CN113872549B - 用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器 - Google Patents
用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器 Download PDFInfo
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Abstract
本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：在预设的待移除层上沉积单晶压电层；在单晶压电层远离待移除层的一侧制作谐振结构；在谐振结构上形成第一金属层；将第一金属层键合在谐振器载体上；移除待移除层；在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构；使谐振结构内形成空腔。这样，将谐振结构和谐振器载体通过金属层进行金属键合，由于金属与金属之间进行键合相较于传统SiO2‑Si键合方式能够在更大的晶圆翘曲度的情况下进行键合，因此能够在硅基晶圆翘曲度大的情况下使谐振结构与谐振器载体进行键合。本申请还公开一种体声波谐振器、滤波器。
Description
技术领域
本申请涉及谐振器技术领域，例如涉及一种用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器。
背景技术
目前，在进行体声波谐振器制作的过程中，通常会先制作谐振结构，和谐振器载体，再将谐振结构和谐振器载体进行键合，使得谐振器载体能够支撑谐振结构。为了使得体声波谐振器的性能更好，需要质量更高或XRD半峰宽越窄的单晶压电层，而使用质量更高或XRD半峰宽更窄的单晶压电层，可能会导致硅基晶圆翘曲度大，由于传统的SiO2-Si键合方式需要在硅基晶圆翘曲度小的情况下才能进行，使得在硅基晶圆翘曲度大的情况下不适合使用传统的键合方式与谐振器载体进行键合。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本发明实施例提供一种用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器，以能够在硅基晶圆翘曲度大的情况下使谐振结构与谐振器载体进行键合。
在一些实施例中，用于体声波谐振器制作的方法包括：在预设的待移除层上沉积单晶压电层；所述待移除层包括待移除衬底和单晶缓冲层；所述单晶缓冲层由与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成；所述单晶压电层由氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成；在所述单晶压电层远离所述待移除层的一侧制作谐振结构；在所述谐振结构上形成第一金属层；将所述第一金属层键合在谐振器载体上；移除所述待移除层；在所述谐振结构远离所述第一金属层的一侧形成上电极结构；使所述谐振结构内形成空腔。
在一些实施例中，所述体声波谐振器，由上述的用于体声波谐振器制作的方法制得。
在一些实施例中，所述滤波器包括上述的体声波谐振器。
本发明实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器，可以实现以下技术效果：通过在预设的待移除层上沉积单晶压电层；待移除层包括待移除衬底和单晶缓冲层；单晶缓冲层由与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成；单晶压电层由氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成；在单晶压电层远离待移除层的一侧制作谐振结构；在谐振结构上形成第一金属层；将第一金属层键合在谐振器载体上；移除待移除层；在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构；使谐振结构内形成空腔。这样，通过在由压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成的单晶缓冲层上制作单晶压电层，能够提高单晶压电层的晶体质量。同时，将谐振结构和谐振器载体通过金属层进行金属键合，由于金属与金属之间进行键合相较于传统的SiO2-Si键合方式能够在更大的晶圆翘曲度的情况下进行键合，因此能够在硅基晶圆翘曲度大的情况下使谐振结构与谐振器载体进行键合。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本发明实施例提供的一个用于体声波谐振器制作的方法的示意图；
图2是本发明实施例提供的一个待移除层的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一个在待移除层上沉积单晶压电层、下电极层和第一钝化层的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一个刻蚀下电极层、第一钝化层后的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一个在下电极结构上沉积牺牲层后的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一个刻蚀牺牲层后的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一个在刻蚀后的牺牲层上沉积截止边界层后的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一个在截止边界层上沉积第一牺牲层后的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一个在第一牺牲层上沉积第一金属层后的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一个谐振器载体的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一个将第一金属层键合在谐振器载体后的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一个移除待移除层后的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一个在单晶压电层上形成上电极结构后的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一个谐振器的结构示意图。
附图标记：
100：待移除衬底；110：单晶缓冲层；120：单晶外延层；130：单晶压电层；140：下电极层；150：第一钝化层；160：第一牺牲层；170：截止边界层；180：第二牺牲层；190：第一金属层；200：谐振器载体衬底；210：填充层；220：第二金属层；230：上电极层；240：第二钝化层；250：第一导体；260：第二导体；270：第三导体。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
本发明实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
本发明实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明实施例中的具体含义。
另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
本发明实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
结合图1所示，本发明实施例提供一种用于体声波谐振器制作的方法，
步骤S101，在预设的待移除层上沉积单晶压电层；待移除层包括待移除衬底和单晶缓冲层；单晶缓冲层由与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成；单晶压电层由氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成；
步骤S102，在单晶压电层远离待移除层的一侧制作谐振结构；
步骤S103，在谐振结构上形成第一金属层；
步骤S104，将第一金属层键合在谐振器载体上；
步骤S105，移除待移除层；
步骤S105，在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构；
步骤S106，使谐振结构内形成空腔。
采用本发明实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法，通过在预设的待移除层上沉积单晶压电层；待移除层包括待移除衬底和单晶缓冲层；单晶缓冲层由与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成；单晶压电层由氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成；在单晶压电层远离待移除层的一侧制作谐振结构；在谐振结构上形成第一金属层；将第一金属层键合在谐振器载体上；移除待移除层；在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构；使谐振结构内形成空腔。这样，通过在由压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成的单晶缓冲层上制作单晶压电层，能够提高单晶压电层的晶体质量。同时，将谐振结构和谐振器载体通过金属层进行金属键合，由于金属与金属之间进行键合相较于传统的SiO2-Si键合方式能够在更大的晶圆翘曲度的情况下进行键合，因此能够在硅基晶圆翘曲度大的情况下使谐振结构与谐振器载体进行键合。
在一些实施例中，通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）工艺和/或PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）工艺在预设的待移除层上沉积单晶压电层。
可选地，谐振结构通过以下方式形成，包括：在单晶压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构；在下电极结构远离单晶压电层的一侧形成待腐蚀空腔结构，由下电极结构和待腐蚀空腔结构构成谐振结构。
在一些实施例中，预设的待移除层包括待移除衬底、在待移除衬底上形成的单晶缓冲层。
结合图2所示，可选地，在预设的待移除层上沉积单晶压电层；预设的待移除层包括从下往上依次形成的待移除衬底100、在待移除衬底上形成的单晶缓冲层110和在单晶缓冲层110上形成的单晶外延层120。
可选地，待移除衬底由硅、碳化硅或蓝宝石制成。
可选地，制成单晶缓冲层的材料与单晶外延层的材料的晶格结构和晶格常数匹配。
可选地，制成单晶缓冲层的材料与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配。
可选地，制成单晶外延层的材料与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配。
在一些实施例中，单晶外延层的材料为氮化铝，选取与单晶外延层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的氮化铝或氮化镓制成单晶缓冲层。
在一些实施例中，单晶压电层的材料为氮化铝，选取与氮化铝的晶格结构和晶格常数匹配的氮化镓制成单晶外延层，选取与氮化镓的晶格结构和晶格常数匹配的氮化铝制成单晶缓冲层。
这样，选取与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制作单晶外延层，再在单晶外延层上制作单晶压电层，能够得到高质量的单晶压电层。选取与单晶外延层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制作单晶缓冲层，再在单晶缓冲层上制作单晶外延层，能够生长出高质量的单晶外延层。
结合图3和图4所示，可选地，在单晶压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构，包括：在单晶压电层130远离待移除层的一侧沉积下电极层140；在下电极层140远离单晶压电层130的一侧沉积第一钝化层150；刻蚀下电极层140和第一钝化层150，暴露出单晶压电层130。刻蚀后的下电极层和第一钝化层形成下电极结构。这样，在下电极层远离单晶压电层的一侧沉积第一钝化层，能够由第一钝化层保护下电极层，防止下电极层被氧化从而避免谐振器的功能受到影响。
可选地，通过湿法化学刻蚀工艺和/或等离子激发刻蚀工艺刻蚀下电极层和第一钝化层。
可选地，下电极层由具有导电性能的钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
可选地，第一钝化层由非导电材料制成，例如：氮化硅、氮化铝等。
可选地，在下电极结构远离单晶压电层的一侧形成待腐蚀空腔结构，包括：在下电极结构和单晶压电层上沉积第一牺牲层；刻蚀第一牺牲层，在下电极结构上形成牺牲岛；在牺牲岛远离下电极结构的一侧沉积截止边界层，形成由下电极结构、牺牲岛和截止边界层构成的空腔围合结构；在空腔围合结构上沉积第二牺牲层，由牺牲岛、截止边界层和第二牺牲层形成待腐蚀空腔结构。
结合图5所示，可选地，在下电极结构和单晶压电层130上沉积第一牺牲层160，包括：在未与下电极结构接触的单晶压电层130和下电极结构上沉积第一牺牲层160。可选地，在沉积第一牺牲层后还包括：对第一牺牲层进行平坦化抛光。可选地，通过CVD（ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积）工艺和/或PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）工艺沉积第一牺牲层。可选地，通过CMP（chemical mechanical polish，化学机械研磨）对第一牺牲层进行平坦化抛光。
结合图6所示，在一些实施例中，刻蚀第一牺牲层160，在下电极结构上形成牺牲岛，且刻蚀后的第一牺牲层位于下电极结构和单晶压电层上。
在一些实施例中，在牺牲岛远离下电极结构的一侧沉积截止边界层包括：在牺牲岛远离下电极结构的一侧、未与牺牲岛和下电极结构接触的单晶压电层的表面以及未与牺牲岛接触的下电极结构的表面沉积截止边界层170，结合图7所示。由下电极结构、牺牲岛和截止边界层构成空腔围合结构，在空腔围合结构上沉积第二牺牲层180，结合图8所示。
在一些实施例中，在谐振结构上形成第一金属层190，包括：在谐振结构上沉积第一金属层190，结合图9所示。可选地，通过电镀plating工艺形成第一金属层。
在一些实施例中，在谐振结构上沉积第一金属层之前，还包括：在第二牺牲层上结合生长钛、镍等金属。这样，能够增加第二牺牲层和第一金属层之间的粘黏性。
结合图10所示，可选地，谐振器载体包括谐振器载体衬底200、填充层210和220第二金属层；填充层210位于谐振器载体衬底200与第二金属层220之间；将第一金属层键合在谐振器载体上，包括：将第二金属层与第一金属层进行金属键合。
可选地，谐振器载体通过以下方式形成：在预设的谐振器载体衬底上沉积填充层；在填充层远离谐振器载体衬底的一侧形成第二金属层。
可选地，通过电镀plating工艺形成第二金属层。
可选地，在填充层远离谐振器载体衬底的一侧沉积第二金属层前，还包括：在填充层上结合生长钛、镍等金属。这样，能够增加填充层和第二金属层之间的粘黏性。
可选地，谐振器载体衬底由硅、碳化硅或蓝宝石制成。
可选地，填充层由氧化硅或碳化硅制成。
可选地，第一金属层与第二金属层由互相能够进行金属键合的材料制成，例如，金与金、铝与铜、铜与铜、金与银、铜与锡、铝与锗、金与硅、金与锗、金与锡、金与铟等。即在第一金属层由金制成的情况下，则第二金属层为金、银、硅、锗、锡或铟制成。
可选地，金属键合为共晶键合、阳极键合或热压键合。
在一些实施例中，将第一金属层键合在谐振器载体上，如图11所示。
在一些实施例中，通过grinding研磨工艺去除待移除衬底；通过等离子干法刻蚀工艺和/或湿法化学腐蚀工艺去除单晶缓冲层和单晶外延层。结合图12所示，图12为移除待移除层后的结构示意图。
结合图13所示，可选地，在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构，包括：在单晶压电层130远离下电极结构的一侧沉积上电极层230；在上电极层230远离单晶压电层130的一侧沉积第二钝化层240；刻蚀上电极层230和第二钝化层240形成上电极结构，暴露出单晶压电层130。这样，在上电极层远离单晶压电层的一侧沉积第二钝化层，能够由第二钝化层保护上电极层，防止上电极层被氧化从而避免谐振器的功能受到影响。
结合图14所示，可选地，使谐振结构内形成空腔，包括：腐蚀牺牲岛，形成空腔。
可选地，在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构后，还包括：通过第一导体250与上电极层230进行连接，将第一导体250暴露于第二钝化层240外；通过第二导体260与下电极层140进行连接，将第二导体260暴露于不与上电极结构连接的单晶压电层130外；通过第三导体270与第一金属层190进行连接，将第三导体270暴露于不与上电极结构连接的单晶压电层130外，第三导体270不与上电极层230、下电极层140、牺牲岛接触。
可选地，通过氢氟酸溶液湿法腐蚀、BOE (Buffered Oxide Etchant，缓冲氧化物刻蚀液)溶液湿法腐蚀和氢氟酸蒸汽腐蚀中的一种或多种腐蚀牺牲岛。这样，通过先在牺牲岛远离下电极结构的一侧沉积截止边界层，由截止边界层限定出空腔的形状，再通过腐蚀牺牲岛形成空腔，使的空腔的制作更加方便。
在一些实施例中，通过第一导体与上电极层进行连接，将第一导体暴露于第二钝化层外，包括：刻蚀第二钝化层形成第一通孔，第一通孔暴露出上电极层；在第一通孔内形成第一导体，第一导体通过第一通孔连接上电极层。
在一些实施例中，通过第二导体与下电极层进行连接，将第二导体暴露于不与上电极结构连接的单晶压电层外，包括：刻蚀未与上电极结构连接的单晶压电层形成第二通孔，第二通孔暴露出下电极层；在第二通孔内形成第二导体，第二导体通过第二通孔连接下电极层。
在一些实施例中，对谐振器进行使用的过程中，第一导体的一端连接上电极层，另一端与外部电路连接；第二导体的一端连接下电极层，另一端与第二导体与外部电路连接，由第一导体、第二导体和外部电路一起构成回路。
在一些实施例中，通过第三导体与第一金属层进行连接，将第三导体暴露于不与上电极结构连接的单晶压电层外，包括：刻蚀未与上电极层和下电极层接触的单晶压电层形成第三通孔，第三通孔暴露出截止边界层；刻蚀截止边界成形成第四通孔，第四通孔暴露出第二牺牲层且第四通孔与第三通孔连通；刻蚀第二牺牲层形成第五通孔，第五通孔暴露出第一金属层且第五通孔与第四通孔连通；由第三通孔、第四通孔和第五通孔形成连接通孔，在连接通孔中形成第三导体，第三导体通过连接通孔连接第一金属层。
在一些实施例中，对谐振器进行使用的过程中，第三导体不与第一金属层连接的一端接地。这样，由于在谐振器中增加了第一金属层和第二金属层，会由第一金属层和第二金属层带来寄生电容，通过将第三导体不与第一金属层连接的一端接地，能够降低或消除由第一金属层和第二金属层带来寄生电容。
本发明实施例提供一种体声波谐振器，由上述的用于体声波谐振器制作的方法制得。
可选地，谐振器载体，用于支撑谐振结构；谐振结构，通过金属键合方式与谐振器载体键合，谐振结构内被限定有空腔；单晶压电层，设置在谐振结构远离谐振器载体的一侧；上电极结构，设置在单晶压电层远离谐振结构的一侧。
可选地，谐振结构和单晶压电层连接有第三导体，第三导体暴露于单晶压电层外。
本发明实施例提供一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
采用本发明实施例提供的滤波器，由使用高质量的单晶态氮化铝或ScAlN作为单晶压电层的谐振器构成，能够提高滤波器的性能。
以上描述和附图充分地示出了本发明的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
Claims (11)
1.一种用于压电层为单晶的体声波谐振器的制作方法，其特征在于，包括：
在预设的待移除层上沉积单晶压电层；所述待移除层包括待移除衬底和单晶缓冲层；所述单晶缓冲层由与单晶压电层的材料的晶格结构和晶格常数匹配的材料制成；所述单晶压电层由氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成；
在所述单晶压电层远离所述待移除层的一侧制作谐振结构；
在所述谐振结构上形成第一金属层；
将所述第一金属层键合在谐振器载体上；
移除所述待移除层；
在所述谐振结构远离所述第一金属层的一侧形成上电极结构；
使所述谐振结构内形成空腔；
所述谐振结构通过以下方式形成，包括：在所述单晶压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构；在所述下电极结构远离所述单晶压电层的一侧形成待腐蚀空腔结构，由所述下电极结构和所述待腐蚀空腔结构构成谐振结构；
所述谐振器载体通过以下方式形成：在预设的谐振器载体衬底上沉积填充层；在填充层远离谐振器载体衬底的一侧形成第二金属层；在填充层远离谐振器载体衬底的一侧沉积第二金属层前，还包括：在填充层上结合生长钛或镍。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述单晶压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构，包括：
在所述单晶压电层远离所述待移除层的一侧沉积下电极层；
在所述下电极层远离所述单晶压电层的一侧沉积第一钝化层；
刻蚀所述下电极层和所述第一钝化层，暴露出所述单晶压电层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述下电极结构远离所述单晶压电层的一侧形成待腐蚀空腔结构，包括：
在所述下电极结构和单晶压电层上沉积第一牺牲层；
刻蚀所述第一牺牲层，在所述下电极结构上形成牺牲岛；
在所述牺牲岛远离所述下电极结构的一侧沉积截止边界层，形成由所述下电极结构、所述牺牲岛和所述截止边界层构成的空腔围合结构；
在所述空腔围合结构上沉积第二牺牲层，由所述牺牲岛、所述截止边界层和所述第二牺牲层形成待腐蚀空腔结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述谐振器载体包括谐振器载体衬底、填充层和第二金属层；所述填充层位于所述谐振器载体衬底与所述第二金属层之间；将所述第一金属层键合在谐振器载体上，包括：
将所述第二金属层与所述第一金属层进行金属键合。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述谐振结构远离所述第一金属层的一侧形成上电极结构，包括：
在所述单晶压电层远离所述下电极结构的一侧沉积上电极层；
在所述上电极层远离所述单晶压电层的一侧沉积第二钝化层；
刻蚀所述上电极层和所述第二钝化层形成所述上电极结构，暴露出所述单晶压电层。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使所述谐振结构内形成空腔，包括：
腐蚀所述牺牲岛，形成空腔。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述谐振结构远离所述第一金属层的一侧形成上电极结构后，还包括：
通过第一导体与所述上电极层进行连接，将所述第一导体暴露于所述第二钝化层外；
通过第二导体与所述下电极层进行连接，将所述第二导体暴露于不与所述上电极结构连接的单晶压电层外；
通过第三导体与所述第一金属层进行连接，将所述第三导体暴露于不与所述上电极结构连接的单晶压电层外，所述第三导体不与所述上电极层、所述下电极层、所述牺牲岛接触。
8.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器由执行权利要求1至7任一项所述的方法制得。
9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其特征在于，包括：
谐振器载体，用于支撑谐振结构；
所述谐振结构，通过金属键合方式与所述谐振器载体键合，所述谐振结构内被限定有空腔；
单晶压电层，设置在所述谐振结构远离所述谐振器载体的一侧；
上电极结构，设置在所述单晶压电层远离所述谐振结构的一侧。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振结构和所述单晶压电层连接有第三导体，所述第三导体暴露于所述单晶压电层外。
11.一种滤波器，其特征在于，包括如权利要求8至10任一项所述的体声波谐振器。
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