CN113917622A - 一种光模块 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种光模块，设置激光芯片与激光驱动芯片的偏置电流引脚电连接，并基于偏置电流引脚所提供的偏置电流输出激光；监控光探测芯片的光电流输出引脚分别与激光驱动芯片的监测电流引脚和反馈电流引脚电连接，监控光探测芯片用于对激光芯片所输出激光的光功率进行监测，并输出相应的光电流至光电流输出引脚。另外，激光驱动芯片被配置为当激光芯片的温度大于或等于预设温度时，调整反馈电流引脚的电流值，以增大流经其监测电流引脚的电流值，这样，激光驱动芯片监测到监测电流引脚的电流值增大时，会减小其偏置电流引脚的电流值，对应的激光芯片所输出激光的目标光功率值会降低，从而防止激光芯片进入饱和状态。

Description

一种光模块

技术领域

本申请涉及光纤通信技术领域，尤其涉及一种光模块。

背景技术

由于光纤通信领域中对通信带宽的要求越来越高，使得全球光通信正处在一个飞速发展时期。而在高速数据通信领域中，为了保障数据能够长距离高速传输，本领域通常采用光模块实现不同波长光的发射和接收。

现有的光模块通常指用于光电转换的集成模块，对于光信号发射，通常利用激光器将来自上位机的电信号转换为光信号。基于半导体激光器的斜率效率具有随着温度升高而下降的特点，所以，目前通常在光模块内设置自动功率控制(Automatic Power Control，APC)回路)，以使激光器输出的光信号的光功率保持稳定。对于APC回路，目前通常利用激光器驱动芯片(driver)对激光器的背光电路的采集，形成一个负反馈，从而达到对激光器的出光功率控制的目的。

因为激光器的前腔面(又称出光面)的出光功率与后前面的出光功率呈线性关系，所以，driver利用背光监控光探测芯片(Monitor Photo Diode，MPD)输出的背光电流与目标值对比，形成负反馈，从而达到激光器的出光光功率稳定的目的。例如，当温度升高，由于激光器斜率效率会下降，对应的激光器的出光功率会减少，同样的MPD的背光电流会减小，此时driver则会增大偏置电流，以使激光器的出光功率增大，反之亦然。

但是，在高温下，激光器的出光功率已经到达平坦区，即使再增大偏置电流。也无法是出光功率达到目标值，此时，driver则会陷入一个死循环，不断增大偏置电流，直到driver能输出的最大偏置电流，这样就会导致激光器进入饱和状态，出光光功率跌落。

发明内容

针对上述问题，本申请实施例提供了一种光模块。

本申请实施例提供的光模块，主要包括：

电路板；

激光驱动芯片，设置在所述电路板上，其上设置有偏置电流引脚、监测电流引脚、与所述监测电流引脚电连接的反馈电流引脚，用于基于所述监测电流引脚所接收到的电流值，调整所述偏置电流引脚的偏置电流；

激光芯片，与所述偏置电流引脚电连接，用于基于所述偏置电流引脚所提供的偏置电流，输出激光；

监控光探测芯片，其光电流输出引脚分别与所述监测电流引脚电连接，用于对所述激光芯片所输出激光的光功率进行监测，并输出相应的光电流至所述光电流输出引脚；

其中，所述激光驱动芯片，还用于当所述激光芯片的温度大于或等于预设温度时，调整所述反馈电流引脚的电流值，以增大流经所述监测电流引脚的电流值。

本申请实施例提供的光模块，通过将设置在电路板上的激光驱动芯片配置偏置电流引脚、监测电流引脚和反馈电流引脚。其中，激光芯片与激光驱动芯片的偏置电流引脚电连接，并基于偏置电流引脚所提供的偏置电流，输出激光；激光驱动芯片的监测电流引脚分别与其反馈电流引脚以及监控光探测芯片的光电流输出引脚电连接，监控光探测芯片用于对激光芯片所输出激光的光功率进行监测，并输出相应的光电流至光电流输出引脚。另外，激光驱动芯片被配置为当激光芯片的温度大于或等于预设温度时，调整反馈电流引脚的电流值，以增大流经其监测电流引脚的电流值，这样，激光驱动芯片监测到监测电流引脚的电流值增大时，会认为激光芯片所输出激光的光功率增加，进而会减小其偏置电流引脚的电流值，对应的激光芯片所输出激光的目标光功率值会降低。因此，本实施例提供的光模块，可以降低高温下激光芯片的目标光功率值，从而防止激光芯片进入饱和状态。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为光通信终端连接关系示意图；

图2为光网络单元结构示意图；

图3为本申请实施例中提供的一种光模块的结构示意图；

图4为本申请实施例中提供的一种光模块的分解结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种光模块的局部结构示意图；

图6为图5中A部分的分解结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种防止激光芯片高温饱和的电路示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种防止激光芯片高温饱和的电路示意图。

具体实施方式

下面将结合本实施例中的附图，对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

光纤通信的核心环节之一是光电信号的转换。光纤通信使用携带信息的光信号在光纤/光波导中传输，利用光在光纤中的无源传输特性可以实现低成本、低损耗的信息传输。而计算机等信息处理设备采用的是电信号，这就需要在信号传输过程中实现电信号与光信号的相互转换。

光模块在光纤通信技术领域中实现上述光电转换功能，光信号与电信号的相互转换是光模块的核心功能。光模块通过电路板上的金手指实现与外部上位机之间的电连接，主要的电连接包括供电、I2C信号、传输数据信号以及接地等，金手指实现的电连接方式已经成为光模块行业的标准方式，以此为基础，电路板是大部分光模块中必备的技术特征。

图1为光通信终端连接关系示意图。如图1所示，光通信终端的连接主要包括光网络单元100、光模块200、光纤101及网线103；

光纤的一端连接远端服务器，网线的一端连接本地信息处理设备，本地信息处理设备与远端服务器的连接由光纤与网线的连接完成；而光纤与网线之间的连接由具有光模块的光网络单元完成。

光模块200的光口与光纤101连接，与光纤建立双向的光信号连接；光模块200的电口接入光网络单元100中，与光网络单元建立双向的电信号连接；光模块实现光信号与电信号的相互转换，从而实现在光纤与光网络单元之间建立连接；具体地，来自光纤的光信号由光模块转换为电信号后输入至光网络单元100中，来自光网络单元100的电信号由光模块转换为光信号输入至光纤中。光模块200是实现光电信号相互转换的工具，不具有处理数据的功能，在上述光电转换过程中，信息并未发生变化。

光网络单元具有光模块接口102，用于接入光模块，与光模块建立双向的电信号连接；光网络单元具有网线接口104，用于接入网线，与网线建立双向的电信号连接；光模块与网线之间通过光网络单元建立连接，具体地，光网络单元将来自光模块的信号传递给网线，将来自网线的信号传递给光模块，光网络单元作为光模块的上位机监控光模块的工作。

至此，远端服务器通过光纤、光模块、光网络单元及网线，与本地信息处理设备之间建立双向的信号传递通道。

常见的信息处理设备包括路由器、交换机、电子计算机等；光网络单元是光模块的上位机，向光模块提供数据信号，并接收来自光模块的数据信号，常见的光模块上位机还有光线路终端等。

图2为光网络单元结构示意图。如图2所示，在光网络单元100中具有电路板105，在电路板105的表面设置笼子106；在笼子106中设置有电连接器，用于接入金手指等光模块电口；在笼子106上设置有散热器107，散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起结构。

光模块200***光网络单元中，具体为光模块的电口***笼子106中的电连接器，光模块的光口与光纤101连接。

笼子106位于电路板上，将电路板上的电连接器包裹在笼子中；光模块***笼子中，由笼子固定光模块，光模块产生的热量通过光模块壳体传导给笼子，最终通过笼子上的散热器107进行扩散。

图3为本申请实施例提供的一种光模块200的结构示意图，图4为本实施例提供光模块200的分解结构示意图。如图3和图4所示，本申请实施例提供的光模块200包括上壳体201、下壳体202、解锁手柄203、电路板30、光发射组件40和光接收组件50。

上壳体201盖合在下壳体202上，以形成具有两个开口的包裹腔体；包裹腔体的外轮廓一般呈现方形体，具体地，下壳体包括主板以及位于主板两侧、与主板垂直设置的两个侧板；上壳体包括盖板，盖板盖合在上壳体的两个侧板上，以形成包裹腔体；上壳体还可以包括位于盖板两侧、与盖板垂直设置的两个侧壁，由两个侧壁与两个侧板结合，以实现上壳体盖合在下壳体上。

两个开口具体可以是位于光模块同一端的两处开口(204、205)，也可以是在光模块不同端的的两处开口；其中一个开口为电口204，电路板的金手指从电口204伸出，***光网络单元等上位机中；另一个开口为光口205，用于外部光纤接入以连接光模块内部的光发射组件40和光接收组件50；电路板30、光发射组件40和光接收组件50等光电器件位于包裹腔体中。

采用上壳体、下壳体结合的装配方式，便于将电路板30、光发射组件40和光接收组件50等器件安装到壳体中，由上壳体、下壳体形成光模块最外层的封装保护壳体；上壳体及下壳体一般采用金属材料，利于实现电磁屏蔽以及散热；一般不会将光模块的壳体做成一体结构，这样在装配电路板等器件时，定位部件、散热以及电磁屏蔽结构无法安装，也不利于生产自动化。

解锁手柄203位于包裹腔体/下壳体202的外壁，用于实现光模块与上位机之间的固定连接，或解除光模块与上位机之间的固定连接。

解锁手柄203具有与上位机笼子匹配的卡合结构；拉动解锁手柄的末端可以在使解锁手柄在外壁的表面相对移动；光模块***上位机的笼子里，由解锁手柄的卡合结构将光模块固定在上位机的笼子里；通过拉动解锁手柄，解锁手柄的卡合结构随之移动，进而改变卡合结构与上位机的连接关系，以解除光模块与上位机的卡合关系，从而可以将光模块从上位机的笼子里抽出。

电路板30上设置有电路走线、电子元件(如电容、电阻、三极管、MOS管)及芯片(如微处理器MCU2045、激光驱动芯片、限幅放大器、时钟数据恢复CDR、电源管理芯片、数据处理芯片DSP)等。

电路板30通过电路走线将光模块中的用电器件按照电路设计连接在一起，以实现供电、电信号传输及接地等电功能。

电路板30一般为硬性电路板，硬性电路板由于其相对坚硬的材质，还可以实现承载作用，如硬性电路板可以平稳的承载芯片；当光发射组件40和光接收组件50位于电路板上时，硬性电路板也可以提供平稳的承载；硬性电路板还可以***上位机笼子中的电连接器中，具体地，在硬性电路板的一侧末端表面形成金属引脚/金手指，用于与电连接器连接；这些都是柔性电路板不便于实现的。

部分光模块中也会使用柔性电路板，作为硬性电路板的补充；柔性电路板一般与硬性电路板配合使用，如硬性电路板与光收发器件之间可以采用柔性电路板连接。

光发射组件40和光接收组件50，分别用于实现光信号的发射与光信号的接收。本实施例中的光发射组件40采用壳体封装，光发射组件40通过柔性电路板与电路板30电连接，当然，在其它实施例中，电路板30还可以伸入光发射组件40的壳体内，并通过金属材质的打线与壳体内的元器件实现电连接、例如通过金线实现电连接；或者，光发射组件40还可以采用非气密方式封装。

图5为本发明实施例提供的一种光模块的局部结构示意图。如图5所示，在电路板30上设置有激光驱动芯片302，激光驱动芯片302可以通过金属打线与电路板30电连接，并通过布设在电路板30上的走线与金手指301电连接，通过金手指301接收来自上位机的电信号，并基于该电信号驱动光发射组件40中的激光芯片发出激光。图6为图5中A部分的分解结构示意图。如图6所示，本实施例中的光发射组件40包括光发射器41和光传输部件42，其中，光发射器41采用同轴TO封装方式，需要说明的是，图中只示出了管座413部分的结构，而管帽部分在图中未示出。光发射器41的管座413通常设计为扁圆柱形结构，用于承载光发射器中的各种器件。管座413上设有半圆柱形的立柱，其中，该立柱可以与管座413为一体结构，激光芯片411可以通过基板贴在立柱上。激光芯片411的前腔面朝向光传输部件42，其发出的光经过光传输部件42进入光纤，另外，在光发射器41的管座413上还设有监控光探测芯片412，监控光探测芯片412的感光面朝向激光芯片411的背光面，通过监控光探测芯片412通过监控激光芯片411的背光面的出光光功率，实现对激光芯片411的前腔面的出光光功率(简称激光芯片411的出光光功率)的监控。当然，在其它实施例中，还可以利用透镜、反射镜等器件将激光芯片411的前腔面所射出的光中分出一部分光作为监视光，并照射向监控光探测芯片412的感光面。

当激光驱动芯片302中没有APC补偿温度表格设计时，为了防止在高温下，激光驱动芯片302不断增大偏置电流导致激光芯片411进入饱和状态，使光功率跌落的问题，本申请实施例通过在激光驱动芯片302与监控光探测芯片412之间设置补偿电路，以解决由于环境温度升高，导致激光芯片411高温饱和问题。

图7为本申请实施例提供的一种防止激光芯片高温饱和的电路示意图。如图7所示，本实施例中激光驱动芯片302上设置有偏置电流引脚Bias+、监测电流引脚MPD、反馈电流引脚DAC、以及用于控制激光芯片411的消光比ER的正向调制电流引脚Laser+、负向调制电流引脚Laser-。

激光芯片411的阳极与金手指301上的供电引脚电连接，其中，可以在电路板30上设置电流源，电流源的输出端与金手指301上的供电引脚连接、输出端与激光芯片411的阳极连接，或者，激光芯片411的阳极直接由金手指301上的供电引脚供电。激光芯片411的阴极与激光驱动芯片302的偏置电流引脚Bias+电连接。激光驱动芯片302通过调整偏置电流引脚Bias+上所输入的偏置电流的大小，便可以实现激光芯片411所输出的光功率的调整。例如，由于激光芯片411的斜率效率会随着温度的升高而降低，所以，为了保证激光芯片411输出光功率的稳定性，在激光芯片411的温度上升时，就需要增大偏置电流。

需要说明的是，本实施例中，可以将激光芯片411周围工作环境的温度作为激光芯片411的温度，例如，通过设置在光模块壳体上的热敏电阻或者光模块的微处理器(MCU)内部的热敏电阻所检查得到温度作为激光芯片411的温度，或者，还可以在激光芯片411附近所专门设置的温度监测元件所获得的温度作为激光芯片411的温度。

另外，激光芯片411的阳极与激光驱动芯片302的正向调制电流引脚Laser+电连接、阴极与激光驱动芯片302的负向调制电流引脚Laser-电连接。激光驱动芯片302通过基于来自上位机的高频电信号，改变其正向调制电流引脚Laser+和负向调制电流引脚Laser-的电流值，实现激光芯片411所通过的电流值的改变。例如，当正向调制电流引脚Laser+和负向调制电流引脚Laser-的电流值为0时，流过激光芯片411的电流是Ibias，激光芯片411发出弱光；当正向调制电流引脚Laser+和负向调制电流引脚Laser-的电流值为Imod时，流过激光芯片411的电流是Ibias+Imod，激光芯片411发出强光，进而实现电信号到光信号的转换，从而完成信号的调制。当然，上述反馈电流引脚并不限于以差分的方式。

监控光探测芯片412阴极与金手指301上的供电引脚电连接，其中，其与金手指301的具体连接方式可以参考激光芯片411与金手指301的连接方式，本实施例在此不做具体限定。监控光探测芯片412的阳极作为其光电流输出引脚，激光驱动芯片302的监测电流引脚MPD分别与其反馈电流引脚DAC和监控光探测芯片412的光电流输出引脚电连接。

其中，监控光探测芯片412用于对激光芯片411所输出激光的光功率进行监测，并输出相应的光电流至其光电流输出引脚。本实施例设置监控光探测芯片412可以通过电阻R4和R5向激光驱动芯片302的反馈电流引脚DAC输入电流，并且该电流值Isink的大小由激光驱动芯片302进行调控。这样，最终流入激光驱动芯片302的监测电流引脚MPD的电流I₂＝监控光探测芯片412的监测电流引脚MPD所输出的电流I₁-Isink。

设置激光驱动芯片302在激光芯片411的温度大于或等于预设温度时，减小流入其反馈电流引脚DAC的电流值Isink,这样，流入激光驱动芯片302的监测电流引脚MPD的电流I₂便会增大，激光驱动芯片302会认为激光芯片411所输出激光的光功率增加，进而会减小其偏置电流引脚Bias+的电流值，对应的，便可以使激光芯片411所输出激光的目标光功率值会降低。其中，对于激光驱动芯片302的反馈电流引脚DAC的电流值控制，可以通过光模块内部的微处理器根据激光芯片411的温度，向激光驱动芯片302发送控制信号，或者，激光驱动芯片302内部集成有寄存器、处理器等元器件，即自身可以根据激光芯片411的温度，进行反馈电流引脚DAC的电流值大小控制，当然，还可以是其它控制方式，本实施例在此不做具体限定。

因此，本实施例提供的光模块，可以降低高温下激光芯片411的目标光功率值，从而防止激光芯片进入饱和状态。

另外，为保证激光芯片411出光功率的稳定性，设置激光驱动芯片302在激光芯片411的温度大小于预设温度时，上述反馈电流引脚DAC的电流值Isink为固定值，即在常温与低温下，激光驱动芯片302可以根据监控光探测芯片412的监测电流引脚MPD所输出的电流I₁的变化，调整偏置电流引脚Bias+的电流值，以实现激光芯片411出光功率的调整，使其达到目标光功率值。

进一步的，为了防止高温下激光芯片411的目标光功率值下降过快，本实施例将上述预设温度设置为小于激光芯片411达到饱和状态时对应的温度值，例如，激光芯片411达到饱和状态时对应的温度值为85℃，则将上述预设温度70℃，即激光芯片411的温度到达70℃时，激光驱动芯片302开始减小流入其反馈电流引脚DAC的电流值Isink，并且，随着激光芯片411的温度的增加，逐步减小Isink，以实现激光芯片411的目标光功率值的缓慢下降。

另外，为了达到激光芯片411所输出光信号的消光比ER的稳定性，激光驱动芯片302的正向调制电流引脚Laser+和负向调制电流引脚Laser-的电流值Imod也要随着激光芯片411的目标光功率值的改变而改变。即当激光芯片411的温度大于或等于预设温度时，由于激光芯片411的目标光功率值减小，所以，上述正向调制电流引脚Laser+和负向调制电流引脚Laser-的电流值Imod也要相应的减小。进一步的，根据上述设置的激光芯片411的目标光功率值随着温度增加缓慢下降的方式，激光驱动芯片302的反馈电流引脚所输出的电流值Imod随着激光芯片411的温度的增加而减小。

图8为本申请实施例提供的另一种防止激光芯片高温饱和的电路示意图。如图8所示，本实施例与上述实施例的主要区别在于，激光驱动芯片302可以通过电阻R5向其反馈电流引脚DAC输入电流，并且该电流值Isource的大小由激光驱动芯片302进行调控。当然，在其其它实施例中还可以在激光驱动芯片302的反馈电流引脚DAC端不设置电阻R5或者设置其它的电子元件。

这样，最终流入激光驱动芯片302的监测电流引脚MPD的电流I₂＝监控光探测芯片412的监测电流引脚MPD所输出的电流I₁+Isource。

设置激光驱动芯片302在激光芯片411的温度大于或等于预设温度时，增大其反馈电流引脚DAC输出的电流值Isource,这样，流入激光驱动芯片302的监测电流引脚MPD的电流I₂便会增大，激光驱动芯片302会认为激光芯片411所输出激光的光功率增加，进而会减小其偏置电流引脚Bias+的电流值，对应的，便可以使激光芯片411所输出激光的目标光功率值会降低。因此，本实施例提供的光模块，可以降低高温下激光芯片411的目标光功率值，从而防止激光芯片进入饱和状态。

另外，为保证激光芯片411出光功率的稳定性，设置激光驱动芯片302在激光芯片411的温度大小于预设温度时，上述反馈电流引脚DAC的电流值Isource为固定值。

进一步的，为了防止高温下激光芯片411的目标光功率值下降过快，本实施例将上述预设温度设置为小于激光芯片411达到饱和状态时对应的温度值，并且，随着激光芯片411的温度的增加，逐步增大Isource，以实现激光芯片411的目标光功率值的缓慢下降。

需要说明的是，上述实施例中的激光驱动芯片302并不限于集成在一个芯片中，在其它实施例中还可以由多个独立的芯片组成。另外，对于光模块的封装方式也不限于上述实施例中所呈现的方式。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未发明的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (9)

1.一种光模块，其特征在于，包括：

电路板；

激光驱动芯片，设置在所述电路板上，其上设置有偏置电流引脚、监测电流引脚、与所述监测电流引脚电连接的反馈电流引脚，用于基于所述监测电流引脚所接收到的电流值，调整所述偏置电流引脚的偏置电流；

激光芯片，与所述偏置电流引脚电连接，用于基于所述偏置电流引脚所提供的偏置电流，输出激光；

监控光探测芯片，其光电流输出引脚分别与所述监测电流引脚电连接，用于对所述激光芯片所输出激光的光功率进行监测，并输出相应的光电流至所述光电流输出引脚；

其中，所述激光驱动芯片，还用于当所述激光芯片的温度大于或等于预设温度时，调整所述反馈电流引脚的电流值，以增大流经所述监测电流引脚的电流值。

2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述反馈电流引脚和所述光电流输出引脚均向所述监测电流引脚输入电流；

所述激光驱动芯片，用于当所述激光芯片的温度大于或等于预设温度时，增大所述反馈电流引脚所输出的电流值。

3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述预设温度小于所述激光芯片达到饱和状态时对应的温度值；

当所述激光芯片的温度大于或等于预设温度时，所述反馈电流引脚所输出的电流值随着所述激光芯片的温度的增加而增大。

4.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述光电流输出引脚所输出的光电流分别流向所述反馈电流引脚和所述监测电流引脚；

所述激光驱动芯片，用于当所述激光芯片的温度大于或等于预设温度时，减小流入所述反馈电流引脚的电流值。

5.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于，所述预设温度小于所述激光芯片达到饱和状态时对应的温度值；

当所述激光芯片的温度大于或等于预设温度时，所述反馈电流引脚所输入的电流值随着所述激光芯片的温度的增加而减小。

6.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，当所述激光芯片的温度小于所述预设温度时，所述反馈电流引脚的电流值为固定值。

7.根据权利要求1至6任一所述的光模块，其特征在于，所述电路板上设有金手指，其中：

所述监控光探测芯片的阴极与所述金手指中的供电引脚电连接、阳极作为所述光电流输出引脚。

8.根据权利要求1至6任一所述的光模块，其特征在于，所述电路板上设有金手指，其中：

所述激光芯片的阳极与所述金手指中的供电引脚电连接、阴极与所述偏置电流引脚电连接。

9.根据权利要求8所述的光模块，其特征在于，所述激光驱动芯片上还设置有：

正向调制电流引脚，与所述激光芯片的阳极电连接；

负向调制电流引脚，与所述激光芯片的引极电连接；

其中，所述激光驱动芯片还被配置为：根据所述偏置电流引脚的偏置电流，调整所述正向调制电流引脚和所述负向调制电流引脚的电流值。

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