CN113867513A - 一种psu使用寿命的预测方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种PSU使用寿命的预测方法,包括:分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数;获取PSU的运行负载值,以及风扇的第一运行温度值和目标运转速度;基于风扇的寿命预估函数,根据运行负载值、第一运行温度值和目标运转速度确定风扇的第一寿命值;分别获取电解电容和MOSFET的第二运行温度值和第三运行温度值;基于电解电容的寿命预估函数,根据运行负载值和第二运行温度值确定电解电容的第二寿命值;基于MOSFET的寿命预估函数,根据运行负载值和第三运行温度值确定MOSFET的第三寿命值;将三个寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。通过该方法可以相对准确地评估出PSU的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及服务器技术领域,特别涉及一种PSU使用寿命的预测方法、装置、设备及介质。
背景技术
PSU(Power Supply Unit,电源供电器)作为服务器的供电模块,PSU的使用寿命是保证服务器能够正常运行的重要指标。在PSU中设置有很多关键器件,比如:风扇、电解电容以及MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化层半导体场效晶体管)等等。在现有技术中,在预测PSU的使用寿命时,通常是将其内部所设置风扇、电解电容以及MOSFET三个器件中工作寿命最短器件所对应的寿命时长判定为PSU的整机使用寿命。
由于PSU的使用寿命与其自身的运行状态紧密相关,所以,在现有技术中,为了进一步保证服务器的安全稳定运行,通常是在服务器处于最大负载和承受最高入风温度下来评估PSU的使用寿命。但是,在实际应用中,大多数的服务器会使用电源冗余设计,在此设计架构下,PSU的最大工作负载不会超过50%,并且,由于近年来服务器机房的建造环境有很大改善,服务器的工作温度一般会稳定在25℃左右,即使服务器长期处于运行状态,其内部PSU的工作温度也不会超过40℃。在此情况下,如果还是使用现有方法来评估PSU的使用寿命,并在PSU的预估寿命消耗完毕时更换PSU,这样不仅会增加服务器对于PSU的资金投入,而且,也会增加服务器生命周期的运维成本。目前,针对上述问题,还没有较为有效的解决办法。
由此可见,如何准确地评估PSU的使用寿命,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种PSU使用寿命的预测方法、装置、设备及介质,以对PSU的使用寿命进行准确评估。其具体方案如下:
一种PSU使用寿命的预测方法,包括:
分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;
获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及所述风扇的第一运行温度值和目标运转速度;
基于所述第一寿命预估函数,并根据所述运行负载值、所述第一运行温度值和所述目标运转速度确定所述风扇的使用寿命,得到第一寿命值;
分别获取所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;
基于所述第二寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第二运行温度值确定所述电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;
基于所述第三寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第三运行温度值确定所述MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;
将所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值中的最短寿命值判定为所述PSU的使用寿命。
优选的,所述分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数的过程,包括:
从所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET的出厂手册中分别获取所述PSU中所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET的寿命预估函数,得到所述第一寿命预估函数、所述第二寿命预估函数和所述第三寿命预估函数。
优选的,所述获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值的过程,包括:
利用功率测量芯片获取所述PSU在当前运行状态下的所述运行负载值。
优选的,所述分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数的过程之后,还包括:
将所述第一寿命预估函数、所述第二寿命预估函数和所述第三寿命预估函数烧录至EEPROM;其中,所述EEPROM为预先添加在所述PSU的控制板上的存储器。
优选的,还包括:
预先将所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET在出厂时所对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值烧录至所述EEPROM;
从所述EEPROM中调取所述第一出厂寿命值、所述第二出厂寿命值和所述第三出厂寿命值,并根据所述第一出厂寿命值、所述第二出厂寿命值、所述第三出厂寿命值、所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值分别确定所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的剩余使用寿命,得到第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值;
若所述第一剩余寿命值、所述第二剩余寿命值和所述第三剩余寿命值中的最短寿命值小于预设值,则提示预警信息。
优选的,还包括:
将所述第一剩余寿命值、所述第二剩余寿命值和所述第三剩余寿命值中的最短寿命值存储至目标寄存器,以使服务器能够从所述目标寄存器查询所述PSU的剩余寿命。
相应的,本发明还公开了一种PSU使用寿命的预测装置,包括:
函数获取模块,用于分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;
参数获取模块,用于获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及所述风扇的第一运行温度值和目标运转速度;
第一确定模块,用于基于所述第一寿命预估函数,并根据所述运行负载值、所述第一运行温度值和所述目标运转速度确定所述风扇的使用寿命,得到第一寿命值;
温度值获取模块,用于分别获取所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;
第二确定模块,用于基于所述第二寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第二运行温度值确定所述电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;
第三确定模块,用于基于所述第三寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第三运行温度值确定所述MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;
寿命判定模块,用于将所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值中的最短寿命值判定为所述PSU的使用寿命。
相应的,本发明还公开了一种PSU使用寿命的预测设备,包括:
存储器,用于存储计算机程序;
处理器,用于执行所述计算机程序时实现如前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法的步骤。
相应的,本发明还公开了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法的步骤。
可见,在本发明中,首先是分别获取PSU中风扇、电解电容和MSOFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数,并获取PSU在当前运行状态下的运行负载值以及PSU中风扇的第一运行温度值和目标运转速度,然后,再基于风扇的第一寿命预估函数,并根据PSU的运行负载值、风扇的第一运行温度值和目标运转速度确定风扇的使用寿命,得到第一寿命值;之后,再分别获取电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值,并根据电解电容的第二寿命预估函数、PSU的运行负载值以及电解电容的第二运行温度值确定电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;同时再根据MOSFET的第三寿命预估函数、PSU的运行负载值和MOSFET的第三运行温度值确定MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;最后,再将第一寿命值、第二寿命值和第三寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。相较于现有技术而言,由于该方法是以PSU在当前运行状态下的运行负载值以及PSU中风扇、电解电容和MOSFET的实时运行参数为前提来评估PSU的使用寿命,这样就能够与PSU的实际运行状态相适配,由此就可以相对准确地评估出PSU的使用寿命。相应的,本发明所提供的一种PSU使用寿命的预测装置、设备及介质,同样具有上述有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测方法的流程图;
图2为本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测装置的结构图;
图3为本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测设备的结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参见图1,图1为本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测方法的流程图,该预测方法包括:
步骤S11:分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;
步骤S12:获取PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及风扇的第一运行温度值和目标运转速度;
步骤S13:基于第一寿命预估函数,并根据运行负载值、第一运行温度值和目标运转速度确定风扇的使用寿命,得到第一寿命值;
步骤S14:分别获取电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;
步骤S15:基于第二寿命预估函数,并根据运行负载值和第二运行温度值确定电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;
步骤S16:基于第三寿命预估函数,并根据运行负载值和第三运行温度值确定MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;
步骤S17:将第一寿命值、第二寿命值和第三寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。
可以理解的是,在实际应用中,PSU中风扇、电解电容和MOSFET的使用寿命会受到各种运行参数和其自身属性信息的影响,而这些运行参数和其自身属性信息会与风扇、电解电容和MOSFET的使用寿命呈现出一定的非线性关系,所以,在本实施例中,为了对PSU的使用寿命进行准确评估,首先需要根据PSU内部所设置风扇、电解电容和MOSFET的运行参数和属性信息来获取得到与风扇使用寿命相对应的第一寿命预估函数、与电解电容使用寿命相对应的第二寿命预估函数以及与MOSFET使用寿命相对应的第三寿命预估函数。
由于风扇的使用寿命不仅与PSU的运行负载有关,而且,还与风扇的运行温度值以及运转速度相关,所以,为了准确评估出PSU中风扇的使用寿命,还需要获取PSU在当前运行状态下的运行负载值以及风扇的第一运行温度值和目标运转速度。当获取得到PSU在当前运行状态下的运行负载值、风扇的第一运行温度值和目标运转速度时,则基于风扇的第一寿命预估函数,并根据PSU的运行负载值、风扇的第一运行温度值和风扇的目标运转速度来计算风扇的使用寿命,并由此得到风扇的第一寿命值。
具体的,在获取风扇的第一运行温度值时,可以预先在风扇的表面添加温度传感器,并利用温度传感器来测量风扇的第一运行温度值,然后,再与风扇中的集成芯片进行通讯来获取风扇在当前运行状态下的目标运转速度。
可以理解的是,因为电解电容的使用寿命与PSU的运行负载值以及电解电容的运行温度值相关,而MOSFET的使用寿命与PSU的运行负载值以及MOSFET的运行温度值相关,所以,在实际应用中,为了准确评估出PSU中电解电容和MOSFET的使用寿命,还需要获取PSU中电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值。
当获取得到PSU中电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值时,则基于电解电容的第二寿命预估函数,并根据PSU的运行负载值和电解电容的第二运行温度值就可以计算得到电解电容的使用寿命,也即,与电解电容相对应的第二寿命值。同理,基于MOSFET的第三寿命预估函数,并根据PSU的运行负载值以及MOSFET的第三运行温度值就可以确定出MOSFET的使用寿命,也即,与MOSFET相对应的第三寿命值。
具体的,在实际应用中,在获取电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值时,可以预先在电解电容和MOSFET的表面添加温度传感器,并利用温度传感器来获取得到电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值。
能够想到的是,当获取得到PSU中风扇的第一寿命值、电解电容的第二寿命值以及MOSFET的第三寿命值之后,因为PSU的实际使用寿命取决于以上三个器件中使用寿命最短的器件,所以,在实际应用中,就可以将第一寿命值、第二寿命值以及第三寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。
相较于现有技术而言,由于该方法是以PSU在当前运行状态下的运行负载值以及PSU中风扇、电解电容和MOSFET的实时运行参数为前提来评估PSU的使用寿命,这样就能够与PSU的实际运行状态相适配,所以,通过该方法就可以相对准确地评估出PSU的使用寿命。
并且,由于该方法能够准确评估出服务器中PSU的使用寿命,在环境友好的服务器机房中,就可以相对减少服务器中PSU的更换频率,这样不仅能够降低服务器中对于PSU的资金投入,而且,也可以降低服务器生命周期的运维成本。
可见,在本发明中,首先是分别获取PSU中风扇、电解电容和MSOFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数,并获取PSU在当前运行状态下的运行负载值以及PSU中风扇的第一运行温度值和目标运转速度,然后,再基于风扇的第一寿命预估函数,并根据PSU的运行负载值、风扇的第一运行温度值和目标运转速度确定风扇的使用寿命,得到第一寿命值;之后,再分别获取电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值,并根据电解电容的第二寿命预估函数、PSU的运行负载值以及电解电容的第二运行温度值确定电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;同时再根据MOSFET的第三寿命预估函数、PSU的运行负载值和MOSFET的第三运行温度值确定MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;最后,再将第一寿命值、第二寿命值和第三寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。相较于现有技术而言,由于该方法是以PSU在当前运行状态下的运行负载值以及PSU中风扇、电解电容和MOSFET的实时运行参数为前提来评估PSU的使用寿命,这样就能够与PSU的实际运行状态相适配,由此就可以相对准确地评估出PSU的使用寿命。
基于上述实施例,本实施例对技术方案作进一步的说明与优化,作为一种优选的实施方式,上述步骤:分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数的过程,包括:
从风扇、电解电容和MOSFET的出厂手册中分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数。
可以理解的是,在实际应用中,PSU中所设置的风扇、电解电容以及MOSFET在出厂时均会设置有相应的出厂手册。在风扇、电解电容和MOSFET的出厂手册中不仅详细地记载着自身器件的属性信息,而且,也会记载着风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数。
因此,在本实施例中,为了提高工作人员在获取风扇、电解电容以及MOSFET寿命预估函数时的速度与效率,就可以直接从风扇、电解电容以及MOSFET的出厂手册中分别获取风扇的第一寿命预估函数、电解电容的第二寿命预估函数以及MOSFET的第三寿命预估函数。
显然,通过本实施例所提供的技术方案,就可以进一步提高工作人员在获取风扇、电解电容和MOSFET寿命预估函数时的便捷度。
基于上述实施例,本实施例对技术方案作进一步的说明与优化,作为一种优选的实施方式,上述步骤:获取PSU在当前运行状态下的运行负载值的过程,包括:
利用功率测量芯片获取PSU在当前运行状态下的运行负载值。
因为功率测量芯片的内部不仅设置有振荡器、参考电源等器件,而且,还设置有很多不同功能的***电路模块,所以,通过功率测量芯片来测量PSU在当前运行状态下的运行负载值,就可以进一步提高PSU运行负载值的测量精度。
基于上述实施例,本实施例对技术方案作进一步的说明与优化,作为一种优选的实施方式,上述步骤:分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数的过程之后,还包括:
将第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数烧录至EEPROM;
其中,EEPROM为预先添加在PSU的控制板上的存储器。
由于在确定风扇、电解电容和MOSFET的使用寿命时,需要分别使用第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数来估算风扇的使用寿命、电解电容的使用寿命以及MOSFET的使用寿命。因此,在本实施例中,为了提高PSU使用寿命的计算速度,还可以预先将第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数烧录到EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only,电可擦写可编程只读存储器)中。需要说明的是,EEPROM为预先添加在PSU控制板上的存储器。
能够想到的是,当将第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数提前烧录到EEPROM中时,就可以更加便于后续计算流程对三个寿命预估函数的调用,由此就可以进一步提高在确定PSU使用寿命时的计算速度。并且,由于EEPROM是一种掉电后存储数据不会发生丢失的存储芯片,所以,当将第一寿命预估函数、第二预估函数和第三预估函数烧录到EEPROM时,还可以保证相关数据在存储过程中的安全性与可靠性。
作为一种优选的实施方式,上述预测方法还包括:
预先将风扇、电解电容和MOSFET在出厂时所对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值烧录至EEPROM;
从EEPROM中调取第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值,并根据第一出厂寿命值、第二出厂寿命值、第三出厂寿命值、第一寿命值、第二寿命值和第三寿命值分别确定风扇、电解电容和MOSFET在当前运行状态下的剩余使用寿命,得到第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值;
若第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值中的最短寿命值小于预设值,则提示预警信息。
可以理解的是,在使用PSU对服务器进行供电时,在大多数的应用场景下,人们都会更为关注PSU能够为服务器进行供电的剩余寿命,从而决定是否要对服务器中的PSU进行更换。
在本实施例中,为了计算得到PSU的剩余寿命,是预先将风扇、电解电容和MOSFET在出厂时所对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值烧录到EEPROM当中。在计算PSU的剩余寿命时,首先从EEPROM中调取出与风扇、电解电容和MOSFET相对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值。
当从EEPROM中调取出与风扇、电解电容和MOSFET相对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值时,则将第一出厂寿命值和第一寿命值作差就可以求取出PSU中风扇的剩余寿命,也即,与风扇剩余寿命相对应的第一剩余寿命;将第二出厂寿命值与第二寿命值作差就可以求取出PSU中电解电容的剩余寿命,也即,与电解电容剩余寿命相对应的第二剩余寿命值;将第三出厂寿命值与第三寿命值作差就可以求取出PSU中MOSFET的剩余寿命,也即,与MOSFET剩余寿命相对应的第三剩余寿命值。
当求取出PSU中风扇的第一剩余寿命值、电解电容的第二剩余寿命值以及MOSFET的第三剩余寿命值时,通过求取第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值中的最小寿命值就可以确定出PSU的剩余寿命。也即,第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值中的最小值即为PSU的剩余寿命。如果第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值中的最短寿命值小于预设值,则说明服务器中的PSU已经处于电量耗尽的边缘,能够为服务器提供电能来源的时间不是很长,此时为了提醒工作人员注意到该情况,就可以向工作人员提示预警信息。具体的,在实际应用中,可以将预设值设置为三个月或者是其它时长,只要能够达到实际应用目的即可。
显然,通过本实施例所提供的技术方案,就可以进一步保证PSU在向服务器进行供电时的整体可靠性。
作为一种优选的实施方式,上述预测方法还包括:
将第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值中的最短寿命值存储至目标寄存器,以使服务器能够从目标寄存器查询PSU的剩余寿命。
可以理解的是,PSU作为服务器中的供电模块,PSU并不具有独立的操作控制***。因此,为了使得服务器能够实时观测到PSU的剩余寿命,还可以将PSU中与风扇相对应的第一剩余寿命值、与电解电容相对应的第二剩余寿命值以及与MOSFET相对应的第三剩余寿命值存储到目标寄存器中,从而使得服务器通过观察目标寄存器中所存储的数据就可以及时知悉到PSU的剩余寿命,并根据PSU的剩余寿命对PSU进行及时更换与处理。
显然,通过本实施例所提供的技术方案,就可以进一步提高人们在使用服务器时的用户体验。
请参见图2,图2为本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测装置的结构图,该预测装置包括:
函数获取模块21,用于分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;
参数获取模块22,用于获取PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及风扇的第一运行温度值和目标运转速度;
第一确定模块23,用于基于第一寿命预估函数,并根据运行负载值、第一运行温度值和目标运转速度确定风扇的使用寿命,得到第一寿命值;
温度值获取模块24,用于分别获取电解电容和MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;
第二确定模块25,用于基于第二寿命预估函数,并根据运行负载值和第二运行温度值确定电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;
第三确定模块26,用于基于第三寿命预估函数,并根据运行负载值和第三运行温度值确定MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;
寿命判定模块27,用于将第一寿命值、第二寿命值和第三寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。
本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测装置,具有前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法所具有的有益效果。
请参见图3,图3为本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测设备的结构图,该预测设备包括:
存储器31,用于存储计算机程序;
处理器32,用于执行计算机程序时实现如前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法的步骤。
本发明实施例所提供的一种PSU使用寿命的预测设备,具有前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法所具有的有益效果。
相应的,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法的步骤。
本发明实施例所提供的一种计算机可读存储介质,具有前述所公开的一种PSU使用寿命的预测方法所具有的有益效果。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处,各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种PSU使用寿命的预测方法、装置、设备及介质进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种PSU使用寿命的预测方法,其特征在于,包括:
分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;
获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及所述风扇的第一运行温度值和目标运转速度;
基于所述第一寿命预估函数,并根据所述运行负载值、所述第一运行温度值和所述目标运转速度确定所述风扇的使用寿命,得到第一寿命值;
分别获取所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;
基于所述第二寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第二运行温度值确定所述电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;
基于所述第三寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第三运行温度值确定所述MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;
将所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值中的最短寿命值判定为所述PSU的使用寿命。
2.根据权利要求1所述的预测方法,其特征在于,所述分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数的过程,包括:
从所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET的出厂手册中分别获取所述PSU中所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET的寿命预估函数,得到所述第一寿命预估函数、所述第二寿命预估函数和所述第三寿命预估函数。
3.根据权利要求1所述的预测方法,其特征在于,所述获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值的过程,包括:
利用功率测量芯片获取所述PSU在当前运行状态下的所述运行负载值。
4.根据权利要求1至3任一项所述的预测方法,其特征在于,所述分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数的过程之后,还包括:
将所述第一寿命预估函数、所述第二寿命预估函数和所述第三寿命预估函数烧录至EEPROM;其中,所述EEPROM为预先添加在所述PSU的控制板上的存储器。
5.根据权利要求4所述的预测方法,其特征在于,还包括:
预先将所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET在出厂时所对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值烧录至所述EEPROM;
从所述EEPROM中调取所述第一出厂寿命值、所述第二出厂寿命值和所述第三出厂寿命值,并根据所述第一出厂寿命值、所述第二出厂寿命值、所述第三出厂寿命值、所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值分别确定所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的剩余使用寿命,得到第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值;
若所述第一剩余寿命值、所述第二剩余寿命值和所述第三剩余寿命值中的最短寿命值小于预设值,则提示预警信息。
6.根据权利要求5所述的预测方法,其特征在于,还包括:
将所述第一剩余寿命值、所述第二剩余寿命值和所述第三剩余寿命值中的最短寿命值存储至目标寄存器,以使服务器能够从所述目标寄存器查询所述PSU的剩余寿命。
7.一种PSU使用寿命的预测装置,其特征在于,包括:
函数获取模块,用于分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;
参数获取模块,用于获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及所述风扇的第一运行温度值和目标运转速度;
第一确定模块,用于基于所述第一寿命预估函数,并根据所述运行负载值、所述第一运行温度值和所述目标运转速度确定所述风扇的使用寿命,得到第一寿命值;
温度值获取模块,用于分别获取所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;
第二确定模块,用于基于所述第二寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第二运行温度值确定所述电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;
第三确定模块,用于基于所述第三寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第三运行温度值确定所述MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;
寿命判定模块,用于将所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值中的最短寿命值判定为所述PSU的使用寿命。
8.一种PSU使用寿命的预测设备,其特征在于,包括:
存储器,用于存储计算机程序;
处理器,用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任一项所述的一种PSU使用寿命的预测方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的一种PSU使用寿命的预测方法的步骤。
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