CN113884199A - 一种用于mems法珀腔芯片的标定装置及其标定方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，包括窄波段光发射模块，所述窄波段光发射模块的控制端电性连接至处理终端，所述窄波段光发射模块的出射端连接有聚焦模块，所述聚焦模块的出射端设置有准直器，所述准直器的出射端设置有成像传感器，所述成像传感器均电性连接至所述处理终端，在所述准直器与所述成像传感器之间设置有用于放置所述MEMS法珀腔芯片的空间。本发明通过窄波段光发射模块提供不同中心波长的窄波段光，聚焦模块对窄波段光进行聚焦，准直器对窄波段光进行准直并入射到MEMS法珀腔芯片上产生干涉，成像传感器采集干涉图像，处理终端对干涉图像进行读取解析，从而自动对MEMS法珀腔芯片的波长进行标定，大大提高了波长标定效率。
Description
技术领域
本发明属于MEMS高光谱技术领域，具体涉及一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置及其标定方法。
背景技术
MENS法珀腔芯片的光学原理是基于法布里-珀罗干涉原理，通过半导体集成电路工艺制成的分光芯片，以不同电压驱动芯片，获得不同窄波光谱。MENS法珀腔芯片集成到高光谱***之前，需要对MENS法珀腔芯片的波长进行标定，从而为高光谱***实现成像与高光谱检测算法的实施做好前期的基本标定准备工作。目前，MEMS法珀腔芯片的波长标定主要以手动为主，加上数据处理时间，单个MEMS法珀腔芯片的单次标定测试所需时间较长，并且需要经常进行重新标定以保证其测量精度，因此严重阻碍了MEMS法珀腔芯片的应用及产业化发展。
有鉴于此，设计制造出一种能够克服上述问题，且应用广泛的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置及其标定方法就显得尤为重要。
发明内容
为了解决现有MEMS法珀腔芯片的波长标定效率较低的问题，本申请提供一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置及其标定方法，以提高MEMS法珀腔芯片的波长标定效率。
根据本申请的第一方面，提出了一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，包括窄波段光发射模块，所述窄波段光发射模块的控制端电性连接至处理终端，所述窄波段光发射模块的出射端连接有聚焦模块，所述聚焦模块的出射端设置有准直器，所述准直器的出射端设置有成像传感器，所述成像传感器均电性连接至所述处理终端，在所述准直器与所述成像传感器之间设置有用于放置所述MEMS法珀腔芯片的空间。窄波段光发射模块发射出不同中心波长的窄波段光，聚焦模块和准直器分别对窄波段光进行聚焦和准直，最终获得较准直的窄波段光照射在MEMS法珀腔芯片上，并在成像传感器上获得对应的干涉图像，最后再通过处理终端对干涉图像进行读取解析，从而自动对MEMS法珀腔芯片的波长进行标定，大大提高了MEMS法珀腔芯片的波长标定效率。
优选的，所述窄波段光发射模块包括宽光谱连续光源和单色仪，所述宽光谱连续光源的出射端连接所述单色仪，所述单色仪的出射端连接所述聚焦模块，所述单色仪的控制端连接所述处理终端。宽光谱连续光源进入单色仪，处理终端驱动单色仪内部光栅转到不同角度，单色仪出射端获得具有不同中心波长、单色性较好且有一定尺寸的窄波段光。
优选的，所述窄波段光发射模块为可调谐激光模块。通过可调谐激光模块可以在一定范围内连续改变激光的输出波长，即可以获得不同中心波长的窄波段光。
优选的，所述成像传感器阵列设置有多个。通过设置多个成像传感器和MEMS法珀腔芯片，多个成像传感器可以分别读取多个MEMS法珀腔芯片上形成的干涉图像，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定，进一步提高了MEMS法珀腔芯片的波长标定效率。
优选的，所述聚焦模块为聚焦镜，所述准直器的出射端活动对准各个所述MEMS法珀腔芯片。窄波段光经过聚焦镜的聚焦后尺寸缩小，窄波段光更加均匀化，从而提高窄波段光入射到准直器内的能力，然后再通过准直器的移动逐个对准MEMS法珀腔芯片，使窄波段光照射到多个MEMS法珀腔芯片上，进而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定。
优选的，所述聚焦模块为扩束镜，所述准直器的出射端同时对准各个所述MEMS法珀腔芯片。通过扩束镜可以将原来小面积的窄波段光扩大成一定面积的窄波段光，扩束后的窄波段光经过准直器的准直后同时入射到多个MEMS法珀腔芯片上，从而可以实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定，无需通过机械移动准直器的方式对多个MEMS法珀腔芯片。
优选的，还包括驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述准直器往复移动，以使所述准直器分别对准各个所述MEMS法珀腔芯片。凭借驱动装置来实现驱动准直器往复移动，从而逐个对准MEMS法珀腔芯片。
优选的，还包括光纤，所述聚焦镜的出射端与所述光纤的入口端耦合，所述光纤的出口端与所述准直器的入射端耦合。利用光纤易弯曲易移动特性，方便对准直器进行移动，从而将窄波段光传导至待测的MEMS法珀腔芯片上，实现机械二维扫描。
根据本申请的第二方面，提成了一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，该用于MEMS法珀腔芯片的标定方法采用上述的标定装置，其包括以下步骤：
S1、利用处理终端控制窄波段光发射模块发射出一种中心波长下的窄波段光；
S2、利用聚焦模块和准直器分别对所述窄波段光进行聚焦和准直，然后将所述窄波段光入射到预先摆放好的MEMS法珀腔芯片上产生干涉；
S3、利用成像传感器对所述窄波段光在所述MEMS法珀腔芯片形成的干涉图像进行采集；
S4、利用所述处理终端读取所述干涉图像；
S5、利用所述处理终端控制窄波段光发射模块发射出不同中心波长下的窄波段光，执行上述步骤S2、S3、S4；
S6、重复步骤S5多次；
S7、利用所述处理终端对多个所述窄波段光所形成的所述干涉图像进行组合，从而实现对所述MEMS法珀腔芯片的波长标定。
优选的，所述步骤S2中的所述窄波段光入射到多个所述MEMS法珀腔芯片上，所述步骤S3中的多个所述成像传感器分别对多个所述MEMS法珀腔芯片上形成的多个所述干涉图像进行采集。
优选的，所述步骤S1中的所述窄波段光发射模块包括宽光谱连续光源和单色仪，所述宽光谱连续光源的出射端连接所述单色仪，所述单色仪的出射端连接所述聚焦模块，所述单色仪的控制端连接所述处理终端，其中，所述宽光谱连续光源入射至所述单色仪内并发射窄波段光，利用所述处理终端调整所述单色仪的输出波长，从而发射不同中心波长的窄波段光。凭借该步骤，通过调整单色仪的输出波长，即可获得不同中心波长的窄波段光。
优选的，所述步骤S1中的所述窄波段光发射模块为可调谐激光模块，利用所述可调谐激光模块发射出不同中心波长的窄波段光。凭借该步骤，通过可调谐激光模块可直接获得不同中心波长的窄波段光。
优选的，所述步骤S2中的所述聚焦模块为聚焦镜，还包括驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述准直器往复移动，以使所述准直器分别对准各个所述MEMS法珀腔芯片，其中，利用所述聚焦镜和准直器分别对所述窄波段光进行聚焦和准直，预先排放好多个所述MEMS法珀腔芯片和成像传感器，通过所述驱动装置驱动所述准直器往复移动，以使所述准直器的出射端对准不同所述MEMS法珀腔芯片，从而将所述窄波段光依次入射到不同的所述MEMS法珀腔芯片上产生干涉。凭借该步骤，通过驱动装置驱动准直器移动来实现对多个MEMS法珀腔芯片的机械扫描，再搭配成像传感器，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定。
优选的，所述步骤S2中的所述聚焦模块为扩束镜，所述准直器的出射端同时对准各个所述MEMS法珀腔芯片，其中，利用所述扩束镜和准直器分别对所述窄波段光进行扩束和准直，预先排放好多个所述MEMS法珀腔芯片和成像传感器，使所述准直器的出射端同时对准多个所述MEMS法珀腔芯片，从而将所述窄波段光同时入射到多个MEMS法珀腔芯片上产生干涉。凭借该步骤，通过扩束镜对窄波段光进行扩束，再通过准直器对扩束后的窄波段光进行准直，准直器可同时将窄波段光入射到各个所述MEMS法珀腔芯片上，无需机械扫描，再搭配成像传感器，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定。
与现有技术相比，本发明的有益成果在于：
(1)窄波段光发射模块发射出不同中心波长的窄波段光，聚焦模块和准直器分别对窄波段光进行聚焦和准直，最终获得较准直的窄波段光照射在MEMS法珀腔芯片上，并在成像传感器上获得对应的干涉图像，最后再通过处理终端对干涉图像进行读取，从而自动对MEMS法珀腔芯片的波长进行标定，大大提高了MEMS法珀腔芯片的波长标定效率。
(2)通过设置多个成像传感器和MEMS法珀腔芯片，多个成像传感器可以分别读取多个MEMS法珀腔芯片上形成的干涉图像，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定，进一步提高了MEMS法珀腔芯片的波长标定效率。
(3)通过驱动装置驱动准直器移动来实现对多个MEMS法珀腔芯片的机械扫描，再搭配成像传感器，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定。
(4)通过扩束镜对窄波段光进行扩束，再通过准直器对扩束后的窄波段光进行准直，准直器可同时将窄波段光入射到各个所述MEMS法珀腔芯片上，无需机械扫描，再搭配成像传感器，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片的波长标定。
附图说明
包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点，因为通过引用以下详细描述，它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。
图1是根据本发明的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图；
图2是根据本发明的第一个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图；
图3是根据本发明的第二个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图；
图4是本发明的第三个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图；
图5是根据本发明的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的标定方法流程图。
附图标记说明：1、窄波段光发射模块；2、处理终端；3、聚焦模块；4、准直器；5、成像传感器；6、MEMS法珀腔芯片；11、宽光谱连续光源；12、单色仪；31、聚焦镜；7、驱动装置；8、光纤；13、可调谐激光模块；32、扩束镜。
具体实施方式
在以下详细描述中，参考附图，该附图形成详细描述的一部分，并且通过其中可实践本发明的说明性具体实施例来示出。对此，参考描述的图的取向来使用方向术语，例如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为实施例的部件可被定位于若干不同取向中，为了图示的目的使用方向术语并且方向术语绝非限制。应当理解的是，可以利用其他实施例或可以做出逻辑改变，而不背离本发明的范围。因此以下详细描述不应当在限制的意义上被采用，并且本发明的范围由所附权利要求来限定。
图1示出了本发明的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图，如图1所示，该标定装置包括窄波段光发射模块1，窄波段光发射模块1的控制端电性连接到处理终端2上，本实施例中，处理终端2具体为计算机，在其它实施方式中也可以是单片机等。窄波段光发射模块1的出射端连接有聚焦模块3，聚焦模块3的出射端设置有准直器4，准直器4的出射端设置有成像传感器5，成像传感器5均电性连接至处理终端2上，且在准直器4与成像传感器5之间设置有用于放置MEMS法珀腔芯片6的空间，本实施例中，成像传感器5具体搭载在MEMS法珀腔芯片6上。
窄波段光发射模块1发射出不同中心波长的窄波段光，聚焦模块3对窄波段光进行聚焦，聚焦后的窄波段光通过准直器4进行准直，最终获得较准直的窄波段光照射在MEMS法珀腔芯片6上，并在对应的成像传感器5上获得对应的干涉图像，最后再通过处理终端2读取成像传感器5采集的干涉图像。成像传感器5所采集的干涉图像是与窄波段光发射模块1输出的窄波段光对应的，这样每幅干涉图像对应了一个窄波段光照射在MEMS法珀腔芯片6后在成像传感器5上形成的干涉图像，干涉图像的亮度信息代表了MEMS法珀腔芯片6的透过率信息，而干涉图像在二维空间的亮暗分布则代表了MEMS法珀腔芯片6在通光孔径范围内的光谱均匀性。通过调节窄波段光发射模块1的输出波长，则可以用成像传感器5采集一系列中心波长窄波段光下的干涉图像，这些干涉图像组合起来就形成了在二维空间每一像素点对应的MEMS法珀腔芯片6位置的透过光谱曲线。将这些曲线组合起来即可以得到整个MEMS法珀腔芯片6在二维空间上的光谱对应的波长位置和均匀性，从而实现自动对MEMS法珀腔芯片6的波长标定，大大提高了MEMS法珀腔芯片6的波长标定效率，为后续高光***中高光谱算法的进行做好基础的标定准备。
图2示出了根据本发明的第一个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图，如图2所示，窄波段光发射模块1具体包括宽光谱连续光源11和单色仪12，聚焦模块3具体为聚焦镜31。其中，宽光谱连续光源11的出射端连接单色仪12的入射端，单色仪12的出射端连接聚焦镜31的入射端，单色仪12的控制端连接到处理终端2上，聚焦镜31的出射端连接准直器4，准直器4的出射端对准MEMS法珀腔芯片6。宽光谱连续光源11进入单色仪12后，通过处理终端2控制单色仪12内部光栅转到不同角度，单色仪12出射端获得具有不同中心波长、单色性较好且有一定尺寸的窄波段光，这个窄波段光经过聚焦镜31的聚焦后尺寸缩小，窄波段光更加均匀化，从而可以提高窄波段光入射到准直器4内的能力。
如图2所示，本实施例中，成像传感器5阵列设置有多个，即对应的MEMS法珀腔芯片6阵列设置有多个。还包括驱动装置7，驱动装置7用于驱动准直器4往复移动，以使准直器4的出射端逐个对准多个MEMS法珀腔芯片6。通过设置多个成像传感器5和MEMS法珀腔芯片6，再凭借驱动装置7使准直器4逐个对准MEMS法珀腔芯片6，窄波段光依次入射到不同的MEMS法珀腔芯片6上，多个成像传感器5可以分别读取多个MEMS法珀腔芯片6上形成的干涉图像，从而实现对批量MEMS法珀腔芯片6的波长标定，进一步提高了MEMS法珀腔芯片6的波长标定效率。
本实施例中，驱动装置7具体为机械臂，在其它实施方式中，驱动装置7也可以结合伺服电机、气缸、导轨等其它驱动方式来实现。
如图2所示，聚焦镜31的出射端与准直器4的入射端之间耦合有光纤8，由于光纤8具有易弯曲、易移动的特性，通过设置光纤8，驱动装置7更方便移动准直器4，从而将窄波段光依次入射至待测的多个MEMS法珀腔芯片6上，实现机械二维扫描，进而实现对批量MEMS法珀腔芯片6的波长标定。
图3示出了根据本发明的第二个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图，如图3所示，与第一个具体实施例的不同之处在于，本实施例中的窄波段光发射模块1为可调谐激光模块13，通过可调谐激光模块13可以在一定范围内连续改变激光的输出波长，即可以直接获得不同中心波长的窄波段光，且这个窄波段光的光强更高。本实施例中，可调谐激光模块13具体采用SGDBR(采样光栅分布布拉格反射器)和GCSR(辅助光栅定向耦合背向取样反射)激光器来获得窄波段光，其拥有较宽的调谐带宽。在其它实施方式中，可调谐激光模块13也可以采用宽光谱连续光源搭配AOTF-Pro(声光可调滤波***)来获得窄波段光。
图4示出了根据本发明的第三个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的结构示意图，如图3所示，聚焦模块3为扩束镜32，准直器4的出射端同时对准多个MEMES法珀腔芯片6。窄波段光发射模块1产生的窄波段光入射到扩束镜32上，扩束镜32把小面积的窄波段光扩大成一定面积的窄波段光，然后再入射到准直器4内，准直器4的出射端同时对准多个MEMS法珀腔芯片6，从而同时将窄波段光入射到MEMS法珀腔芯片6上。通过此种方式，无需机械移动准直器4，即可将窄波段光同时入射到多个MEMS法珀腔芯片6，多个成像传感器5可同时对多个MEMS法珀腔芯片6上形成的干涉图像进行采集，处理终端2也可以对多个成像传感器5采集的一系列干涉图像同步进行解析，这样不仅使得操作更加方便，同时还进一步提高了MEMS法珀腔芯片6的波长标定效率。
本实施例中，由于扩束后单位面积的窄波段光的光强降低，因此对应的窄波段光发射模块1选用可调谐激光模块13，可调谐激光模块13所发射出的窄波段光的光强更高，从而可以保证经过扩束镜32扩束后的窄波段光仍然具有一定的光强。
综上，本发明的第一个具体实施例中，窄波段光发射模块1采用宽光谱连续光源11搭配单色仪12，聚焦模块3采用聚焦镜31，准直器4采用面积较小的准直器4，即准直器4一次只能对准一个MEMS法珀腔芯片6。通过处理终端2调整单色仪12的输出波长，即可发射出不同中心波长下的窄波段光，聚焦镜31和准直器4分别对窄波段光进行聚焦和准直，再通过驱动装置7驱动准直器4往复移动对准不同的MEMS法珀腔芯片6，即可将窄波段光依次入射到不同的MEMS法珀腔芯片6上，对应的成像传感器5便可依次采集MEMS法珀腔芯片6上形成的干涉图像，处理终端2依次读取解析干涉图像，从而自动对批量MEMS法珀腔芯片6进行波长标定。
本发明的第二个具体实施例中，与第一个具体实施例的区别在于，窄波段光发射模块1采用可调谐激光模块13，其搭配SGDBR(采样光栅分布布拉格反射器)和GCSR(辅助光栅定向耦合背向取样反射)激光器，此类型的可调谐激光器拥有较宽的调谐带宽，可直接发射出不同中心波长下的窄波段光，且窄波段光的光强较高，可以保证经过一系列介质传导后，入射到MEMS法珀腔芯片6上的窄波段光仍具有足够的光强。
本发明的第三个具体实施例中，窄波段光发射模块1同样采用搭配SGDBR(采样光栅分布布拉格反射器)和GCSR(辅助光栅定向耦合背向取样反射)激光器的可调谐激光模块13，聚焦模块3采用扩束镜32，准直器4采用面积较大的准直器4，即准直器4一次可同时对准多个MEMS法珀腔芯片6。通过可调谐激光模块13发射出不同中心波长下的窄波段光，扩束镜32和准直器4分别对窄波段光进行扩束和准直，再将窄波段光同时入射到多个MEMS法珀腔芯片6上，多个成像传感器5便可同时采集对应MEMS法珀腔芯片6上形成的干涉图像，处理终端2同时读取解析对应的干涉图像，从而自动对批量MEMS法珀腔芯片6进行波长标定。
图5示出了根据本发明的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置的标定方法流程图，如图5所示，该标定方法包括以下步骤：
S1、利用处理终端控制窄波段光发射模块发射出一种中心波长下的窄波段光；
S2、利用聚焦模块和准直器分别对所述窄波段光进行聚焦和准直，然后将所述窄波段光入射到预先摆放好的MEMS法珀腔芯片上产生干涉；
S3、利用成像传感器对所述窄波段光在所述MEMS法珀腔芯片形成的干涉图像进行采集；
S4、利用所述处理终端读取所述干涉图像；
S5、利用所述处理终端控制窄波段光发射模块发射出不同中心波长下的窄波段光，执行上述步骤S2、S3、S4；
S6、重复步骤S5多次；
S7、利用所述处理终端对多个所述窄波段光所形成的所述干涉图像进行组合，从而实现对所述MEMS法珀腔芯片的波长标定。
其中，步骤S2中的窄波段光入射到多个MEMS法珀腔芯片上，步骤S3中的多个成像传感器分别对多个MEMS法珀腔芯片上形成的多个干涉图像进行采集。
进一步的，在第一个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置中，步骤S1具体为：
利用处理终端调整单色仪的输出波长，从而发射不同中心波长的窄波段光。
步骤S2具体为：
利用聚焦镜和准直器分别对窄波段光进行聚焦和准直，预先排放好多个MEMS法珀腔芯片和成像传感器，通过驱动装置驱动准直器往复移动，以使准直器的出射端对准不同的MEMS法珀腔芯片，从而将窄波段光依次入射到不同的MEMS法珀腔芯片上产生干涉。
在第二个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置中，步骤S1具体为：
利用可调谐激光模块(SGDBR和GCSR激光器)发射出不同中心波长的窄波段光。
在第三个具体实施例的用于MEMS法珀腔芯片的标定装置中，步骤S2具体为：
利用扩束镜和准直器分别对窄波段光进行扩束和准直，预先排放好多个MEMS法珀腔芯片和成像传感器，使准直器的出射端同时对准多个MEMS法珀腔芯片，从而将窄波段光同时入射到多个MEMS法珀腔芯片上产生干涉。
通过上述标定方法可以批量对MEMS法珀腔芯片的波长进行标定，大大的提高了MEMS法珀腔芯片的波长标定效率，为高光谱***实现成像与高光谱检测算法的实施做好前期的基本标定准备工作。
显然，本领域技术人员在不偏离本发明的精神和范围的情况下可以作出对本发明的实施例的各种修改和改变。以该方式，如果这些修改和改变处于本发明的权利要求及其等同形式的范围内，则本发明还旨在涵盖这些修改和改变。词语“包括”不排除未在权利要求中列出的其它元件或步骤的存在。某些措施记载在相互不同的从属权利要求中的简单事实不表明这些措施的组合不能被用于获利。权利要求中的任何附图标记不应当被认为限制范围。
Claims (14)
1.一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，包括窄波段光发射模块(1)，所述窄波段光发射模块(1)的控制端电性连接至处理终端(2)，所述窄波段光发射模块(1)的出射端连接有聚焦模块(3)，所述聚焦模块(3)的出射端设置有准直器(4)，所述准直器(4)的出射端设置有成像传感器(5)，所述成像传感器(5)均电性连接至所述处理终端(2)，在所述准直器(4)与所述成像传感器(5)之间设置有用于放置所述MEMS法珀腔芯片(6)的空间。
2.根据权利要求1所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，所述窄波段光发射模块(1)包括宽光谱连续光源(11)和单色仪(12)，所述宽光谱连续光源(11)的出射端连接所述单色仪(12)，所述单色仪(12)的出射端连接所述聚焦模块(3)，所述单色仪(12)的控制端连接所述处理终端(2)。
3.根据权利要求1所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，所述窄波段光发射模块(1)为可调谐激光模块(13)。
4.根据权利要求1所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，所述成像传感器(5)阵列设置有多个。
5.根据权利要求4所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，所述聚焦模块(3)为聚焦镜(31)，所述准直器(4)的出射端活动对准各个所述MEMS法珀腔芯片(6)。
6.根据权利要求4所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，所述聚焦模块(3)为扩束镜(32)，所述准直器(4)的出射端同时对准多个所述MEMS法珀腔芯片(6)。
7.根据权利要求5所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，还包括驱动装置(7)，所述驱动装置(7)用于驱动所述准直器(4)往复移动，以使所述准直器(4)分别对准各个所述MEMS法珀腔芯片(6)。
8.根据权利要求5所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定装置，其特征在于，还包括光纤(8)，所述聚焦镜(31)的出射端与所述光纤(8)的入口端耦合，所述光纤(8)的出口端与所述准直器(4)的入射端耦合。
9.一种采用如权利要求1-8中任一项所述标定装置的用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，其特征在于，包括：
S1、利用处理终端控制窄波段光发射模块发射出一种中心波长下的窄波段光；
S2、利用聚焦模块和准直器分别对所述窄波段光进行聚焦和准直，然后将所述窄波段光入射到预先摆放好的MEMS法珀腔芯片上产生干涉；
S3、利用成像传感器对所述窄波段光在所述MEMS法珀腔芯片形成的干涉图像进行采集；
S4、利用所述处理终端读取所述干涉图像；
S5、利用所述处理终端控制窄波段光发射模块发射出不同中心波长下的窄波段光，执行上述步骤S2、S3、S4；
S6、重复步骤S5多次；
S7、利用所述处理终端对多个所述窄波段光所形成的所述干涉图像进行组合，从而实现对所述MEMS法珀腔芯片的波长标定。
10.根据权利要求9所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述窄波段光入射到多个所述MEMS法珀腔芯片上，所述步骤S3中的多个所述成像传感器分别对多个所述MEMS法珀腔芯片上形成的多个所述干涉图像进行采集。
11.根据权利要求9所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述窄波段光发射模块包括宽光谱连续光源和单色仪，所述宽光谱连续光源的出射端连接所述单色仪，所述单色仪的出射端连接所述聚焦模块，所述单色仪的控制端连接所述处理终端，其中，所述宽光谱连续光源入射至所述单色仪内并发射窄波段光，利用所述处理终端调整所述单色仪的输出波长，从而发射不同中心波长的窄波段光。
12.根据权利要求9所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述窄波段光发射模块为可调谐激光模块，利用所述可调谐激光模块发射出不同中心波长的窄波段光。
13.根据权利要求10所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述聚焦模块为聚焦镜，还包括驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述准直器往复移动，以使所述准直器分别对准各个所述MEMS法珀腔芯片，其中，利用所述聚焦镜和准直器分别对所述窄波段光进行聚焦和准直，预先排放好多个所述MEMS法珀腔芯片和成像传感器，通过所述驱动装置驱动所述准直器往复移动，以使所述准直器的出射端对准不同所述MEMS法珀腔芯片，从而将所述窄波段光依次入射到不同的MEMS法珀腔芯片上产生干涉。
14.根据权利要求10所述的一种用于MEMS法珀腔芯片的标定方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述聚焦模块为扩束镜，所述准直器的出射端同时对准各个所述MEMS法珀腔芯片，其中，利用所述扩束镜和准直器分别对所述窄波段光进行扩束和准直，预先排放好多个所述MEMS法珀腔芯片和成像传感器，使所述准直器的出射端同时对准多个所述MEMS法珀腔芯片，从而将所述窄波段光同时入射到多个所述MEMS法珀腔芯片上产生干涉。
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