CN113938102A - 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法 - Google Patents

一种宽带高效率的功率放大器及实现方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113938102A
CN113938102A CN202111097988.4A CN202111097988A CN113938102A CN 113938102 A CN113938102 A CN 113938102A CN 202111097988 A CN202111097988 A CN 202111097988A CN 113938102 A CN113938102 A CN 113938102A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power amplifier
input
matching circuit
carrier
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111097988.4A
Other languages
English (en)
Inventor
冯文杰
伍文斌
朱浩慎
车文荃
薛泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Provincial Laboratory Of Artificial Intelligence And Digital Economy Guangzhou
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
Guangdong Provincial Laboratory Of Artificial Intelligence And Digital Economy Guangzhou
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Provincial Laboratory Of Artificial Intelligence And Digital Economy Guangzhou, South China University of Technology SCUT filed Critical Guangdong Provincial Laboratory Of Artificial Intelligence And Digital Economy Guangzhou
Priority to CN202111097988.4A priority Critical patent/CN113938102A/zh
Publication of CN113938102A publication Critical patent/CN113938102A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种宽带高效率的功率放大器及实现方法，包括功分器、相位补偿线、载波功率放大器、峰值功率放大器及宽带后匹配网络；所述相位补偿线包括第一相位补偿线及第二相位补偿线，所述功分器将输入射频信号等分为两路，一路信号通过第一相位补偿线输入载波功率放大器；另一路信号输入峰值功率放大器，信号经过峰值功率放大器放大后与第二相位补偿线一端连接，所述第二相位补偿线的另一端与载波功率放大器的输出端连接于合路点，然后与宽带后匹配网络连接，所述宽带后匹配网络与负载连接。本发明在24到32GHz的频带内展现出了较高的回退效率和较宽的带宽。

Description

一种宽带高效率的功率放大器及实现方法
技术领域
本发明涉及微波毫米波通讯领域，具体涉及一种宽带高效率的功率放大器及实现方法。
背景技术
随着移动通信技术的不断发展，射频通信技术在当今的5G时代变得越来越重要，人们对于数据的传输速率和通信质量的要求也越来越苛刻。但是，目前我们所应用的频段较低，频谱资源有限，已经不能满足日益增长的高速传输的需要，因此频率更高、带宽更宽的毫米波频段也成为了未来5G移动通信的发展趋势，而毫米波中的Ka波段成为了很多发达的西方国家的主要应用频段。
在5G移动通信***中采用多输入多输出和载波聚合技术可以大幅提高数据速率并拥有更低的延迟，而数据的高速传输以及高质量传输让人们不得不应用更复杂的调制信号，也使得峰均比(PAPR)被不断地提高，因此仅仅满足饱和功率下的性能是远远不够的，还需要照顾到回退点下的性能。Doherty功率放大器以高回退效率等优势，成为射频发射前端中最受欢迎的效率增强技术。
然而，由于传统的Doherty放大器结构中的阻抗逆变器采用电长度为四分之一波长的微带线，这使得它只能表现出窄带特性，而在毫米波频段中若加上无源电路损耗则会变大，导致效率也相对较低。因此，在毫米波频段中宽带高效率Doherty功率放大器的实现显得尤为重要。
发明内容
为了克服现有放大器带宽不够及效率不足的缺点，本发明提供一种宽带高效率的功率放大器及实现方法，具体涉及一种Ka波段宽带高效率Doherty功率放大器。
本发明采用如下技术方案：
一种宽带高效率的功率放大器，包括功分器、相位补偿线、载波功率放大器、峰值功率放大器及宽带后匹配网络；所述相位补偿线包括第一相位补偿线及第二相位补偿线，所述功分器将输入射频信号等分为两路，一路信号通过第一相位补偿线输入载波功率放大器；另一路信号输入峰值功率放大器，信号经过峰值功率放大器放大后与第二相位补偿线一端连接，所述第二相位补偿线的另一端与载波功率放大器的输出端连接于合路点，然后与宽带后匹配网络连接，所述宽带后匹配网络与负载连接。
进一步，第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90度；
第二相位补偿线的特征阻抗为2ZL，电长度为60度。
进一步，所述载波功率放大器包括第一输入匹配电路、第一载波放大器晶体管、第一级间匹配电路、第二载波放大器晶体管及第一阻抗逆变器，其具体连接方式如下：
所述第一输入匹配电路的输入端与第一相位补偿线连接，其输出端与第一载波放大器晶体管的栅极连接，第一载波放大器晶体管的漏极与第一级间匹配电路的输入端连接，第一级间匹配电路的输出端与第二载波放大器晶体管的栅极连接，第二载波放大器晶体管的漏极与第一阻抗逆变器的输入端连接，第一阻抗逆变器的输出端与合路点连接。
进一步，所述峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、第一峰值放大器晶体管、第二级间匹配电路、第二峰值放大器晶体管及第二阻抗逆变器，其具体连接方式如下：
所述第二输入匹配电路的输入端与功分器的另一路信号连接，其输出端与第一峰值放大器晶体管的栅极连接，第一峰值放大器晶体管的漏极与第二级间匹配电路的输入端，第二级间匹配电路的输出端与第二峰值放大器晶体管的栅极连接，第二峰值放大器晶体管的漏极与第二阻抗逆变器的输入端连接，第二阻抗逆变器的输出端为峰值功率放大器的输出端，与第二相位补偿线连接。
进一步，所述第一级间匹配电路及第二级间匹配电路结构相同，均为Π型结构，具体包括输出电容、第一电容、第二电容及第一电感，所述输出电容与第一电容并联后依次与第一电感及第二电容串联。
进一步，所述第一阻抗逆变器及第二阻抗逆变器结构相同，均由一阶LC构成。
进一步，所述宽带后匹配网络包括两阶低通滤波结构。
进一步，第一及第二输入匹配电路结构相同，均包括Π型结构、偏置电路及稳定网络电路，所述Π型结构与第一及第二级间匹配电路中所用结构相同。
进一步，所述偏置电路为电长度为四分之一波长的微带线。
一种所述的功率放大器的实现方法，包括：
将阻抗逆变器和宽带后匹配网络中的电容电感模型转换为微带线模型，且在回退6dB处，峰值功率放大器的输出阻抗需要被设置在无穷大处，保证信号不会泄露到载波功率放大器中。
本发明的有益效果:
本发明改变传统Doherty功率放大器四分之一波长线的阻抗逆变器结构，在第二载波放大器及第二峰值放大器的输出端采用一阶LC低通网络，从而拓宽整体工作频带；
本发明中采用两级晶体管级联的方式，其中第一级晶体管驱动级提供足够的增益，第二级晶体管功率级保证能为电路提供足够的输出功率；
本发明的第一及第二级间匹配结构采用低Q值Π型结构，降低了电路的***损耗；相比于传统结构分别在两路放大器前面加入驱动级，从而使电路增益不会降低，同时增加了回退效率。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明的第一及第二输入匹配电路的结构示意图；
图3是本发明的级间匹配电路的的功率损耗随输入功率变化的示意图；
图4是本发明的阻抗逆变器的结构示意图；
图5是本发明的宽带后匹配网络的结构示意图；
图6是本发明的小信号仿真结果示意图；
图7是本发明的效率随输出功率变化的仿真结果图；
图8是本发明的大信号增益随输出功率变化的仿真结果示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，一种宽带高效率的功率放大器，主要工作在Ka波段，包括Wilkinson功分器、相位补偿线、载波功率放大器、峰值功率放大器以及宽带后匹配网络。
所述相位补偿线包括第一相位补偿线及第二相位补偿线，所述Wilkinson功分器将输入射频信号等分为两路，一路信号通过第一相位补偿线输入载波功率放大器；另一路信号输入峰值功率放大器，信号经过峰值功率放大器放大后与第二相位补偿线一端连接，所述第二相位补偿线的另一端与载波功率放大器的输出端连接于合路点，然后与宽带后匹配网络连接，所述宽带后匹配网络与50欧姆负载连接。
所述载波功率放大器包括第一输入匹配电路、第一载波放大器晶体管、第一级间匹配电路、第二载波放大器晶体管及第一阻抗逆变器，其具体连接方式如下：
所述第一输入匹配电路的输入端与第一相位补偿线连接，其输出端与第一载波放大器晶体管的栅极连接，第一载波放大器晶体管的漏极与第一级间匹配电路的输入端连接，第一级间匹配电路的输出端与第二载波放大器晶体管的栅极连接，第二载波放大器晶体管的漏极与第一阻抗逆变器的输入端连接，第一阻抗逆变器的输出端与合路点连接。其中第一阻抗逆变器同时也作为载波功率放大器第二级的输出匹配网络。
所述峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、第一峰值放大器晶体管、第二级间匹配网络、第二峰值放大器晶体管以及第二阻抗逆变器；所述功分器的输出端连接第二输入匹配电路的输入端，第二输入匹配电路的输出端连接第一峰值放大器晶体管的栅极，第一峰值放大器晶体管的漏极连接第二级间匹配电路的输入端，第二级间匹配电路的输出端连接第二峰值放大器晶体管的栅极，第二峰值放大器晶体管的漏极连接第二阻抗逆变器的输入端，第二阻抗逆变器的输出端为峰值功率放大器的输出端，连接第二相位补偿线。其中第二阻抗逆变器同时也作为峰值功率放大器第二级的输出匹配网络。
进一步，通过调整相位补偿线的电长度，使得两路功率放大器的相位在饱和功率点处相等，本实施例的第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90度；第二相位补偿线的特征阻抗为2ZL，电长度为60度。
如图2所示，所述第一输入匹配电路与第二输入匹配电路结构相同，均包括Π型结构、偏置电路及稳定电路，所述Π型结构包括输出电容Cout、第一电容C1、第二电容C2及第一电感L1，所述输出电容与第一电容C1并联后依次与第一电感L1及第二电容C2串联。稳定电路主要由电阻和电容组成，目的是为了防止电路自激振荡，达到电路稳定，而偏置电路是为了给晶体管提供静态工作点，防止射频信号漏到直流电源中，因此本发明在偏置电路上选择具有高Q值的四分之一波长线。
所述第一级间匹配电路及第二级间匹配电路的结构相同，均为Π型结构。所述Π型结构为图2中Π型结构，主要包括输出电容、第一电容、第二电容及第二电感，信号从第一载波放大器晶体管或者第一峰值放大器晶体管的漏极端进入级间匹配电路的输入端，经过并联的输出电容和第一电容，串联的第一电感以及并联的第二电容，最终信号通过第一或第二级间匹配电路的输出端进入第二载波放大器晶体管或者第二峰值放大器晶体管的漏极端进入级间匹配电路的输入端。由于级间匹配的损耗对于回退点的效率有较大的影响，因此级间匹配结构的损耗越低越好，在信号状态下级间匹配的功率损耗随输入功率的变化如图3所示。
所述第一阻抗逆变器及第二阻抗逆变器的结构相同，如图4所示，主要由一阶LC构成，具体包括第三电容C3及第三电感L3，信号从第二载波放大器晶体管或者第二峰值放大器晶体管的漏极进入阻抗逆变器的输入端，从阻抗逆变器的输出端进入宽带后匹配网络。
由于本发明是针对于毫米波段进行设计的，而在高频中由于电容电感的损耗会比较大，而且会产生一定的寄生效应，因此需要将电容电感模型转换成微带线模型。由微带线等效替代理论可知微带线的电长度为：
Figure BDA0003269753830000051
而微带线的特征阻抗为电感和电容的阻抗，由此可以求得微带线TL1和TL2的尺寸。
如图5所示，所述宽带后匹配网络为两阶低通滤波结构，主要包括第三电感L3、第四电容C4、第四电感L4以及第五电容C5组成，信号从合路点进入后匹配网络的输入端，经过两阶低通滤波结构之后传输到50欧姆负载。微带线TL3、TL4、TL5、TL6的尺寸依据阻抗逆变器的微带线替换原理进行计算。
在现有Doherty功率放大器结构中，阻抗逆变器均采用电长度为四分之一波长的微带线，只能实现实对实的阻抗变换，其效果呈现出窄带特性，并且在输出级单独做输出匹配电路。
而本发明通过将阻抗逆变器及及宽带后匹配网络的协同作用，共同实现阻抗匹配的作用，并且由于阻抗逆变器采用一阶LC低通网络，不仅实现了带宽的特性还减小了面积，其带宽在毫米波频段可以达到8GHz(24–32GHz)。
一种Ka波段宽带高效率Doherty功率放大器的实现过程，包括将阻抗逆变器和后匹配网络中的低通滤波结构的电容电感模型转换成微带线模型。在回退6dB处，峰值功率放大器的输出阻抗需要被设置在无穷大处，保证信号不会泄露到载波功率放大器中。所述Ka波段宽带高效率的Doherty功率放大器是基于GaN 100nm集成电路工艺设计的。
具体工作过程，包括：
步骤1、确定负载调制网络的阻抗变化：由于高低功率区域的转化，导致负载调制网络的阻抗变化，比如载波功率放大器的阻抗从ZL变化到2ZL，辅助功放的阻抗从无穷大变化到2ZL；
步骤2、确定各路的工作状态：载波放大器为AB类，峰值放大器为深C类，而且峰值放大器一路需要保证开启足够快。对于两路晶体管分别在高功率和低功率区域进行负载牵引，再确定中心频率、阻抗比n，在确定低通滤波结构的阶数之后，通过这个网络，分别将两个功率区域下的阻抗与牵引出来的最优阻抗进行两点匹配(分别从低功率和高功率进行匹配)；
步骤3、计算合路点的阻抗R，阻抗比n、容值C和感值L：通过公式计算出第二载波放大器晶体管或者第二峰值放大器晶体管的漏极阻抗与合路点的阻抗呈现Ztr＝2R/3的关系，阻抗比n也可以通过Z0/R计算得出，电容C可以通过公式
Figure BDA0003269753830000061
计算得出，电感L则需要通过手动调节使漏极阻抗匹配到从晶体管漏极牵引出的最优阻抗；
步骤4、对于相位补偿线的特征阻抗和电长度的设置，主要是为了使两路功率放大器在饱和点处的电流幅值相等，相位相等。因此第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90度；第二相位补偿线的特征阻抗为2ZL，电长度为60度。
步骤5、最后再通过调整峰值放大器的栅极电压和相位补偿线的相位来调节回退点的功率和回退效率，而输入匹配电路中的稳定电路则用来调整整个电路的回波损耗。
小信号S参数如图6所示，可以看到在24到32GHz的带宽范围内，小信号增益大于12dB，回波损耗在-10dB以下，说明该电路整体的匹配度较好。
根据图7所示，该Doherty功率放大器的功率附加效率(PAE)在回退6dB处均大于20％，在饱和点处的PAE的平均值也大于35％。根据图8所示，该Doherty功率放大器的大信号增益较为平坦，增益从线性区到饱和点处压缩均小于3dB。
通过上述描述，本发明在毫米波频段Ka波段中进行设计，在24到32GHz的频带内展现出了较高的回退效率和较宽的带宽。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种宽带高效率的功率放大器，其特征在于，包括功分器、相位补偿线、载波功率放大器、峰值功率放大器及宽带后匹配网络；所述相位补偿线包括第一相位补偿线及第二相位补偿线，所述功分器将输入射频信号等分为两路，一路信号通过第一相位补偿线输入载波功率放大器；另一路信号输入峰值功率放大器，信号经过峰值功率放大器放大后与第二相位补偿线一端连接，所述第二相位补偿线的另一端与载波功率放大器的输出端连接于合路点，然后与宽带后匹配网络连接，所述宽带后匹配网络与负载连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90度；
第二相位补偿线的特征阻抗为2ZL，电长度为60度。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述载波功率放大器包括第一输入匹配电路、第一载波放大器晶体管、第一级间匹配电路、第二载波放大器晶体管及第一阻抗逆变器，其具体连接方式如下：
所述第一输入匹配电路的输入端与第一相位补偿线连接，其输出端与第一载波放大器晶体管的栅极连接，第一载波放大器晶体管的漏极与第一级间匹配电路的输入端连接，第一级间匹配电路的输出端与第二载波放大器晶体管的栅极连接，第二载波放大器晶体管的漏极与第一阻抗逆变器的输入端连接，第一阻抗逆变器的输出端与合路点连接。
4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、第一峰值放大器晶体管、第二级间匹配电路、第二峰值放大器晶体管及第二阻抗逆变器，其具体连接方式如下：
所述第二输入匹配电路的输入端与功分器的另一路信号连接，其输出端与第一峰值放大器晶体管的栅极连接，第一峰值放大器晶体管的漏极与第二级间匹配电路的输入端，第二级间匹配电路的输出端与第二峰值放大器晶体管的栅极连接，第二峰值放大器晶体管的漏极与第二阻抗逆变器的输入端连接，第二阻抗逆变器的输出端为峰值功率放大器的输出端，与第二相位补偿线连接。
5.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述第一级间匹配电路及第二级间匹配电路结构相同，均为Π型结构，具体包括输出电容、第一电容、第二电容及第一电感，所述输出电容与第一电容并联后依次与第一电感及第二电容串联。
6.根据权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述第一阻抗逆变器及第二阻抗逆变器结构相同，均由一阶LC构成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的功率放大器，其特征在于，所述宽带后匹配网络包括两阶低通滤波结构。
8.根据权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，第一及第二输入匹配电路结构相同，均包括Π型结构、偏置电路及稳定网络电路，所述Π型结构与第一及第二级间匹配电路相同。
9.根据权利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路是电长度为四分之一波长的微带线。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的功率放大器的实现方法，其特征在于，包括：
将阻抗逆变器和宽带后匹配网络中的电容电感模型转换为微带线模型，且在回退6dB处，峰值功率放大器的输出阻抗需要被设置在无穷大处，保证信号不会泄露到载波功率放大器中。
CN202111097988.4A 2021-09-18 2021-09-18 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法 Pending CN113938102A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111097988.4A CN113938102A (zh) 2021-09-18 2021-09-18 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111097988.4A CN113938102A (zh) 2021-09-18 2021-09-18 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113938102A true CN113938102A (zh) 2022-01-14

Family

ID=79276109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111097988.4A Pending CN113938102A (zh) 2021-09-18 2021-09-18 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113938102A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114070210A (zh) * 2022-01-18 2022-02-18 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种高带宽的负载调制功率放大器及相应的射频前端模块
CN114567262A (zh) * 2022-01-25 2022-05-31 电子科技大学 一种高效率宽带射频功率放大器
CN114614771A (zh) * 2022-01-25 2022-06-10 电子科技大学 基于频率连续可调的超宽带射频功率放大器
CN115567012A (zh) * 2022-11-22 2023-01-03 成都明夷电子科技有限公司 一种自适应宽带Doherty功率放大器
CN116505884A (zh) * 2023-06-26 2023-07-28 成都明夷电子科技有限公司 一种宽频带Doherty功率放大器
CN117595798A (zh) * 2024-01-12 2024-02-23 四川恒湾科技有限公司 一种提升宽带功率放大器效率的电路及方法
WO2024082823A1 (zh) * 2022-10-21 2024-04-25 深圳飞骧科技股份有限公司 确定Doherty架构主功放补偿线电长度的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114070210A (zh) * 2022-01-18 2022-02-18 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种高带宽的负载调制功率放大器及相应的射频前端模块
CN114070210B (zh) * 2022-01-18 2022-09-20 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种高带宽的负载调制功率放大器及相应的射频前端模块
CN114567262A (zh) * 2022-01-25 2022-05-31 电子科技大学 一种高效率宽带射频功率放大器
CN114614771A (zh) * 2022-01-25 2022-06-10 电子科技大学 基于频率连续可调的超宽带射频功率放大器
WO2024082823A1 (zh) * 2022-10-21 2024-04-25 深圳飞骧科技股份有限公司 确定Doherty架构主功放补偿线电长度的方法
CN115567012A (zh) * 2022-11-22 2023-01-03 成都明夷电子科技有限公司 一种自适应宽带Doherty功率放大器
CN116505884A (zh) * 2023-06-26 2023-07-28 成都明夷电子科技有限公司 一种宽频带Doherty功率放大器
CN116505884B (zh) * 2023-06-26 2023-09-08 成都明夷电子科技有限公司 一种宽频带Doherty功率放大器
CN117595798A (zh) * 2024-01-12 2024-02-23 四川恒湾科技有限公司 一种提升宽带功率放大器效率的电路及方法
CN117595798B (zh) * 2024-01-12 2024-03-29 四川恒湾科技有限公司 一种提升宽带功率放大器效率的电路及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113938102A (zh) 一种宽带高效率的功率放大器及实现方法
CN111384901B (zh) 一种基于后匹配网络的宽带高效率三路Doherty功率放大器
Kang et al. Design of bandwidth-enhanced Doherty power amplifiers for handset applications
CN109672411B (zh) 一种适用于5G低频段全频段的非对称宽带Doherty功率放大器
US10033335B1 (en) Doherty power amplifier
JP4793807B2 (ja) 増幅器
WO2021059161A1 (en) Power amplifiers
CN110808716A (zh) 一种Doherty射频功率放大器及其输出匹配网络结构
CN114142813A (zh) 一种基于准椭圆低通滤波结构的毫米波Doherty功放芯片
CN114499419A (zh) 一种新型晶体管合路结构放大器
CN112838831B (zh) 一种新型后匹配结构Doherty功率放大器
Chen et al. A 2.6 GHz class-AB GaN power amplifier with maximum output power of 56W achieving 70% power added efficiency
CN109474243B (zh) 一种超宽带低噪声放大器
CN113271067B (zh) 基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备
CN116054749A (zh) 一种负载调制平衡式毫米波GaN功放芯片
US9019015B2 (en) Wideband and reconfigurable Doherty based amplifier
CN114978045A (zh) 一种双频Doherty功率放大器及射频分立器件
CN115412036A (zh) 用于短距离无线通信的高线性宽带功率放大器
US8547176B2 (en) Distributed power amplifier with active matching
CN113949348A (zh) C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片
CN117155316B (zh) 用于氮化镓材料制作的单片微波集成电路中的功率放大器
Zhao et al. A 2.3-2.7 GHz Power Amplifier with Piecewise Adaptive Bias and Reactance Compensated Interstage Matching Network in 130nm SOI LDMOS Process
US11777461B2 (en) High efficiency wideband feedback amplifier
Feng et al. A Ka-Band Broadband Low Noise Amplifier with Resistive and Inductive Feedback
Minnella et al. A Comparison Between Single and Differential-Ended Doherty Power Stages in GaN Technology for 28-GHz 5G Applications

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination