CN1139084C - 饱和电抗器磁芯,多输出开关调节器及带有它的计算机 - Google Patents

饱和电抗器磁芯,多输出开关调节器及带有它的计算机 Download PDF

Info

Publication number
CN1139084C
CN1139084C CNB981245293A CN98124529A CN1139084C CN 1139084 C CN1139084 C CN 1139084C CN B981245293 A CNB981245293 A CN B981245293A CN 98124529 A CN98124529 A CN 98124529A CN 1139084 C CN1139084 C CN 1139084C
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic core
output
alloy
saturable reactor
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB981245293A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1215901A (zh
Inventor
中岛晋
彦
三木裕彦
见
洼田定见
仁
坂口睦仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ferrite Electronics Ltd
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Hitachi Ferrite Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd, Hitachi Ferrite Electronics Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Publication of CN1215901A publication Critical patent/CN1215901A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1139084C publication Critical patent/CN1139084C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F1/15308—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Fe/Ni
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F29/00—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00
    • H01F29/14—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias
    • H01F2029/143—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias with control winding for generating magnetic bias

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

一种饱和电抗器的磁芯，由Fe基软磁合金制成，该合金的基本合金元素包括Fe、Cu和M，M选自Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo中的至少一种，合金的至少50%的面积比为平均粒径100nm以下的细晶粒。磁芯控制磁化特性为：0.12T以下剩余有效磁通密度ΔBb；2.0T以上总控制有效磁通密度ΔBr；和0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/HR，Hr是对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的总控制磁化力。

Description

饱和电抗器磁芯，多输出开关调节器及带有它的计算机
本发明涉及一种用于饱和电抗器的磁芯，通过磁放大器控制输出电压的多输出开关调节器，以及配备有该多输出开关调节器的计算机。
多输出开关调节器已经用于个人计算机和办公室计算机中。例如，在PCAT-X型计算机即最典型的台式个人计算机中，当需要较大输出容量时，可使用具有五个输出的多输出开关调节器，即+5V输出(1.5-20A)，+3.3V输出(0-20A)，+12V输出(0.2-8A)，-5V输出(0-0.3A)和-12V输出(0-0.4A)。在上述五输出开关调节器中，主要电路包括具有单个开关元件的正向转换器或半桥转换器。主输出(+5V输出)可通过位于主变压器初级侧上的开关元件的脉宽调制来控制，副输出(+3.3V，+12V，-5V和-12V输出)可在主变压器的次级侧上进行控制。
用以控制主变压器次级侧上副输出的方法之一就是通过位于主变压器次级侧上的磁放大器来控制。磁放大器主要部件基本包括饱和电抗器，二极管和误差放大器。该方法具有的优点在于可同时获得小尺寸，高效率，低噪声和高可靠性，而这些通过使用采用半导体的削波电路和降压电路的控制都是不能实现的。在现有技术中已经公知：由磁放大器进行的控制其优点在于，其可以以控制低电压和大负载电流输出，特别是以高效的观点来看，因为用作控制元件的饱和电抗器中损耗与用于削波电路或降压电路中半导体控制元件上的损耗相比，即使负载电流较大，其损耗也是小的。因此，在用于PC AT-X型个人计算机的多输出开关调节器中，磁放大器已经广泛地用于控制具有大负载电流的+3.3V和+12V输出。在本发明中，使用磁放大器的开关调节器称作磁放大器型开关调节器。
磁放大器型多输出开关调节器的转换频率通常设定为约50-200kHz。因此，Co基非晶态芯已经广泛地用于磁放大器的饱和电抗器磁芯。然而，在带有Co基非晶态芯的饱和电抗器的磁放大器型多输出开关调节器中，由磁放大器所控制的副输出电压在负载电流增加时即使将用于饱和电抗器的复位电流Ir变成零由于饱和电抗器的电压降也将使其小于基准电压。输出电压降归结于磁芯的剩余有效磁通密度ΔBb，以及通过来自与饱和电抗器串联连接的二极管的反向恢复电流Irr使饱和电抗器不利地复位。
当磁芯尺寸和饱和电抗器的匝数恒定时，饱和电抗器的电压降会随着剩余有效磁通密度ΔBb的增加而增加。还有，当磁芯尺寸和饱和电抗器的匝数恒定时，由来自二极管的反向恢复电流Irr而复位的磁通密度ΔBr在磁芯中较大，其通过小控制磁力而获得大的控制磁通密度ΔB。
在此，在本技术领域中已经公知，饱和电抗器的电压降在使用各向异性50％-Ni坡莫合金磁芯中在磁芯尺寸和饱和电抗器匝数相同时要比在使用Co基非晶态磁芯中小，因为各向异性50％-Ni坡莫合金磁芯表现出小的剩余有效磁通密度ΔBb，并且当与提供给Co基非晶态磁芯相同的控制磁力来磁化时可获得较小的控制磁通密度ΔB。然而，由于各向异性50％-Ni坡莫合金磁芯在较高频率范围上表现出大的磁芯损耗，因此转换频率限长最大约20kHz，并且在现有技术中已经认识到，在高于20kHz的转换频率下使用各向异性50％-Ni坡莫合金磁芯是不实用的，因为如此使用需要匝数的急剧增加，并且会引起饱和电抗器明显的温度升高。因此，各向异性50％-Ni坡莫合金磁芯未能减小磁放大器型多输出开关调节器的尺寸，并且不适用于例如需要减小尺寸的个人计算机的使用中。
在本发明中，ΔB，ΔBb和ΔBr如图5所限定，其中Br是剩余磁通密度，H是控制磁化力，和HLm是门磁化力的最大值。
在磁放大器型多输出开关调节器中，例如用于PC AT-X型台式个人计算机中，主输出(+5V输出)和副输出(+3.3V输出)二者通常取自相同的变压器次级绕组，因为+5V输出和+3.3V输出之间的电位差较小。因此，众所周知，+3.3V输出的电压降通过使用用于+5V输出的次级绕组，和具有的匝数大于用于+5V输出的次级绕组的匝数用于+3.3V输出的另一次级绕组是不能避免的。
为了克服上述缺点，日本专利公告号2-61177公开了一种磁放大器，其中由串接整流二极管和控制元件组成的复位电路与饱和电抗器的两端并联连接，由此通过控制元件来控制饱和电抗器的复位。然而，所提供的磁放大器需要至少四个附加电路元件，其会破坏优点如少量的磁放大器型多输出开关调节器的电路元件。
日本专利公开号63-56168公开了一种磁控型开关调节器，其中饱和电抗器除了具有用于输出的主绕组以外还具有用以形成短路的绕组，由此避免了输出电压的降落，该降低导致空载时间和由于整流二极管的反向恢复电流Irr而使饱和电抗器出现不利的复位。
然而，所提供的方法与日本专利公告号2-61177中所公开的方法相比还不足以防止饱和电抗器的电压降落，因为用于短路的附加绕组、用作短路电路中有源元件的附加二极管和附加二极管的反向恢复电流均会引起饱和电抗器的电压降落。
日本专利公告号7-77167公开了一种磁芯，其是由含Fe，Cu和M为基本成分的Fe基合金制成的，其中M至少选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的一种元素。可以说，由所提供的磁芯制成的饱和电抗器具有高矩形比，并且表现出小的磁芯损耗和高的磁通密度。然而，所提供的磁芯由于在制造过程中作用于其上的冲击或振动会表现出增加的ΔBb，而该问题不能通过其中所公开的制造方法来避免。因此，使用由所提供磁芯制成的饱和电抗器的磁放大器型多输出开关调节器在负载电流较大时会产生比基准值低的输出电压。
因此，本发明的目的就是提供一种高可靠的多输出开关调节器，其具有由较小数量的电路元件所构成并且能够提供稳定的输出的磁放大器。
就上述目的进行认真研究的结果，本发明人已经发现，具有由特殊化学成分、特殊合金结构和特殊控制磁化特性的Fe基合金制成的磁芯的饱和电抗器显示出在复位电流Ir为零时低的电压降，并且通过小的复位电流Ir可以获得大的控制磁通密度ΔB。采用该饱和电抗器，可以使饱和电抗器上绕组的匝数得到降低，并且在大负载电流和无负载下饱和电抗器的温升得到降低。基于这些研究，本发明人进一步发现，使用具有饱和电抗器的磁放大器的多输出开关调节器可防止通过磁放大器进行控制的次级输出电压，即使在负载电流增加时而小于基准值，并且其可在高频下工作，由此提供了一种具有减小尺寸、高效率和高可靠性的磁放大器型多输出开关调节器。
由此，按照本发明的第一方面，提供一种可用于饱和电抗器的磁芯，其由Fe基软磁合金制成，该合金所包括的基本合金元素为Fe，Cu和M，其中M是至少选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的一种元素，并且面积比至少为50％的合金结构为具有平均粒径100nm或以下的细晶粒，在磁芯温度为25℃下使用具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时，磁芯的控制磁化特性为：(1)0.12T或以下的剩余有效(operating)磁通密度ΔBb；(2)2.0T或以上的总控制有效磁通密度ΔBr；和(3)0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，其是通过以下等式所计算的：Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr，其中Hr是总控制磁化力，其可定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控制磁化力。
按照本发明的第二方面，提供一种具有包括饱和电抗器的磁放大器的多输出开关调节器，其中饱和电抗器是由上述磁芯所构成的。
图1是表示本发明磁放大器型多输出开关调节器电路的示意线路图；
图2是表示本发明磁芯的示意图；
图3是表示本发明饱和电抗器的示意图；
图4是表示用以测量控制磁化特性的测量电路的示意图；和
图5是表示控制磁化特性的有效磁滞回线。
本发明的磁芯是由Fe基软磁合金制成的，该合金的基本合金元素为Fe，Cu和M，其中M为选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的至少一种元素，合金结构的至少50％面积比为具有平均粒径100nm或以下的精细晶粒。
按照本发明用于磁芯的Fe基软磁合金具有的化学组成可以由以下通式表示：
(Fe1-aXa)100-X-Y-Z-αCuxSiyBzMαM′βM″γ
其中X为Co和/或Ni，M为选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的至少一种元素，M′为选自由V，Cr，Mn，At，铂族元素，Sc，Y，稀土元素，Au，Zn，Sn和Re组成的组中的至少一种元素，M″为选自由C，Ge，P，Ga，Sb，In，Be和As组成的组中的至少一种元素，并且a，X，Y，Z，α，β和γ分别满足0≤a≤0.5，0.1≤X≤3，0≤Y≤30，0≤Z≤25，5≤Y+Z≤30，0.1≤α≤30，0≤β≤10和0≤γ≤10。
Fe可以在最大a＝0.5的范围内由Co和/或Ni来代替。当“a”超过0.5时，磁芯的控制磁化特性会变差。然而，为了获得优良的磁性能如低磁芯耗和磁致伸缩，“a”最好为0-0.1。特别是，为了提供一种低磁致伸缩合金，“a”的范围最好为0-0.05。
Cu是一种不可缺少的元素，其含量“X”为0.1-3原子％。当其低于0.1原子％时，基本上将不能获得添加Cu的效果。另一方面，当其超过3原子％时，所得磁芯与不含Cu的相比将具有差的控制磁化特性。
Cu和Fe具有正的相互作用参数，使得其溶解度较低。因此，当合金受热而其为非晶态时，铁原子或铜原子会趋于聚集以形成集团，由此会产生成分波动。这会产生许多磁畴，其很可能会结晶成核以产生细结晶颗粒。这些结晶颗粒是基于Fe的，并且由于Cu基本上不溶于Fe，因此Cu会由细结晶颗粒中放出，由此结晶颗粒附近的Cu含量会变高。这很可能会抑制结晶颗粒的生长。由于大量核的形成并由于添加了Cu而抑制了结晶颗粒的生长，所以使结晶颗粒变小，并且该现象可以通过添加至少一种主要基础金属元素M而得到加剧，其中M选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中。
主要基础金属元素(base metal element)M具有升高合金结晶温度的作用。与具有形成集团并由此降低结晶温度作用的Cu协同作用，M会抑制沉淀的结晶颗粒的生长，由此会使其精细。M(“α”)的含量为0.1-30原子％。不添加主要基础金属元素，不会使结晶颗粒足够精细，并且由此会使所得磁芯的软磁特性较差。含量超过30原子％会引起饱和磁通密度的急剧减低。Nb和Mo特别有效，特别是Nb起着保持结晶颗粒精细的作用，由此提供优异的软磁特性。
Si和B是特别适用于使合金结构精细的元素。Fe基软磁合金通常是通过添加Si和B一次形成非晶态合金，然后通过热处理形成精细结晶颗粒而制成。Si(“Y”)和B(“Z”)的含量为0≤Y≤30原子％，0≤Z≤25原子％，和5≤Y+Z≤30原子％，因为否则的话磁芯将会急剧地降低饱和磁通密度。
M′，其选自由V，Cr，Mn，At，铂族元素，Sc，Y，稀土元素，Au，Zn，Sn和Re组成的组中的至少一种元素，可以为改善耐腐蚀性或磁性能和调节磁致伸缩的目的而有选择地添加，而其含量最多为10原子％。当M′的含量超过10原子％时，会出现饱和磁通密度的急剧降低。
Fe基软磁合金可含有10原子％或以下的至少一种元素M″，其选自由C，Ge，P，Ga，Sb，In，Be和As组成的组中。这些元素可有效地使合金成为非晶态体(amorphous)，并且当添加了Si和B时，它们会帮助使合金成为非晶态体，并且其还可有效地调节合金的磁致伸缩和居里温度。
用于本发明的Fe基软磁合金具有一定的合金结构，当通过显微照片确定时，其至少50％的面积比是由微细结晶颗粒组成的。这些结晶颗粒是基于具有bcc结构的α-Fe，其中Si和B等被溶解。这些结晶颗粒具有100nm或以下的极小平均粒径，并且均匀地分布在合金结构中。顺言之，结晶颗粒的平均粒径可通过显微测量每个颗粒的最大尺寸并将其平均而确定。当平均颗粒尺寸超过100nm时，不能获得优良的软磁特性。平均颗粒尺寸的低限通常约5nm。除细微结晶颗粒以外合金结构的所剩部分主要为非晶态部分。即使采用基本上占有合金结构100％的微细结晶颗粒，Fe基软磁合金也具有足够优良的磁特性。
例如通过下列方法可制成本发明的Fe基软磁合金和磁芯。首先，将具有上述化学成分的合金熔体通过公知的液体淬火方法如单辊法、双辊法等而迅速地淬火，以形成非晶态合金带条。通常非晶态合金带条具有5-100μm左右的厚度，并且具有25μm或以下厚度的带条特别适用于高频使用的磁芯材料。非晶态合金可包含有结晶相，但是合金结构最好基本上为非晶态体，以便通过随后的热处理而形成均匀的微细结晶颗粒。
然后将非晶态带条绕成环形，同时在非晶态带条的长度方向上施加拉力。该拉力每毫米带条宽度为20gf或以下，并且最好是每毫米宽度12gf或以下。通过在上述范围内施加拉力，在非晶态带条中所产生的应力可以降低，以防止磁芯的剩余有效磁通密度ΔBb增加。环形绕制带条的厚度公差应处于“带条宽度+0.3mm”范围内，以便防止在饱和电抗器生产过程中由于冲击或振动作用于环形磁芯上而使剩余有效磁通密度ΔBb增加。上述范围内的拉力和上述范围内的厚度公差的实际应用对于获得本发明中特定的控制磁化特性的磁芯来说是重要的。由陶瓷等制成的绝缘敷层可通过将绝缘敷层置于带条上并将其绕制在一起而嵌于相邻带条层之间。
然后将环形绕制的带条进行热处理，同时在惰性气体气氛中如在氮气氛中沿绕制带条的磁路施加200A/m或以上的磁场。温度由室温升高到使非晶态带条不结晶的温度下，通常为440-480℃，而这要取决于合金的化学成分，其温度是以5-15℃/min升温，并且将其保持10-60分钟。通过上述预热，在温升过程中在热处理炉中的温度梯度达到最小。预热温度最好是尽可能地高，除非开始结晶。在预热以后，温度以1-5℃/min的温升速率升高到540-580℃，并且保持0.5-2小时，以便使非晶态带条结晶。然后，将温度以1.5-7.3℃/min的冷却速率降低到约100℃，而后允许冷却到室温，由此获得本发明的环形磁芯，如图2所示，其具有6-100mm的外径尺寸，4-80mm的内径尺寸和2-25mm的厚度。
将如此制成的磁芯放置在由聚对苯二甲酸乙二醇酯等与硅脂制成的绝缘树脂壳体中，并且将具有适当匝数的绕组绕在其周围，以获得饱和电抗器，如图3所示。在本发明中，可以以较低的匝数获得较高的性能。
当在25℃的磁芯温度下同时通过具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时，以上述方式所制成的磁芯具有下列控制磁化特性。
剩余有效磁通密度ΔBb为0.12T或以下，最好为0.08T或以下。当在20kHz下或更高频率下进行驱动时，高于0.12T的ΔBb会不利地使磁放大器输出的可控制范围变窄。总控制有效磁通密度ΔBr为2.0T或以上，最好是2.0-3.0T。低于2.0T的ΔBr是不利的，因为磁放大器中所用的饱和电抗器在20kHz或更高频率下进行驱动时需要增加匝数。
总控制增益Gr为0.10-0.20T/(A/m)。总控制增益Gr可通过下式来计算：
Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr
其中Hr为总控制磁化力，其可定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控制磁化力。当Gr在上述范围以外时，磁放大器中的饱和电抗器需要极大的控制电源。
上述控制特性使用图4中所示的测量电路进行测量。绕组NL，其对应于磁放大器中所使用的饱和电抗器SR的输出绕组，通过电阻RL连接于AC电源Eg上。绕组Nc是控制绕组，并且通过电感Lc和电阻Rc连接于可变DC电源Ec上。绕组Nv是用以确定ΔB的绕组。Q是开关晶体管。在空载时间过程中的端电压ev的整数值可以通过数字示波器Os来确定，然后，将其通过绕组Nv的匝数和磁芯的有效截面积来划分，以便获得ΔB。如图5所示，ΔBb是最大磁通密度Bm和剩余磁通密度Br之间的差。ΔBr与ΔB的关系为：ΔBr＝ΔB-ΔBb。控制磁化力H可通过将ic的测量数值与绕组Nc的匝数乘积除以磁芯的平均磁路而获得。
在图1中示出了具有本发明饱和电抗器的磁放大器型多输出开关调节器优选实施例的电路。开关调节器包括在主变压器4初级侧上的初级电路，和主变压器4次级侧上的次级电路。
初级电路主要包括输入DC电源1，开关元件2(MOS-FET：金属氧化物半导体场效应晶体管)和初级绕组5，其均串联相连。在图1所示初级电路中进一步包括二极管3和第二初级绕组6。
次级电路包括主输出电路，用以通过开关元件2的脉宽控制作用来控制和稳定主输出V1(输出端16和25之间)。图1所示的主输出电路是具有单个开关元件的正向转换器，其主要包括输入DC电源1，开关元件2，变压器4，二极管21，22，平滑扼流线圈23，和平滑电容12。次级输出电路包括磁放大器，用以控制和稳定次级输出V2(输出端16和15之间)，二极管9，10，14，平滑扼流线圈11，和平滑电容12。图1所示磁放大器是Ramey的快速响应型，其包括饱和电抗器8，二极管9，二极管14和误差放大器13。二极管9的阳极部分连接于饱和电抗器8上，同时二极管14的阴极部分以分路形式连接于饱和电抗器8和二极管9之间的结点上，并且其阳极部分通过误差放大器13连接于输出端16上。
在本发明磁放大器型多输出开关调节器的优选实施例中，主输出电路和副输出电路二者分别连接于次级绕组7的相同端上。采用该构成，使得由磁放大器所控制的副输出的电压降不用使用现有技术如上述的日本专利公告号2-61177和日本专利公开号63-56168中所提出的附加元件或电路便可有效地避免，即使在副输出的负载电流增加时也是如此，由此可以获得具有高效率和高可靠性的小型磁放大器型多输出开关调节器。
当主输出电路的输出电压为+5V和副输出电路的输出电压+3.3V时，可以获得尺寸的进一步降低和效率及可靠性的进一步改善，因为防止了副输出电压低于+3.135V的基准数值，即使在副输出的负载电流增加时也是如此。
从获得具有高效和高可靠性的小型饱和电抗器的观点来看，磁放大器型多输出开关调节器的转换频率最好为30-150kHz。另外，由于上述转换频率范围低于由CISPR(Comite International Special des PerturbationsRadioelectriques)版号11所规定的频率范围，可以很容易地避免噪声端电压。
下面将参照下列实例所示出的本发明各优选实施例来进一步描述本发明。
例1
将具有表1所示各化学组成的每个熔体制成宽5mm和厚20μm的带条。每个带条的X光衍射和透射电子显微照片表明，所得带条基本上是非晶态的。
然后，将非晶态带条制成环形绕制带条，同时在带条的长度方向上施加拉力。绕制带条的拉力和厚度公差示于表1中。
然后将环形绕制带条在氮气中进行热处理，同时在绕制带条的磁路方向上施加200A/m的磁场。特别是，将环形绕制带条在1小时中由室温加热到470℃，并且在470℃下保持30分钟。然后，用30分钟将温度由470℃升高到表1所示温度，并且在该温度下保持一个小时，使非晶态带条结晶。用3小时将由此处理的环形绕制带条由540℃冷却到100℃，然后允许在空气中冷却到室温，由此获得每个环形磁芯。另外，其他磁芯可通过绕制非晶态带条(比较例15-17)或坡莫合金带条(比较例18-19)而制成。
由此制成的磁芯尺寸为内径10mm，外径13mm和厚度5mm。
表1
序号    化学组成               拉力    磁芯厚度    热处理温度    磁场
        (原子％)               (gf)      (mm)         (℃)       (A/m)
本发明
1   Fe74Cu1.5Si13.5B9Nb2    60       5.2          540         200
2   Fe74Cu1.5Si13.5B9Nb2    100      5.3          540         200
3   Fe74Cu1.5Si13.5B9Mo2    60       5.3          540         200
4   Fe74Cu1.5Si13.5B9Mo2    100      5.2          540         200
5   Fe72Cu1Si14B8Zr5       60       5.3          540         200
6   Fe71Cu1Si14B9Nb5       60       5.2          540         200
比较例
7   Fe74Cu1.5Si13.5B9Nb2    100      5.3          590         200
8   Fe74Cu1.5Si13.5B9Nb2    100      5.4          540         200
9   Fe74Cu1.5Si13.5B9Nb2    120      5.3          540         200
10  Fe74Cu1.5Si13.5B9Mo2    100      5.3          590         200
11  Fe74Cu1.5Si13.5B9Mo2    120      5.2          540         200
12  Fe72Cu1Si14B8Zr5       100      5.2          590         200
13  Fe71Cu1Si14B9Nb5       100      5.4          540         200
14  Fe70Cu1Si14B8Nb7       120      5.2          540         200
15  Fe70Ni8Si13B9           100      5.2          400         400
    (非晶态)
16  Co69.5Fe0.5Mn6Si15B9    100      5.3          400         400
    (非晶态)
17  Co67Fe4Mo1.5Si16.5B11    100     5.2        400      400
    (非晶态)
18  50wt.％Ni-Fe莫合金            -      5.1         -        -
19  80wt.％Ni-Fe坡莫合金          -      5.2         -        -
使用图4所示测试电路来测量磁芯的控制磁化特性(ΔBr，ΔBb，Hr和Gr)。其结果示于表2。
表2
序号       ΔBr(T)    ΔBb(T)    Hr(A/m)    Gr(T/(A/m))
本发明
  1         2.48       0.05        13.1       0.148
  2         2.47       0.08        11.8       0.162
  3         2.48       0.07        15.4       0.125
  4         2.48       0.10        12.9       0.148
  5         2.30       0.06        17.5       0.102
  6         2.04       0.07        8.1        0.195比较例
  7         2.49       0.03        21.4       0.092
  8         2.48       0.09        9.4        0.203
  9         2.48       0.14        10.0       0.187
  10        2.48       0.04        20.5       0.095
  11        2.47       0.13        10.2       0.184
  12        2.31       0.06        20.7       0.087
  13        2.03       0.09        7.0        0.222
  14        1.91       0.10        10.7       0.135
  15        2.80       0.12        44.4       0.048
  16        1.51       0.03        13.8       0.086
  17        1.06       0.05        5.9        0.137
  18        2.97       0.03        84.6       0.028
  19        1.41       0.14        27.6       0.037
如表2所示，序号9，11，14未能表现出本发明所需要的控制磁化特性，因为拉力大于20gf/mm宽度。由于厚度公差大于0.3mm，所以序号8和13也未能满足本发明要求。还有，结晶温度为590℃，所以7，10和12也未能满足本发明的要求。
在将其放入树脂外壳中以后，将导线绕在每个磁芯上，获得表4所示匝数，以制成图3所示的每个饱和电抗器。图1所示的每个磁放大器型两输出开关调节器是通过使用如此制成的饱和电抗器而构成的，并且测量了在无负载下的控制特性、温升和复位电流。开关调节器在下列条件下在50kHz的转换频率下工作。
表3
输入电压            主输出(V1)               副输出(V2)
(V)        输出电压(V)    负载电流(A)  输出电压(V)  负载电流(A)
90to 187      +5.0           1to20        +3.3         0to20
在开始工作以后一小时同时在冷却风扇停止而用空气冷却饱和电抗器的情况下，在饱和电抗器表面上测量温升ΔT。当副输出V2的输出电压为+3.135V至+3.465V时，判断控制特性为“好”，否则为“差”。
表4
序号       匝数       控制特性      温升ΔT(℃)      复位电流
                                  无负载   最大负载    (mA)
本发明
 1          8           好        22           35       35
 2          8           好        21           35       32
 3          8           好        26           37       39
 4          8           好        22           35       34
 5          9           好        25           38       42
 6          10          好        17           37       27
比较例
 7          8           好        27           42       41
 8          8           差        18           33       25
 9          8           差        18           32       23
 10         8           好        36           48       57
 11         8           差        18           33       24
 12         9           好        31           44       50
 13         10          差        12           39       15
 14         11          好        14           46       21
 15         8           差        61           72       93
 16         13          好        10           41       20
 17         17          好        6            58       5
 18         16          好        39           84       108
 19         13          差        23           57       32
为使开关调节器令人满意地工作，通常要将周围温度控制在约50℃或以下。当周围温度为50℃时，由室温的环境温升约为20℃。因此，考虑到构成开关调节器部件的绝缘材料的绝缘等级E(JIS C 4003)，饱和电抗器表面的温升ΔT应调整为40℃或以下。JIS C 4003的绝缘等级E意味着足以经受120℃的温度的绝缘。
如表4所示，任何比较例的饱和电抗器(序号7-19)均表现出差的控制特性和/或高温升。因此，在比较例的饱和电抗器中所作用的磁芯尺寸应增加以保证开关调节器令人满意的工作，由此导致设备尺寸的不利增加。
另一方面，使用本发明饱和电抗器的开关调节器表现出优良的控制特性并且温升ΔT低于40℃，而匝数较小并且磁芯尺寸也较小，由此能够减小开关调节器的尺寸。
还有，结果表明，在本发明中，在无负载下的复位电流最大为42mA。其增强了开关调节器的效率，因为所消耗的控制电力较低。
例2
采用如上所述的方式测量在无负载情况下的控制特性、温升和复位电流，只是将转换频率变为100kHz。
表5
序号        匝数       控制特性       温升ΔT(℃)      复位电流
                                    无负载   最大负载    (mA)
本发明
1            7           好          24         34        45
2            7           好          23         33        43
3            7           好          29         39        52
4            7           好          25         35        46
5            7           好          28         39        56
6            7           好          19         31        36
比较例
7            7           好          32         43        55
8            7           差          20         31        34
9            7           差          22         32        32
10           7           好          39         51        77
11           7           差          20         31        33
12       7       好      39      49    75
13       7       差      16      28    24
14       8       好      19      53    34
15       -       -       -       -     -
166      8       好      16      43    46
17       8       好      11      41    21
18       -       -       -       -     -
19       9       差      37      69    78
如表5所示，任何比较例的饱和电抗器(序号7-19)表现出差的控制特性和/或高的温升。特别是，由于极高的温升在比较例15和18中都无法测量。因此，比较例中所使用的磁芯尺寸应增加以保证开关调节器令人满意地工作，由此导致设备尺寸不利地增大。
另一方面，使用本发明饱和电抗器的开关调节器表现出优良的控制性能并且温升ΔT低于40℃，而匝数较少并且磁芯尺寸较小，因此能够减小开关调节器的尺寸。还有，结果表明，在本发明中，在无负载下的复位电流最大为56mΔ。其增强了开关调节器的效率，因为所消耗的控制电力较低。
例3
采用如上所述的方式测量在无负载情况下的控制特性、温升和复位电流，只是将转换频率变为150kHz。
表6
序号       匝数      控制特性      温升ΔT(℃)      复位电流
                                 无负载  最大负载     (mA)
本发明
1          5           好        28          35        87
2          5           好        27          35        82
3          5           好        32          39        94
4          5           好        28          36        88
5          5           好        31          39        97
6          5           好        22          32        69
比较例
7         5            好        38          46        108
8         5            差        24          31        65
9         5            差        27          35        61
10        6            好        39          56        121
11    5    差    23    32    63
12    6    好    38    56    119
13    5    差    19    30    47
14    6    好    23    43    54
15    -    -     -     -     -
16    6    好    29    48    69
17    6    好    18    41    37
18    -    -     -     -     -
19    9    差    39    83    112
如表6所示，任何比较例的饱和电抗器(序号7-19)表现出差的控制特性和/或高的温升。特别是，由于极高的温升，在序号15和18的比较例中都无法进行测量。因此，在比较例的饱和电抗器中所使用的磁芯尺寸应增加以保证开关调节器令人满意地工作，由此导致设备尺寸不利地增大。
另一方面，使用本发明饱和电抗器的开关调节器表现出优良的控制特性并且温升ΔT低于40℃，而匝数较小并且磁芯尺寸较小，因此能够减小开关调节器的尺寸。还有，结果表明，在本发明中，在无负载下的复位电流最大为97mA。其增强了开关调节器的效率，因为所消耗的控制电力较低。
例4
按照例1相同的方法来评价在无负载的情况下转换频率与匝数、控制特性、最大温升ΔTmax和复位电流的关系，使用的是序号2，5，6，8，10，14，和16-18的磁芯。
表7
                                 匝数
序号    20kHz    30kHz    50kHz    100kHz    150kHz    200kHz
本发明
 2       18       12        8        7           5        5
 5       18       12        8        7           5        5
 6       18       12        8        7           5        5
 比较例
 8       18       12        8        7           5        5
 10      18       12        8        7           6        5
 14      22       15        11       8           6        5
16     32    21     13     8    6    5
17     42    28     17     8    6    5
18     15    15     16     -    -    -
表8
控制特性
序号    20kHz    30kHz    50kHz    100kHz   150kHz   200kHz
本发明
 2       好       好       好        好       好       好
 5       好       好       好        好       好       好
 6       好       好       好        好       好       好
比较例
 8       差       差       差        差       差       差
 10      好       好       好        好       好       好
 14      差       好       好        好       好       好
 16      差       差       好        好       好       好
 17      差       差       好        好       好       好
 18      好       好       好        -        -        -
表9
最大温升ΔTmax(℃)
序号    20kHz    30kHz    50kHz   100kHz   150kHz   200kHz
本发明
 2       47       38        35      33       35       40
 5       49       40        38      39       39       45
 6       44       36        33      31       32       36
比较例
 8       45       36        33      31       31       35
 10      59       52        48      51       56       57
 14      62       53        46      53       43       45
 16      73       56        41      43       48       51
 17      87       71        58      41       41       42
 18      39       55        84      -        -        -
表10
在无负载下的复位电流(mA)
序号    20kHz   30kHz    50kHz   100kHz   150kHz   200kHz
本发明
 2        9      16       33       41       76       93
 5        11     18       35       45       82       102
 6        7      12       25       33       61       76
比较例
 8        7      14       28       37       67       83
 10       16     25       47       62       113      144
 14       8      17       32       41       74       89
 16       5      8        16       46       66       109
 17       3      4        6        21       28       43
 18       58     78       97       -        -        -
由结果可以看到，本发明的开关调节器可同时满足在30kHz至150kHz范围的转换频率下优良的控制特性和最大温升ΔTmax为40℃或以下的要求。很明显，该同时满足的情况通过使用比较例的磁芯是不能获得的。
也就是说，当转换频率设定在30-150kHz范围内时，其低于CISPR版11所规定频率范围的下限，本发明的磁芯在制成具有小尺寸、高效和高可靠性的饱和电抗器以及开关调节器方面要优于比较例的磁芯。还有，通过使用本发明的磁芯可以很容易地避免噪声端电压。再有，通过使用本发明的磁芯可以减少匝数而不会在30-150kHz宽转换频率范围内损失开关调节器的性能。由此提高了生产率。
如上所述，本发明的磁芯提供了具有低电压降的饱和电抗器而不用使用现有技术中所需要的附加电路元件，即使在负载电流较大时也是如此，并且即使在较高频率下工作时也可获得低的温升。由具有本发明磁芯的饱和电抗器所构成的磁放大器型多输出开关调节器具有各种优点，如优良的控制特性，即使在负载电流较大时也是如此，低温升，小尺寸，高效，减少构成所需部件数量，噪声端电压易于控制等。由于这些优点，使得可以获得高可靠性的开关装置，特别是适用于开关调节器，以便用于要求低电压和大负载电流的计算机中。

Claims (6)

1.一种用于饱和电抗器中的磁芯，其由Fe基软磁合金制成，该合金的基本合金元素包括Fe、Cu、Si、B和M，其中M是选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的至少一种元素，并且合金结构面积比的至少50％为具有平均粒径100nm或以下的精细结晶颗粒，其特征在于，在磁芯温度为25℃下使用具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时，所述磁芯具有的控制磁化特性为：
0.12T或以下的剩余有效磁通密度ΔBb；
2.0T或以上的总控制有效磁通密度ΔBr；和
0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，其是通过以下等式所计算的：
Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr
其中Hr是总控制磁化力，其定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控制磁化力。
2.一种具有包括饱和电抗器的磁放大器的多输出开关调节器，其中所述饱和电抗器具有这样的磁芯，即其由Fe基软磁合金制成，该合金的基本合金元素包括Fe、Cu、Si、B和M，其中M是选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的至少一种元素，并且合金结构面积比的至少50％为具有平均粒径100nm或以下的精细结晶颗粒，其特征在于，在磁芯温度为25℃下使用具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时，所述磁芯具有的控制磁化特性为：
0.12T或以下的剩余有效磁通密度ΔBb；
2.0T或以上的总控制有效磁通密度ΔBr；和
0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，其是通过以下等式所计算的：
Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr
其中Hr是总控制磁化力，其定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控制磁化力。
3.按照权利要求2的多输出开关调节器，其特征在于，所述多输出开关调节器包括：
初级电路，其包括输入电源，开关元件和主变压器的初级绕组；和
次级电路，其包括主输出电路，用以通过所述开关元件的脉宽控制操作来控制主输出，和副输出电路，其包括所述磁放大器，用以控制副输出，
所述主输出电路和所述副输出电路分别连接于所述主变压器的相同次级绕组上。
4.按照权利要求3的多输出开关调节器，其特征在于，所述主输出的输出电压为+5V，所述副输出的输出电压为+3.3V。
5.按照权利要求2-4的任一个所述的多输出开关调节器，其特征在于，转换频率为30-150kHz。
6.一种配备有多输出开关调节器的计算机，该多输出开关调节器具有包括饱和电抗器的磁放大器，其中所述饱和电抗器具有这样的磁芯，即其由Fe基软磁合金制成，该合金的基本合金元素包括Fe、Cu、Si、B和M，其中M是选自由Nb，W，Ta，Zr，Hf，Ti和Mo组成的组中的至少一种元素，并且合金结构面积比的至少50％为具有平均粒径100nm或以下的精细结晶颗粒，其特征在于，在磁芯温度为25℃下使用具有0.5占空比的50kHz单极矩形电压进行测量时，所述磁芯具有的控制磁化特性为：
0.12T或以下的剩余有效磁通密度ΔBb；
2.0T或以上的总控制有效磁通密度ΔBr；和
0.10-0.20T/(A/m)的总控制增益Gr，其是通过以下等式所计算的：
Gr＝0.8×(ΔBr-ΔBb)/Hr
其中Hr是总控制磁化力，其定义为对应于0.8×(ΔBr-ΔBb)+ΔBb的控制磁化力。
CNB981245293A 1997-09-26 1998-09-26 饱和电抗器磁芯,多输出开关调节器及带有它的计算机 Expired - Lifetime CN1139084C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9261725A JPH11102827A (ja) 1997-09-26 1997-09-26 可飽和リアクトル用コア、およびこれを用いた磁気増幅器方式多出力スイッチングレギュレータ、並びにこれを用いたコンピュータ
JP261725/1997 1997-09-26
JP261725/97 1997-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1215901A CN1215901A (zh) 1999-05-05
CN1139084C true CN1139084C (zh) 2004-02-18

Family

ID=17365848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB981245293A Expired - Lifetime CN1139084C (zh) 1997-09-26 1998-09-26 饱和电抗器磁芯,多输出开关调节器及带有它的计算机

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6270592B1 (zh)
JP (1) JPH11102827A (zh)
KR (1) KR100514955B1 (zh)
CN (1) CN1139084C (zh)
DE (1) DE19844132B4 (zh)
TW (1) TW405131B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10045705A1 (de) * 2000-09-15 2002-04-04 Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg Magnetkern für einen Transduktorregler und Verwendung von Transduktorreglern sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetkernen für Transduktorregler
DE10134056B8 (de) * 2001-07-13 2014-05-28 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von nanokristallinen Magnetkernen sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10324844A1 (de) * 2003-04-01 2004-12-23 Tuebingen Scientific Surgical Products Gmbh Chirurgisches Instrument mit Instrumentengriff und Nullpunkteinstellung
ATE377833T1 (de) * 2003-04-02 2007-11-15 Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg Magnetkern, verfahren zur herstellung eines solchen magnetkerns, anwendungen eines solchen magnetkerns insbesondere bei stromtransformatoren und stromkompensierten drosseln sowie legierungen und bänder zur herstellung eines solchen magnetkerns
KR100528796B1 (ko) * 2003-08-30 2005-11-15 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 인덕터 제조방법
US7473325B2 (en) * 2004-12-17 2009-01-06 Hitachi Metals, Ltd. Current transformer core, current transformer and power meter
US7388764B2 (en) * 2005-06-16 2008-06-17 Active-Semi International, Inc. Primary side constant output current controller
DE102005034486A1 (de) * 2005-07-20 2007-02-01 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines weichmagnetischen Kerns für Generatoren sowie Generator mit einem derartigen Kern
GB2454822B (en) 2006-07-12 2010-12-29 Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg Method for the production of magnet cores, magnet core and inductive component with a magnet core
US8154373B2 (en) * 2006-07-14 2012-04-10 Schneider Electric USA, Inc. Circuit breaker-like apparatus with combination current transformer
US7909945B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Soft magnetic iron-cobalt-based alloy and method for its production
US8012270B2 (en) * 2007-07-27 2011-09-06 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Soft magnetic iron/cobalt/chromium-based alloy and process for manufacturing it
US9057115B2 (en) * 2007-07-27 2015-06-16 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Soft magnetic iron-cobalt-based alloy and process for manufacturing it
JP5333794B2 (ja) * 2009-01-23 2013-11-06 アルプス・グリーンデバイス株式会社 Ｆｅ基軟磁性合金及び前記Ｆｅ基軟磁性合金を用いた圧粉コア
KR101482361B1 (ko) 2009-08-07 2015-01-13 알프스 그린 디바이스 가부시키가이샤 Ｆｅ 기 비정질 합금, 및 상기 Ｆｅ 기 비정질 합금을 사용한 압분 코어, 그리고, 코일 봉입 압분 코어
CN102723158B (zh) * 2012-07-06 2015-12-02 白皞 含稀土的高磁导率Ni-Fe软磁合金及其制备方法和用途
US20160053365A1 (en) * 2014-08-20 2016-02-25 Honeywell International Inc. Encapsulated composite backing plate
US10797513B1 (en) * 2019-04-08 2020-10-06 Abb Schweiz Ag Technologies for interactive predictive control of uninterruptible power supply systems
CN114188120B (zh) * 2021-11-24 2024-06-28 江苏现代电力科技股份有限公司 一种用于大功率svg、apf的滤波电抗器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57209513A (en) * 1981-06-19 1982-12-22 Hitachi Metals Ltd Switching regulator
JPS61116413A (ja) * 1984-11-12 1986-06-03 Densetsu Kiki Kogyo Kk 磁気増幅器
KR900007456B1 (ko) * 1986-06-28 1990-10-10 삼성전자 주식회사 가포화 리액터용 비정질 자성 재료
JPS6356168A (ja) 1986-08-27 1988-03-10 Hitachi Ltd 磁気制御形スイツチングレギユレ−タ
KR910002375B1 (ko) * 1987-07-14 1991-04-20 히다찌 긴조꾸 가부시끼가이샤 자성코어 및 그 제조방법
US5178689A (en) * 1988-05-17 1993-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Fe-based soft magnetic alloy, method of treating same and dust core made therefrom
JPH0261177A (ja) 1988-08-22 1990-03-01 Kazuo Saotome 吸水性複合材料およびその製造方法
US5151137A (en) * 1989-11-17 1992-09-29 Hitachi Metals Ltd. Soft magnetic alloy with ultrafine crystal grains and method of producing same
US5132889A (en) * 1991-05-15 1992-07-21 Ibm Corporation Resonant-transition DC-to-DC converter
JP3066816B2 (ja) 1993-09-10 2000-07-17 株式会社泉精器製作所 高圧ポンプ用圧力スイッチ
JP3251126B2 (ja) * 1994-06-06 2002-01-28 アルプス電気株式会社 Ｆｅ基軟磁性合金
US5944199A (en) * 1997-11-25 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Integrated circuit package support system

Also Published As

Publication number Publication date
US6270592B1 (en) 2001-08-07
KR19990030328A (ko) 1999-04-26
KR100514955B1 (ko) 2005-12-12
US6504737B2 (en) 2003-01-07
JPH11102827A (ja) 1999-04-13
DE19844132B4 (de) 2006-04-27
TW405131B (en) 2000-09-11
US20010032685A1 (en) 2001-10-25
DE19844132A1 (de) 1999-04-08
CN1215901A (zh) 1999-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1139084C (zh) 饱和电抗器磁芯,多输出开关调节器及带有它的计算机
CN1229303C (zh) 氧化锌系压电陶瓷组合物及其制造方法
CN1281777C (zh) 软磁特性优异的Fe基非晶质合金薄带、用其制造的铁心及用于它们的急冷凝固薄带制造用母合金
CN1120506C (zh) 钕－铁－硼系永久磁铁
CN1193488C (zh) 缓冲电路和使用该缓冲电路的功率变换器
CN1627455A (zh) 铁氧体和变压器及其驱动方法
CN1252749C (zh) 具有磁偏用磁体的磁芯和采用它的电感部件
CN1036554C (zh) 热稳定性良好的永久磁铁
CN1237553C (zh) 含有磁偏置磁铁的磁芯及使用该磁芯的电感元件
CN1126126C (zh) 磁性体薄膜及其制造方法和磁头
CN1128239C (zh) 高磁通密度取向电工钢板的制造方法
CN101056729A (zh) 含Mg氧化膜被覆软磁性金属粉末的制造方法及使用该粉末制造复合软性磁材的方法
CN1732614A (zh) 开关电源电路
CN1093311C (zh) 稀土－铁－氮磁体合金
CN1606395A (zh) 驱动***和交流转换装置
CN1759468A (zh) 半导体衬底和场效应晶体管以及它们的制造方法
CN85109738A (zh) 稀土合金粉及其制备工艺
CN1701496A (zh) 功率因数改善电路
CN101047223A (zh) 热电材料以及使用该材料的热电转换器件
CN1186310A (zh) 稀土粘结磁铁与稀土铁硼型磁铁合金
CN1242431C (zh) 包含包括了颗粒表面涂有抗氧化金属的磁粉的粘结磁铁的磁芯
CN1926752A (zh) 多输出电流谐振型dc－dc变换器
CN1111799A (zh) 稀土类磁性粉末，其永久磁铁及其制造方法
CN1236096C (zh) 具有大磁熵变的稀土－铁基化合物磁致冷材料及其制备方法
CN1767087A (zh) 铁氧体磁性材料及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Aetna Technology Co., Ltd.|Beijing Antai Jing Steel International Trade Co., Ltd.|Shanghai Aetna high-Amorphous Metal Co., Ltd.

Assignor: Hitachi Metals Co., Ltd.

Contract fulfillment period: From September 19, 2005 to September 26, 2018

Contract record no.: 051000030096

Denomination of invention: Saturable reactor core, multiple output switching regulator, and computer with the same

Granted publication date: 20040218

License type: General permission

Record date: 20051101

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: COMMON LICENCE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2005.9.19 TO 2018.9.26

Name of requester: ANTAI SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD. BEIJING AN

Effective date: 20051101

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20040218