CN113921412A - 一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备 - Google Patents

一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备，该方法包括以下步骤：获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。从而，以实现自动计算晶圆中晶片周期，减少人工介入，增加计算的速度和稳定性，增加对不同种类晶圆的适应性。

Description

一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备。
背景技术
随着半导体行业的不断发展，晶圆和芯片的种类越来越丰富，要保证半导体晶圆和芯片产品的质量，晶圆检测技术的重要性日益增加。相比于人工晶圆检测，机器视觉检测技术拥有更高的检测精度和更快的检测效率。在机器视觉检测晶圆的方法中，由于需要设置机器视觉检测的路径等，需要正确计算晶圆周期，以保证检测路径的精准，从而保证检测的精度和正确性，在以往的方法中，大多需要人工选择周期单元来匹配计算晶圆的周期，计算速度慢，耗时长。
发明内容
本发明提供一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备，以实现自动计算晶圆中晶片周期，减少人工介入，增加计算的速度和稳定性，增加对不同种类晶圆的适应性。
为实现上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种晶圆中晶片周期的计算方法，包括以下步骤：
获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；
对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；
计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；
根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。
根据本发明的一个实施例，所述根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期包括：
对所述灰度分布曲线进行平滑处理，计算所述灰度分布曲线的自相关函数曲线；
根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
根据本发明的一个实施例，所述获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像包括：
获取所述晶圆中多个相邻区域的图像；
对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像；
根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
根据本发明的一个实施例，在对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像之前还包括：
对多个所述相邻区域的图像进行缩放；
在所述根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期之后还包括：
对获取的所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期除以缩放比例，获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的实际周期。
根据本发明的一个实施例，所述根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像包括：
对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域；
将所述晶圆区域作为所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
根据本发明的一个实施例，对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像包括：
采用快速傅里叶变换方法对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像。
根据本发明的一个实施例，所述根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期包括：
采用一维快速傅里叶变换方法根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
根据本发明的一个实施例，所述对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域包括：
采用blob分析方法对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域。
为实现上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种晶圆中晶片周期的计算装置，包括：
灰度图像获取模块，用于获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；
滤波处理模块，用于对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；
灰度分布曲线获取模块，用于计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；
周期获取模块，用于根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。
根据本发明的一个实施例，所述装置包括：
平滑处理模块，用于对所述灰度分布曲线进行平滑处理，计算所述灰度分布曲线的自相关函数曲线；
周期获取模块，用于根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
根据本发明的一个实施例，所述灰度图像获取模块，包括：
相邻区域的图像获取模块，用于获取所述晶圆中多个相邻区域的图像；
拼接模块，用于对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像；
所述灰度图像获取模块用于根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
根据本发明的一个实施例，所述装置还包括：
缩放模块，用于对多个所述相邻区域的图像进行缩放；
还包括：
实际周期获取模块，用于对获取的所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期除以缩放比例，获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的实际周期。
根据本发明的一个实施例，所述拼接模块包括：
图像分割模块，用于对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域；
将所述晶圆区域作为所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
根据本发明的一个实施例，所述滤波处理模块包括：
滤波处理单元，用于采用快速傅里叶变换方法对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像。
根据本发明的一个实施例，所述周期获取模块，包括：
周期获取单元，用于采用一维快速傅里叶变换方法根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
根据本发明的一个实施例，所述图像分割模块，包括：
图像分割单元，用于采用blob分析方法对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域。
为实现上述目的，本发明第三方面实施例提出了一种晶圆中晶片周期的计算电子设备，包括：
一个或多个处理器；
存储装置，所述存储装置为一种计算机可读存储介质，用于存储一个或多个程序；
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如前所述的晶圆中晶片周期的计算方法。
根据本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备，该方法包括以下步骤：获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。从而，以实现自动计算晶圆中晶片周期，减少人工介入，增加计算的速度和稳定性，增加对不同种类晶圆的适应性。
附图说明
图1是本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算方法流程图；
图2是现有技术中的晶圆晶片的一个示意图；
图3是本发明实施例的晶圆中晶片周期的计算方法中灰度分布曲线的示意图；
图4是本发明实施例的晶圆中晶片周期的计算方法中灰度分布曲线与自相关函数曲线的示意图；
图5是本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算装置的方框示意图；
图6是本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算电子设备的方框示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
晶圆上具有阵列排列的多个晶片(die)，晶片与晶片之间间隔有凹槽，晶片一般为矩形。晶圆上形成晶片之后，需要通过机器视觉的方式来检测晶片是否存在缺陷，此时，需要根据机器视觉的视场角，以及分辨率等参数、晶片之间的周期来设置机器视觉的机械臂的运动路径。现有技术中一般通过人工的方式来获取晶片之间的周期，效率低，耗时长。
为此，本发明实施例提出了一种晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备，以解决上述技术问题，减少人工介入，增加计算的速度和效率，提升计算的稳定性。
图1是本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算方法流程图，如图1所示，该晶圆中晶片周期的计算方法包括以下步骤：
S101，获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；
可以理解的是，如图2所示，晶圆100上阵列排列有多个晶片200，为了区分，将平行于晶片的一边的方向作为竖直方向，将平行于晶片另一边的方向作为水平方向，竖直方向与水平方向相互垂直。
当需要获取竖直方向上的晶片周期时，可以仅获取竖直方向上的至少三个晶片的灰度图像；当需要获取水平方向上的晶片周期时，可以仅获取水平方向上的至少三个晶片的灰度图像；当同时需要获取竖直方向和水平方向上的晶片周期时，可以同时获取竖直方向的至少三个晶片的灰度图像，以及水平方向的至少三个晶片的灰度图像。
需要说明的是，获取至少三个晶片的灰度图像是因为三个晶片才会体现出周期性，晶片周期是指两个相邻晶片之间的间距，即相邻的一个晶片的中心至另一个晶片的中心的间距。
其中，获取至少三个晶片的灰度图像的方式如下：
根据本发明的一个实施例，所述获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像包括：
获取所述晶圆中多个相邻区域的图像；
对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像；
根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
可以理解的是，为了拍摄精度等的需求，可以通过相机拍摄晶圆中多个相邻区域的图像，如图3所示，可以拍摄A区域的图像，B区域的图像以及C区域的图像，A区域、B区域和C区域的图像均可以有少量的重叠区域，保证采集的图像没有盲区。在使用相机拍摄图像之前，可以根据需要的精度和效率设置相机的参数。通过多个相邻区域的图像拍摄，精度更高，分辨率更高，并且后期的周期获取时，计算量少。
在拍摄多个相邻区域的图像之后，可以对多个相邻区域的图像进行拼接，根据图像位置坐标将所有的图像拼接为一张大图。最终对这张大图进行处理，获取这张大图的灰度图像。在另外的实施例中，也可以直接对整个晶圆进行拍摄。
获取这张大图的灰度图像的方法如下：
根据本发明的一个实施例，所述根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像包括：
对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域；
将所述晶圆区域作为所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
可以理解的是，在形成拼接图像即形成一张大图后，对该大图进行图像分割，在一个实施例中，可以采用blob分析方法对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域，即利用灰度信息做blob分析，在晶圆区域中去除一定的边界，裁切出计算周期的有效区域，减少计算量，提升计算精度。如果相邻区域的图像较多，即拼接的大图比较大也可以使用深度学习的方式分割网络，得到图像中的晶圆区域。
基于上述方式获取到了晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
S102，对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；
根据本发明的一个实施例，对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像包括：
采用快速傅里叶变换方法对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像。
即将步骤S101获取的灰度图像，通过FFT变换转到频域，去掉低频量之后，FFT反变换得到高频图像。
S103，计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；
也就是说，计算高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影(按照图像的行或者列求灰度均值，即可获取灰度投影)，得到两个方向上的灰度分布曲线(如图3所示，图片上方的为竖直方向上的灰度分布曲线，图片右边的为水平方向上的灰度分布曲线)，如果要提升准确率，可以对计算区域进行分割，分段计算灰度投影曲线，得到多条灰度分布曲线，最终可以根据多条灰度分布曲线获取周期。
S104，根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。
根据本发明的一个实施例，所述根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期包括：
对所述灰度分布曲线进行平滑处理，计算所述灰度分布曲线的自相关函数曲线；
根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
图4是本发明实施例的晶圆中晶片周期的计算方法中灰度分布曲线与自相关函数曲线的示意图。如图4所示，图4中的上方的图片为竖直方向或水平方向的灰度分布曲线，图4中的下方的图片为与图4中灰度分布曲线的自相关函数曲线。通过对灰度分布曲线平滑处理，计算灰度分布曲线的自相关函数(R(s,t)＝E(G(s)*G(t))，其中，G(s)表示s位置的灰度，R(s,t)表示s位置和t位置的灰度相关函数)曲线，自相关函数曲线与灰度分布曲线的周期相同，并且周期性更加明显。在一个实施例中，所述根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期包括：采用一维快速傅里叶变换方法根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
也就是说，在获取沿竖直方向和/或水平方向上灰度分布曲线的自相关函数曲线之后可以利用一维FFT变换计算沿竖直方向和/或水平方向上自相关函数曲线的周期(即获取了晶片周期，图4中下方曲线中相邻峰值之间间距即为晶片周期)。
根据本发明的一个实施例，在对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像之前还包括：
对多个所述相邻区域的图像进行缩放；
在所述根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期之后还包括：
对获取的所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期除以缩放比例，获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的实际周期。
为了在保证计算精度的前提下减少计算所需要的内存和计算时间，可以在获取多个相邻区域的图像之后，进行拼接之前，对各个相邻区域的图像进行适当缩放，并且记录缩放的比例。并在拼接之后获取灰度图像，以及根据灰度图像获取灰度分布曲线，并根据灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期之后，还对获取的所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期除以缩放比例，获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的实际周期。即将计算得到的周期除以缩放比例还原到原图(原始拍摄的相邻区域的图像)的比例尺，再由图像坐标系转换到晶圆坐标系下即可得到实际的周期。
图5是本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算装置的方框示意图。如图5所示，该计算装置，包括：
灰度图像获取模块001，用于获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；
滤波处理模块002，用于对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；
灰度分布曲线获取模块003，用于计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；
周期获取模块004，用于根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。
根据本发明的一个实施例，所述装置包括：
平滑处理模块，用于对所述灰度分布曲线进行平滑处理，计算所述灰度分布曲线的自相关函数曲线；
周期获取模块，用于根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
根据本发明的一个实施例，所述灰度图像获取模块，包括：
相邻区域的图像获取模块，用于获取所述晶圆中多个相邻区域的图像；
拼接模块，用于对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像；
所述灰度图像获取模块用于根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
根据本发明的一个实施例，所述装置还包括：
缩放模块，用于对多个所述相邻区域的图像进行缩放；
还包括：
实际周期获取模块，用于对获取的所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期除以缩放比例，获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的实际周期。
根据本发明的一个实施例，所述拼接模块包括：
图像分割模块，用于对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域；
将所述晶圆区域作为所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
根据本发明的一个实施例，所述滤波处理模块包括：
滤波处理单元，用于采用快速傅里叶变换方法对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像。
根据本发明的一个实施例，所述周期获取模块，包括：
周期获取单元，用于采用一维快速傅里叶变换方法根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
根据本发明的一个实施例，所述图像分割模块，包括：
图像分割单元，用于采用blob分析方法对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域。
上述产品可执行本发明任意实施例所提供的方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。相关内容在前述实施例中已经叙述，此处不再赘述。
图6是本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算电子设备的方框示意图。如图6所示，该电子设备400，包括：
一个或多个处理器401；
存储装置402，所述存储装置402为一种计算机可读存储介质，用于存储一个或多个程序；
当一个或多个程序被一个或多个处理器401执行，使得一个或多个处理器401实现如前所述的晶圆中晶片周期的计算方法。
如图6所示，该电子设备400包括处理器401、存储装置402、输入装置403和输出装置404；设备中处理器401的数量可以是一个或多个，图6中以一个处理器401为例；设备中的处理器401、存储装置402、输入装置403和输出装置404可以通过总线或其他方式连接，图6中以通过总线连接为例。
存储装置402作为一种计算机可读存储介质，可用于存储软件程序、计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中晶圆中晶片周期的计算方法对应的程序指令。处理器401通过运行存储在存储装置402中的软件程序、指令以及模块，从而执行设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述的晶圆中晶片周期的计算方法。
存储装置402可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作***、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据终端的使用所创建的数据等。此外，存储装置402可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实例中，存储装置402可进一步包括相对于处理器401远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
输入装置403可用于接收输入的指令请求，以及产生与设备的设置以及功能控制有关的键信号输入。输出装置404可包括显示屏等显示设备。
本发明实施例还提出了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器401执行时实现如前所述的晶圆中晶片周期的计算方法。
也就是说，本发明实施例所提供的一种包含计算机可执行指令的存储介质,其计算机可执行指令可以执行本发明任意实施例所提供的晶圆中晶片周期的计算方法中的相关操作。
通过以上关于实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，本发明可借助软件及必需的通用硬件来实现，当然也可以通过硬件实现，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如计算机的软盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、闪存(FLASH)、硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
基于此，该方案具有以下改进点，基于灰度分布曲线计算，不需要创建模板的步骤；计算时间与晶圆图案无关，耗时稳定并且耗时减少；实现了自动计算晶圆周期的功能，不需要人工介入；提升了计算效率和稳定性。
综上所述，根据本发明实施例提出的晶圆中晶片周期的计算方法、装置和设备，该方法包括以下步骤：获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。从而，以实现自动计算晶圆中晶片周期，减少人工介入，增加计算的速度和稳定性，增加对不同种类晶圆的适应性。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；
对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；
计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；
根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。
2.根据权利要求1所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，所述根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期包括：
对所述灰度分布曲线进行平滑处理，计算所述灰度分布曲线的自相关函数曲线；
根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
3.根据权利要求1所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，所述获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像包括：
获取所述晶圆中多个相邻区域的图像；
对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像；
根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
4.根据权利要求3所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，在对多个所述相邻区域的图像进行拼接形成拼接图像之前还包括：
对多个所述相邻区域的图像进行缩放；
在所述根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期之后还包括：
对获取的所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期除以缩放比例，获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的实际周期。
5.根据权利要求3所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，所述根据所述拼接图像获取所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像包括：
对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域；
将所述晶圆区域作为所述晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像。
6.根据权利要求1所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像包括：
采用快速傅里叶变换方法对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像。
7.根据权利要求2所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，
所述根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期包括：
采用一维快速傅里叶变换方法根据所述自相关函数曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期。
8.根据权利要求5所述的晶圆中晶片周期的计算方法，其特征在于，所述对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域包括：
采用blob分析方法对所述拼接图像进行图像分割，筛选出所述拼接图像中的晶圆区域。
9.一种晶圆中晶片周期的计算装置，其特征在于，包括：
灰度图像获取模块，用于获取晶圆中至少包括沿竖直方向和/或水平方向排列三个晶片的灰度图像；
滤波处理模块，用于对所述灰度图像进行滤波处理，获取高频图像；
灰度分布曲线获取模块，用于计算所述高频图像在竖直方向和/或水平方向上的灰度投影获取灰度分布曲线；
周期获取模块，用于根据所述灰度分布曲线获取所述晶圆中晶片沿竖直方向和/或水平方向上的周期，其中，所述晶片为矩形，所述竖直方向平行于所述晶片的一边，所述水平方向平行于所述晶片的另一边。
10.一种晶圆中晶片周期的计算电子设备，其特征在于，包括：
一个或多个处理器；
存储装置，所述存储装置为一种计算机可读存储介质，用于存储一个或多个程序；
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-8中任一所述的晶圆中晶片周期的计算方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117115261A (zh) * 2023-10-17 2023-11-24 深圳市青虹激光科技有限公司 一种基于薄型晶圆片的刀轮切割定位方法及***
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