CN114001546A - 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 - Google Patents

一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114001546A
CN114001546A CN202111279319.9A CN202111279319A CN114001546A CN 114001546 A CN114001546 A CN 114001546A CN 202111279319 A CN202111279319 A CN 202111279319A CN 114001546 A CN114001546 A CN 114001546A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
clamping part
clamping
dynamic
drying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111279319.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114001546B (zh
Inventor
赵德文
李长坤
申兵兵
高庆刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huahaiqingke Co Ltd
Original Assignee
Huahaiqingke Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huahaiqingke Co Ltd filed Critical Huahaiqingke Co Ltd
Priority to CN202111279319.9A priority Critical patent/CN114001546B/zh
Publication of CN114001546A publication Critical patent/CN114001546A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114001546B publication Critical patent/CN114001546B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B25/00—Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
    • F26B25/001—Handling, e.g. loading or unloading arrangements
    • F26B25/003—Handling, e.g. loading or unloading arrangements for articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置，所述动态交接方法包括：提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；顶升机构推动晶圆向上移动；当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构的速度相同后，夹紧部与顶升机构匀速向上移动；夹紧部与顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部的夹持臂夹紧晶圆；提拉机构的夹紧部夹持晶圆继续向上移动，顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置。

Description

一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置
技术领域
本发明属于晶圆后处理技术领域，具体而言，涉及一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成电路(Integrated Circuit,IC)制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的发展，对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。尤其是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂及研磨剂会造成晶圆表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。
常见的干燥技术有旋转漂洗干燥(SRD，Spin Rinse Dry)和马兰戈尼干燥(马兰戈尼亦称为“马兰格尼”或“马拉戈尼”Marangoni)。与传统的SRD相比，由于消除液痕缺陷的出色性能，基于马兰戈尼效应的晶圆干燥受到了广泛关注。马兰戈尼效应是由表面张力梯度引起的界面对流现象。现有的基于马兰戈尼效应的干燥技术是，当从去离子水的水浴中取出晶圆时，在晶圆-空气-液体所形成的“弯液面”上吹射诸如含有异丙醇IPA的有机蒸气，诱导产生的马兰戈尼效应实现附着液体的回流，从而获得全面干燥的晶圆。
提拉干燥过程中，晶圆交接时的平稳移动至关重要。如此能够有效避免表面液膜的破坏，有利于准确识别弯液面，以充分诱导马兰戈尼效应。
通常晶圆交接时，第一运送机构将晶圆送达指定位置后停止，然后由第二运送机构从第一运送机构上取走晶圆，完成交接。或者第一运送机构将晶圆送达指定位置后放在晶圆定位机构上，然后由第二运送机构从晶圆定位机构上取走晶圆，完成交接。
然而在晶圆提拉干燥过程中，晶圆静止不动是不允许的。停止移动的晶圆会破坏晶圆表面的液膜，影响晶圆干燥效果。因此，需要对晶圆进行动态交接。
如何实现晶圆动态交接的可靠性及高效性始终是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明实施例的提供了一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其包括：
S1，提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；
S2，顶升机构推动晶圆向上移动；
S3，当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构的速度相同后，夹紧部与顶升机构匀速向上移动；
S4，夹紧部与顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部的夹持臂夹紧晶圆；
S5，提拉机构的夹紧部夹持晶圆继续向上移动，顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置。
作为优选实施例，所述夹紧部加速至顶升机构的速度时，所述夹紧部的竖向位置与晶圆夹持点的位置相匹配。
作为优选实施例，所述提拉机构与顶升机构的速度同步后，所述夹紧部开始朝向晶圆水平移动；当顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部夹紧晶圆。
作为优选实施例，所述晶圆夹持点与晶圆中心的竖向距离为5mm-30mm。
此外，本发明还公开了一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其包括以下步骤：
S10，提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；
S20，顶升机构推动晶圆向上移动；
S30，当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动；
S40，所述夹紧部的夹持臂朝向晶圆水平移动；
S50，提拉机构的夹紧部移动至交接位置时，夹紧部的速度大于顶升机构的速度，夹紧部的夹持臂承托晶圆向上移动，顶升机构向下移动至初始位置。
作为优选实施例，在晶圆移动至交接位置之前，所述夹紧部移动至夹紧状态对应的水平位置。
作为优选实施例，晶圆交接时，夹紧部与顶升机构的速度差值不大于顶升机构速度的10％。
作为优选实施例，步骤S30中，当晶圆中心通过夹紧部后，夹紧部朝向晶圆水平移动。
同时，本发明还提供了一种晶圆干燥装置，其执行上面所述的晶圆提拉干燥的动态交接方法的步骤。
此外，本发明还公开了一种控制装置，其包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上面所述的晶圆提拉干燥的动态交接方法的步骤。
本发明的有益效果包括：通过顶升机构与提拉机构的运动控制，实现了晶圆的稳定、高效、准确交接，保证晶圆表面水膜的完整性，以利于高效诱导马兰戈尼效应，提升晶圆表面干燥效果。
附图说明
通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本发明的保护范围，其中：
图1是本发明所述晶圆提拉干燥的动态交接方法的流程图；
图2至图4是交接过程中晶圆在晶圆干燥装置中的位置示意图；
图5是图1对应的动态交接方法中顶升机构及提拉机构的位移-时间曲线；
图6是本发明所述晶圆提拉干燥的动态交接方法另一个实施例的流程图；
图7是图6对应的动态交接方法中顶升机构及提拉机构的位移-时间曲线；
图8是图6对应的动态交接方法中顶升机构及提拉机构另一实施例的位移-时间曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例及其附图，对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
本说明书的附图为示意图，辅助说明本发明的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
在本发明中，晶圆(Wafer)也称基板(Substrate),其含义和实际作用等同。
本发明提供了一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其流程图，如图1所示。下面结合图2至图4示出的晶圆干燥装置阐述晶圆动态交接步骤：
S1，提拉机构20的夹紧部21预先移动至交接位置下侧；
图2中，晶圆干燥装置包括顶升机构10和提拉机构20。在进行晶圆交接之前，提拉机构20的夹紧部21需要预先向下移动，以便为夹紧部21的加速提供一段距离。同时，夹紧部21预先下移也能够保证其移动方向与顶升机构10顶升的晶圆的移动方向一致，避免晶圆交接过程中晶圆速度发生突变而影响干燥效果。
进一步地，提拉机构20的夹紧部21需要移动至交接位置下侧。晶圆提拉干燥处理中，晶圆的交接位置需根据干燥工艺提前设定，以保证晶圆干燥效果。通常情况下，晶圆的交接位置设定在槽体液面以上150mm的范围内。
S2，顶升机构10推动晶圆向上移动；
即顶升机构10在移动模块的驱动下沿滑轨向上移动。为了方便晶圆交接的控制，顶升机构10的移动速度首先加速移动至V0，然后以速度V0匀速向上移动。再者，顶升机构10的加速度不宜过大，以保证晶圆的平稳移动。
图5是晶圆交接过程中顶升机构及提拉机构的位移-时间曲线，其中，顶升机构10对应的位移-时间曲线使用虚线表示，而提拉机构20对应的位移-时间曲线使用实线表示，P1为晶圆交接位置。
S3，当晶圆中心通过夹紧部21，夹紧部21加速向上移动至其速度与顶升机构10的速度相同后，夹紧部21与顶升机构10匀速向上移动；
具体地，提拉机构20的夹紧部21不能过早启动加速，以防止夹紧部21速度过快，始终位于晶圆交接位置的上侧，而夹紧部21与顶升机构10无法实现交接。
图5中，提拉机构20加速至V0后均匀移动，提拉机构20和顶升机构10对应曲线的斜率相同。即提拉机构20与顶升机构10的向上移动的速度相同。
由于当夹紧部21与顶升机构10的速度相同后，两者的相对位置固定，因此，当提拉机构20的夹紧部21加速至顶升机构10的速度时，所述夹紧部21的竖向位置需要与晶圆夹持点的位置相对应，以便保证提拉机构20的夹紧部21准确夹持晶圆。
进一步地，所述晶圆夹持点与晶圆中心的竖向距离为5mm-30mm。晶圆夹持点的位置可根据晶圆干燥制程灵活调整。
S4，夹紧部21与顶升机构10移动至交接位置时，夹紧部21夹紧晶圆；
夹紧部21与顶升机构10匀速同步向上移动，当两者达到设定的交接位置P1后，夹紧部21夹紧晶圆。即晶圆在t1时间点完成晶圆的交接。
S5，提拉机构20的夹紧部21夹持晶圆继续向上移动，顶升机构10随提拉机构20的夹紧部21向上移动后再向下移动至初始位置。
由于提拉机构20的夹紧部21在移动初期可能出现夹持不稳的情况，如夹紧部21未夹紧晶圆，晶圆会向下坠落而发生速度突变。为消除晶圆掉落的隐患，t1时间点后，顶升机构10需要与夹紧部21同步向上移动一段距离，以避免移动的晶圆发生速度突变。
为提高晶圆交接的效率，夹紧部21移动至晶圆的夹持点需要消耗一定时间，因此，需要准确控制夹紧部21的启动时间。具体地，提拉机构20与顶升机构10的速度同步后，所述夹紧部21开始朝向晶圆水平移动；当顶升机构10移动至交接位置时，所述夹紧部21夹紧晶圆，以消除交接过程中的等待时间，保证晶圆交接的效率。
此外，本发明还公开了一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其流程图如图6所示。下面结合图2至图4说明其具体交接步骤：
S10，提拉机构20的夹紧部21预先移动至交接位置下侧；
S20，顶升机构10推动晶圆向上移动；
S30，当晶圆中心通过所述夹紧部21，夹紧部21加速向上移动；
S40，所述夹紧部21的夹持臂朝向晶圆水平移动；
S50，提拉机构20的夹紧部21移动至交接位置时，夹紧部21的速度大于顶升机构10的速度，夹紧部21的夹持臂承托晶圆向上移动，顶升机构向下移动至初始位置。
与图1示出的动态交接方法相比，图6示出的交接方法利用夹紧部21与顶升机构10的速度差，夹紧部21将顶升机构10的晶圆由底部承托，平稳高效地完成动态交接。
在晶圆交接时，夹紧部21的移动速度要略微大于顶升机构10上的晶圆的移动速度。优选地，夹紧部21与顶升机构10的速度差值不大于顶升机构10速度的10％。利用两者的速度差，实现晶圆与顶升机构10的分离。
进一步地，夹紧部21可以提前启动夹紧动作，夹紧部21不会对晶圆进行夹紧冲击，消除了碎片的风险。具体地，步骤S30中，当晶圆中心通过夹紧部21后，夹紧部21的夹持臂即可朝向晶圆水平移动，如图2示出的一对夹持臂可以在气缸或电缸的驱动下朝向晶圆水平移动。由于夹紧部21的开口小于晶圆的直径，夹紧部21可以由底部将晶圆托起，避免夹紧部21的夹持臂的快速移动对晶圆的冲击。
由于在夹紧部21动作时，夹紧部21位于晶圆的下方，有效避免了夹紧部21对晶圆边缘的冲击，消除了交接过程中的碎片风险。当夹紧部21的夹持臂水平移动的同时，夹紧部21向上加速移动；当夹紧部21不断加速，夹紧部21追赶顶升机构10上的晶圆并超越后，夹紧部21的夹持臂将晶圆承托，实现晶圆的动态交接。
与图1示出的晶圆交接方法相比，夹紧部21的水平移动预留的时间更长，降低了夹紧部21的移动控制难度，有利于夹紧部21平稳的移动至设定位置。
作为优选实施例，所述晶圆夹持点与晶圆中心的竖向距离为5mm-30mm。可以通过控制夹紧部21的水平距离，控制晶圆夹持点的位置。
在图6示出的晶圆交接方法中，夹紧部21的速度要求是略大于顶升机构10的速度，因此，顶升机构10可以先加速再匀速移动，如图7所示，其中，顶升机构10对应的位移-时间曲线使用虚线表示，而提拉机构20对应的位移-时间曲线使用实线表示，P1为晶圆交接位置。晶圆完成交接后，顶升机构10可以继续向上移动，也可以直接向下移动。
图7中，在t1时间点，提拉机构20的夹紧部21由底部承托晶圆，此时，夹紧部21的速度大于顶升机构10的速度，晶圆自顶升机构10分离并由夹紧部21可靠承托。顶升机构10在到达交接位置P1后，其可继续向上移动。
可以理解的是，在晶圆完成交接后，顶升机构10也可以先减速向上移动，再向下移动至初始位置，如图8所示，以备处理下一片晶圆。图8中，顶升机构10对应的位移-时间曲线使用虚线表示，而提拉机构20对应的位移-时间曲线使用实线表示，P1为晶圆交接位置。
同时，本发明还提供了一种晶圆干燥装置，如图2所示，其执行上面所述的动态交接方法的步骤，实现晶圆的可靠、高效、准确交接，有效保证晶圆的干燥效果，提升晶圆干燥的生产节拍。
此外，本发明还公开了一种控制装置，其包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上面所述的晶圆提拉干燥的动态交接方法的步骤。
所述处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit,CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。
所述存储器可以是所述控制设备的内部存储单元，例如控制设备的硬盘或内存。所述存储器也可以是所述控制设备的外部存储设备，例如所述控制设备上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，所述存储器还可以既包括所述控制设备的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器用于存储所述计算机程序以及所述控制设备所需的其他程序和数据。所述存储器还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其特征在于，包括：
S1，提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；
S2，顶升机构推动晶圆向上移动；
S3，当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构的速度相同后，夹紧部与顶升机构匀速向上移动；
S4，夹紧部与顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部的夹持臂夹紧晶圆；
S5，提拉机构的夹紧部夹持晶圆继续向上移动，顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置。
2.如权利要求1所述的动态交接方法，其特征在于，所述夹紧部加速至顶升机构的速度时，所述夹紧部的竖向位置与晶圆夹持点的位置相匹配。
3.如权利要求1所述的动态交接方法，其特征在于，所述夹紧部与顶升机构的速度同步后，夹紧部开始朝向晶圆水平移动；当顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部夹紧晶圆。
4.如权利要求1所述的动态交接方法，其特征在于，所述晶圆夹持点与晶圆中心的竖向距离为5mm-30mm。
5.一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其特征在于，包括：
S10，提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；
S20，顶升机构推动晶圆向上移动；
S30，当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动；
S40，所述夹紧部的夹持臂朝向晶圆水平移动；
S50，提拉机构的夹紧部移动至交接位置时，夹紧部的速度大于顶升机构的速度，夹紧部的夹持臂承托晶圆向上移动，顶升机构向下移动至初始位置。
6.如权利要求5所述的动态交接方法，其特征在于，在晶圆移动至交接位置之前，所述夹紧部移动至夹紧状态对应的水平位置。
7.如权利要求5所述的动态交接方法，其特征在于，晶圆交接时，夹紧部与顶升机构的速度差值不大于顶升机构速度的10％。
8.如权利要求5所述的动态交接方法，其特征在于，步骤S30中，当晶圆中心通过夹紧部后，夹紧部朝向晶圆水平移动。
9.一种晶圆干燥装置，其特征在于，其执行权利要求1至8任一项所述的晶圆提拉干燥的动态交接方法的步骤。
10.一种控制装置，其特征在于，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至8任一项所述的晶圆提拉干燥的动态交接方法的步骤。
CN202111279319.9A 2021-11-01 2021-11-01 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置 Active CN114001546B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111279319.9A CN114001546B (zh) 2021-11-01 2021-11-01 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111279319.9A CN114001546B (zh) 2021-11-01 2021-11-01 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114001546A true CN114001546A (zh) 2022-02-01
CN114001546B CN114001546B (zh) 2022-09-30

Family

ID=79925794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111279319.9A Active CN114001546B (zh) 2021-11-01 2021-11-01 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114001546B (zh)

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR850007964A (ko) * 1984-05-30 1985-12-11 레스터 알. 죤슨 반도체 웨이퍼 운반장치
DE19853260A1 (de) * 1997-11-18 1999-06-24 Tokyo Electron Ltd Verfahren zum Trocknen von Substraten und Trocknungseinrichtungen
JP2004119417A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Tadahiro Omi 回転式シリコンウエハ洗浄装置
US20080066339A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Mike Wallis Apparatus and method for drying a substrate
CN101459100A (zh) * 2009-01-09 2009-06-17 富创得科技（沈阳）有限公司 紧凑式晶圆自动传输装置
US20110220153A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
CN203486519U (zh) * 2013-10-12 2014-03-19 四川蓝彩电子科技有限公司 晶片引脚电镀用装夹输送装置
CN108257894A (zh) * 2018-01-12 2018-07-06 清华大学 晶圆干燥装置
CN108831849A (zh) * 2018-06-25 2018-11-16 清华大学 基于热马兰哥尼效应的晶圆干燥装置和干燥方法
CN110733718A (zh) * 2019-11-14 2020-01-31 深圳市达特尔机器人有限公司 一种撕膜方法及应用于该方法中的撕膜装置及撕膜机
CN111540704A (zh) * 2020-07-10 2020-08-14 清华大学 晶圆偏转装置和晶圆处理装备
CN211507583U (zh) * 2020-07-10 2020-09-15 清华大学 一种晶圆后处理***
CN211507584U (zh) * 2020-07-10 2020-09-15 清华大学 一种应用于晶圆后处理的马兰戈尼干燥装置
CN111785663A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理***
CN111780537A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种应用于晶圆后处理的马兰戈尼干燥装置
CN212952992U (zh) * 2020-08-16 2021-04-13 河南通用智能装备有限公司 一种晶圆连续生产用托料导轨宽度调节结构
CN113345821A (zh) * 2021-08-06 2021-09-03 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆清洗干燥方法及机构

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR850007964A (ko) * 1984-05-30 1985-12-11 레스터 알. 죤슨 반도체 웨이퍼 운반장치
DE19853260A1 (de) * 1997-11-18 1999-06-24 Tokyo Electron Ltd Verfahren zum Trocknen von Substraten und Trocknungseinrichtungen
JP2004119417A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Tadahiro Omi 回転式シリコンウエハ洗浄装置
US20080066339A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Mike Wallis Apparatus and method for drying a substrate
CN101459100A (zh) * 2009-01-09 2009-06-17 富创得科技（沈阳）有限公司 紧凑式晶圆自动传输装置
US20110220153A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
CN203486519U (zh) * 2013-10-12 2014-03-19 四川蓝彩电子科技有限公司 晶片引脚电镀用装夹输送装置
CN108257894A (zh) * 2018-01-12 2018-07-06 清华大学 晶圆干燥装置
CN110391157A (zh) * 2018-06-25 2019-10-29 清华大学 一种晶圆后处理***和方法
CN110265327A (zh) * 2018-06-25 2019-09-20 清华大学 一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理***和方法
CN108831849A (zh) * 2018-06-25 2018-11-16 清华大学 基于热马兰哥尼效应的晶圆干燥装置和干燥方法
CN210325702U (zh) * 2018-06-25 2020-04-14 清华大学 一种晶圆后处理***
CN110733718A (zh) * 2019-11-14 2020-01-31 深圳市达特尔机器人有限公司 一种撕膜方法及应用于该方法中的撕膜装置及撕膜机
CN111540704A (zh) * 2020-07-10 2020-08-14 清华大学 晶圆偏转装置和晶圆处理装备
CN211507583U (zh) * 2020-07-10 2020-09-15 清华大学 一种晶圆后处理***
CN211507584U (zh) * 2020-07-10 2020-09-15 清华大学 一种应用于晶圆后处理的马兰戈尼干燥装置
CN111785663A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理***
CN111780537A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种应用于晶圆后处理的马兰戈尼干燥装置
CN212952992U (zh) * 2020-08-16 2021-04-13 河南通用智能装备有限公司 一种晶圆连续生产用托料导轨宽度调节结构
CN113345821A (zh) * 2021-08-06 2021-09-03 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆清洗干燥方法及机构

Also Published As

Publication number Publication date
CN114001546B (zh) 2022-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9984905B2 (en) Substrate treatment system, substrate transfer method and computer storage medium
KR102315619B1 (ko) 기판 세정 방법, 기판 세정 시스템 및 기억 매체
US9108231B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein
JP4732918B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20140284000A1 (en) Separation apparatus, separation system, separation method and non-transitory computer readable storage medium
KR101668212B1 (ko) 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억매체
JP6007925B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
CN107924832B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
CN114001526B (zh) 一种晶圆提拉干燥方法及晶圆干燥装置
JP4401285B2 (ja) 基板処理装置
US8303197B2 (en) Method of developing a substrate and apparatus for performing the same
KR102493554B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
TW201919776A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
KR101997880B1 (ko) 기판 처리 장치, 이를 구비하는 도포 현상 장치 및 기판 처리 방법
CN114001546B (zh) 一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置
JP2010177458A (ja) 液処理装置
KR102447205B1 (ko) 프리웨트 모듈 및 프리웨트 방법
US20010045223A1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and method of using the same
JP5262829B2 (ja) 現像装置及び現像方法
CN111146128B (zh) 裸片转移模块和具有该裸片转移模块的裸片接合设备
JP7144975B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP3588585B2 (ja) レジスト液の供給方法及びレジスト液の供給装置
KR102638509B1 (ko) 기판 처리 방법
CN117658005A (zh) 一种晶圆提升装置、晶圆干燥设备及晶圆提升方法
KR101994420B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant