CN114019765B - 一种基于边缘光抑制的共路相位调制激光直写方法与装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法与装置，包括引发光刻胶产生聚合反应的激发光源和抑制（或中断）光刻胶聚合的抑制光源。两束准直光以互相垂直的线偏振态进行合束，合束后的两束光经过同一个空间光调制器（SLM）进行相位调制。将所述SLM分成两部分，对应偏振的激发光被SLM第一部分调制相位进行像差校正，最后经过物镜聚焦形成圆形实心光斑；与激发光偏振相垂直的抑制光被SLM第二部分调制相位，最后经过物镜聚焦形成环形空心光斑。激发光的圆形实心光斑与抑制光环形空心光斑中心重合。本发明通过将SLM进行区分复用，对基于边缘光抑制的激光直写技术的双光束同时进行光场调控，实现共路相位调制。

Description

一种基于边缘光抑制的共路相位调制激光直写方法与装置
技术领域
本发明涉及超精密光学刻写领域，具体地，涉及一种基于边缘光抑制的共路相位调制激光直写方法与装置。
背景技术
激光直写技术是一种通过激光在具有感光涂层的基片上进行扫描，直接产生所需刻写图形的微纳加工方法，无需掩模版，具有成本低、灵活性强的特点。随着纳米技术的不断发展，在各个领域中所要求加工的器件结构的尺寸越来越小。然而，任何光学***都受到光学衍射的限制，在激光直写***中，其分辨率始终局限在R=kλ/NA（其中，k为与刻写工艺相关的常数，λ为激光波长，NA为刻写物镜的数值孔径），因此提高激光直写技术的分辨率成了迫切需求。
随着飞秒脉冲激光的出现，在直写过程中引入光与材料的双光子吸收非线性效应，实现三维复杂微纳结构的加工，将横向直写分辨率提升至亚百纳米尺度，并大幅提升轴向分辨率。此外，受到超分辨显微成像中受激辐射损耗显微成像技术（STED）的启发，激光直写技术利用双光束同时作用于光刻胶，其中一束汇聚的高斯光作用于光刻胶上使其引发聚合反应，另一束空心光汇聚于实心光斑边缘，使其产生边缘光抑制效应（PeripheralPhotoinhibition, PPI），从而抑制实心光斑边缘区域的聚合反应，仅使空心光斑中心区域光强接近于零附近的区域产生聚合，将直写分辨率提升至亚50 nm。
在现有的基于边缘光抑制的双光束激光直写技术中，通常通过涡旋相位板调制抑制光束的相位使其变成空心光斑，这种方法在进行光斑调制时无法灵活调控调制相位，在进行光路调节中无法补偿***带来的像差问题。为了解决这个问题，通过引入SLM对抑制光进行光场调控，这种方法可以任意设置光场所加载的相位，灵活调制光斑形状，并同时补偿光路中引入的像差。然而，这种方法只能调制抑制光束的相位，而无法保证激发光路因像差而引入的光斑变形等问题。
基于以上背景，本发明通过将SLM进行区分复用，对基于边缘光抑制的激光直写技术中的双光束同时进行光场调控，实现共路相位调制，可以同时校正双光束光路中引入的像差，在保证双光束获得所需调制光斑基础上，增加了***光路稳定性，SLM像素利用率高，减少器件的使用，使***结构更加紧凑。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写装置。
本发明的具体技术方案如下：
一种基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写装置，包括用于引发光刻胶产生光聚合反应的激发光路、用于抑制光刻胶光产生光聚合反应的抑制光路、激发光与抑制光的合束光路，
所述激发光光路依次经过第一激光器、第一缩束器、第一声光调制器、第一扩束器、第一反射镜和第一半波片；
所述抑制光光路依次经过第二激光器、第二缩束器、第二声光调制器、第二扩束器和第二半波片；
所述合束光光路依次经过偏振合束器、第三半波片、第二反射镜、SLM第一部分、第一四分之一波片、第三反射镜、第一四分之一波片、SLM第二部分、第四反射镜、第一透镜、第五反射镜、场镜、第一四分之一波片、物镜、精密位移平台、光刻胶样品；
还包括：计算机，所述计算机分别与第一声光调制器、第二声光调制器、SLM和精密位移平台连接。
优选的，所述第一激光器可以为连续光激光器，用于引发光刻胶的单光子吸收聚合反应，也可以为皮秒或飞秒脉冲激光器，用于引发光刻胶的双光子吸收聚合反应。
优选的，第二激光器为连续光激光器。
优选的，所述第一激光器与第二激光器波长相同。
优选的，所述第三反射镜设置于第一透镜的前焦面处。
优选的，所述第一透镜与场镜共焦。
优选的，：所述场镜与物镜共焦。
一种基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，
包括如下步骤：
（1）第一激光器发出的激光作为激发光经过第一缩束器后，光斑直径减小至可通过其后设置的第一声光调制器，再经过所述第一声光调制器对其开关与强度进行调制，然后经过第一扩束器对光束进行准直与扩束，所述扩束后的光斑大小保证在进入后续安装的SLM时接近其工作面尺寸的一半，再经过第一反射镜进行光路转折，然后通过第一半波片调整其线偏振方向；
（2）第二激光器发出的激光作为抑制光经过第二缩束器后，光斑直径减小至可以通过后面安装的第二声光调制器，再经过所述第二声光调制器对其开关与强度进行调制，然后经过第二扩束器对光束进行准直与扩束，所述扩束后的光斑大小保证在进入后续安装的SLM时接近其工作面尺寸的一半，接着再通过第二半波片调整其线偏振方向；
（3）所述激发光与抑制光通过偏振合束器进行合束，再经过第三半波片同时调整激发光与抑制光的线偏振方向，使激发光的偏振方向与SLM对应的工作偏振方向一致；
（4）所述合束光经过第二反射镜反射后进入到分成两部分的SLM的第一部分上，在所述SLM第一部分上加载用于校正激发光光路产生的像差对应的灰度图像，使激发光光束产生相应的相位调制；与激发光同时入射到SLM第一部分的抑制光由于偏振与之垂直，故抑制光束经过所述SLM第一部分时不产生相位调制；所述被调制的激发光与未调制抑制光同时经过第一四分之一波片，然后经过第三反射镜反射再次经过第一四分之一波片，使激发光与抑制光的线偏振方向各自改变90度，再入射到所述SLM第二部分；在SLM第二部分上加载产生空心光斑对应的灰度图像，此时只有与所述SLM工作偏振方向一致的抑制光才会被SLM进行光场调控，使所述抑制光携带相应相位；与所述抑制光一同入射到所述SLM第二部分的激发光由于其偏振方向与SLM工作偏振方向垂直，不产生相位调制；
（5）经过SLM相位调制的激发光与抑制光光束经过第四反射镜反射，然后第一透镜进行汇聚，再经过第五反射镜反射入射到场镜上，由所述场镜出射的准直激发光与抑制光经过第二四分之一波片，调节所述第二四分之一波片使激发光和抑制光分别变成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光，再经过物镜进行汇聚，使激发光聚焦到样品面上形成圆形实心光斑；使抑制光聚焦到样品面上形成环形空心光斑。
优选的，所述第三反射镜经过第一透镜和场镜成像至物镜的入瞳面处。
优选的，计算机与第一声光调制器、第二声光调制器、SLM和精密位移平台连接计算机输出控制信号调节第一声光调制器和第二声光调制器，从而调节激发光与抑制光的光强与开关，进而控制微纳结构的刻写进程；计算机分别输出灰度图像信号给SLM的两个分区，调节激发光与抑制光的光场相位；计算机输出控制信号给精密位移平台，控制样品的精密位移平台的二维或三维移动。与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
（1）通过对SLM进行区分复用，对基于边缘光抑制的激光直写技术的双光束同时进行光场调控，可以实现抑制光变成空心光斑的同时校正激发光光路中引入的像差，保证激光直写更好的直写效果；
（2）通过将SLM进行区分复用，使激发光与抑制光实现共路相位调制，***具有更高稳定性，增加了SLM像素的利用率，减少器件的使用，使***结构更加紧凑。
附图说明
图1为本发明基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写装置示意图；
图2为本发明SLM模块中激发光与抑制光的偏振示意图；
图3（a）为本发明加载在SLM第一部分上调制激发光形成圆形实心光斑的灰度图像示意图；
图3（b）本发明加载在SLM第二部分上调制抑制光形成环形空心光斑的灰度图像示意图；
图4（a）为本发明激发光在样品面上形成的圆形实心光斑图；
图4（b）为本发明抑制光在样品面上形成的环形空心光斑图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图来详细说明本发明，但本发明并不仅限于此。
如图1所示，本发明的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写装置，包括：
用于引发光刻胶产生光聚合反应的激发光路；用于抑制光刻胶光产生光聚合反应的抑制光路；激发光与抑制光的合束光路；
所述激发光光路依次经过第一激光器1、第一缩束器2、第一声光调制器3、第一扩束器4、第一反射镜5和第一半波片6；
所述抑制光光路依次经过第二激光器7、第二缩束器8、第二声光调制器9、第二扩束器10和第二半波片11；
所述合束光光路依次经过偏振合束器12、第三半波片13、第二反射镜14、SLM15第一部分、第一四分之一波片16、第三反射镜17、第一四分之一波片16、SLM15第二部分、第四反射镜18、第一透镜19、第五反射镜20、场镜21、第一四分之一波片22、物镜23、精密位移平台24、光刻胶样品25；
还包括：计算机26，计算机26分别与第一声光调制器3、第二声光调制器9、SLM15和精密位移平台24连接。
本实施例中基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写装置的工作过程如下：
（1）第一激光器1发出的激光作为激发光经过第一缩束器2后，光斑直径减小至可以通过其后放置的第一声光调制器3，再经过第一声光调制器3对其开关与强度进行调制，然后经过第一扩束器4对光束进行准直与扩束，扩束后的光斑大小保证在进入后续安装的SLM15时接近其工作面尺寸的一半，再经过第一反射镜5进行光路转折，然后通过第一半波片6调整其线偏振方向；
（2）第二激光器7发出的激光作为抑制光经过第二缩束器8后，光斑直径减小至可以通过其后放置的第二声光调制器9，再经过第二声光调制器9对其开关与强度进行调制，然后经过第二扩束器10对光束进行准直与扩束，扩束后的光斑大小保证在进入后续安装的SLM15时接近其工作面尺寸的一半，接着再通过第二半波片11调整其线偏振方向；
（3）激发光与抑制光通过偏振合束器12进行合束，再经过第三半波片13同时调整激发光与抑制光的线偏振方向，使激发光的偏振方向与SLM15对应的工作偏振方向一致；
（4）合束光经过第二反射镜14反射后进入到分成两部分的SLM15的第一部分上（如图2所示），在SLM15第一部分上加载用于校正激发光光路产生的像差对应的灰度图像，如图3（a）所示，使激发光光束产生相应的相位调制；与激发光同时入射到SLM15第一部分的抑制光由于偏振与之垂直（如图2所示），故抑制光束经过SLM15第一部分时不产生相位调制；被调制的激发光与未调制抑制光同时经过第一四分之一波片16，然后经过第三反射镜17反射再次经过第一四分之一波片16，使激发光与抑制光的线偏振方向各自改变90度，再入射到SLM15第二部分；在SLM15第二部分上加载产生空心光斑对应的灰度图像，如图3（b）所示，此时只有与SLM15工作偏振方向一致的抑制光才会被SLM15进行光场调控，使抑制光携带相应相位；与抑制光一同入射到SLM15第二部分的激发光由于其偏振方向与SLM15工作偏振方向垂直（如图2所示），故不产生相位调制；
（5）经过SLM15相位调制的激发光与抑制光光束经过第四反射镜18反射，然后第一透镜19进行汇聚，再经过第五反射镜20反射入射到场镜21上，由场镜21出射的准直激发光与抑制光经过第二四分之一波片22，调节第二四分之一波片22使激发光和抑制光分别变成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光，再经过物镜23进行汇聚，使激发光聚焦到光刻胶样品25面上形成圆形实心光斑，如图4（a）所示；使抑制光聚焦到光刻胶样品25面上形成环形空心光斑，如图4（b）所示；
（6）计算机26输出控制信号调节第一声光调制器3和第二声光调制器9，从而调节激发光与抑制光的光强与开关，进而控制微纳结构的刻写进程；同时，计算机26分别输出灰度图像信号给SLM15的两个分区，调节激发光与抑制光的光场相位；此外，计算机输出控制信号给精密位移平台24，控制样品的台的二维或三维移动，实现微纳结构的加工。
以上所述仅为本发明的较佳实施举例，并不用于限制本发明，凡在本发明精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，所述方法采用的装置包括用于引发光刻胶产生光聚合反应的激发光路、用于抑制光刻胶光产生光聚合反应的抑制光路、激发光与抑制光的合束光路，其特征在于：
所述激发光光路依次经过第一激光器（1）、第一缩束器（2）、第一声光调制器（3）、第一扩束器（4）、第一反射镜（5）和第一半波片（6）；
所述抑制光光路依次经过第二激光器（7）、第二缩束器（8）、第二声光调制器（9）、第二扩束器（10）和第二半波片（11）；
所述合束光光路依次经过偏振合束器（12）、第三半波片（13）、第二反射镜（14）、SLM（15）第一部分、第一四分之一波片（16）、第三反射镜（17）、第一四分之一波片（16）、SLM（15）第二部分、第四反射镜（18）、第一透镜（19）、第五反射镜（20）、场镜（21）、第一二分之一波片（22）、物镜（23）、精密位移平台（24）、光刻胶样品（25）；
还包括：计算机（26），所述计算机（26）分别与第一声光调制器（3）、第二声光调制器（9）、SLM（15）和精密位移平台（24）连接；
所述方法包括如下步骤：
（1）第一激光器（1）发出的激光作为激发光经过第一缩束器（2）后，光斑直径减小至可通过其后放置的第一声光调制器（3），再经过所述第一声光调制器（3）对其开关与强度进行调制，然后经过第一扩束器（4）对光束进行准直与扩束，所述扩束后的光斑大小保证在进入后续安装的SLM（15）时接近其工作面尺寸的一半，再经过第一反射镜（5）进行光路转折，然后通过第一半波片（6）调整其线偏振方向；
（2）第二激光器（7）发出的激光作为抑制光经过第二缩束器（8）后，光斑直径减小至可以通过后面安装的第二声光调制器（9），再经过所述第二声光调制器（9）对其开关与强度进行调制，然后经过第二扩束器（10）对光束进行准直与扩束，所述扩束后的光斑大小保证在进入后续安装的SLM（15）时接近其工作面尺寸的一半，接着再通过第二半波片（11）调整其线偏振方向；
（3）所述激发光与抑制光通过偏振合束器（12）进行合束，再经过第三半波片（13）同时调整激发光与抑制光的线偏振方向，使激发光的偏振方向与SLM对应的工作偏振方向一致；
（4）所述合束光经过第二反射镜（14）反射后进入到分成两部分的SLM（15）的第一部分上，在所述SLM（15）第一部分上加载用于校正激发光光路产生的像差对应的灰度图像，使激发光光束产生相应的相位调制；与激发光同时入射到SLM（15）第一部分的抑制光由于偏振与之垂直，故抑制光束经过所述SLM第一部分时不产生相位调制；所述被调制的激发光与未调制抑制光同时经过第一四分之一波片（16），然后经过第三反射镜（17）反射再次经过第一四分之一波片（16），使激发光与抑制光的线偏振方向各自改变90度，再入射到所述SLM（15）第二部分；在SLM（15）第二部分上加载产生空心光斑对应的灰度图像，此时只有与所述SLM工作偏振方向一致的抑制光才会被SLM（15）进行光场调控，使所述抑制光携带相应相位；与所述抑制光一同入射到所述SLM（15）第二部分的激发光由于其偏振方向与SLM工作偏振方向垂直，不产生相位调制；
（5）经过SLM（15）相位调制的激发光与抑制光光束经过第四反射镜（18）反射，然后第一透镜（19）进行汇聚，再经过第五反射镜（20）反射入射到场镜（21）上，由所述场镜（21）出射的准直激发光与抑制光经过第二四分之一波片（22），调节所述第二四分之一波片（22）使激发光和抑制光分别变成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光，再经过物镜（23）进行汇聚，使激发光聚焦到样品面上形成圆形实心光斑；使抑制光聚焦到样品（25）面上形成环形空心光斑。
2.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：所述第一激光器（1）为连续光激光器，用于引发光刻胶的单光子吸收聚合反应，或者为皮秒或飞秒脉冲激光器，用于引发光刻胶的双光子吸收聚合反应。
3.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：第二激光器（7）为连续光激光器或脉冲激光器。
4.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：所述第一激光器（1）与第二激光器（7）波长相同。
5.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：所述第三反射镜（17）放置于第一透镜（19）的前焦面处。
6.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：所述第一透镜（19）与场镜（21）共焦。
7.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：所述场镜（21）与物镜（23）共焦。
8.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：所述第三反射镜（17）经过第一透镜（19）和场镜（21）成像至物镜（23）的入瞳面处。
9.如权利要求1所述的基于边缘光抑制的双光束共路相位调制激光直写方法，其特征在于：计算机（26）与第一声光调制器（3）、第二声光调制器（9）、SLM（15）和精密位移平台（24）连接计算机（26）输出控制信号调节第一声光调制器（3）和第二声光调制器（9），从而调节激发光与抑制光的光强与开关，进而控制微纳结构的刻写进程；计算机（26）分别输出灰度图像信号给SLM（15）的两个分区，调节激发光与抑制光的光场相位；计算机（26）输出控制信号给精密位移平台（24），控制样品的精密位移平台（24）的二维或三维移动。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117289563B (zh) * 2023-11-27 2024-04-19 浙江大学杭州国际科创中心 一种振幅型计算全息图实现装置及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9632297B1 (en) * 2015-11-04 2017-04-25 Abberior Instruments Gmbh Device for separately modulating the wave fronts of two components of a light beam and microscope comprising the device
CN109358030A (zh) * 2018-11-26 2019-02-19 浙江大学 一种具有自动对准功能的多色超分辨显微镜***
CN113515017A (zh) * 2021-04-12 2021-10-19 之江实验室 一种基于aod扫描的双光束高速激光直写方法与装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9632297B1 (en) * 2015-11-04 2017-04-25 Abberior Instruments Gmbh Device for separately modulating the wave fronts of two components of a light beam and microscope comprising the device
CN109358030A (zh) * 2018-11-26 2019-02-19 浙江大学 一种具有自动对准功能的多色超分辨显微镜***
CN113515017A (zh) * 2021-04-12 2021-10-19 之江实验室 一种基于aod扫描的双光束高速激光直写方法与装置

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