CN113934062B - 液晶手写板及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种液晶手写板及其驱动方法，属于显示技术领域。液晶手写板具有第一基板，该第一基板可以包括：第一衬底，以及位于第一衬底靠近第二基板一侧的像素电极、第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和数据线。在像素电极处于非充电阶段，第一晶体管和第二晶体管中的一个即使接入了第一电平，第一晶体管和第二晶体管中的另一个仍然处于截止状态。这样，第一晶体管和第二晶体管中的至少一个并非是始终接入第二电平的，有效的避免了第一晶体管和/或第二晶体管在长时间处于偏压状态后，开启的阈值电压出现偏移的问题，进而提高了第一晶体管和/或第二晶体管的稳定性，提高了液晶手写板的使用寿命。

Description

液晶手写板及其驱动方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶手写板及其驱动方法。
背景技术
手写板是一种用于实现文字书写和绘画的电子设备。其中，液晶手写板具有功耗低且笔迹清晰的优势，近年来在占据了较多的市场份额。
液晶手写板通常可以包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。其中，第一基板可以包括：第一衬底，以及位于第一衬底上的多个薄膜晶体管(英文：Thin-film transistor；简称：TFT)和多个像素电极，多个TFT可以与多个像素电极对应电连接。第二基板可以包括：第二衬底，以及位于第二衬底上的公共电极。通过对待擦除区域内的TFT进行控制，可以让待擦除区域内的像素电极与公共电极之间形成电压差，从可以实现对待擦除区域内的书写笔迹进行局部擦除。
然而，目前的液晶手写板中的TFT的稳定性较差，导致液晶手写板的使用寿命较低。
发明内容
本申请实施例提供了一种液晶手写板及其驱动方法。可以解决现有技术中液晶手写板中的TFT的稳定性较差的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种液晶手写板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；
所述第一基板包括：第一衬底，以及位于所述第一衬底靠近第二基板一侧的数据线、第一栅线、第二栅线、第一晶体管、第二晶体管和像素电极；
其中，所述第一晶体管的第一极与所述数据线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第二晶体管的第二极与所述像素电极电连接，所述第一晶体管的栅极与所述第一栅线电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第二栅线电连接。
可选的，所述第一衬底具有多个阵列排布的像素区域，一个所述像素区域内分布有一个所述第一晶体管、一个所述第二晶体管和一个所述像素电极；
两行相邻的所述像素区域之间分布有一条所述第一栅线和一条所述第二栅线，且位于两行相邻的所述像素区域之间的第一栅线和第二栅线，分别与同一行像素区域内的各个第一晶体管的栅极和各个第二晶体管的栅极电连接。
可选的，所述第一栅线的条数与所述第二栅线的条数均为多条，多条所述第一栅线与多条所述第二栅线一一对应电连接，且所述第一栅线与对应的第二栅线之间分布有一行所述像素区域。
可选的，所述第一基板还包括：信号接入线，所述信号接入线分别与所述第一栅线和对应的第二栅线电连接。
可选的，所述第一栅线的延伸方向与所述第二栅线的延伸方向平行，对于两行相邻的所述像素区域之间的第一栅线和第二栅线，所述第一栅线相对于所述第二栅线远离目标像素电极行，所述目标像素行为：两行相邻的所述像素区域中与所述第一栅线电连接的第一晶体管以及与所述第二栅线电连接的第二晶体管所在的一行像素区域。
可选的，所述第一晶体管的沟道区的宽长比小于所述第二晶体管的沟道区的宽长比。
可选的，所述第一晶体管的沟道区的长度与所述第二晶体管的沟道区的长度在4微米至6微米的范围内；所述第一晶体管的沟道区的宽度在6微米至8微米的范围内；所述第二晶体管的沟道区的宽度在100微米至120微米的范围内。
可选的，所述第二基板包括：第二衬底，以及位于所述第二衬底靠近所述第一基板一侧或位于所述第二衬底远离所述第一基板一侧的公共电极，所述第二衬底为柔性衬底；
所述第一晶体管和所述第二晶体管均被配置为：在目标光线照射作用下导通，使与所述第一晶体管连接的数据线能够向与所述第二晶体管连接的像素电极施加像素电压，以使施加了所述像素电压的像素电极与所述公共电极之间形成电压差。
可选的，所述液晶层包括双稳态液晶分子，所述双稳态液晶分子被配置为：在所述液晶手写板受到外部压力后，由焦锥织构转变为平面织构；在所述目标光线的照射区域内的像素电极与所述公共电极之间形成电压差后，由平面织构转变为焦锥织构。
另一方面，提供了一种液晶手写板的驱动方法，包括：在所述液晶手写板处于擦除模式时，向所述第一栅线和所述第二栅线分别输入第一扫描信号和第二扫描信号；
其中，在所述像素电极处于充电阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均为第一电平；在所述像素电极处于非充电阶段中的至少部分阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号中的一个为第一电平，另一个为第二电平。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均具有多个第一电平和多个第二电平，所述多个第一电平和所述第二电平交替分布。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号中的多个第一电平，与所述第二扫描信号中的多个第一电平交替分布，使所述第一晶体管和所述第二晶体管不会同时接入第一电平。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，当所述第一扫描信号为第二电平时，所述第一扫描信号为第一电平或第二电平。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号为第一电平的持续时长，与所述第二扫描信号为第一电平的持续时长相同。
可选的，在所述液晶手写板处于书写模式时，停止向所述第一栅线和所述第二栅线分别输入第一扫描信号和第二扫描信号。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
一种液晶手写板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。其中，第一基板可以包括：第一衬底，以及位于第一衬底靠近第二基板一侧的像素电极、第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和数据线。在本申请中，在像素电极处于非充电阶段，第一栅线和第二栅线上加载的多个第一电平和第二电平交替分布，以使得第一晶体管和第二晶体管中的一个即使接入了第一电平，第一晶体管和第二晶体管中的另一个仍然处于截止状态，进而数据线上加载的数据信号不会对像素电极充电。这样，第一晶体管和第二晶体管中的至少一个并非是始终接入第二电平的，有效的避免了第一晶体管和/或第二晶体管在长时间处于偏压状态后，开启的阈值电压出现偏移的问题，甚至可能会导致第一晶体管和第二晶体管出现无法开启或者关断的问题，进而提高了第一晶体管和/或第二晶体管的稳定性，提高了液晶手写板的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术提供的液晶手写板的膜层结构示意图；
图2是图1示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图；
图3是目前常见的一种栅线上加载的栅极扫描信号的时序图；
图4是本申请实施例提供的一种液晶手写板的膜层结构示意图；
图5是图4示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图；
图6是图5示出的第一基板在A-A’处的膜层结构示意图；
图7是本申请实施例提供的一种第一扫描信号和第二扫描信号的时序图；
图8是本申请实施例提供的另一种第一基板的俯视图；
图9是图8示出的Q区域的局部放大示意图；
图10是本申请实施例提供的一种第一晶体管的俯视图；
图11是本申请实施提供的另一种液晶手写板的膜层结构示意图；
图12是本申请实施例提供的一种液晶手写板的产品结构示意图；
图13是图11示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
在相关技术中，请参考图1，图1是相关技术提供的液晶手写板的膜层结构示意图。液晶手写板00可以包括：相对设置的第一基板01和第二基板02，以及位于二者之间的液晶层03。第一基板01通常可以包括：第一衬底013，以及位于第一衬底013上阵列排布的多个像素电极011和多个TFT 012。第二基板02可以包括：第二衬底022，以及位于第二衬底022上的面状的公共电极021。液晶层03中的液晶分子可以为双稳态液晶分子。
其中，TFT 012可以包括：栅极012a、第一极012b、第二极012c和有源层012d。在TFT012中，第一极012b和第二极012c均与有源层012d搭接，且有源层012d和栅极012a之间通过栅极绝缘层016绝缘。这里，第一极012b可以为源极和漏极中的一个，第二极012c可以为源极和漏极中的另一个。
如图2所示，图2是图1示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图。第一基板还可以包括：栅线014和数据线015。栅线014可以与TFT 012的栅极012a电连接，数据线015可以与TFT 012的第一极012b电连接，且TFT 012的第二极012c可以与像素电极011电连接。这样，在通过栅线014向TFT 012的栅极012a施加电信号，以控制TFT 012的第一极012b和第二极012c导通后，数据线015上加载的电信号能够向像素电极011施加像素电压，以对像素电极011进行充电。
当液晶手写板00处于书写模式时，液晶手写板00受到外部施加的压力，液晶手写板00中的液晶层03内的部分双稳态液晶分子受到压力的作用由焦锥织构转变为平面织构。这样，转变为平面织构的液晶分子能够对射入的环境光线中的一定波长的光线(例如，绿色光线)进行反射，使得液晶手写板可以显示书写笔迹。
当液晶手写板00处于擦除模式时，液晶手写板00中数据线015需要向待擦除区域内的像素电极011施加像素电压，使待擦除区域内的像素电极011与公共电极021之间能够形成电压差，进而使得待擦除区域内的双稳态液晶分子在该电压差的作用下重新排列，也即双稳态液晶分子可以由平面织构转变为焦锥织构，进而可以实现对待擦除区域内的书写笔迹进行擦除。
为此，当液晶手写板00处于擦除模式时，液晶手写板00中的数据线015和栅线014均需要加载电信号，以保证待擦除区域内的像素电极011上可以加载像素电压。
其中，栅线014上加载的电信号通常为栅极扫描信号，栅极扫描信号通常具有高电平和低电平。通常情况下，当栅线014加载高电平时，第一极012b与第二极012c之间的有源层012d可以产生漏电流，数据线015上加载的电信号能够通过TFT 012为像素电极011充电，以使像素电极011上可以加载像素电压；当栅线014加载低电平时，TFT 012处于截止状态，数据线015上加载的电信号无法通过TFT 012为像素电极011充电。为此，通常在栅线014加载高电平的阶段，可以认为是像素电极101处于充电阶段，而在栅线014加载低电平的阶段，可以认为是像素电极101处于非充电阶段。
然而，请参考图3，图3是目前常见的一种栅线上加载的栅极扫描信号的时序图。在一个扫描周期T内，通过TFT 012向像素电极011充电的时长通常远小于TFT 012的截止时长，也即是，像素电极101处于充电阶段T1的时长远小于像素电极101处于非充电阶段T2的时长。并且，为了降低液晶手写板00的功耗，液晶手写板00的刷新率通常较低，也即是，一个扫描周期T的持续时长较长，通常在几百毫秒左右。
为此，TFT 012中的栅极012a会长时间接入低电平，导致TFT 012大部分时间都处于偏压状态。而在TFT 012在长时间处于偏压状态后，TFT 012开启的阈值电压会发生偏移，导致TFT 012的稳定性较差，甚至可能会导致TFT 012出现无法开启或者关断的问题，严重影响了液晶手写板的使用寿命。
请参考图4，图4是本申请实施例提供的一种液晶手写板的膜层结构示意图。液晶手写板000可以包括：相对设置的第一基板100和第二基板200，以及位于第一基板100和第二基板200之间的液晶层300。
请参考图5和图6，图5是图4示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图，图6是图5示出的第一基板在A-A’处的膜层结构示意图。第一基板100可以包括：第一衬底101，以及位于第一衬底101靠近第二基板200一侧的像素电极102、第一晶体管103、第二晶体管104、第一栅线G1、第二栅线G2和数据线D。
其中，第一晶体管103和第二晶体管104均可以为TFT。为此，第一晶体管103和第二晶体管104均包括：栅极、第一极、第二极和有源层，有缘层可以分别与第一极和第二极搭接，且可以与栅极绝缘。这里，晶体管中的第一极可以为源极和漏极中的一个，第二极可以为源极和漏极中的另一个。
需要说明的是，本申请实施例是以第一晶体管103和第二晶体管104均为为底栅型薄膜晶体管为例进行示意性说明的。在其他的可选的实现方式中，该薄膜晶体管还可以为顶栅型薄膜晶体管，本申请实施例对此不作限定。
在本申请实施例中，第一晶体管103的第一极103b与数据线D电连接，第一晶体管103的第二极103c可以与第二晶体管104的第一极104b电连接，第二晶体管104的第二极104c与像素电极102电连接。第一晶体管103的栅极103a与第一栅线G1电连接，第二晶体管104的栅极104a与第一栅线G2电连接。
如此，第一晶体管103与第二晶体管104可以为两个串联的晶体管，数据线D可以通过串联的第一晶体管103和第二晶体管104与像素电极102电连接。
在本申请实施例中，当液晶手写板处于擦除模式时，数据信号线D、第一栅线G1和第二栅线G2可以分别接入数据信号、第一扫描信号和第二扫描信号。这样，在第一扫描信号和第二扫描信号均为第一电平时，数据线D上加载的数据信号能够为像素电极102充电。也即是，像素电极102处于充电阶段。
其中，第一栅线G1上加载的第一扫描信号的时序和第一栅线G2上加载的第二扫描信号的时序可以不同。示例的，在像素电极102处于充电阶段，第一扫描信号和第二扫描信号均为第一电平；在像素电极102处于非充电阶段中的至少部分阶段，第一扫描信号和第二扫描信号中的一个为第一电平，另一个为第二电平。
需要说明的是，第一电平和第二电平仅代表该信号的电平有2个状态量，不代表全文中第一电平或第二电平具有特定的数值。示例的，当第一晶体管103与第二晶体管104均为N型开关晶体管时，第一电平可以代表高电平，第二电平可以代表低电平。其中，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
请参考图7，图7是本申请实施例提供的一种第一扫描信号和第二扫描信号的时序图。在一个扫描周期T内，在第一扫描信号和第二扫描信号均为第一电平时，数据线D上加载的数据信号能够为像素电极102充电，使得像素电极102可以加载像素电压，像素电极102处于充电阶段T1；在第一晶体管103的栅极103a和第二晶体管104的栅极104a中的一个所加载的电信号为第一电平，另一个所加载的电信号为第二电平时，第一晶体管103与第二晶体管104中的一个处于截止状态，数据线D上加载的数据信号无法对像素电极102充电，像素电极102处于非充电阶段T2。
在这种情况下，在像素电极102处于非充电阶段T2，第一晶体管103和第二晶体管104中的一个即使接入了第一电平，第一晶体管103和第二晶体管104中的另一个仍然处于截止状态，使得数据线D上加载的数据信号不会对像素电极102充电。为此，在像素电极102处于非充电阶段T2，第一晶体管103和第二晶体管104中的至少一个并非是始终接入第二电平的，有效的避免了第一晶体管103和/或第二晶体管104在长时间处于偏压状态后，开启的阈值电压出现偏移的问题，进而提高了第一晶体管103和/或第二晶体管104的稳定性，保证液晶手写板000的使用寿命较高。
在本申请中，在像素电极102处于非充电阶段T2，第一扫描信号和第二扫描信号均具有多个第一电平和多个第二电平，多个第一电平和第二电平交替分布。如此，第一晶体管103和第二晶体管104均会在像素电极102处于非充电阶段T2接入第一电平，并且，在第一扫描信号和第二扫描信号中的一个处于第一电平时，另一个处于第二电平，以保证在像素电极102处于非充电阶段，第一晶体管103和第二晶体管104中的一个是处于截止状态的。在这种情况下，第一晶体管103和第二晶体管104均不会长期接入第一电平或第二电平，进一步的提高了第一晶体管103和第二晶体管104的稳定性。
可选的，在像素电极102处于非充电阶段T2，第一扫描信号中的多个第一电平，与第二扫描信号中的多个第一电平交替分布，保证第一晶体管103和第二晶体管104不会同时接入第一电平。
在本申请实施例中，在像素电极102处于非充电阶段T2，当第一扫描信号为第二电平时，第一扫描信号可以为第一电平或第二电平。也即是，在第一晶体管103接入第二电平时，第二晶体管104可以接入第二电平，也可以接入第一电平。
可选的，在像素电极102处于非充电阶段T2，第一扫描信号为第一电平的持续时长，与第二扫描信号为第一电平的持续时长相同。也即是，第一晶体管103接入第一电平的持续时长与第二晶体管104接入第一电平的持续时长相同。如此，可以保证第一晶体管103和第二晶体管104的稳定性基本一致。
综上所述，本申请实施例提供了一种液晶手写板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。其中，第一基板可以包括：第一衬底，以及位于第一衬底靠近第二基板一侧的像素电极、第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和数据线。在像素电极处于非充电阶段中的至少部分阶段，第一栅线上加载的第一扫描信号和第二栅线上加载的第二扫描信号中的一个为第一电平，另一个为第二电平，使得第一晶体管和第二晶体管中的一个即使接入了第一电平，第一晶体管和第二晶体管中的另一个仍然处于截止状态，进而数据线上加载的数据信号不会对像素电极充电。这样，第一晶体管和第二晶体管中的至少一个并非是始终接入第二电平的，有效的避免了第一晶体管和/或第二晶体管在长时间处于偏压状态后，开启的阈值电压出现偏移的问题，进而提高了第一晶体管和/或第二晶体管的稳定性，提高了液晶手写板的使用寿命。
在本申请实施例中，请参考图5，第一基板100中的第一衬底101上具有多个阵列排布的像素区域100a，一个像素区域100a内分布有一个第一晶体管103、一个第二晶体管104和一个像素电极102。这里，每个像素区域100a内分布的一个第一晶体管103、一个第二晶体管104和一个像素电极102通常也可以称为一个像素。
其中，第一基板100中的数据线D、第一栅线G1和第二栅线G2的条数均为多条，任意相邻的两条数据线D与任意相邻的两条栅线(可以为第一栅线G1或第二栅线G2)所围成的区域为像素区域100a。
在本申请中，两列相邻的像素区域100a之间可以分布有一条数据线D，且该数据线D可以与一列像素电连接。例如，数据线D可以与一列像素区域100a内的各个第一晶体管103的第一极103b电连接。
两行相邻的像素区域100a之间可以分布有一条第一栅线G1和一条第二栅线G2，且位于两行相邻的像素区域100a之间的第一栅线G1和第二栅线G2可以与同一行像素电连接。例如，这条第一栅线G1和这条第二栅线G2，可以分别与同一行像素区域100a内的各个第一晶体管103的栅极103a和各个第二晶体管104的栅极104a电连接。在这种情况下，位于两行相邻的像素区域100a之间的第一栅线G1和第二栅线G2在分别加载第一扫描信号和第二扫描信号后，且第一扫描信号和第二扫描信号均为第一电平时，同一行像素区域100a内的第一晶体管103的有缘层103d和第二晶体管104的有源层104d均会产生漏电流。若这一行像素区域100a内的与某个像素电极102电连接的数据线D上加载了数据信号，则这条数据线D上加载的数据信号能够为这个像素电极102充电。
可选的，请参考图8，图8是本申请实施例提供的另一种第一基板的俯视图。第一基板100中的多条第一栅线G1与多条第二栅线G2可以一一对应电连接，且第一栅线G1与对应的第二栅线G2之间分布有一行像素区域100a。
在这种情况下，即使本申请实施例中的第一基板100内需要让第一栅线G1和第二栅线G2同时与一行像素电连接，栅线的数量是相关技术中的第一基板内的栅线数量的一倍，但本申请实施例中的第一基板100内通过让每条第一栅线G1与对应的第二栅线G2电连接，并可以让相互电连接的第一栅线G1与第二栅线G2接入同一个信号输出端。这样，可以保证本申请实施例中的第一基板100用于输出扫描信号的信号输出端的数量是栅线数量的一半，并不会增加信号输出端的数量。
示例的，第一基板100还可以包括：信号接入线105，该信号接入线105可以分别与第一栅线G1和对应的第二栅线G2电连接。如此，相互电连接的第一栅线G1与第二栅线G2可以通过信号接入线105与同一个信号接入端电连接。
可选的，请参考图9，图9是图8示出的Q区域的局部放大示意图。第一栅线G1的延伸方向与第二栅线G2的延伸方向平行，对于两行相邻的像素区域100a之间的第一栅线G1和第二栅线G2，第一栅线G1相对于第二栅线G2远离目标像素电极行。其中，目标像素电极行为两行相邻的像素区域100a中与第一栅线G1电连接的第一晶体管103以及与第二栅线G2电连接的第二晶体管104所在的一行像素区域。
在本申请中，第一晶体管103和第二晶体管104的排布方向可以与数据线D的延伸方向垂直。这样，第一栅线G1可以直接与第一晶体管103的栅极103a电连接，同样，第二栅线G2也可以直接与第二晶体管104的栅极104a电连接。如此，无需通过转接电极就能够实现让第一栅线G1与第一晶体管103的栅极103a电连接，且让第二栅线G2与第二晶体管104的栅极104a电连接，简化了液晶手写板000的制造难度。
在相关技术中，如图1和图2所示，在液晶手写板00采用光擦除技术时，可以采用能够发出目标光线的擦除工具，对液晶手写板00上呈现的书写笔迹进行擦除。在这种情况下，当液晶手写板00处于擦除模式时，栅线014需要加载栅极扫描信号，且栅极扫描信号为高电平的电压较小，这样，在栅极扫描信号为高电平时，TFT 012的有源层012d会产生漏电流，但该漏电流通常较小。而在目标光线照射该TFT 012的有源层012d后，有源层012d会产生载流子，使得有源层012d上的漏电流增大，TFT 012可以处于导通状态，数据线015上加载的电信号能够通过TFT 012为像素电极011充电，以使像素电极011上可以加载像素电压。这样，在目标光线照射的区域内的像素电极011均会与公共电极021之间产生电压差，使得目标光线照射的区域内的双稳态液晶分子可以由平面织构转变为焦锥织构，进而可以对目标光线照射的区域内的书写笔迹进行擦除。
然而，采用光擦除技术的液晶手写板00在处于擦除模式时，栅线014和数据线015上均会加载有电信号。虽然栅线014上加载的电信号不足以让TFT 012完全导通，但是TFT012的有源层012d上仍然会有漏电流的产生，导致数据线015上加载的数据信号可能会为非擦除区域内的像素电极011充电，进而导致非擦除区域内的书写笔迹会出现变浅的现象，严重影响了液晶手写板的显示效果。
为了解决相关技术中液晶手写板的非擦除区域内的书写笔迹会出现变浅的现象，需要对本申请中的第一基板100内的第一晶体管103和第二晶体管104的沟道区进行设计。同时为了便于理解后续实施例中的内容，以下实施例先对本申请涉及到的专业名称进行了解释说明。
请参考图10，图10是本申请实施例提供的一种第一晶体管的俯视图。第一晶体管103中的有源层103d具有沟道区，沟道区是指有源层103d中位于有源层103d与第一极103b接触的第一区域，和有源层103d与第二极103c接触的第二区域之间的区域。其中，沟道区的长度L是指第一区域与第二区域之间的距离，该沟道区的宽度W是指第一区域的长度与第二区域的长度中的较小的长度。第一晶体管103的沟道区的宽长比W/L是指第一晶体管103的沟道区的宽度W和第一晶体管103的沟道区的长度L之间的比值，且该沟道区的宽长比W/L的值越大，则第一晶体管103中第一极103b和第二级103c之间的电阻较小，二者之间能够传输的漏电流的大小越大；反之，沟道区的宽长比W/L的值越小，第一晶体管103中第一极103b和第二级103c之间传输的漏电流的大小越小。需要说明的是，第二晶体管104中的有源层104d也具有沟道区，且有源层104d的沟道区的相关含义与第一晶体管103的有源层103d的沟道区的相关含义相同，这里不再赘述。
在本申请实施例中，第一晶体管103的沟道区的宽长比可以小于第二晶体管104的沟道区的宽长比。需要说明的是，为了保证晶体管在开启状态下的电流传输，晶体管的沟道区的长度通常是固定的，例如，晶体管的沟道区的长度在4微米至6微米的范围内。为此，第一晶体管103的沟道区的长度可以等于第二晶体管104的沟道区的长度，这样，在保证第一晶体管103的沟道区的宽度小于第二晶体管104的沟道区的宽度后，即可保证第一晶体管103的沟道区的宽长比小于第二晶体管104的沟道区的宽长比。
在这种情况下，与数据信号线D电连接的第一晶体管103的沟道区的宽长比较小。如此，在第一晶体管103的栅极103a加载第一扫描信号时，可以进一步的降低第一晶体管103的有源层103d产生的漏电流的大小，进而减小了非擦除区域内的像素电极102上施加的像素电压的大小，降低了非擦除区域内书写笔迹出现变浅的现象的概率，有效的提高了液晶手写板000的显示效果。
而与像素电极102电连接的第二晶体管104的沟道区的宽长比较大。如此，在目标光线照射待擦除的区域时，第一晶体管103的沟道区和第二晶体管104均会产生载流子，且第二晶体管104的沟道区内产生的载流子的数量较多。由于数据线D上加载了数据信号，因此，在数据信号的作用下，第二晶体管104的沟道区内产生的载流子可以向像素电极102的方向流动，可以提高第二晶体管104的有源层104d产生的漏电流的大小，保证数据线D上加载的数据信号能够正常为像素电极102充电。这样，待擦除区域内的像素电极102上可以加载像素电压，从而可以实现对待擦除区域内的书写笔迹进行擦除。
示例的，第一晶体管103的沟道区的长度与第二晶体管104的沟道区的长度在4微米至6微米的范围内；第一晶体管103的沟道区的宽度在6微米至8微米的范围内；第二晶体管104的沟道区的宽度在100微米至120微米的范围内。并且，第一基板100的像素区域101a的尺寸可以为1×1毫米。这样，可以在保证第一晶体管103的栅极103a加载第一扫描信号时，第一晶体管103的有源层103d产生的漏电流较小的前提下，保证在目标光线照射某个像素区域时，数据线D上加载了数据信号能够正常为这个像素区域内的像素电极102充电。
在本申请实施例中，如图11所示，图11是本申请实施提供的另一种液晶手写板的膜层结构示意图。液晶手写板000中的第二基板200可以包括：第二衬底201，以及位于第二衬底201靠近第一基板100一侧或位于第二衬底201远离第一基板100一侧的公共电极202。液晶手写板000中的液晶层300可以包括双稳态液晶分子。需要说明的是，本申请中的附图是以公共电极202相对于第二衬底201靠近第一基板100为例进行示意性说明的。
在液晶手写板000处于书写模式时，第一基板100内的数据线D、第一栅线G1和第二栅线G2上均未加载电信号，也即是，数据线D、第一栅线G1和第二栅线G2上没有电压，从而可以保证液晶手写板000的功耗较低。示例的，液晶手写板000中的双稳态液晶分子可以被配置为：在液晶手写板000受到外部压力时，由焦锥织构转变为平面织构。例如，在用户通过书写工具(例如，书写笔)在液晶手写板000上进行书写时，用户可以通过书写工具向液晶手写板000施加压力，使得液晶手写板000中受到压力的区域内的双稳态液晶分子由焦锥织构转变为平面织构。在这种情况下，呈平面织构的双稳态液晶分子能够反射照射在液晶手写板000上环境光线中的一定波长的光线(例如，绿色光线)进行反射，以使液晶手写板000可以显示相应的书写笔迹。
在液晶手写板000处于擦除模式时，第一基板100内的数据线D、第一栅线G1和第二栅线G2可以分别加载有数据信号、第一扫描信号和第二扫描信号。示例的，液晶手写板000中的第一晶体管103和第二晶体管104均被配置为：在目标光线的照射作用下导通，使与第一晶体管103连接的数据线D能够向与第二晶体管104连接的像素电极102充电，以保证像素电极102上施加像素电压，进而使得施加了像素电压的像素电极102与公共电极202之间形成电压差。
双稳态液晶分子还可以被配置为：在目标光线的照射区域内的像素电极102与公共电极202之间形成电压差后，由平面织构转变为焦锥织构。例如，在用户通过能够发出目标光线的擦除工具在液晶手写板000上擦除时，用户可以通过擦除工具向液晶手写板000发射目标光线，而液晶手写板000中目标光线的照射区域内的像素电极102均会与公共202之间形成电压差，进而使得液晶手写板000中目标光线的照射区域内的双稳态液晶分子由平面织构恢复为焦锥织构。如此，呈焦锥织构的双稳态液晶分子能够透射照射在液晶手写板000上的环境光线，以实现对目标光线的照射区域内的书写笔迹进行擦除。这样，目标光线的照射区域即为待擦除的区域。
需要说明的是，目标光线的光强需要大于环境光线的光强，以保证第一晶体管103和第二晶体管104仅在目标光线的照射下导通，而不会在环境光线的照射下导通。
可选的，如图12所示，图12是本申请实施例提供的一种液晶手写板的产品结构示意图。液晶手写板000还可以包括：切换开关400。其中，切换开关400用于控制液晶手写板000进行擦除模式和书写模式之间的切换。其中，在液晶手写板000处于书写模式时，液晶手写板000处于未上电的状态，数据线D、第一栅线G1和第二栅线G2上均未加载有电信号；在液晶手写板000处于擦除模式时，液晶手写板000处于上电的状态，数据线D、第一栅线G1和第二栅线G2上均需要加载有电信号。如此，仅在液晶手写板000处于擦除模式时，液晶手写板000才需要消耗电能，有效的降低了液晶手写板000的功耗。
在本申请实施例中，如图11和图13所示，图13是图11示出的液晶手写板中的第一基板的俯视图。液晶手写板000中的第一基板100还可以包括：位于第一衬底101靠近第二基板200一侧的辅助电极线106，该辅助电极线106可以与第一栅线G1和第二栅线G2同层设置，且该辅助电极线106的延伸方向与第一栅线G1的延伸方向平行。
示例的，第一基板100中的像素电极102排布为多行，该第一基板100中的辅助电极线106的条数为与像素电极102的行数相同。每条辅助电极线106在第一衬底101上的正投影，与对应的一行像素电极102在第一衬底101上的正投影交叠，该辅助电极线106可以与一行像素电极102中的每个像素电极102构成存储电容Cst。该存储电容Cst可以用于保持像素电极102的像素电压，因此，当液晶手写板000进行擦除时，该存储电容Cst可以避免待擦除的像素区域内的像素电极102的电压变化，影响其周围的像素电极102的电压，进而避免了影响待擦除的像素区域周围的像素区域的显示效果。
可选的，如图11所示，第一基板100还可以包括：栅极绝缘层107、第一绝缘层108和第二绝缘层109。
其中，栅极绝缘层107可以位于晶体管的栅极和有源层之间。例如，第一晶体管103的栅极103a和有源层103d可以通过栅极绝缘层绝缘，第二晶体管104的栅极104a和有源层104d也可以通过栅极绝缘层绝缘。
第一绝缘层108可以位于晶体管与像素电极102之间。这里，像素电极102可以位于第一绝缘层108上，该第一绝缘层108不仅能够对晶体管进行保护，还能够提高像素电极102的平坦性。在这种情况下，该第一绝缘层108具有连接过孔，像素电极102可以通过该连接过孔与第二晶体管104中的第二极1014c电连接。
第二绝缘层109位于像素电极102远离第一衬底101的一侧。在将第一基板100与第二基板200相对设置时，由于设备环境非无尘环境，因此会导致第一基板100与第二基板200之间出现异物，通过第二绝缘层109可以用于防止位于第一基板100与第二基板200之间的异物，导通第一基板100中的像素电极102和第二基板200中的公共电极202。
在本申请实施例中，如图11所示，第二基板200中的公共电极202与第一基板100中的像素电极102的材料均可以包括：氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)或氧化铟锌(英文：Indium Zinc Oxide；简称：IZO)等透明导电材料。第一基板100中的第一衬底101可以是刚性衬底，例如，第一一沉底101可以为玻璃基底；第二基板200中的第二衬底201可以柔性衬底，例如，该第二衬底201可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(英文：PolyethyleneTerephthalate；简称：PET)基底。
综上所述，本申请实施例提供了一种液晶手写板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。其中，第一基板可以包括：第一衬底，以及位于第一衬底靠近第二基板一侧的像素电极、第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和数据线。在像素电极处于非充电阶段中的至少部分阶段，第一栅线上加载的第一扫描信号和第二栅线上加载的第二扫描信号中的一个为第一电平，另一个为第二电平，使得第一晶体管和第二晶体管中的一个即使接入了第一电平，第一晶体管和第二晶体管中的另一个仍然处于截止状态，进而数据线上加载的数据信号不会对像素电极充电。这样，第一晶体管和第二晶体管中的至少一个并非是始终接入第二电平的，有效的避免了第一晶体管和/或第二晶体管在长时间处于偏压状态后，开启的阈值电压出现偏移的问题，进而提高了第一晶体管和/或第二晶体管的稳定性，提高了液晶手写板的使用寿命。
本申请实施例还提供了一种液晶手写板的驱动方法，应用于上述实施例中的液晶手写板。示例的，该液晶手写板为图4和图11示出的液晶手写板。
液晶手写板的驱动方法可以包括：在所述液晶手写板处于擦除模式时，向所述第一栅线和所述第二栅线分别输入第一扫描信号和第二扫描信号。
其中，在所述像素电极处于充电阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均为第一电平；在所述像素电极处于非充电阶段中的至少部分阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号中的一个为第一电平，另一个为第二电平。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均具有多个第一电平和多个第二电平，所述多个第一电平和所述第二电平交替分布。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号中的多个第一电平，与所述第二扫描信号中的多个第一电平交替分布，使所述第一晶体管和所述第二晶体管不会同时接入第一电平。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，当所述第一扫描信号为第二电平时，所述第一扫描信号为第一电平或第二电平。
可选的，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号为第一电平的持续时长，与所述第二扫描信号为第一电平的持续时长相同。
需要说明的是，第一扫描信号与第二扫描信号的时序图可以参考图7示出的时序图。
可选的，液晶手写板的驱动方法可以包括：在所述液晶手写板处于书写模式时，停止向所述第一栅线和所述第二栅线分别输入第一扫描信号和第二扫描信号。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的液晶手写板的驱动方法的具体工作原理，可以参考前述液晶手写板的结构实施例中的对应部分，在此不再赘述。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种液晶手写板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；
所述第一基板包括：第一衬底，以及位于所述第一衬底靠近第二基板一侧的数据线、第一栅线、第二栅线、第一晶体管、第二晶体管和像素电极；
其中，所述第一晶体管的第一极与所述数据线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第二晶体管的第二极与所述像素电极电连接，所述第一晶体管的栅极与所述第一栅线电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第二栅线电连接；
所述第一晶体管的沟道区的宽长比小于所述第二晶体管的宽长比。
2.根据权利要求1所述的液晶手写板，其特征在于，所述第一衬底具有多个阵列排布的像素区域，一个所述像素区域内分布有一个所述第一晶体管、一个所述第二晶体管和一个所述像素电极；
两行相邻的所述像素区域之间分布有一条所述第一栅线和一条所述第二栅线，且位于两行相邻的所述像素区域之间的第一栅线和第二栅线，分别与同一行像素区域内的各个第一晶体管的栅极和各个第二晶体管的栅极电连接。
3.根据权利要求2所述的液晶手写板，其特征在于，所述第一栅线的条数与所述第二栅线的条数均为多条，多条所述第一栅线与多条所述第二栅线一一对应电连接，且所述第一栅线与对应的第二栅线之间分布有一行所述像素区域。
4.根据权利要求3所述的液晶手写板，其特征在于，所述第一基板还包括：信号接入线，所述信号接入线分别与所述第一栅线和对应的第二栅线电连接。
5.根据权利要求2所述的液晶手写板，其特征在于，所述第一栅线的延伸方向与所述第二栅线的延伸方向平行，对于两行相邻的所述像素区域之间的第一栅线和第二栅线，所述第一栅线相对于所述第二栅线远离目标像素电极行，所述目标像素行为：两行相邻的所述像素区域中与所述第一栅线电连接的第一晶体管以及与所述第二栅线电连接的第二晶体管所在的一行像素区域。
6.根据权利要求1至5任一所述的液晶手写板，其特征在于，所述第一晶体管的沟道区的长度与所述第二晶体管的沟道区的长度在4微米至6微米的范围内；所述第一晶体管的沟道区的宽度在6微米至8微米的范围内；所述第二晶体管的沟道区的宽度在100微米至120微米的范围内。
7.根据权利要求1至5任一所述的液晶手写板，其特征在于，所述第二基板包括：第二衬底，以及位于所述第二衬底靠近所述第一基板一侧或位于所述第二衬底远离所述第一基板一侧的公共电极，所述第二衬底为柔性衬底；
所述第一晶体管和所述第二晶体管均被配置为：在目标光线照射作用下导通，使与所述第一晶体管连接的数据线能够向与所述第二晶体管连接的像素电极施加像素电压，以使施加了所述像素电压的像素电极与所述公共电极之间形成电压差。
8.根据权利要求7所述的液晶手写板，其特征在于，所述液晶层包括双稳态液晶分子，所述双稳态液晶分子被配置为：在所述液晶手写板受到外部压力后，由焦锥织构转变为平面织构；在所述目标光线的照射区域内的像素电极与所述公共电极之间形成电压差后，由平面织构转变为焦锥织构。
9.一种液晶手写板的驱动方法，其特征在于，应用于权利要求1至8任一所述的液晶手写板，所述方法包括：
在所述液晶手写板处于擦除模式时，向所述第一栅线和所述第二栅线分别输入第一扫描信号和第二扫描信号；
其中，在所述像素电极处于充电阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均为第一电平；在所述像素电极处于非充电阶段中的至少部分阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号中的一个为第一电平，另一个为第二电平。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号均具有多个第一电平和多个第二电平，所述多个第一电平和所述第二电平交替分布。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号中的多个第一电平，与所述第二扫描信号中的多个第一电平交替分布，使所述第一晶体管和所述第二晶体管不会同时接入第一电平。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述像素电极处于非充电阶段，当所述第一扫描信号为第二电平时，所述第一扫描信号为第一电平或第二电平。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述像素电极处于非充电阶段，所述第一扫描信号为第一电平的持续时长，与所述第二扫描信号为第一电平的持续时长相同。
14.根据权利要求9至13任一所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述液晶手写板处于书写模式时，停止向所述第一栅线和所述第二栅线分别输入第一扫描信号和第二扫描信号。
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