CN113934032B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113934032B
CN113934032B CN202010602840.0A CN202010602840A CN113934032B CN 113934032 B CN113934032 B CN 113934032B CN 202010602840 A CN202010602840 A CN 202010602840A CN 113934032 B CN113934032 B CN 113934032B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
shielding part
substrate
via hole
domain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010602840.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113934032A (zh
Inventor
赵婷婷
杨通
王永灿
邵贤杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010602840.0A priority Critical patent/CN113934032B/zh
Priority to PCT/CN2021/093389 priority patent/WO2022001396A1/zh
Priority to US17/771,848 priority patent/US11892734B2/en
Publication of CN113934032A publication Critical patent/CN113934032A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113934032B publication Critical patent/CN113934032B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示设备领域。该显示面板包括彩膜基板和阵列基板，彩膜基板包括第二基板和黑矩阵图案，黑矩阵图案包括本体、过孔遮挡部和补偿遮挡部；过孔遮挡部位于多个子像素区域中的部分子像素区域的第一畴区，补偿遮挡部位于在第一方向上与过孔遮挡部所在的第一畴区相邻的第二畴区。由于同一子像素区域中至多分布有过孔遮挡部和补偿遮挡部中的一种，因此分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域的开口率，与既未分布有过孔遮挡部也未分布有补偿遮挡部的子像素区域的开口率之间的差异仅受到一个遮挡部的影响，有利于降低不同子像素区域之间的开口率差异，减弱液晶显示装置出现的横纹，提高显示效果。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示设备领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
液晶显示装置是一种常见的显示装置，目前有一种采用双畴结构的子像素的液晶显示装置，该液晶显示装置中，彩膜基板上由黑矩阵限定出的每个子像素区域均包括第一畴区和第二畴区，第一畴区和第二畴区的面积大致是相等的。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，包括相对的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括第一基板、公共电极、多个辅助公共电极和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述多个辅助公共电极与公共电极之间，所述第一绝缘层上具有过孔，所述辅助公共电极与所述公共电极通过过孔连接；
所述彩膜基板包括第二基板和黑矩阵图案，所述黑矩阵图案包括本体、与所述本体相连的过孔遮挡部和补偿遮挡部；
所述本体在所述第二基板上限定出阵列排布的多个子像素区域，每个所述子像素区域包括第一畴区和第二畴区；
在第一方向上，所述第一畴区和所述第二畴区相互交替，所述第一方向为同一所述子像素区域的所述第一畴区和所述第二畴区排列的方向；
所述过孔遮挡部位于所述多个子像素区域中的部分子像素区域的第一畴区中，且所述过孔在所述第一基板上的正投影位于所述过孔遮挡部在所述第一基板上的正投影内，所述补偿遮挡部位于在所述第一方向上与所述过孔遮挡部所在的第一畴区相邻的第二畴区，且同一子像素区域中至多分布有所述过孔遮挡部和所述补偿遮挡部中的一种。
可选地，所述过孔遮挡部位于夹角处，所述夹角为所述第一方向上相邻的两个所述子像素区域的边界和第二方向上相邻的两个所述子像素区域的边界的夹角，所述第二方向与所述第一方向相交。
可选地，所述补偿遮挡部位于靠近所述第一方向上相邻的两个所述子像素区域的边界处。
可选地，所述补偿遮挡部所在的所述第二畴区的边界为直线。
可选地，在所述第一方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有至少一个所述子像素区域。
可选地，在第二方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有至少一个所述子像素区域，所述第二方向与所述第一方向相交。
可选地，在所述第二方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有2～5个所述子像素区域。
可选地，在所述第二方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有奇数个子像素区域，所述奇数个子像素区域中位于中间的一个子像素区域具有所述补偿遮挡部。
可选地，所述过孔遮挡部所在的所述子像素区域的开口率与所述补偿遮挡部所在的所述子像素区域的开口率相等。
可选地，任意两个所述子像素区域的开口率相差不超过3％。
可选地，所述过孔遮挡部所在的所述子像素区域为蓝色子像素区域。
可选地，所述过孔在所述第一基板上的正投影的边缘与所述过孔遮挡部在所述第一基板上的正投影的边缘之间的最小间距大于等于3.5微米小于等于6微米。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如第一方面所述的显示面板。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括第一基板、公共电极、多个辅助公共电极和第一绝缘层，所述多个辅助公共电极间隔分布在所述第一基板上，所述第一绝缘层位于所述多个辅助公共电极上，所述公共电极位于所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层上具有过孔，所述辅助公共电极与所述公共电极通过过孔连接；
提供彩膜基板，所述彩膜基板包括第二基板和黑矩阵图案，所述黑矩阵图案包括本体、与所述本体相连的过孔遮挡部和补偿遮挡部，所述本体在所述第二基板上限定出阵列排布的多个子像素区域，每个所述子像素区域包括第一畴区和第二畴区，在第一方向上，所述第一畴区和所述第二畴区相互交替，所述第一方向为同一所述子像素区域的所述第一畴区和所述第二畴区排列的方向，所述过孔遮挡部位于所述多个子像素区域中的部分子像素区域的第一畴区中，所述补偿遮挡部位于在所述第一方向上与所述过孔遮挡部所在的第一畴区相邻的第二畴区，且同一子像素区域中至多分布有所述过孔遮挡部和所述补偿遮挡部中的一种；
将所述彩膜基板和所述阵列基板相对布置，使所述过孔在所述第一基板上的正投影位于所述过孔遮挡部在所述第一基板上的正投影内。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过设置过孔遮挡部和补偿遮挡部，过孔遮挡部用来遮挡连接公共电极和辅助公共电极的过孔，并且会减小过孔遮挡部所在子像素区域的第一畴区的开口率，补偿遮挡部减小补偿遮挡部所在子像素区域的第二畴区的开口率。虽然在分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域中，同一子像素区域的第一畴区和第二畴区的开口率不相等，但是将过孔遮挡部所在的子像素区域和在第一方向上与之相邻的补偿遮挡部所在的子像素区域作为一个整体，视为一个较大的子像素区域，这两个子像素区域相当于这个较大的子像素区域的两个畴区，两个畴区中一个分布有过孔遮挡部，另一个分布有补偿遮挡部，两者各受一个遮挡部的影响，开口率差异较小，仍然可以减小显示装置的色偏，并且由于同一子像素区域中至多分布有过孔遮挡部和补偿遮挡部中的一种，因此分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域的开口率，与既未分布有过孔遮挡部也未分布有补偿遮挡部的子像素区域的开口率之间的差异仅受到一个遮挡部的影响，有利于降低不同子像素区域之间的开口率差异，减弱液晶显示装置出现的横纹，提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是单畴技术中液晶分子的偏转示意图；
图2是双畴技术中液晶分子的偏转示意图；
图3是相关技术中的一种阵列基板的俯视图；
图4是相关技术中的一种彩膜基板的结构示意图；
图5是图4中的一个子像素区域的示意图；
图6是本公开实施例提供的一种显示面板的俯视图；
图7是图6中的局部放大示意图；
图8是图7中的C-C截面图；
图9是图3中的A-A截面示意图；
图10是本公开实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
液晶显示装置中的液晶分子通常为椭圆或棒状结构，长短轴方向上的电子密度不同导致具有双折射率，光线从平行于长轴或从平行于短轴方向射出时具有不同的光程差，从而产生色偏和灰阶反转。
单畴(one domain)技术和双畴(two domain)技术是两种液晶显示技术。单畴技术的液晶显示装置采用的是单畴结构的子像素，图1是单畴技术中液晶分子的偏转示意图。如图1所示，在单畴结构的液晶显示装置中，在一个子像素区域内的液晶分子的取向是相同的。虚线为液晶分子初始配向方向，转向箭头为液晶分子偏转方向。对于单一配向方向和单一电场方向，单畴结构具有单一的液晶偏转方向，导致人眼在A、B、C、D四个方向上看到的灰阶或颜色不同，形成色偏。
相比单畴技术，双畴技术有利于提升液晶显示装置的显示效果，减小色偏等问题，因此在相关技术中，液晶显示装置通常采用双畴结构的子像素。图2是双畴技术中液晶分子的偏转示意图。如图2所示，在双畴结构的液晶显示装置中，同一个子像素包括两个部分，对于单一配向方向和两种电场方向，这两个部分的液晶分子上下偏转与左右偏转对称，实现上下偏转与左右偏转互补，以减弱A、B、C、D四个方向上的灰阶或颜色的差异。
图3是相关技术中的一种阵列基板的俯视图。该阵列基板为采用双畴技术的液晶显示装置的阵列基板。如图3所示，该阵列基板100包括第一基板10和形成在第一基板10上的导电图案。
如图3所示，该导电图案包括多根栅线11、多根数据线12、多个像素电极13、公共电极14和多个辅助公共电极15。多根栅线11和多个辅助公共电极15平行交替分布在第一基板10上，栅线11与辅助公共电极15由同层材料制成，通常可以由同一层金属材料通过构图工艺制作。多根栅线11和多根数据线12在第一基板10上交叉限定出多个子像素区域100a，子像素区域100a中分布有像素电极13，像素电极13与数据线12通过薄膜晶体管19(如图3中椭圆虚线框所示)连接。公共电极14为面电极，公共电极14位于栅线11和辅助公共电极15所在层以及像素电极13所在层之上，为了便于查看公共电极14，图3中移除了右上角的一块像素电极13。公共电极14与辅助公共电极15之间通过多个过孔16连接。在通电后，像素电极13和公共电极14之间形成用于使液晶分子发生偏转的电场。
以栅线11的延伸方向为行方向，以数据线12的延伸方向为列方向为例，辅助公共电极15沿行方向延伸，每根辅助公共电极15与公共电极14通过间隔的多个过孔16相连，形成矩阵公共电极(Matrix Vcom)。
图4是相关技术中的一种彩膜基板的结构示意图。在形成显示面板时，该彩膜基板200用于与图3所示的阵列基板100配合。如图4所示，该彩膜基板200包括第二基板20和黑矩阵图案，黑矩阵图案包括本体201，本体201在第二基板20上限定出多个子像素区域200a，在制作显示面板时，彩膜基板200上的子像素区域200a与阵列基板100上的子像素区域100a一一对应。
由于辅助公共电极15与公共电极14之间通过过孔16连接，为了对该过孔16区域进行遮挡，如图4所示，黑矩阵图案还包括过孔遮挡部202，过孔遮挡部202位于彩膜基板200上的子像素区域200a内，且与本体201连为一体，在将彩膜基板200和阵列基板100相对设置时，过孔遮挡部202在阵列基板100上的正投影覆盖过孔16，以对过孔16进行遮挡。
以图4所示的彩膜基板200为例，图5是图4中的一个子像素区域的示意图。图5中的虚线围成的区域为一个子像素区域。如图5所示，彩膜基板200上的子像素区域200a包括第一畴区20a和第二畴区20b，第一畴区20a和第二畴区20b是彩膜基板200的子像素区域200a中，与双畴结构的子像素的两个部分分别对应的两个区域。在同一子像素区域200a中，第一畴区20a和第二畴区20b沿列方向排列，过孔遮挡部202位于第一畴区20a。第一畴区20a的开口率和第二畴区20b的开口率通常相等或是近似相等。这里的开口率是指可透光区域的面积与总面积的比值，例如第一畴区20a的开口率是指第一畴区20a可透光区域的面积与第一畴区20a的总面积的比值。由于过孔遮挡部202不透光，因此过孔遮挡部202会使第一畴区20a可透光区域的面积减小，但第一畴区20a的总面积不变，因此在过孔遮挡部202所在的子像素区域200a中，第一畴区20a的开口率会减小，使得第一畴区20a的开口率和第二畴区20b的开口率产生较大的差异，这种差异会引发色偏问题，影响显示效果。
如图5所示，为了减小过孔遮挡部202所在的子像素区域200a的第二畴区20b的开口率，使过孔遮挡部202所在的子像素区域200a中，第一畴区20a的开口率和第二畴区20b的开口率恢复到相等或相近，黑矩阵图案还包括补偿遮挡部203。补偿遮挡部203位于过孔遮挡部202所在的子像素区域200a的第二畴区20b。
由于补偿遮挡部203不透光，因此补偿遮挡部203会使第二畴区20b可透光区域的面积减小，但第二畴区20b的总面积不变，因此补偿遮挡部203的存在，减小了过孔遮挡部202所在的子像素区域200a的第二畴区20b的开口率。通过调整补偿遮挡部203的大小，就可以使过孔遮挡部202所在的子像素区域200a中，第一畴区20a的开口率和第二畴区20b的开口率恢复到相等或相近，从而降低色偏。但补偿遮挡部203的设置，进一步降低了过孔遮挡部202所在的子像素区域200a的开口率，即子像素区域200a可透光区域的面积与子像素区域200a的面积的比值，使过孔遮挡部202所在的子像素区域200a的开口率与其他子像素区域200a的开口率相差更大，这会导致液晶显示装置出现横纹，影响显示效果。
本公开实施例提供了一种显示面板的结构示意图，该显示面板包括相对的阵列基板100和彩膜基板200。图6是本公开实施例提供的一种显示面板的俯视图。阵列基板100位于图示彩膜基板200的下方。如图6所示，该彩膜基板200包括第二基板20和黑矩阵图案，黑矩阵图案包括本体201、与本体201相连的过孔遮挡部204和补偿遮挡部205。
本体201在第二基板20上限定出阵列排布的多个子像素区域200a。图7是图6中的局部放大示意图。如图7所示，每个子像素区域200a包括第一畴区20a和第二畴区20b。在第一方向上，第一畴区20a和第二畴区20b相互交替，第一方向为同一子像素区域200a的第一畴区20a和第二畴区20b排列的方向。
如图7所示，在第二方向上，属于不同子像素区域的第一畴区20a相邻，属于不同子像素区域的第二畴区20b相邻，第二方向与第一方向相交。
示例性地，这里的第一方向可以是子像素区域200a分布的列方向，即图7中的X方向，第二方向可以是子像素区域200a分布的行方向，即图7中的Y方向，第一方向和第二方向可以分别平行于第二基板20的边界。
过孔遮挡部204位于多个子像素区域200a中的部分子像素区域200a的第一畴区20a中。过孔遮挡部204用于在彩膜基板200与阵列基板100组合时遮挡连接公共电极和辅助公共电极的过孔(参见图3中的过孔16)。
补偿遮挡部205位于在第一方向上与过孔遮挡部204所在的第一畴区20a相邻的第二畴区20b，且同一子像素区域200a中至多分布有过孔遮挡部204和补偿遮挡部205中的一种。
图8是图7中的C-C截面图。如图8所示，阵列基板100包括第一基板10、公共电极14、多个辅助公共电极15和第一绝缘层17。多个辅助公共电极15间隔分布在第一基板10上，第一绝缘层17位于多个辅助公共电极15上，公共电极14位于第一绝缘层17上。第一绝缘层17上具有过孔16，辅助公共电极15与公共电极14通过过孔16连接，且过孔16在第一基板10上的正投影位于过孔遮挡部204在第一基板10上的正投影内。
过孔16在第一基板10上的正投影的边缘与过孔遮挡部204在第一基板10上的正投影的边缘之间的最小间距d大于等于3.5微米小于等于6微米，以确保过孔遮挡部204能够遮挡住过孔16，避免出现漏光，同时保证对应子像素有合适的开口率。
公共电极14上还开设有多个通孔14a，在通孔14a中，形成有与像素电极13连接的过孔，薄膜晶体管19通过该过孔与像素电极13连通。
阵列基板100为具有矩阵公共电极的阵列基板。例如可以为图3所示的阵列基板。图9是图3中的A-A截面示意图。图9中省略了连接像素电极13和数据线12的薄膜晶体管19。结合图3和图9，多根栅线11和多根数据线12在第一基板10上交叉限定出多个子像素区域100a。栅线11和辅助公共电极15位于第一基板10上，多根栅线11和多个辅助公共电极15交替间隔。多根栅线11和多个辅助公共电极15上覆盖有第一绝缘层17，多个像素电极13阵列分布在第一绝缘层17上，每个子像素区域100a中分布有一个像素电极13，多个像素电极13上覆盖有第二绝缘层18，公共电极14位于第二绝缘层18上，公共电极14与辅助公共电极15之间通过过孔16连接。
通过设置过孔遮挡部和补偿遮挡部，过孔遮挡部用来遮挡连接公共电极和辅助公共电极的过孔，并且会减小过孔遮挡部所在子像素区域的第一畴区的开口率，补偿遮挡部减小补偿遮挡部所在子像素区域的第二畴区的开口率。虽然在分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域中，同一子像素区域的第一畴区和第二畴区的开口率不相等，但是将过孔遮挡部所在的子像素区域和在第一方向上与之相邻的补偿遮挡部所在的子像素区域作为一个整体，视为一个较大的子像素区域，这两个子像素区域相当于这个较大的子像素区域的两个畴区，两个畴区中一个分布有过孔遮挡部，另一个分布有补偿遮挡部，两者各受一个遮挡部的影响，开口率差异较小，仍然可以减小显示装置的色偏，并且由于同一子像素区域中至多分布有过孔遮挡部和补偿遮挡部中的一种，因此分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域的开口率，与既未分布有过孔遮挡部也未分布有补偿遮挡部的子像素区域的开口率之间的差异仅受到一个遮挡部的影响，有利于降低不同子像素区域之间的开口率差异，减弱液晶显示装置出现的横纹，提高显示效果。并且仅需要对黑矩阵图案做出改变即可提升效果，对其他工艺均没有影响，成本低。
可选地，第一基板10和第二基板20均为玻璃基板、塑料基板或石英基板。玻璃基板、塑料基板或石英基板均具有较好的透明度。
可选地，黑矩阵图案采用黑色树脂材料制成。
如图6所示，在第一方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有一个子像素区域200a。
如前所述，彩膜基板200上的子像素区域200a的分布与阵列基板上的子像素区域100a的分布是对应的，若在彩膜基板200中，在第一方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有一个子像素区域200a，则表示在与该彩膜基板200相应的阵列基板中，在同样的方向上，相邻的过孔16所在的子像素区域100a之间间隔有一个子像素区域100a。若相邻的过孔16所在的子像素区域100a之间间隔的子像素区域100a越多，则在第一方向上过孔遮挡部204分布的越稀疏，显示面板在进行画面显示时，过孔遮挡部204越不容易被察觉，对显示效果的影响越小。因此，在彩膜基板200中，在第一方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有至少一个子像素区域200a。
如图6所示，在第二方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有五个子像素区域200a。
如果在第二方向上，过孔遮挡部204排布的过于密集，即相邻的过孔遮挡部204之间间隔的子像素区域200a数量较少，甚至为0，这样在第二方向上，同一行的多个过孔遮挡部204和多个补偿遮挡部205会形成较大的遮挡范围，在视觉上会过于明显，影响显示效果。将相邻的过孔遮挡部204间隔一定数量的子像素区域200a进行布置，可以减弱这种影响，提升显示效果。
可选地，在第二方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有2～5个子像素区域200a。矩阵公共电极中，在行方向上，通常每间隔2个子像素单元200a或每间隔5个子像素单元200a设置一个过孔16连接辅助公共电极15与公共电极14，彩膜基板200中，在第二方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔的子像素区域200a的数量可以根据阵列基板上的矩阵公共电极进行确定。
可选地，在第二方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有奇数个子像素区域200a，奇数个子像素区域200a中位于中间的一个子像素区域200a内分布有补偿遮挡部205。作为示例，本实施例中，在第二方向上，相邻的过孔遮挡部204之间间隔有5个子像素区域200a，在这5个子像素区域200a中，位于中间的一个子像素区域200a具有补偿遮挡部205。在第二方向上，过孔遮挡部204和补偿遮挡部205是交错分布的，从整体上看，过孔遮挡部204和补偿遮挡部205的分布更加均匀，观察者更不容易察觉过孔遮挡部204和补偿遮挡部205的存在，对液晶显示装置整体的显示效果影响较小。
如图7所示，在第一方向上，相邻的两个子像素区域200a的边界包括第一边界2001，在第二方向上，相邻的两个子像素区域200a的边界包括第二边界2002。第一边界2001和第二边界2002相交。
可选地，过孔遮挡部204位于子像素区域200a的角处，即位于第一边界2001和第二边界2002的夹角处。在阵列基板100上，子像素区域100a通常大体成多边形，过孔16一般设置在子像素区域100a的角落处，以减少对开口率的影响。在彩膜基板200上，将过孔遮挡部204设置在子像素区域200a的角落处，以对应于过孔16的位置，对过孔16所在的区域提供良好的遮挡。
示例性地，过孔遮挡部204的形状为矩形。过孔遮挡部204也可以为其他形状，例如半圆形等，过孔遮挡部204的形状和大小可以根据所要遮挡的区域的形状和大小进行设置，在能够遮挡住过孔16的情况下，尽量减小过孔遮挡部204的大小，可以有利于增大子像素区域200a的开口率，提高液晶显示装置的亮度。
可选地，补偿遮挡部205位于靠近第一方向上相邻的两个子像素区域200a的边界处。如图7所示，补偿遮挡部205与第一边界2001相连。
补偿遮挡部205的大小可以与过孔遮挡部204的大小相同，以使补偿遮挡部205对第二畴区20b的开口率的影响和过孔遮挡部204对第一畴区20a的开口率的影响相当。
如图7所示，补偿遮挡部205所在的第二畴区20b的边界为一段直线。对比补偿遮挡部205所在的第二畴区20b和其他子像素区域200a的第二畴区20b，其他子像素区域200a的第二畴区20b的边界并非是直线，这是由于阵列基板上还具有薄膜晶体管等结构，为了遮挡薄膜晶体管等结构，第二畴区20b的边界在部分区域凹陷，部分区域凸出，呈现凹凸形状。在补偿遮挡部205所在的第二畴区20b，补偿遮挡部205填补了边界的凹凸形态，使第二畴区20b的边界平直，在进行构图工艺时，平直的边界更易于制作。补偿遮挡部205所在的第二畴区20b的边界可以平行于第二基板20的一边。
可选地，过孔遮挡部204所在的子像素区域200a的开口率与补偿遮挡部205所在的子像素区域200a的开口率相等。过孔遮挡部204所在的子像素区域200a和补偿遮挡部205所在的子像素区域200a是相邻的，若将两者作为一个整体，视为一个较大的子像素区域，则过孔遮挡部204所在的子像素区域200a和补偿遮挡部205所在的子像素区域200a分别是这个较大的子像素区域的两个畴区，过孔遮挡部204所在的子像素区域200a的开口率与补偿遮挡部205所在的子像素区域200a的开口率相等，就相当于是这个较大的子像素区域的两个畴区的开口率相等，有利于减小液晶显示装置的色偏。
可选地，任意两个子像素区域200a的开口率相差不超过3％。由于过孔遮挡部204和补偿遮挡部205对开口率的影响，因此过孔遮挡部204所在的子像素区域200a的开口率和补偿遮挡部205所在的子像素区域200a的开口率均小于其他子像素区域200a的开口率。例如在图7中，第二列的两个子像素区域20a的开口率均小于其他子像素区域20a的开口率。
在液晶显示装置中，不同子像素区域200a之间的开口率的差异会导致显示的画面中出现横纹，且差异越大，横纹越明显，通常开口率相差达到3％，画面上就会出现明显的横纹，将多个子像素区域200a的开口率的差异控制在不超过3％，可以有利于减少或减弱显示画面中的横纹，提升显示效果。
可选地，过孔遮挡部204所在的子像素区域200a为蓝色子像素区域。在阵列基板100中，通常有红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，连接公共电极14和辅助公共电极15的过孔16通常位于蓝色子像素区域，过孔遮挡部204所在的子像素区域200a为蓝色子像素区域，这样在将阵列基板100与彩膜基板200相对放置时，过孔遮挡部204刚好可以对位于蓝色子像素区域的过孔16进行遮挡。对于过孔16位于红色子像素区域或绿色子像素区域的阵列基板100，过孔遮挡部204所在的子像素区域200a也相应的为红色子像素区域或绿色子像素区域。
本公开实施例还提供了一种显示装置。该显示装置为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置包括前述的显示面板。
图10是本公开实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图。该方法用于制造图6所示的显示面板。如图10所示，该制造方法包括：
在步骤S11中，提供阵列基板和彩膜基板。
其中，阵列基板包括第一基板、公共电极、多个辅助公共电极和第一绝缘层，多个辅助公共电极间隔分布在第一基板上，第一绝缘层位于多个辅助公共电极上，公共电极位于第一绝缘层上，第一绝缘层上具有过孔，辅助公共电极与公共电极通过过孔连接。彩膜基板包括第二基板和黑矩阵图案，黑矩阵图案包括本体、与本体相连的过孔遮挡部和补偿遮挡部，本体在第二基板上限定出阵列排布的多个子像素区域，每个子像素区域包括第一畴区和第二畴区，在第一方向上，第一畴区和第二畴区相互交替，第一方向为同一子像素区域的第一畴区和第二畴区排列的方向，过孔遮挡部位于多个子像素区域中的部分子像素区域的第一畴区中，补偿遮挡部位于在第一方向上与过孔遮挡部所在的第一畴区相邻的第二畴区，且同一子像素区域中至多分布有过孔遮挡部和补偿遮挡部中的一种。
可选地，第一基板和第二基板均为玻璃基板、塑料基板或石英基板。玻璃基板、塑料基板或石英基板均具有较好的透明度。
在第二方向上，属于不同子像素区域的第一畴区相邻，属于不同子像素区域的第二畴区相邻，第二方向与第一方向相交。
可选地，黑矩阵图案可以采用黑色树脂材料通过构图工艺形成在第二基板上。示例性地，先在第二基板上形成一层黑色树脂薄膜，再通过构图工艺对黑色树脂薄膜进行处理，形成黑矩阵图案。
在步骤S12中，将彩膜基板和阵列基板相对布置，使过孔在第一基板上的正投影位于过孔遮挡部在第一基板上的正投影内。
通过设置过孔遮挡部和补偿遮挡部，过孔遮挡部用来遮挡连接公共电极和辅助公共电极的过孔，并且会减小过孔遮挡部所在子像素区域的第一畴区的开口率，补偿遮挡部减小补偿遮挡部所在子像素区域的第二畴区的开口率。虽然在分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域中，同一子像素区域的第一畴区和第二畴区的开口率不相等，但是将过孔遮挡部所在的子像素区域和在第一方向上与之相邻的补偿遮挡部所在的子像素区域作为一个整体，视为一个较大的子像素区域，这两个子像素区域相当于这个较大的子像素区域的两个畴区，两个畴区中一个分布有过孔遮挡部，另一个分布有补偿遮挡部，两者各受一个遮挡部的影响，开口率差异较小，仍然可以减小显示装置的色偏，并且由于同一子像素区域中至多分布有过孔遮挡部和补偿遮挡部中的一种，因此分布有过孔遮挡部或补偿遮挡部的子像素区域的开口率，与既未分布有过孔遮挡部也未分布有补偿遮挡部的子像素区域的开口率之间的差异仅受到一个遮挡部的影响，有利于降低不同子像素区域之间的开口率差异，减弱液晶显示装置出现的横纹，提高显示效果。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括相对的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括第一基板、公共电极、多个辅助公共电极和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述多个辅助公共电极与公共电极之间，所述第一绝缘层上具有过孔，所述辅助公共电极与所述公共电极通过过孔连接；
所述彩膜基板包括第二基板和黑矩阵图案，所述黑矩阵图案包括本体、与所述本体相连的过孔遮挡部和补偿遮挡部；
所述本体在所述第二基板上限定出阵列排布的多个子像素区域，每个所述子像素区域包括第一畴区和第二畴区；
在第一方向上，所述第一畴区和所述第二畴区相互交替，所述第一方向为同一所述子像素区域的所述第一畴区和所述第二畴区排列的方向；
所述过孔遮挡部位于所述多个子像素区域中的部分子像素区域的第一畴区中，且所述过孔在所述第一基板上的正投影位于所述过孔遮挡部在所述第一基板上的正投影内，所述补偿遮挡部位于在所述第一方向上与所述过孔遮挡部所在的第一畴区相邻的第二畴区，且同一子像素区域中至多分布有所述过孔遮挡部和所述补偿遮挡部中的一种，所述过孔遮挡部所在的所述子像素区域的开口率与所述补偿遮挡部所在的所述子像素区域的开口率相等。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述过孔遮挡部位于夹角处，所述夹角为所述第一方向上相邻的两个所述子像素区域的边界和第二方向上相邻的两个所述子像素区域的边界的夹角，所述第二方向与所述第一方向相交。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述补偿遮挡部位于靠近所述第一方向上相邻的两个所述子像素区域的边界处。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述补偿遮挡部所在的所述第二畴区的边界为直线。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有至少一个所述子像素区域。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在第二方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有至少一个所述子像素区域，所述第二方向与所述第一方向相交。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在所述第二方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有2～5个所述子像素区域。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在所述第二方向上，相邻的所述过孔遮挡部之间间隔有奇数个子像素区域，所述奇数个子像素区域中位于中间的一个子像素区域具有所述补偿遮挡部。
9.根据权利要求1～8任一项所述的显示面板，其特征在于，任意两个所述子像素区域的开口率相差不超过3％。
10.根据权利要求1～8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述过孔遮挡部所在的所述子像素区域为蓝色子像素区域。
11.根据权利要求1～8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述过孔在所述第一基板上的正投影的边缘与所述过孔遮挡部在所述第一基板上的正投影的边缘之间的最小间距大于等于3.5微米小于等于6微米。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～11任一项所述的显示面板。
13.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括第一基板、公共电极、多个辅助公共电极和第一绝缘层，所述多个辅助公共电极间隔分布在所述第一基板上，所述第一绝缘层位于所述多个辅助公共电极上，所述公共电极位于所述第一绝缘层上，所述第一绝缘层上具有过孔，所述辅助公共电极与所述公共电极通过过孔连接；
提供彩膜基板，所述彩膜基板包括第二基板和黑矩阵图案，所述黑矩阵图案包括本体、与所述本体相连的过孔遮挡部和补偿遮挡部，所述本体在所述第二基板上限定出阵列排布的多个子像素区域，每个所述子像素区域包括第一畴区和第二畴区，在第一方向上，所述第一畴区和所述第二畴区相互交替，所述第一方向为同一所述子像素区域的所述第一畴区和所述第二畴区排列的方向，所述过孔遮挡部位于所述多个子像素区域中的部分子像素区域的第一畴区中，所述补偿遮挡部位于在所述第一方向上与所述过孔遮挡部所在的第一畴区相邻的第二畴区，且同一子像素区域中至多分布有所述过孔遮挡部和所述补偿遮挡部中的一种，所述过孔遮挡部所在的所述子像素区域的开口率与所述补偿遮挡部所在的所述子像素区域的开口率相等；
将所述彩膜基板和所述阵列基板相对布置，使所述过孔在所述第一基板上的正投影位于所述过孔遮挡部在所述第一基板上的正投影内。
CN202010602840.0A 2020-06-29 2020-06-29 显示面板及其制造方法、显示装置 Active CN113934032B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010602840.0A CN113934032B (zh) 2020-06-29 2020-06-29 显示面板及其制造方法、显示装置
PCT/CN2021/093389 WO2022001396A1 (zh) 2020-06-29 2021-05-12 显示面板及其制造方法、显示装置
US17/771,848 US11892734B2 (en) 2020-06-29 2021-05-12 Display panel, manufacturing method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010602840.0A CN113934032B (zh) 2020-06-29 2020-06-29 显示面板及其制造方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113934032A CN113934032A (zh) 2022-01-14
CN113934032B true CN113934032B (zh) 2023-01-17

Family

ID=79272658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010602840.0A Active CN113934032B (zh) 2020-06-29 2020-06-29 显示面板及其制造方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11892734B2 (zh)
CN (1) CN113934032B (zh)
WO (1) WO2022001396A1 (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943834A (zh) * 2006-04-04 2011-01-12 夏普株式会社 液晶显示装置
JP2011017751A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN102937767A (zh) * 2012-10-29 2013-02-20 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示装置和阵列基板的制作方法
CN102981335A (zh) * 2012-11-15 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 像素单元结构、阵列基板和显示装置
JP2013152472A (ja) * 2013-02-27 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN104280957A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器
JP2016027434A (ja) * 2011-11-30 2016-02-18 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法
CN105807484A (zh) * 2016-06-03 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置
CN105974686A (zh) * 2016-07-19 2016-09-28 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板以及显示面板
CN106483727A (zh) * 2016-12-28 2017-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、阵列基板及其具有平衡畴面积的像素结构
CN106526990A (zh) * 2016-12-01 2017-03-22 合肥京东方光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2017049827A1 (zh) * 2015-09-23 2017-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及显示装置
CN107219667A (zh) * 2017-06-26 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 曲面显示面板和显示装置
CN107741675A (zh) * 2017-11-30 2018-02-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
EP3553598A1 (en) * 2016-12-05 2019-10-16 Boe Technology Group Co. Ltd. Array substrate and display device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104280963A (zh) * 2014-10-29 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106653698B (zh) * 2017-01-20 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943834A (zh) * 2006-04-04 2011-01-12 夏普株式会社 液晶显示装置
JP2011017751A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2016027434A (ja) * 2011-11-30 2016-02-18 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法
CN102937767A (zh) * 2012-10-29 2013-02-20 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示装置和阵列基板的制作方法
CN102981335A (zh) * 2012-11-15 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 像素单元结构、阵列基板和显示装置
JP2013152472A (ja) * 2013-02-27 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN104280957A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器
WO2017049827A1 (zh) * 2015-09-23 2017-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及显示装置
CN105807484A (zh) * 2016-06-03 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置
CN105974686A (zh) * 2016-07-19 2016-09-28 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板以及显示面板
CN106526990A (zh) * 2016-12-01 2017-03-22 合肥京东方光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2018099122A1 (zh) * 2016-12-01 2018-06-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
EP3553598A1 (en) * 2016-12-05 2019-10-16 Boe Technology Group Co. Ltd. Array substrate and display device
CN106483727A (zh) * 2016-12-28 2017-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、阵列基板及其具有平衡畴面积的像素结构
CN107219667A (zh) * 2017-06-26 2017-09-29 上海天马微电子有限公司 曲面显示面板和显示装置
CN107741675A (zh) * 2017-11-30 2018-02-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113934032A (zh) 2022-01-14
WO2022001396A9 (zh) 2022-03-17
US11892734B2 (en) 2024-02-06
WO2022001396A1 (zh) 2022-01-06
US20220373847A1 (en) 2022-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4459685B2 (ja) 液晶表示装置
US20170371214A1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
KR101006202B1 (ko) 수평 전계형 액정 표시 장치용 픽셀 구조체
US8378928B2 (en) Display panel and display apparatus
KR20030042221A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR101219319B1 (ko) 액정표시장치
KR20060001291A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조방법
JP5015250B2 (ja) 液晶表示装置
CN110794626A (zh) 像素结构及液晶显示面板
CN114578597B (zh) 液晶显示面板及其制备方法、显示装置
US20120133854A1 (en) Liquid crystal display device
US10229935B2 (en) Curved display device having plurality of subpixel electrodes formed in plurality of columns
CN113934032B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
JP5271021B2 (ja) 液晶表示装置
US20120127408A1 (en) Liquid crystal display device
KR20010055090A (ko) 광시야각을 갖는 액정표시장치
US11860494B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN113934061B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109709727B (zh) 一种显示面板及显示装置
WO2023029063A1 (zh) 阵列基板及液晶显示面板
KR101931247B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치
US6905902B2 (en) VVA mode LCD
KR101308439B1 (ko) 액정 표시 패널
KR20160000933A (ko) 액정 표시 장치
KR100658061B1 (ko) 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant