CN113930813B - 一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺，由以下成分组成：铜盐70‑90 g/L；浓硫酸150‑250 g/L；光亮剂60‑90ppm/L；整平剂10‑30 ppm/L；抑制剂20‑40 ppm/L；反应防污剂60‑120 ppm/L；抗氧化剂60‑120 ppm/L；载运剂120‑480 ppm/L；所述反应防污剂为乙二醇叔丁醚和磷酸酯的复合物，且乙二醇叔丁醚和磷酸酯在使用时的质量浓度比为1:1；所述载运剂为氯离子和钒离子的复合物，质量浓度比为1：（1‑5）范围内配置混合，在使用时的氯离子浓度控制在60‑80 ppm/L之间，钒离子浓度控制在60‑400 ppm/L之间；将上述组分按照配比均匀混合后，余量为水，操作温度15‑40℃后形成电镀铜溶液。本发明得到的镀层不仅达到了晶圆封装微孔的无空洞、无缝隙的填充的效果；而且电镀均匀性效果好，拱形率低。
Description
技术领域
本发明涉及表面处理技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺。
背景技术
传统上，IC芯片与外部的电气连接是用金属引线以键合方式把芯片上的I/O连至封装载体实现引脚封装。然而随着I/O间距缩至70μm以下，引线键合技术不符合时代要求。晶圆级封装技术（WLP）因其尺寸小、成本低等优势应运而生，目前在移动电话、GPS、蓝牙元器件等诸多领域得到应用，生产范围十分广泛。
在倒装芯片互连方式中，凸点下金属化层（UBM）是IC上金属焊盘和金凸点之间的关键界面层。UBM需要与金属焊盘和晶圆钝化层具有足够的好的粘结性，其通常是通过整个晶圆表面沉积多层金属来实现的。由于电镀工艺可以实现很窄的凸点节距并维持高产率，并可以依据不同尺寸、节距以及几何形状来实现电镀，因而晶圆制作中最为常风的金属沉积一般通过电镀工艺来实现。电镀技术中以电镀铜因其成本低，技术成熟等优势而应用最为广泛。然而，目前晶圆级封装电镀铜技术依然面临着许多重要问题尚未解决，比如高电流密度下易烧焦产生空洞、镀层高低电流密度不均匀、盲孔等壁生长等问题。
现代技术中作为晶圆级封装技术电镀铜液可以列举出专利CN103290438B，记载的晶圆级封装电镀液及电镀工艺中包含配方为铜盐120-300 g/L；酸 10-200 g/L；氯离子30-80 mg/L；含硫化物0.001-0.3g/L；聚氧醚类化合物0.5-10g/L；聚乙二醇 0.05-5 g/L；季铵盐0.001-0.2 g/L；温度 10-50℃，电流密度0.2-20A/dm2，该配方虽然在一定程度上抑制了高电流密度区铜的生长，对镀层的均匀性有了一定的提高，但是在盲孔电镀中存在等壁生长导致空洞现象。
专利CN110541179B，姚吉豪等公开了一种晶圆级封装超级TSV铜互连材料电镀溶液配方，五水硫酸铜 100-250 g/L；浓硫酸 40 -80 g/L；氯离子 30-50mg/L；3-硫-异硫脲丙磺酸内盐 1-5 mg/L；壬基酚聚氧乙烯基醚；50-100 mg/L ；吩嗪染料 40-80 mg/L，该专利中所述壬基酚聚氧乙烯基醚为有机表面活性剂，易产生大量泡沫，不利于实际生产。
专利CNl111074306B，孙道豫等公开了一种超大电流密度的电镀铜柱溶液及电镀工艺，其配方为甲基磺酸铜 150-240g/L；甲基磺酸 40-70g/L；氯离子 30-50 mg/L；烟鲁绿40-80 mg/L；聚二硫二丙烷磺酸钠：2-5 mg/L；聚乙二醇 40-100 mg/L。该配方中由于使用到甲基磺酸铜作为铜盐，其成本较高，较大地限制了生产和使用。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺，该溶液具有无空洞、无缝隙的填充的效果；而且电镀均匀性效果好，拱形率低。
为实现上述目的，本发明提供一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，
包括以下质量浓度比的组分：
铜盐 70-90 g/L
浓硫酸 150-250 g/L
光亮剂 60-90ppm/L
整平剂 10-30 ppm/L
抑制剂 20-40 ppm/L；
反应防污剂 60-120 ppm/L
抗氧化剂 60-120 ppm/L
载运剂 120-480 ppm/L
所述反应防污剂为乙二醇叔丁醚和磷酸酯的复合物，且乙二醇叔丁醚和磷酸酯在使用时的质量浓度比为1:1；
所述载运剂为氯离子和钒离子的复合物，质量浓度比为1：（1-5）范围内配置混合，在使用时的氯离子浓度控制在60-80 ppm/L之间，钒离子浓度控制在60-400 ppm/L之间；
将上述组分按照配比均匀混合后，余量为水，操作温度15-40℃后形成电镀铜溶液。
其中，所述光亮剂由质量浓度30-45ppm/L的有机丙烷甜菜碱，质量浓度为15-20ppm/L的异丙基苯磺酸钠和质量浓度为15-25ppm/L的硫酸羟胺组成的复合物。
其中，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时的质量浓度比例为3：1，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时形成一种具有共轭传输桥梁作用的化合物，加快凹点部位的快速沉积。
其中，所述抗氧化剂与反应防污剂在使用时的质量浓度比例为1：1，抗氧化剂与反应防污剂配合，既可以防止油污性污染源，又可以防止化学微量离子的侵蚀。
其中，所述抗氧化剂为1,2,4-三氮唑。
其中，所述整平剂为含氮芳香化合物甲氨碟呤。
其中，所述抑制剂为芳基聚氧乙烯醚硫酸盐，所述铜盐为五水硫酸铜，所述氯离子由盐酸提供，钒离子由硫酸钒提供。
为实现上述目的，本发明还提供一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液的电镀铜工艺，包括以下步骤：
步骤1，镀件进行电镀之前由前处理溶液进行真空处理，采用DI纯水在真空负压下排除孔内空气；
步骤2，将抽真空处理后的镀件在电镀铜溶液中进行搅拌、循环摇摆操作，加速质子传输，确保孔内有铜离子和添加剂进入；
步骤3，调整电流密度为25 ASD，依据电镀铜柱所需高度调整时间进行电镀，同时利用变频调节器调节流量；通过变频调节器改变通入槽液的镀液流量速率，打破镀液内部受到的平衡力。
其中，所述步骤1中镀铜前处理的具体时间:4-8min。
其中，所述步骤2中镀铜处理的具体条件为：镀液温度15-40℃，搅拌速率在100-200 r/min之间，电流密度在0.5-45 ASD之间；所述步骤3中变频调节器调节镀铜的流量速率为10-30 L/min。
本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺，存在以下优势：
1）该电镀铜溶液中加入了载运剂，且该载运剂的钒离子与氯离子搭配按照1：（1-5）比例范围混合使得铜的沉积效果更好，不仅加快还原速率，同时还提高了连续成核速率，从而使得整体的铜层致密性大大提高，这种载运剂采用复合的方式，避免了单一的反应载运剂只有加速而无提高致密性的缺陷。
2）该电镀铜溶液加入了乙二醇叔丁醚与磷酸酯混合物作为反应防污剂，且二者质量浓度比为1:1。在生产过程中由于料号进缸出板缸，也且料号有不同，极易沾染杂质，导致电镀效果不均等现象，由于晶圆级尺寸太小很难微观察觉。因此，在该镀铜溶液中加入反应防污剂来保持电镀过程中镀件表面的清洁性。
3）该电镀铜溶液加入了抗氧化剂，且抗氧化剂与反应防污剂质量浓度比例为1：1，抗氧化剂的目的是为了防止铜的氧化，起到保护作用，而杂质中含有的一些物质如引入的微量铁、锡等化合物可能腐蚀和氧化铜面，导致铜层不平整现象。抗氧化剂与反应防污剂配合，既可以防止油污性污染源，又可以防止化学微量离子的侵蚀，以上比例达到最佳效果。
4)该电镀铜溶液加入抑制剂，且抗氧化剂与抑制剂质量浓度比例为3：1，抑制剂的目的是为了抑制基材表面凸点，而加快凹点部位的快速沉积，但是常用的单独抑制剂由于其分子化合物较大很难首先吸附到凸点位置，因此需要一种具有共轭传输桥梁作用的化合物作为连接，而本发明所选的抗氧化剂具备此功效，且按照以上比例效果最优；
5）在电镀铜工艺中采用变频调节器调节流量，虽然在步骤2预先进行了搅拌和循环摇摆等操作，但是在电镀过程中溶液质子传输仍然难以保证后续铜离子和添加剂源源不断进入孔内，同时电镀过程中产生的气泡易在镀层上形成凹孔，为此本发明在电镀过程中采用变频调节器调节流量，即通过改变通入槽液的镀液流量速率，打破镀液内部受到的平衡力，使得药水在局部不平衡作用下消除气泡和渗入微孔内，从而来改善以上问题。
6）本发明得到的镀层不仅达到了晶圆封装微孔的无空洞、无缝隙的填充的效果；而且电镀均匀性效果好，拱形率低。
附图说明
图1为本发明得到的电镀铜产品的外观图；
图2为本发明实施例1得到的晶圆电镀俯视图；
图3为本发明实施例1得到的晶圆电镀切片图；
图4为本发明实施例2得到的晶圆电镀俯视图；
图5为本发明实施例2得到的晶圆电镀切片图；
图6为本发明实施例3得到的晶圆电镀俯视图；
图7为本发明实施例3得到的晶圆电镀切片图；
图8为对比实施例得到的晶圆电镀俯视图；
图9为对比实施例得到的晶圆电镀切片图。
具体实施方式
为了更清楚地表述本发明，下面根据文字及附图对本发明作进一步地描述。
本发明提供的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺，包括以下质量浓度的组分：
铜盐 70-90 g/L
浓硫酸 150-250 g/L
光亮剂 60-90ppm/L
整平剂 10-30 ppm/L
抑制剂 20-40 ppm/L；
反应防污剂 60-120 ppm/L
抗氧化剂 60-120 ppm/L
载运剂 120-480 ppm/L
所述反应防污剂为乙二醇叔丁醚和磷酸酯的复合物，且乙二醇叔丁醚和磷酸酯的质量浓度比为1:1；
所述载运剂为氯离子和钒离子的复合物，质量浓度比为1：（1-5）范围内配置混合，氯离子浓度控制在60-80 ppm/L，钒离子浓度控制在60-400 ppm/L；
将上述组分按照配比均匀混合后，余量为水，操作温度15-40℃后形成电镀铜溶液。
在本实施例中，光亮剂由质量浓度30-45ppm/L的有机丙烷甜菜碱，质量浓度为15-20ppm/L的异丙基苯磺酸钠和质量浓度为15-25ppm/L的硫酸羟胺组成的复合物。有机丙烷甜菜碱带正电荷，在电流作用下，双电层电子交换过程会引起有机丙烷甜菜碱的吸附，硫酸羟胺可以提高电子的转移，促进光亮剂电解还原，从而加速金属的有序沉积。异丙基苯磺酸钠可以降低表面张力，使得有机甜菜碱加速和重新吸附。由于基材表面的高低不同导致凹凸不一致，有机丙烷甜菜碱的吸附在高点多而低点少，从而导致金属沉积速率在高点低，而低点高的现象，从而使得平面平整，光亮剂会在电流条件作用发生损耗，有机丙烷甜菜碱脱附后，异丙基苯磺酸钠再次吸附，以降低表面张力从而吸引有机丙烷甜菜碱作用，如此循环，可极大提高微观效应，达到单一的光亮剂所不能达到的效果。所述光亮剂在使用时的质量浓度不得低于60mg/L，否则会导致大电流烧焦现象的可能性，同时防污剂质量浓度不得高于光亮剂质量浓度的2倍，否则过高会屏蔽光亮剂作用效果。因此本发明将光亮剂在使用时的质量浓度范围定为60-90mg/L，与之搭配的防污剂的质量浓度范围定为 60-120 ppm/L。
在本实施例中，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时的质量浓度比例为3：1。抑制剂的目的是为了抑制基材表面凸点，而加快凹点部位的快速沉积，但是常用的单独抑制剂由于其分子化合物较大很难首先吸附到凸点位置，因此需要一种具有共轭传输桥梁作用的化合物作为连接，而本发明所选的抗氧化剂具备此功效，且按照以上比例效果最优。
在本实施例中，所述抗氧化剂与反应防污剂在使用时的质量浓度比例为1：1。抗氧化剂主要为1,2,4-三氮唑，抗氧化剂与防污剂配合，既可以防止油污性污染源，又可以防止化学微量离子的侵蚀，以上比例达到最佳效果。
在本实施例中，整平剂为含氮芳香化合物甲氨碟呤，在使用时的质量浓度为10-30ppm/L。整平剂的作用是解决通孔深镀，盲孔填镀的作用。所述抑制剂为芳基聚氧乙烯醚硫酸盐。
为实现上述目的，本发明还提供一种应用于晶圆级封装电镀铜的工艺，包括以下步骤：
步骤1，镀件进行电镀之前由前处理溶液进行真空处理，采用DI纯水在真空负压下排除孔内空气；
步骤2，将抽真空处理后的镀件在电镀铜溶液中进行搅拌、循环摇摆操作，加速质子传输，确保孔内有铜离子和添加剂进入；
步骤3调整电流密度为25 ASD，依据电镀铜柱所需高度调整时间进行电镀，同时利用变频调节器调节流量。虽然在步骤2预先进行了搅拌和循环摇摆等操作，但是在电镀过程中溶液质子传输仍然难以保证后续铜离子和添加剂源源不断进入孔内，同时电镀过程中产生的气泡易在镀层上形成凹孔，为此本发明在电镀过程中采用变频调节器调节流量，即通过改变通入槽液的镀液流量速率，打破镀液内部受到的平衡力，使得药水在局部不平衡作用下消除气泡和渗入微孔内，从而来改善以上问题。
在本实施例中，所述步骤1镀铜前处理的具体时间4-8min。所述步骤2镀液温度15-40℃，搅拌速率在100-200 r/min之间，电流密度在0.5-45 ASD之间。所述步骤3中镀铜流量速度调节为10-30 L/min。
本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺，存在以下优势：
1）该电镀铜溶液中加入了反应载运剂钒离子，且该反应载运剂与氯离子搭配按照1:1-5:1比例范围混合使得铜的沉积不仅加快还原速率，同时还提高了连续成核速率，从而使得整体的铜层致密性大大提高，这种载运剂采用复合的方式，避免了单一的反应载运剂只有加速而无提高致密性的缺陷。
2）该电镀铜溶液加入了乙二醇叔丁醚与磷酸酯混合物作为防污剂，且二者质量浓度比为1:1。在生产过程中由于料号进缸出板缸，也且料号有不同，极易沾染杂质，导致电镀效果不均等现象，由于晶圆级尺寸太小很难微观察觉。因此，在该镀铜溶液中加入防污剂来保持电镀过程中镀件表面的清洁性。3）该电镀铜溶液加入了抗氧化剂，且抗氧化剂与反应防污剂质量浓度比例为1：1，抗氧化剂的目的是为了防止铜的氧化，起到保护作用，而杂质中含有的一些物质如引入的微量铁、锡等化合物可能腐蚀和氧化铜面，导致铜面易短路从而发生烧焦现象和铜层不平整现象。抗氧化剂与反应防污剂配合，既可以防止油污性污染源，又可以防止化学微量离子的侵蚀被烧焦等现象，以上比例达到最佳效果。
4)该电镀铜溶液加入抑制剂，且抗氧化剂与抑制剂质量浓度比例为3：1，抑制剂的目的是为了抑制基材表面凸点，而加快凹点部位的快速沉积，但是常用的单独抑制剂由于其分子化合物较大很难首先吸附到凸点位置，因此需要一种具有共轭传输桥梁作用的化合物作为连接，得到的拱形率小于5%，而本发明所选的抗氧化剂具备此功效，且按照以上比例效果最优。
5）在电镀铜工艺中采用变频调节器调节流量，虽然在步骤2预先进行了搅拌和循环摇摆等操作，但是在电镀过程中溶液质子传输仍然难以保证后续铜离子和添加剂源源不断进入孔内，同时电镀过程中产生的气泡易在镀层上形成凹孔，为此本发明在电镀过程中采用变频调节器调节流量，即通过改变通入槽液的镀液流量速率，打破镀液内部受到的平衡力，使得药水在局部不平衡作用下消除气泡和渗入微孔内，从而来改善以上问题。
以下为本发明的几个具体实施例所述光亮剂包括组分。
实施例1
一种电镀铜溶液，每1升所述电镀铜溶液包括以下组成成分：
五水硫酸铜 80 g/L
浓硫酸 200 g/L
有机丙烷甜菜碱 30ppm/L
异丙基苯磺酸钠 15ppm/L
硫酸羟胺 15ppm/L
甲氨碟呤 20 ppm/L
芳基聚氧乙烯醚硫酸盐 30 ppm/L；
乙二醇叔丁醚 90 ppm/L
磷酸酯 90 ppm/L
1,2,4-三氮唑 60 ppm/L
氯离子 70 ppm/L
钒离子 140 ppm/L
余量为水。
操作温度：25℃。
电流密度：25ASD。
上述镀液操作其他参数还包括抽真空时间5 min，搅拌速率在100 r/min之间，电镀时间12min，流量速度调节为10-30 L/min。
采用该组分制备得到的镀铜溶液，用该镀铜方法对晶圆封装产品进行电镀后，得到直径80.95μm，高度40.47μm，镀层结晶大小一致，没有空洞、夹缝；表面光滑，拱形率0%，如图1-3所示。
实施例2
一种电镀铜溶液，每1升所述电镀铜溶液包括以下组成成分：
五水硫酸铜 80 g/L
浓硫酸 200 g/L
有机丙烷甜菜碱 60ppm/L
异丙基苯磺酸钠 15ppm/L
硫酸羟胺 15ppm/L
甲氨碟呤 20 ppm/L
芳基聚氧乙烯醚硫酸盐 30 ppm/L
乙二醇叔丁醚 90 ppm/L
磷酸酯 90 ppm/L
1,2,4-三氮唑 90 ppm/L
氯离子 70 ppm/L
钒离子 210 ppm/L
余量为水。
操作温度：25℃。
电流密度：25ASD。
上述镀液操作其他参数还包括抽真空时间5 min，搅拌速率在100 r/min之间，电镀时间12min，流量速度调节为10-30 L/min。
采用该组分制备得到的镀铜溶液，用该镀铜方法对晶圆封装产品进行电镀后，得到直径81.09μm，高度53.10μm，镀层结晶大小一致，没有空洞、夹缝；表面光滑，拱形率0%，如图4-5所示。
实施例3
一种电镀铜溶液，每1升所述电镀铜溶液包括以下组成成分：
五水硫酸铜 80 g/L
浓硫酸 200 g/L
有机丙烷甜菜碱 60ppm/L
异丙基苯磺酸钠 15ppm/L
硫酸羟胺 15ppm/L
甲氨碟呤 20 ppm/L
磷酸酯 90 ppm/L
1,2,4-三氮唑 120 ppm/L
氯离子 70 ppm/L
钒离子 350 ppm/L
余量为水。
操作温度：25℃。
电流密度：25ASD。
上述镀液操作其他参数还包括抽真空时间5 min，搅拌速率在100 r/min之间，电镀时间12min，流量速度调节为10-30 L/min。
采用该组分制备得到的镀铜溶液，用该镀铜方法对晶圆封装产品进行电镀后，得到直径81.37μm，高度49.32μm，镀层结晶大小一致，没有空洞、夹缝；表面光滑，拱形率0%，如图6-7所示。
对比实施例
五水硫酸铜 100g/L
浓硫酸 200 g/L
光亮剂 50ppm/L
甲氨碟呤 20 ppm/L
抗氧化剂 150 ppm/L
氯离子 70 ppm/L
余量为水。
操作温度：25℃。
电流密度：25ASD。
上述镀液操作其他参数还包括抽真空时间5 min，搅拌速率在100 r/min之间，电镀时间12min，流量速度调节为10-30 L/min。
本组分不存在反应载运剂钒离子、抑制剂、防污剂；采用该组分制备得到的镀铜溶液，得到直径80.81μm，高度47.82μm，拱形高度3.40μm，对晶圆封装产品进行电镀镀铜后，得到的镀铜层镀层略有空洞、夹缝，拱形率7.2%；如图8-9。
上述的三个本案实施例子和对比实施例进行对比可以看出，本发明得到的镀层不仅达到了晶圆封装微孔的无空洞、无缝隙的填充的效果；而且电镀均匀性效果好，拱形率低。
以上公开的仅为本发明的实施例，但是本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括以下质量浓度比的组分：
铜盐 70-90 g/L
浓硫酸 150-250 g/L
光亮剂 60-90ppm/L
整平剂 10-30 ppm/L
抑制剂 20-40 ppm/L；
反应防污剂 60-120 ppm/L
抗氧化剂 60-120 ppm/L
载运剂 120-480 ppm/L
所述反应防污剂为乙二醇叔丁醚和磷酸酯的复合物，且乙二醇叔丁醚和磷酸酯在使用时的质量浓度比为1:1；
所述载运剂为氯离子和钒离子的复合物，质量浓度比为1：（1-5）范围内配置混合，在使用时的氯离子浓度控制在60-80 ppm/L之间，钒离子浓度控制在60-400 ppm/L之间；
将上述组分按照配比均匀混合后，余量为水，操作温度15-40℃后形成电镀铜溶液。
2.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述光亮剂由质量浓度30-45ppm/L的有机丙烷甜菜碱，质量浓度为15-20ppm/L的异丙基苯磺酸钠和质量浓度为15-25ppm/L的硫酸羟胺组成的复合物。
3.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时的质量浓度比例为3：1，所述抗氧化剂与抑制剂在使用时形成一种具有共轭传输桥梁作用的化合物，加快凹点部位的快速沉积。
4.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述抗氧化剂与反应防污剂在使用时的质量浓度比例为1：1，抗氧化剂与反应防污剂配合，既可以防止油污性污染源，又可以防止化学微量离子的侵蚀。
5.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述抗氧化剂为1,2,4-三氮唑。
6.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述整平剂为含氮芳香化合物甲氨碟呤。
7.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述抑制剂为芳基聚氧乙烯醚硫酸盐，所述铜盐为五水硫酸铜，所述氯离子由盐酸提供，钒离子由硫酸钒提供。
8.一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液的电镀铜工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，镀件进行电镀之前由前处理溶液进行真空处理，采用DI纯水在真空负压下排除孔内空气；
步骤2，将抽真空处理后的镀件在权利要求1-7任一项所述的电镀铜溶液中进行搅拌、循环摇摆操作，加速质子传输，确保孔内有铜离子和添加剂进入；
步骤3，调整电流密度为25 ASD，依据电镀铜柱所需高度调整时间进行电镀，同时利用变频调节器调节流量；通过变频调节器改变通入槽液的镀液流量速率，打破镀液内部受到的平衡力。
9.根据权利要求8所述的一种应用于晶圆先进封装领域的电镀铜工艺，其特征在于，所述步骤1中镀铜前处理的具体时间:4-8min。
10.根据权利要求9所述的一种应用于晶圆先进封装领域的电镀铜工艺，其特征在于，所述步骤2中镀铜处理的具体条件为：镀液温度15-40℃，搅拌速率在100-200 r/min之间，电流密度在0.5-45 ASD之间；所述步骤3中变频调节器调节镀铜的流量速率为10-30 L/min。
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