的栅极和第一极之间的所述补偿电路20。其中，所述恒压电源端VD可以为高电位电源端，可以提供恒定的高电位信号。在所述补偿电路20和所述驱动晶体管DT均开启之后，可以根据所述恒压电源端VD提供的电压信号V1对所述驱动晶体管DT的栅极进行充电，将所述驱动晶体管DT的阈值电压以及电压信号V1写入所述驱动晶体管DT 的栅极，以使所述驱动晶体管DT的栅极的电压变为(V1+Vth)；其中，Vth 表示所述驱动晶体管DT的阈值电压，V1表示所述恒压电源端VD提供的电压信号。还可以将写入所述驱动晶体管DT的栅极的信号存储在所述存储电容C0 中。耦接于输出端Vout和所述驱动晶体管DT的第一极之间的所述输出电路 30可以在第二控制端S2的控制下导通。所述驱动晶体管DT的第二极与所述恒压电源端VD耦接，在外力作用在所述虚拟按键模组4上时，所述驱动晶体管DT可以将相应的所述压敏电容结构2产生的电容变化对应的电信号经导通的所述输出电路30以及所述输出端Vout耦接。此外，在形成所述驱动晶体管 DT和所述输出电路30的电流通路之后，所述驱动晶体管DT在所述存储电容 C0和所述压敏电容结构2释放所写入的信号的作用下生成驱动电流，从而输出电信号。如此一来，通过所述转换电路3将外力作用于所述虚拟按键模组4 上所述压敏电容结构2所产生的电容变化转换为电信号变化。需要说明的是，图8中的“C1”为至少一个所述压敏电容结构2所构成的电容结构，由于其在按压过程中，可以有不同的电容值，所以所构成的电容结构类似于可变电容器。
在本发明实施例中，仍结合图8所示，所述复位电路10包括复位晶体管 T1，所述复位晶体管T1的栅极与所述第一控制端S1耦接，所述复位晶体管 T1的第一极与所述驱动晶体管DT的栅极耦接，所述复位晶体管T1的第二极与所述公共电极6耦接；
所述补偿电路20包括补偿晶体管T2，所述补偿晶体管T2的栅极与第三控制端S3耦接，所述补偿晶体管T2的第一极与所述驱动晶体管DT的栅极耦接，所述补偿晶体管T2的第二极与所述驱动晶体管DT的第一极耦接；
所述输出电路30包括输出晶体管T3，所述输出晶体管T3的栅极与所述第二控制端S2耦接，所述输出晶体管T3的第一极和所述驱动晶体管DT的第一极耦接，所述输出晶体管T3的第二极与所述输出端Vout耦接。
在具体实施过程中，上述提及的各晶体管可以均为P型晶体管，还可以均为N型晶体管，在此不做限定。当任一晶体管为P型晶体管时，针对该晶体管所加载的控制信号为高电平时，该晶体管截止，针对该晶体管所加载的控制信号为低电平时，该晶体管导通；当任一晶体管为N型晶体管时，针对该晶体管所加载的控制信号为高电平时，该晶体管导通，针对该晶体管所加载的控制信号为低电平时，该晶体管截止。
需要说明的是，上述提及的各个晶体管的第一极和第二极可以根据相应的类型以及信号端的信号的不同，其功能可以互换。比如，可以是第一极为源极，相应地第二极为漏极，再比如，可以是第一极为漏极，相应地第二极为源极，在此不做限定。
以上仅是举例说明本发明实施例提供的驱动电路中的各电路的具体结构，在具体实施时，上述电路的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，这些均在本发明的保护范围之内，具体在此不做限定。对于所述曲面显示基板中未提交的膜层结构，比如，盖板、电磁屏蔽膜等，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，这些均在本发明的保护范围之内，在此不做限定。
基于同一发明构思，如图9所示，本发明实施例还提供了一种曲面显示装置，该曲面显示装置包括：
如上面任一项所述的曲面显示基板100，以及通过柔性电路板200与所述曲面显示基板100连接的控制电路300；
在外力作用于所述虚拟按键模组4时，所述控制电路300用于接收所述压敏电容结构2发生的电容变化所对应的电信号变化，并根据所述电信号变化控制所述曲面显示基板100执行屏幕显示相关的动作。
仍结合图9所示，所述控制电路300与所述转换电路3耦接，在外力作用于所述虚拟按键模组4时，所述压敏电容结构2产生电容变化，所述转换电路 3将所述电容变化转换为电信号变化，并发送至所述控制电路300，所述控制电路300可以根据所述电信号变化控制所述曲面显示基板100执行屏幕显示相关的动作，比如，音量调整、开关机调整等，在此不做限定。
该曲面显示装置解决问题的原理与前述曲面显示基板100相似，因此该曲面显示装置的实施可以参见前述曲面显示基板100的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施过程中，本发明实施例提供的曲面显示装置可以为手机，还可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该曲面显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
基于同一发明构思，如图10所示，本发明实施例还提供了一种如上面任一项所述的曲面显示基板的驱动方法，包括：
S101：在外力作用于所述虚拟按键模组时，通过所述转换电路获得所述压敏电容结构所产生的电容变化；
S102：将所述电容变化转换为电信号变化。
在具体实施过程中，步骤S101至步骤S102的具体实现过程如下：
在外力作用于所述虚拟按键模组4时，即外力按压所述虚拟按键模组4时，相应位置处的所述压敏电容结构2发生形如图11所示的形变，图11中箭头X 所示方向为外力按压所述虚拟按键模组4的方向，相应地，所述压敏电容结构 2对应的传感电极5和公共电极6之间的距离变短，所述压敏电容结构2对应的电容值增大；比如，在充入所述压敏电容结构2的电荷总量确定的前提下，传感电极5和公共电极6之间的电势差降低；再比如，在所述压敏电容结构2 对应的传感电极5和公共电极6之间的电势差不变的前提下，所述压敏电容结构2上的电荷总量增加。如此一来，可以在与传感电极5连接的导线上产生电流。所述压敏电容结构2形变所导致电压差异或者是电流产生的压降等电信号变化可以被所述转换电路3所分辨，通过所述转换电路3将所述压敏电容结构 2所引起的电容变化转换为电信号变化，后续在对所转换的电信号放大和去噪等处理之后，可以通过所述曲面显示基板中的相关金属线以及柔性线路板传导到控制电路，从而触发诸如锁屏解锁、音量调整等动作。
在本发明实施例中，若所述压敏电容结构2的电容变化由C1增大至(C1+ΔC)，则所述将所述电容变化转换为电信号变化，包括：
按照以下公式将所述电容变化转换为电信号变化：
其中，V1表示加载至恒压电源端VD的电压信号，Vth表示所述驱动晶体管 DT的阈值电压，C0表示所述转换电路3中存储电容C0的电容值，Vcom表示加载至所述公共电极6的公共电压信号，ΔVA表示所述电信号变化。
在本发明实施例中，如图12所示，在所述在外力作用于所述虚拟按键模组4之前，即外力未按压所述虚拟案件模组时，所述方法还包括：
S201：在第一阶段，在第一控制端对所述转换电路中的复位电路的控制下，将所述公共电极提供的公共电压信号加载至所述转换电路中的驱动晶体管的栅极；
S202：在第二阶段，将所述驱动晶体管的阈值电压以及所述公共电压信号写入所述转换电路中的存储电容；
S203：在第三阶段，在第二控制端对所述转换电路中的输出电路的控制下，导通所述输出电路。
对于步骤S201至步骤S203的具体实现过程，下面结合图8所示的转换电路3以及图13所示的时序图进行相应的解释说明，其中，“0”表示低电位，“1”表示高电位，：
第一阶段t1：S1＝0；S2＝1；S3＝1；
在第一阶段t1，在第一控制端S1所加载的低电位信号的控制下，所述复位晶体管T1导通，所述补偿晶体管T2和所述输出晶体管T3截止，将所述公共电极提供的公共电压信号Vcom加载至所述驱动晶体管DT的栅极，从而将 A点电位复位到Vcom；
第二阶段t2：S1＝1；S2＝1；S3＝0；
在第二阶段t2，在第三控制端S3所加载的低电位信号的控制下，所述补偿晶体管T2导通，所述驱动晶体管DT处于二极管连接状态，将所述驱动晶体管DT以及所述公共电压信号Vcom写入所述转换电路中的存储电容C0，A 点电位逐渐升高至V1+Vth，此时，所述驱动晶体管DT无电流流通；
第三阶段t3：S1＝1；S2＝0；S3＝1；
在第三阶段t3，在第二控制端S2所加载的低电位信号的控制下，所述输出晶体管T3导通，此时，所述驱动晶体管的Vgs＝Vth，所述驱动晶体管DT 无电流流通。
在具体实施过程中，在外力按压所述虚拟按键模组4时，若所述压敏电容结构2的电容变化由C1增大至(C1+ΔC)，即C1增大了ΔC，此时，A点电位为：
如此一来，A点的电信号变化为：
可见，所述驱动晶体管DT的Vgs减小，所述驱动晶体管DT上产生了流通电流IDT，相应的电流变化如图13所示，由于电流的大小与电容变化相关，如此一来，可以实现对不同按压外力的识别。
本发明实施例提供了一种曲面显示基板、其驱动方法及装置，其中，该曲面显示基板包括衬底基板1，该衬底基板1被划分为平面显示区A1和至少一个曲面显示区A2，该曲面显示区A2相较于平面显示区A1弯折一预设角度，该曲面显示区A2包括至少一个压敏电容结构2以及与该至少一个压敏电容结构2耦接的转换电路3，该至少一个压敏电容结构2和转换电路3构成虚拟按键模组4，也就是说，通过设置在曲面显示基板的至少一个压敏电容结构2和转换电路3构成的虚拟按键模组4，实现对实体按键的等同替换，如此一来，将按键有效地集成在了屏幕上，提高了曲面显示装置的视觉效果。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种曲面显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板被划分为平面显示区和至少一个曲面显示区，所述曲面显示区相较于所述平面显示区弯折一预设角度；
所述曲面显示区包括至少一个压敏电容结构以及与所述至少一个压敏电容结构耦接的转换电路，所述至少一个压敏电容结构和所述转换电路构成虚拟按键模组。
2.如权利要求1所述的曲面显示基板，其特征在于，一个所述压敏电容结构包括依次背离所述衬底基板的传感电极和公共电极，所述传感电极和所述公共电极之间具有能够承受一定的形变量的间距。
3.如权利要求2所述的曲面显示基板，其特征在于，所述至少一个压敏电容结构为并联的多个电容值互不相同的电容结构，所述虚拟按键模组被划分为与各所述压敏电容结构对应的多个虚拟按键区域。
4.如权利要求3所述的曲面显示基板，其特征在于，各个所述压敏电容结构对应的所述公共电极为一体结构，各个所述压敏电容结构对应的所述传感电极为彼此分离的结构，且在所述衬底基板上的正投影面积大小互不相同。
5.如权利要求2-4任一项所述的曲面显示基板，其特征在于，所述曲面显示基板包括发光功能层和驱动电路层，所述传感电极与所述驱动电路层中的栅电极或源漏电极同层设置。
6.如权利要求5所述的曲面显示基板，其特征在于，所述曲面显示基板还包括设置在所述发光功能层上的封装层，以及设置在所述封装层背离所述发光功能层的一侧的触控功能层，所述公共电极与所述触控功能层中的其中一个触控电极同层设置，其中，所述封装层在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个压敏电容结构在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
7.如权利要求6所述的曲面显示基板，其特征在于，所述封装层和所述触控功能层之间还设置有透明光学胶，所述透明光学胶和所述封装层的总厚度范围为20μm～40μm，其中，所述透明光学胶在所述衬底基板上的正投影与所述至少一个压敏电容结构在所述衬底基板上的正投影互不交叠。
8.如权利要求7所述的曲面显示基板，其特征在于，所述转换电路包括复位电路、存储电容、补偿电路、驱动晶体管和输出电路；其中：
所述复位电路与所述驱动晶体管的栅极耦接，用于在第一控制端的控制下，将所述公共电极提供的公共电压信号加载至所述驱动晶体管的栅极；
所述存储电容耦接于恒压电源端和所述驱动晶体管的栅极之间；
所述补偿电路耦接于所述驱动晶体管的栅极和第一极之间，用于将所述驱动晶体管的阈值电压以及所述公共电压信号写入所述存储电容；
所述输出电路耦接于输出端和所述驱动晶体管的第一极之间，用于在第二控制端的控制下导通；
所述驱动晶体管的第二极与所述恒压电源端耦接，用于在外力作用在所述虚拟按键模组上时，将所述压敏电容结构产生的电容变化对应的电信号经导通的所述输出电路以及所述输出端输出，其中，各所述传感电极均与所述驱动晶体管的栅极耦接。
9.如权利要求8所述的曲面显示基板，其特征在于，所述复位电路包括复位晶体管，所述复位晶体管的栅极与所述第一控制端耦接，所述复位晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述复位晶体管的第二极与所述公共电极耦接；
所述补偿电路包括补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极与第三控制端耦接，所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述输出电路包括输出晶体管，所述输出晶体管的栅极与所述第二控制端耦接，所述输出晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第一极耦接，所述输出晶体管的第二极与所述输出端耦接。
10.一种曲面显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1-9任一项所述的曲面显示基板，以及通过柔性电路板与所述曲面显示基板连接的控制电路；
在外力作用于所述虚拟按键模组时，所述控制电路用于接收所述压敏电容结构发生的电容变化所对应的电信号变化，并根据所述电信号变化控制所述曲面显示基板执行屏幕显示相关的动作。
11.一种如权利要求1-9任一项所述的曲面显示基板的驱动方法，其特征在于，包括：
在外力作用于所述虚拟按键模组时，通过所述转换电路获得所述压敏电容结构所产生的电容变化；
将所述电容变化转换为电信号变化。
12.如权利要求11所述的驱动方法，其特征在于，若所述压敏电容结构的电容变化由C1增大至(C1+ΔC)，则所述将所述电容变化转换为电信号变化，包括：
按照以下公式将所述电容变化转换为电信号变化：
其中，V1表示加载至恒压电源端的电压信号，Vth表示所述驱动晶体管的阈值电压，C0表示所述转换电路中存储电容的电容值，Vcom表示加载至所述公共电极的公共电压信号，ΔVA表示所述电信号变化。
13.如权利要求11所述的驱动方法，其特征在于，在所述在外力作用于所述虚拟按键模组之前，所述方法还包括：
在第一阶段，在第一控制端对所述转换电路中的复位电路的控制下，将所述公共电极提供的公共电压信号加载至所述转换电路中的驱动晶体管的栅极；
在第二阶段，将所述驱动晶体管的阈值电压以及所述公共电压信号写入所述转换电路中的存储电容；
在第三阶段，在第二控制端对所述转换电路中的输出电路的控制下，导通所述输出电路。
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