CN114050208A - 一种改进的高电子迁移率发光晶体管 - Google Patents

一种改进的高电子迁移率发光晶体管 Download PDF

Info

Publication number
CN114050208A
CN114050208A CN202111331707.7A CN202111331707A CN114050208A CN 114050208 A CN114050208 A CN 114050208A CN 202111331707 A CN202111331707 A CN 202111331707A CN 114050208 A CN114050208 A CN 114050208A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
hemt
region
barrier layer
gallium nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111331707.7A
Other languages
English (en)
Inventor
任开琳
殷录桥
张建华
路秀真
郭爱英
张文魁
安原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN202111331707.7A priority Critical patent/CN114050208A/zh
Publication of CN114050208A publication Critical patent/CN114050208A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0041—Devices characterised by their operation characterised by field-effect operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上。HEMT区和LED区均包括至少一层2DEG层，且HEMT区和LED区通过2DEG层连接；HEMT区还包括栅极；栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹HEMT区中的2DEG层，用于控制LED区是否发光以及发光强度。本发明采用三维鳍式栅极结构，栅极包裹在2DEG层形成的导电沟道的三侧，以控制整个HEMT区导电沟道的开通和关断，进而控制LED区是否发光以及发光强度。

Description

一种改进的高电子迁移率发光晶体管
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改进的高电子迁移率发光晶体管。
背景技术
氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管(AIGaN/GaN HEMT)在高温、高频率和高功率的应用环境下具有极高的优越性。氮化镓除了应用于场效应晶体管外还被广泛应用于发光二极管等装置。目前已存在一种高迁移率晶体管与氮化镓发光二极管相耦合的高电子迁移率发光晶体管结构，该结构可能包括一层或者多层量子阱，通过增设量子阱层可以有效的调控LED端的发光强度，但随着量子阱层数的增加，栅极难以对整个HEMT导电沟道进行控制，进而难以对LED的发光光强以及亮灭进行控制，因此亟需提供一种既能充分优化LED发光强度又能通过栅极有效控制整个HEMT导电沟道的高电子迁移率发光晶体管。
发明内容
本发明的目的是提供一种改进的高电子迁移率发光晶体管，能够有效地控制LED发光二极管的发光强度及亮灭。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种改进的高电子迁移率发光晶体管，所述高电子迁移率发光晶体管包括：
基板；
高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；
氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上；
所述HEMT区和所述LED区均包括至少一层2DEG层，且所述HEMT区和所述LED区通过所述2DEG层连接；
所述HEMT区还包括栅极；所述栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹所述HEMT区中的2DEG层，用于控制所述LED区是否发光以及发光强度。
可选地，所述高电子迁移率发光晶体管还包括：
缓冲层，设置于所述基板上；
所述HEMT区和所述LED区设置于所述缓冲层上。
可选地，所述HEMT区还包括：
N个第一复合层，N为大于或等于1的正整数；第1个第一复合层位于所述缓冲层上；当N大于1时，第i个第一复合层位于第i-1个第一复合层上侧，i小于或等于N；所述第一复合层包括第一量子阱与第一氮化镓势垒层；所述第一量子阱设置于所述第一氮化镓势垒层上表面；所述第一量子阱与第一氮化镓势垒层的接触面上产生第一2DEG层；
第一阻挡层，位于第N个所述第一复合层上，且所述第一阻挡层与所述第一量子阱的接触面上产生第二2DEG层；
源极，设置在所述第一阻挡层上。
可选地，所述LED区还包括：
N个第二复合层，第1个第二复合层位于所述缓冲层上；当N大于1时，第i个第二复合层位于第i-1个第二复合层上侧，i小于或等于N；所述第二复合层包括第二量子阱与第二氮化镓势垒层；所述第二量子阱设置于所述第二氮化镓势垒层上表面；所述第二量子阱与第二氮化镓势垒层的接触面上产生第三2DEG层；
第二阻挡层，位于第N个所述第二复合层上，且所述第二阻挡层与所述第二量子阱的接触面上产生第四2DEG层；
P型氮化镓层，设置在所述第二阻挡层上；
漏极，设置于所述P型氮化镓层的上表面；
其中，第i个第一复合层与第i个第二复合层串联；所述第一阻挡层与所述第二阻挡层串联。
可选地，第N层第一复合层与所述第一阻挡层的长度和宽度均相等；
第N层第二复合层与所述第二阻挡层的长度和宽度均相等。
可选地，所述基板的材质为硅或蓝宝石或碳化硅。
可选地，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层均为氮化铝镓势垒层。
可选地，所述缓冲层的材质为掺有碳的氮化镓或掺有铁的氮化镓或氮化铝/氮化镓超晶格结构或氮化铝镓/氮化镓超晶格结构。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提供了一种改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上。HEMT区和LED区均包括至少一层2DEG层，且HEMT区和LED区通过2DEG层连接；HEMT区还包括栅极；栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹HEMT区中的2DEG层，用于控制LED区是否发光以及发光强度。本发明采用三维鳍式栅极结构，栅极分为上表面栅极和侧表面栅极，栅极包裹在2DEG层形成的导电沟道的三边，以控制整个HEMT区导电沟道的开通和关断，进而控制LED区是否发光以及发光强度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明改进的高电子迁移率发光晶体管的结构主视图；
图2为本发明改进的高电子迁移率发光晶体管的结构侧面图。
符号说明：
基板-1；高电子迁移率晶体管HEMT区-2，源极-21，栅极-22，第一阻挡层-23，第一量子阱-24，第一氮化镓势垒层25；氮化镓发光二极管LED区-3，漏极-31，P型氮化镓层-32，第二阻挡层33，第二量子阱34，第二氮化镓势垒层35；缓冲层4。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种改进的高电子迁移率发光晶体管，能够有效地控制LED发光二极管的发光强度及亮灭。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，本发明改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板1、高电子迁移率晶体管HEMT区2和氮化镓发光二极管LED区3。
高电子迁移率晶体管HEMT区2，设置于所述基板1上。
氮化镓发光二极管LED区3，设置于所述基板1上。
所述HEMT区2和所述LED区3均包括至少一层2DEG层，且所述HEMT区2和所述LED区3通过所述2DEG层连接。
如图2所示，所述HEMT区2还包括栅极22；所述栅极22为三维鳍式结构，且由上而下包裹所述HEMT区2中的2DEG层，用于控制所述LED区3是否发光以及发光强度。具体地，栅极22分为上表面栅极和侧表面栅极，所述HEMT区2和所述LED区3中的2DEG层形成导电沟道，栅极22包裹在导电沟道的三侧边，控制整个HEMT导电沟道的开通和关断。当施加正向栅极电压时，两个侧边栅极对电子的耗尽作用将能够耗尽所有多层量子阱中的电子，从而避免平面型栅极无法控制最下层量子阱的问题。栅极通过控制导电沟道电流的大小控制LED的发光强度以及沟道电流的有无控制LED的亮灭。
进一步地，如图1所示，所述高电子迁移率发光晶体管还包括：缓冲层4。
所述缓冲层4设置于所述基板1上。所述HEMT区2和所述LED区3设置于所述缓冲层4上。
进一步地，所述HEMT区2还包括：N个第一复合层、第一阻挡层23和源极21。
N个第一复合层，N为大于或等于1的正整数；第1个第一复合层位于所述缓冲层4上；当N大于1时，第i个第一复合层位于第i-1个第一复合层上侧，i小于或等于N；所述第一复合层包括第一量子阱24与第一氮化镓势垒层25；所述第一量子阱24设置于所述第一氮化镓势垒层25上表面；所述第一量子阱24与第一氮化镓势垒层25的接触面上产生第一2DEG层。第一氮化镓势垒层25有部分区域被三维鳍式栅极结构包裹，其中的载流子流动会直接受栅极电压影响。
第一阻挡层23，位于第N个所述第一复合层上，且所述第一阻挡层23与所述第一量子阱24的接触面上产生第二2DEG层。第一阻挡层23主要用于在HEMT区2形成2DEG层。多层第一2DEG层和第二2DEG层的作用是增加了HEMT区的2DEG浓度，进而提升了HEMT对右侧LED的开关速度。
源极21，设置在所述第一阻挡层23上，与栅极22不接触。
更进一步地，所述LED区3还包括：N个第二复合层、第二阻挡层33、P型氮化镓层32和漏极31。
N个第二复合层，第1个第二复合层位于所述缓冲层上；当N大于1时，第i个第二复合层位于第i-1个第二复合层上侧，i小于或等于N；所述第二复合层包括第二量子阱34与第二氮化镓势垒层35；所述第二量子阱34设置于所述第二氮化镓势垒层35上表面；所述第二量子阱34与第二氮化镓势垒层35的接触面上产生第三2DEG层。
第二阻挡层33，位于第N个所述第二复合层上，且所述第二阻挡层33与所述第二量子阱34的接触面上产生第四2DEG层；第二阻挡层33是LED中用作电子阻挡层、增大量子阱中复合几率的势垒层。
P型氮化镓层32，设置在所述第二阻挡层33上。
漏极31，设置于所述P型氮化镓层32的上表面。
其中，第i个第一复合层与第i个第二复合层串联；所述第一阻挡层23与所述第二阻挡层33串联。
第三2DEG层和第四2DEG层的作用是提高LED区的辐射复合效率进而提高LED的发光强度。2DEG层存在于量子阱中，靠近量子阱与势垒层的交界面。
进一步地，第N层第一复合层与所述第一阻挡层23的长度和宽度均相等；
第N层第二复合层与所述第二阻挡层33的长度和宽度均相等。
进一步地，所述基板1的材质为硅或蓝宝石或碳化硅。基板置于整个结构的最下边，起到对整个结构的支撑作用。
进一步地，所述第一阻挡层23和所述第二阻挡层33均为氮化铝镓势垒层。
进一步地，所述缓冲层4的材质为掺有碳的氮化镓或掺有铁的氮化镓或氮化铝/氮化镓超晶格结构或氮化铝镓/氮化镓超晶格结构。
阻挡层的功能是提高对载流子的阻挡作用，把载流子更强的限制在量子阱中，提高辐射复合的效率以及与下方InGaN量子阱层一起产生压电极化诱导2DEG产生。
复合层的功能是形成多量子阱结构，把载流子限制在量子阱中，提高辐射复合的效率进而提高放光强度。
其中，第1层氮化镓势垒层还能够将量子阱层和掺有深能级杂质的缓冲层隔离开，避免载流子被深能级杂质捕捉从而降低量子阱层内的复合。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率发光晶体管包括：
基板；
高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；
氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上；
所述HEMT区和所述LED区均包括至少一层2DEG层，且所述HEMT区和所述LED区通过所述2DEG层连接；
所述HEMT区还包括栅极；所述栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹所述HEMT区中的2DEG层，用于控制所述LED区是否发光以及发光强度。
2.根据权利要求1所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率发光晶体管还包括：
缓冲层，设置于所述基板上；
所述HEMT区和所述LED区设置于所述缓冲层上。
3.根据权利要求2所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述HEMT区还包括：
N个第一复合层，N为大于或等于1的正整数；第1个第一复合层位于所述缓冲层上；当N大于1时，第i个第一复合层位于第i-1个第一复合层上侧，i小于或等于N；所述第一复合层包括第一量子阱与第一氮化镓势垒层；所述第一量子阱设置于所述第一氮化镓势垒层上表面；所述第一量子阱与第一氮化镓势垒层的接触面上产生第一2DEG层；
第一阻挡层，位于第N个所述第一复合层上，且所述第一阻挡层与所述第一量子阱的接触面上产生第二2DEG层；
源极，设置在所述第一阻挡层上。
4.根据权利要求3所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述LED区还包括：
N个第二复合层，第1个第二复合层位于所述缓冲层上；当N大于1时，第i个第二复合层位于第i-1个第二复合层上侧，i小于或等于N；所述第二复合层包括第二量子阱与第二氮化镓势垒层；所述第二量子阱设置于所述第二氮化镓势垒层上表面；所述第二量子阱与第二氮化镓势垒层的接触面上产生第三2DEG层；
第二阻挡层，位于第N个所述第二复合层上，且所述第二阻挡层与所述第二量子阱的接触面上产生第四2DEG层；
P型氮化镓层，设置在所述第二阻挡层上；
漏极，设置于所述P型氮化镓层的上表面；
其中，第i个第一复合层与第i个第二复合层串联；所述第一阻挡层与所述第二阻挡层串联。
5.根据权利要求4所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，第N层第一复合层与所述第一阻挡层的长度和宽度均相等；
第N层第二复合层与所述第二阻挡层的长度和宽度均相等。
6.根据权利要求1所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述基板的材质为硅或蓝宝石或碳化硅。
7.根据权利要求4所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层均为氮化铝镓势垒层。
8.根据权利要求2所述的改进的高电子迁移率发光晶体管，其特征在于，所述缓冲层的材质为掺有碳的氮化镓或掺有铁的氮化镓或氮化铝/氮化镓超晶格结构或氮化铝镓/氮化镓超晶格结构。
CN202111331707.7A 2021-11-11 2021-11-11 一种改进的高电子迁移率发光晶体管 Pending CN114050208A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111331707.7A CN114050208A (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种改进的高电子迁移率发光晶体管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111331707.7A CN114050208A (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种改进的高电子迁移率发光晶体管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114050208A true CN114050208A (zh) 2022-02-15

Family

ID=80208383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111331707.7A Pending CN114050208A (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种改进的高电子迁移率发光晶体管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114050208A (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005354101A (ja) * 2005-08-01 2005-12-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
CN101355131A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 丰田合成株式会社 第ⅲ族氮化物基化合物半导体器件
US20110088456A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Fan Ren Normalized hydrogen sensing and methods of fabricating a normalized hydrogen sensor
CN103915336A (zh) * 2013-01-08 2014-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 三维量子阱晶体管及其形成方法
CN105762078A (zh) * 2016-05-06 2016-07-13 西安电子科技大学 GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
CN105810707A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 黄智方 高电子迁移率发光晶体管的结构
CN106449914A (zh) * 2016-08-25 2017-02-22 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
US20170338810A1 (en) * 2014-11-14 2017-11-23 The Hong Kong University Of Science And Technology Transistors having on-chip integrared photon source or photonic-ohmic drain to faciliate de-trapping electrons trapped in deep traps of transistors
CN109560118A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 南京誉凯电子科技有限公司 T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管
US20190198652A1 (en) * 2017-12-27 2019-06-27 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
CN110676167A (zh) * 2018-07-02 2020-01-10 西安电子科技大学 多沟道鳍式结构的AlInN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法
CN111430458A (zh) * 2020-04-28 2020-07-17 上海航天测控通信研究所 多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
CN111799326A (zh) * 2020-08-03 2020-10-20 无锡职业技术学院 一种新型二维电子气浓度调控的晶体管结构及制作方法
US20200388722A1 (en) * 2017-09-18 2020-12-10 King Abdullah University Of Science And Technology Optoelectronic device having a boron nitride alloy electron blocking layer and method of production
US20200411663A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-31 Cree, Inc. Composite-Channel High Electron Mobility Transistor
CN113540232A (zh) * 2021-07-27 2021-10-22 陕西君普新航科技有限公司 AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005354101A (ja) * 2005-08-01 2005-12-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
CN101355131A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 丰田合成株式会社 第ⅲ族氮化物基化合物半导体器件
US20110088456A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Fan Ren Normalized hydrogen sensing and methods of fabricating a normalized hydrogen sensor
CN103915336A (zh) * 2013-01-08 2014-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 三维量子阱晶体管及其形成方法
US20170338810A1 (en) * 2014-11-14 2017-11-23 The Hong Kong University Of Science And Technology Transistors having on-chip integrared photon source or photonic-ohmic drain to faciliate de-trapping electrons trapped in deep traps of transistors
CN105810707A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 黄智方 高电子迁移率发光晶体管的结构
CN105762078A (zh) * 2016-05-06 2016-07-13 西安电子科技大学 GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
CN106449914A (zh) * 2016-08-25 2017-02-22 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
US20200388722A1 (en) * 2017-09-18 2020-12-10 King Abdullah University Of Science And Technology Optoelectronic device having a boron nitride alloy electron blocking layer and method of production
CN109560118A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 南京誉凯电子科技有限公司 T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管
US20190198652A1 (en) * 2017-12-27 2019-06-27 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
CN110676167A (zh) * 2018-07-02 2020-01-10 西安电子科技大学 多沟道鳍式结构的AlInN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法
US20200411663A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-31 Cree, Inc. Composite-Channel High Electron Mobility Transistor
CN111430458A (zh) * 2020-04-28 2020-07-17 上海航天测控通信研究所 多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
CN111799326A (zh) * 2020-08-03 2020-10-20 无锡职业技术学院 一种新型二维电子气浓度调控的晶体管结构及制作方法
CN113540232A (zh) * 2021-07-27 2021-10-22 陕西君普新航科技有限公司 AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101459752B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101228983B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR100604406B1 (ko) 질화물 반도체 소자
US9680053B2 (en) Nitride semiconductor device
JP2009071277A (ja) 窒化物ベースのダイオード内への分極ドーピング
KR101393897B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130008295A (ko) 질화물 발광소자
JP2007088481A (ja) 窒化物半導体素子
KR102224116B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
CN104538518A (zh) 氮化物发光二极管
TW201338197A (zh) 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
US10069035B2 (en) Light-emitting device and lighting system
WO2016065884A1 (zh) 发光二极管
KR100542720B1 (ko) GaN계 접합 구조
CN111201616B (zh) 具有氮化硼合金电子阻挡层的光电器件及制造方法
US20160315221A1 (en) Light-emitting element
KR101047691B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2017022288A (ja) 半導体装置
CN114050208A (zh) 一种改进的高电子迁移率发光晶体管
KR101037987B1 (ko) 전극패턴을 구비하는 발광 소자
KR20120014341A (ko) 발광다이오드 소자
KR100999694B1 (ko) 발광 소자
KR102237123B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR101074079B1 (ko) 반도체 발광 소자
KR101297788B1 (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination