CN113937202B - 白光光源及白光光源*** - Google Patents

白光光源及白光光源*** Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种白光光源及白光光源***。该白光光源包括：蓝光LED芯片，用于发射波长420～480nm的光；荧光粉层，可被蓝光LED芯片发射的光激发并发出可见光；其中白光光源的发光波长范围为400～800nm，白光光源的发光光谱在400～800nm范围内存在至少三个凹谷，在620～640nm范围内存在最高强度峰，在600～620nm范围内存在次高强度峰。本发明的白光光源具有更高的光效。

Description

白光光源及白光光源***
技术领域
本发明涉及白光LED技术领域，具体而言，涉及一种白光光源及白光光源***。
背景技术
近年来，包括发光二极管(LED)白光光源已经在节能措施方面以及在二氧化碳减排方面吸引了人们的注意力。与包括钨丝的传统白炽灯泡相比，LED的使用寿命更长并且实现了能量节省。现有技术中通常会利用芯片技术或荧光粉提升技术提升LED的光效，其中荧光粉提升技术因实施简单受到更多关注。
如图1所示，现有的荧光粉提升技术中的主流方案是将黄绿粉或黄粉a混合氮化物红粉b，形成荧光粉层20’包覆设置在蓝光LED10’表面。然而，在蓝光芯片激发荧光粉的过程中，由于氮化物红粉的受激谱较宽，一部分黄绿光或黄光会再次激发氮化物红粉，这种氮化物红粉重吸收会导致LED出光降低。
基于以上原因，有必要提供一种新的改善LED出光光效的工艺。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种白光光源及白光光源***，以改善LED的出光光效。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种白光光源，其包括：蓝光LED芯片，用于发射波长420～480nm的光；荧光粉层，可被蓝光LED芯片发射的光激发并发出可见光；其中白光光源的发光波长范围为400～800nm，白光光源的发光光谱在400～800nm范围内存在至少三个凹谷，在620～640nm范围内存在最高强度峰，在600～620nm范围内存在次高强度峰。
进一步地，白光光源的发光光谱中，最高强度峰在620～640nm范围内的最大发光光谱强度与最小发光管够强度之间的差值占整个发光光谱的最大发光光谱强度的20～60％，次高强度峰在600～620nm范围内的最大发光光谱强度与最小发光管够强度之间的差值占整个发光光谱的最大发光光谱强度的5～20％。
进一步地，白光的色温为2200～6000K。
进一步地，白光光源在色温2200K下的发射光谱半波宽≤90nm，在色温3000K下的发射光谱半波宽≤105nm，在色温4000K下的发射光谱半波宽≤120nm，在色温5000K下的发射光谱半波宽≤140nm，在色温5700K下的发射光谱半波宽≤150nm，在色温6000K下的发射光谱半波宽≤160nm。
进一步地，荧光粉层包括：第一荧光粉层，包覆设置在蓝光LED芯片的侧部和顶部，第一荧光粉层的激发光谱波长范围为L1～L2，发射峰波长范围为G1～G2；第二荧光粉层，位于第一荧光粉层的上方，第二荧光粉层的激发光谱波长范围为L3～L4，发射峰波长范围为G3～G4；第三荧光粉层，位于第二荧光粉层的上方，第三荧光粉层的激发光谱波长范围为L5～L6，发射峰波长范围为G5～G6；其中，G1～G2范围和L3～L4范围无交集，G3～G4范围和L5～L6无交集，G5～G6范围和L3～L4范围无交集或者交集范围占G5～G6范围的20％或以下，G3～G4范围和L1～L2范围无交集或交集范围占G3～G4范围的20％或以下。
进一步地，第一荧光粉层的激发光谱波长范围为200～600nm，且其发射光谱的半波宽为70～100nm、发射峰波长范围为605～660nm；第二荧光粉层的激发光谱波长范围为300～500nm，且其发射光谱的半波宽≤10nm、发射峰波长范围为600～660nm，第二荧光粉层的发射峰包括三个不同峰值的子发射峰，且其中最高峰值的发射峰位于波长620～640nm范围内；第三荧光粉层的激发光谱波长范围为380～550nm，且其发射光谱的半波宽为60～130nm、发射峰波长范围为480～600nm。
进一步地，第一荧光粉层为氮化物红粉层，第二荧光粉层为KSF红粉层，第三荧光粉层为黄粉或黄绿粉或绿粉层。
进一步地，氮化物红粉层的荧光粉为(Sr,Ba)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu中的一种或多种。
进一步地，黄粉或黄绿粉或绿粉层的荧光粉为YAG黄粉、GaAG黄绿粉、LuAG黄绿粉、BOSE黄粉或黄绿粉、塞隆黄粉或黄绿粉或绿粉中的一种或多种。
进一步地，白光光源包括反射杯，蓝光LED芯片和荧光粉层设置在反射杯中，第一荧光粉层高于蓝光LED芯片顶部的部分的厚度≤0.1mm；将反射杯的杯深记为h，第二荧光粉层的厚度为0.1mm～1/2h，第三荧光粉层的厚度为0.1mm～1/2h。
进一步地，第一荧光粉层远离蓝光LED芯片的上表面为凹形曲面，且其高于蓝光LED芯片部分的厚度沿中心位置向边缘位置逐渐增加；第二荧光粉层具有与第一荧光粉层上表面相适应的凹形表面；第三荧光粉层的下表面为与第二荧光粉层上表面相适应的曲面，第三荧光粉层的上表面为平齐表面。
根据本发明的另一方面，还提供了一种白光光源***，其包括上述白光光源。
本发明提供了一种白光光源，其包括蓝光LED芯片和荧光粉层，蓝光LED芯片用于发射波长420～480nm的光。荧光粉层可被蓝光LED芯片发射的光激发并发出可见光。其中白光光源的发光波长范围为400～800nm，其发光光谱在400～800nm范围内存在至少三个凹谷，在620～640nm范围内存在最高强度峰，在600～620nm范围内存在次高强度峰。具有以上光谱特征，特别是400～800nm范围内多个凹谷的存在、620～640nm范围内最高强度峰和600～620nm范围内次高强度峰的存在，均使得LED具有更高的光效。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据现有技术中的白光光源中LED的结构示意图；
图2示出了根据本发明一种实施例中的白光光源中LED的结构示意图；
图3示出了氮化物红粉的激发光谱和发射光谱；
图4示出了KSF红粉的激发光谱和发射光谱；
图5示出了本发明实施例1和对比例1中白光光源的发光光谱；
图6示出了本发明实施例2和对比例1中白光光源的发光光谱。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了提升LED光效，本发明提供了一种白光光源，如图2所示，其包括蓝光LED芯片10，用于发射波长420～480nm的光；荧光粉层20，可被蓝光LED芯片10发射的光激发并发出可见光；其中白光光源的发光波长范围为400～800nm，白光光源的发光光谱在400～800nm范围内存在至少三个凹谷，在620～640nm范围内存在最高强度峰，在600～620nm范围内存在次高强度峰。
具有以上光谱特征，特别是400～800nm范围内多个凹谷的存在、620～640nm范围内最高强度峰和600～620nm范围内次高强度峰的存在，均使得LED的重吸收减少，具有更高的光效。
为了进一步提高光效，更优选地，白光光源的发光光谱中，最高强度峰在620～640nm范围内的最大发光光谱强度与最小发光管够强度之间的差值占整个发光光谱的最大发光光谱强度的20～60％，次高强度峰在600～620nm范围内的最大发光光谱强度与最小发光管够强度之间的差值占整个发光光谱的最大发光光谱强度的5～20％。
在一种优选的实施方式中，白光的色温为2200～6000K。优选地，白光光源在色温2200K下的发射光谱半波宽≤90nm，在色温3000K下的发射光谱半波宽≤105nm，在色温4000K下的发射光谱半波宽≤120nm，在色温5000K下的发射光谱半波宽≤140nm，在色温5700K下的发射光谱半波宽≤150nm，在色温6000K下的发射光谱半波宽≤160nm。相比较于现有技术中的LED发光光谱，本发明白光光源的发光光谱具有更窄的半波宽，具体地，在相近的坐标、显指下，本发明在色温2200K下的发射光谱半波宽比图1所示的传统LED发射光谱半波宽窄35nm以上，本发明在色温3000K下的发射光谱半波宽比传统LED发射光谱半波宽窄30nm以上，本发明在色温4000K下的发射光谱半波宽比传统LED发射光谱半波宽窄25nm以上，本发明在色温5000K下的发射光谱半波宽比传统LED发射光谱半波宽窄20nm以上，本发明在色温5700K下的发射光谱半波宽比传统LED发射光谱半波宽窄15nm以上，本发明在色温6500K下的发射光谱半波宽比传统LED发射光谱半波宽窄10nm以上，表明本发明的发光亮度明显更高。
在一种优选的实施方式中，如图2所示，荧光粉层20包括第一荧光粉层21、第二荧光粉层22、第三荧光粉层23，第一荧光粉层21包覆设置在蓝光LED芯片10的侧部和顶部，第一荧光粉层21的激发光谱波长范围为L1～L2，发射峰波长范围为G1～G2；第二荧光粉层22位于第一荧光粉层21的上方，第二荧光粉层22的激发光谱波长范围为L3～L4，发射峰波长范围为G3～G4；第三荧光粉层23位于第二荧光粉层22的上方，第三荧光粉层23的激发光谱波长范围为L5～L6，发射峰波长范围为G5～G6；其中，G1～G2范围和L3～L4范围无交集，G3～G4范围和L5～L6无交集，G5～G6范围和L3～L4范围无交集或者交集范围占G5～G6范围的20％或以下，G3～G4范围和L1～L2范围无交集或交集范围占G3～G4范围的20％或以下。此处需说明的是，“无交集”表示两个波长范围没有重叠部分，完全错开。“交集范围”表示两个波长范围重叠的范围。由于G1～G2范围和L3～L4范围无交集，G3～G4范围和L5～L6无交集，因此第一荧光粉层发射的光不会激发第二荧光粉层，第二荧光粉层发射的光不会激发第三荧光粉层；由于G5～G6范围和L3～L4范围无交集或者交集范围占G5～G6范围的20％或以下，G3～G4范围和L1～L2范围无交集或交集范围占G3～G4范围的20％或以下，因此第二荧光粉层发射的光不会被第一荧光粉层吸收或吸收极少，第三荧光粉层发射的光不会被第二荧光粉层吸收或吸收极少，这就有效减少了重吸收现象，提高了发光光效。
更优选地，第一荧光粉层21包覆设置在蓝光LED芯片10的侧部和顶部，第一荧光粉层21的激发光谱波长范围为200～600nm，且其发射光谱的半波宽为70～100nm、波长范围为605～660nm；第二荧光粉层22位于第一荧光粉层21的上方，第二荧光粉层22的激发光谱波长范围为300～500nm，且其发射光谱的半波宽≤10nm、发射峰波长范围为600～660nm，第二荧光粉层22的发射峰包括三个不同峰值的子发射峰，且其中最高峰值的发射峰位于波长620～640nm范围内；第三荧光粉层23位于第二荧光粉层22的上方，第三荧光粉层23的激发光谱波长范围为380～550nm，且其发射光谱的半波宽为60～130nm、发射峰波长范围为480～600nm。
如此，蓝光LED芯片10发出的波长为420～480nm的蓝光，其中一部分能够被第一荧光粉层21吸收并激发出半波宽为70～100nm、波长范围为605～660nm的红光。蓝光LED芯片10发出的另一部分光则穿过第一荧光粉层21被第二荧光粉层22吸收并激发出半波宽≤10nm波长范围为600～660nm的红光，而一小部分蓝光LED10发出的光则进一步穿过第二荧光粉层22层被第三荧光粉层23吸收并激发出480～600nm的黄光或黄绿光或绿光。由于第二荧光粉层22的激发光谱波长范围为300～500nm，不会吸收第一荧光粉层21发出的红光，也不包含黄光或黄绿光或绿光波段，因此减少了第一荧光粉层21发出的红光和第三荧光粉层23发出的黄光或黄绿光或绿光的重吸收现象，而且其作为中间层将第一荧光粉层21和第三荧光粉层23决然分开，也减少了上层第三荧光粉层23发出的光被底层的第一荧光粉层21重吸收的现象。两方面的原因也促使本发明的白光光源的重吸收现象轻微，因此具有更好的出光光效。
在一种优选的实施方式中，第一荧光粉层21为氮化物红粉层，第二荧光粉层22为KSF红粉层，第三荧光粉层23为黄粉或黄绿粉或绿粉层。如图3所示，氮化物红粉层的激发光谱宽，激发范围为200～600nm，从460nm开始激发效率下降，随着波长增加，发光效率降低；氮化物红粉层的发射光谱从540～800nm均有分布。如图4所示，KSF红粉的激发光谱呈波浪形，主要在300～500nm左右有效激发，而其发射光谱窄，同时有3个不同峰值的发射峰，发光波长在633nm左右，发射光谱的半波宽≤10nm。此外，黄粉或黄绿粉或绿粉受蓝光或更低波长的光(比如紫光)激发发出黄光或黄绿光或绿光，其波长范围为480～600nm，主要在500～580nm，因此不会被KSF红粉吸收。本发明将各层荧光粉设置为上述类型，通过封装工艺改变受激发顺序，进一步大幅提升了LED白光的出光效果。
在一种优选的实施方式中，氮化物红粉层的荧光粉为(Sr,Ba)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu中的一种或多种。黄粉或黄绿粉或绿粉层的荧光粉为YAG黄粉(钇铝石榴石Yttrium Aluminum Garnet，发射光峰值波长为545～575nm)、GaAG黄绿粉(发射光峰值波长为515～545nm)、LuAG黄绿粉(发射光峰值波长为515～545nm)、BOSE黄粉或黄绿粉(发射光峰值波长为500～580nm)、塞隆黄粉或黄绿粉或绿粉(发射光峰值波长为515～565nm)中的一种或多种。如此，在最底部的氮化物红粉层不易吸收到最上层的黄绿粉或黄粉或绿粉层激发出的黄绿光或黄光或绿光，黄绿光或黄光或绿光的重吸收现象得以进一步减轻。
为了进一步平衡各层荧光粉层的激发、出光性能，使各色光数量更为适宜，从而进一步改善白光光效，在一种优选的实施方式中，白光光源包括反射杯，蓝光LED芯片10和荧光粉层20设置在反射杯中，第一荧光粉层21高于蓝光LED10顶部的部分的厚度≤0.1mm；将反射杯的杯深记为h，第二荧光粉层22的厚度为0.1mm～1/2h，第三荧光粉层23的厚度为0.1mm～1/2h。第二荧光粉层22的厚度越大，降低重吸收的效果越好，二将各层厚度控制在上述范围内，更有利于平衡各层荧光粉层的激发、出光性能。更优选地，如图2所示，第一荧光粉层21远离蓝光LED芯片10的上表面为凹形曲面，且其高于蓝光LED芯片10的厚度沿中心位置向边缘位置逐渐增加；第二荧光粉层22具有与第一荧光粉层21上表面相适应的凹形表面；第三荧光粉层23的下表面为与第二荧光粉层22上表面相适应的曲面，其上表面为平齐表面。将各层结构设置成上述形状，能够进一步发挥各荧光层的光吸收和反射特性，使最终的白光光源具有更好的光效。
需要说明的是，相比于现有技术中如图1所示的将黄绿粉或黄粉或绿粉混合氮化物红粉作为荧光层的技术方案相比，本发明在氮化物红粉层和黄绿粉或黄粉或绿粉层之间增加了KSF红粉层，有效避免了黄绿粉或黄粉或绿粉过多折射、反射被氮化物红粉吸收，有效避免了重吸收情况，进而提升了出光光效。再者，相比于将KSF红粉与其他黄绿粉或黄粉或绿粉混合一起形成荧光粉层包覆设置在蓝光LED表面的技术方案而言，这种设置方式因没有隔绝湿气，KSF红粉长期在高温和湿度的环境下极易引起性能退化，导致出光性能衰减严重，LED光效不稳定。而本发明是在氮化物红粉层和黄绿粉或黄粉或绿粉层之间增加了KSF红粉层，除了能进一步提升光效外，也避免了KSF红粉层接触空气中的湿气，相当于对其形成了更好的封装，使得整体LED抗老化性能提升。
上述各荧光粉层采用本领域现有的制作方法制备即可，比如采用点胶、喷涂或模压方式均可实现。
根据本发明的另一方面，提供了一种白光光源***，其包括上述白光光源。
以下结合具体实施例对本申请作进一步详细描述，这些实施例不能理解为限制本申请所要求保护的范围。
实施例1
该实施例中提供了一种白光光源，如图2所示，其包括反射杯，其杯深为0.5mm；反射杯中设置有蓝光LED芯片10和荧光粉层20，蓝光LED芯片10设置在反射杯的底部，荧光粉层20设置在荧光粉层20的出光面。具体地，荧光粉层20包括第一荧光粉层21、第二荧光粉层22和第三荧光粉层23。其中，第一荧光粉层21为氮化物红粉层(CaAlSiN3:Eu，激发光谱和发射光谱见图3)，其包覆蓝光LED芯片10的出光面，且远离蓝光LED芯片10的上表面为凹面，凹面中心位置高出蓝光LED芯片10上表面0.08mm，边缘位置高出蓝光LED芯片10上表面0.1mm。第二荧光粉层22为KSF红粉层(激发光谱和发射光谱见图4)，其设置在第一荧光粉层21远离蓝光LED芯片10的一侧表面，且具有与第一荧光粉层21的凹面相适应的表面形状，第二荧光粉层22厚度均匀，为0.1mm。第三荧光粉层23为黄绿粉或黄粉层(GaAG黄粉)，其设置在所述第二荧光粉层22远离蓝光LED芯片10的一侧表面，且下表面为与KSF红粉层上表面相适应的曲面，上表面为平齐表面，中心厚度为0.12mm，边缘最薄厚度为0.1mm。
上述光源的发射光谱见图5，其发光波长范围为400～800nm，有≥3个凹谷；480～800nm范围内具有发射光谱凸起峰，620～640nm范围内第一强度峰占发射光谱峰值强度的20～60％，600～620nm范围内第二强度峰占发射光谱峰值强度的5～20％；去除蓝光的光谱，在480～800nm范围内发射峰为最大强度，发射光谱半波宽：2200K:≤90nm；3000K:≤105nm；4000K:≤120nm；5000K:≤140nm；5700K:≤150nm；6000K:≤160nm。该白光光源的辐射度、光度、色坐标、显色指数Ra等测量结果见表1(根据《半导体发光二极管测试方法》标准号：SJ或T 11394-2009进行测试)。
实施例2
该实施例中提供了一种白光光源，与实施例1的区别如下：
反射杯深为0.5mm；第一荧光粉层21为氮化物红粉层(CaAlSiN3:Eu，激发光谱和发射光谱见图3)，其包覆蓝光LED芯片10的出光面，且远离蓝光LED芯片10的上表面为凹面，凹面中心位置高出蓝光LED芯片10上表面0.05mm，边缘位置高出蓝光LED芯片10上表面0.1mm。第二荧光粉层22为KSF红粉层(激发光谱和发射光谱见图4)，其设置在第一荧光粉层21远离蓝光LED芯片10的一侧表面，且具有与第一荧光粉层21的凹面相适应的表面形状，第二荧光粉层22厚度均匀，为0.15mm。第三荧光粉层23为黄绿粉或黄粉层(YAG黄粉)，其设置在所述第二荧光粉层22远离蓝光LED芯片10的一侧表面，且下表面为与KSF红粉层上表面相适应的曲面，上表面为平齐表面，中心厚度为0.13mm，边缘最薄厚度为0.08mm。
上述光源的发射光谱见图6，其发光波长范围为400～800nm，有≥3个凹谷；480～800nm范围内具有发射光谱凸起峰，620～640nm范围内第一强度峰占发射光谱峰值强度的20～60％，600～620nm范围内第二强度峰占发射光谱峰值强度的5～20％；去除蓝光的光谱，在480～800nm范围内发射峰为最大强度，发射光谱半波宽：2200K:≤90nm；3000K:≤105nm；4000K:≤120nm；5000K:≤140nm；5700K:≤150nm；6000K:≤160nm。该白光光源的辐射度、光度、色坐标、显色指数Ra等测量结果见表1(根据《半导体发光二极管测试方法》标准号：SJ或T 11394-2009进行测试)。
具体地，该光谱(520～560nm)波段较常规光谱(520～560nm)波段平缓，即光谱的斜率绝对值小于常规光谱的斜率绝对值，优选的该绝对值小于10％相对峰强度/(560nm-520nm)，优选地小于5％相对峰强度/(560nm-520nm)。
对比例1
与实施例1的不同之处仅在于：如图1所示，蓝光LED芯片10’上方仅设置氮化物红粉a层和黄绿粉或黄粉层b(二者形成荧光粉层20’)，不设置KSF红粉层。
上述光源的发光光谱见图5和6，辐射度、光度、色坐标、显色指数Ra等测量结果见表1(根据《半导体发光二极管测试方法》标准号：SJ或T 11394-2009进行测试)。
表1
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：相比于对比例1中的白光光源，本发明的白光光源在相近的坐标、显色指数前提下，在560～800nm之间KSF特征光谱突出，存在3个主体发射峰，各发射峰的强度不等，中间发射峰值强度最高，峰值强度超出对比例1光谱强度的10～30％；同一相对强度下，实施例1激发的光谱在KSF粉的特征光谱左侧要高于对比例1光源2～20nm左右，实施例1激发的光谱在KSF粉的特征光谱右侧要低于对比例1光源2～20nm左右；在相近的坐标、显指下，实施例1激发的发射光谱半波宽要小于普通方案激发的发射光谱半波宽，2700K下半波宽相差≥35nm，3000K下半波宽相差≥30nm，4000K下半波宽相差≥25nm，5000K下半波宽相差≥20nm，5700K下半波宽相差≥15nm，6500K下半波宽相差≥10nm。实施例1中的白光光源的发光亮度提升了1.6％以上，显色指数Ra也得到提升，实施例2中的白光光源的发光亮度提升了4.2％以上，显色指数也得到了提升。这就表明本发明的白光光源在光品质上有更好的优势。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种白光光源，其特征在于，包括：
蓝光LED芯片(10)，用于发射波长420～480nm的光；
荧光粉层(20)，可被所述蓝光LED芯片(10)发射的光激发并发出可见光；
其中所述白光光源的发光波长范围为400～800nm，所述白光光源的发光光谱在400～800nm范围内存在至少三个凹谷，在620～640nm范围内存在最高强度峰，在600～620nm范围内存在次高强度峰；
所述荧光粉层(20)包括：
第一荧光粉层(21)，包覆设置在所述蓝光LED芯片(10)的侧部和顶部，所述第一荧光粉层(21)的激发光谱波长范围为L1～L2，发射峰波长范围为G1～G2；
第二荧光粉层(22)，位于所述第一荧光粉层(21)的上方，所述第二荧光粉层(22)的激发光谱波长范围为L3～L4，发射峰波长范围为G3～G4；
第三荧光粉层(23)，位于所述第二荧光粉层(22)的上方，所述第三荧光粉层(23)的激发光谱波长范围为L5～L6，发射峰波长范围为G5～G6；
其中，G1～G2范围和L3～L4范围无交集，G3～G4范围和L5～L6无交集，G5～G6范围和L3～L4范围无交集或者交集范围占G5～G6范围的20％或以下，G3～G4范围和L1～L2范围无交集或交集范围占G3～G4范围的20％或以下；
所述第一荧光粉层(21)的激发光谱波长范围为200～600nm，且其发射光谱的半波宽为70～100nm、发射峰波长范围为605～660nm；
所述第二荧光粉层(22)的激发光谱波长范围为300～500nm，且其发射光谱的半波宽≤10nm、发射峰波长范围为600～660nm，所述第二荧光粉层(22)的发射峰包括三个不同峰值的子发射峰，且其中最高峰值的发射峰位于波长620～640nm范围内；
所述第三荧光粉层(23)的激发光谱波长范围为380～550nm，且其发射光谱的半波宽为60～130nm、发射峰波长范围为480～600nm。
2.根据权利要求1所述的白光光源，其特征在于，所述白光光源的发光光谱中，所述最高强度峰在620～640nm范围内的最大发光光谱强度与最小发光光谱强度之间的差值占整个发光光谱的最大发光光谱强度的20～60％，所述次高强度峰在600～620nm范围内的最大发光光谱强度与最小发光光谱强度之间的差值占整个发光光谱的最大发光光谱强度的5～20％。
3.根据权利要求1所述的白光光源，其特征在于，所述白光的色温为2200～6000K。
4.根据权利要求3所述的白光光源，其特征在于，所述白光光源在色温2200K下的发射光谱半波宽≤90nm，在色温3000K下的发射光谱半波宽≤105nm，在色温4000K下的发射光谱半波宽≤120nm，在色温5000K下的发射光谱半波宽≤140nm，在色温5700K下的发射光谱半波宽≤150nm，在色温6000K下的发射光谱半波宽≤160nm。
5.根据权利要求1所述的白光光源，其特征在于，所述第一荧光粉层(21)为氮化物红粉层，所述第二荧光粉层(22)为KSF红粉层，所述第三荧光粉层(23)为黄粉或黄绿粉或绿粉层。
6.根据权利要求5所述的白光光源，其特征在于，所述氮化物红粉层的荧光粉为(Sr,Ba)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu中的一种或多种。
7.根据权利要求5或6所述的白光光源，其特征在于，所述黄粉或黄绿粉或绿粉层的荧光粉为YAG黄粉、GaAG黄绿粉、LuAG黄绿粉、BOSE黄粉或黄绿粉、塞隆黄粉或黄绿粉或绿粉中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的白光光源，其特征在于，所述白光光源包括反射杯，所述蓝光LED芯片(10)和所述荧光粉层(20)设置在所述反射杯中，所述第一荧光粉层(21)高于所述蓝光LED芯片(10)顶部的部分的厚度≤0.1mm；将所述反射杯的杯深记为h，所述第二荧光粉层(22)的厚度为0.1mm～1/2h，所述第三荧光粉层(23)的厚度为0.1mm～1/2h。
9.根据权利要求8所述的白光光源，其特征在于，所述第一荧光粉层(21)远离所述蓝光LED芯片(10)的上表面为凹形曲面，且其高于所述蓝光LED芯片(10)部分的厚度沿中心位置向边缘位置逐渐增加；所述第二荧光粉层(22)具有与所述第一荧光粉层(21)上表面相适应的凹形表面；所述第三荧光粉层(23)的下表面为与所述第二荧光粉层(22)上表面相适应的曲面，所述第三荧光粉层(23)的上表面为平齐表面。
10.一种白光光源***，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的白光光源。
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