CN113846287A - 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法 - Google Patents

金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113846287A
CN113846287A CN202111115763.7A CN202111115763A CN113846287A CN 113846287 A CN113846287 A CN 113846287A CN 202111115763 A CN202111115763 A CN 202111115763A CN 113846287 A CN113846287 A CN 113846287A
Authority
CN
China
Prior art keywords
concave portion
etching
metal mask
hollow
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111115763.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113846287B (zh
Inventor
刘月
白珊珊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202111115763.7A priority Critical patent/CN113846287B/zh
Publication of CN113846287A publication Critical patent/CN113846287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113846287B publication Critical patent/CN113846287B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法,所述金属掩膜版,包括:板体,所述板体上具有多个像素过孔,第一凹部和第二凹部,所述第一凹部形成在所述板体的一侧,所述第二凹部形成在所述板体相对的另一侧,所述第一凹部与所述第二凹部连通以限定出所述像素过孔,所述第一凹部的外轮廓线与所述像素过孔的一致,所述第二凹部的刻蚀深度大于所述第一凹部的刻蚀深度。由此,可以改善金属掩膜版的受力,降低应力集中,进而在确保像素过孔与需求外形轮廓一致的前提下,使第二凹部的深度更深,可以使板体的受力分布均匀性更好,在受到拉力时,金属掩膜版的变形量更小,降低拉伸褶皱。

Description

金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法
技术领域
本发明涉及金属掩膜版技术领域,尤其是涉及一种金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲等优点在显示面板领域占比逐渐增大,有机电致显示面板的上的像素是通过金属掩膜版加工得出的,有机发光材料通过金属掩膜版上的像素开孔沉积在基板上,实现器件的电致发光。
现有技术中,金属掩膜版通过照相平板印刷术在金属基板上刻蚀出贯通孔,形成掩膜版上的像素开孔,相邻的像素开孔之间形成梁结构,当像素开孔为异形孔时,多个梁结构的形状不规则、分布不均匀,当金属掩膜版受到拉力时,像素开孔区域的应力分布不均匀,会导致金属掩膜版出现较大的褶皱变形。
发明内容
本发明旨在至少解决对比例的中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种金属掩膜版,所述金属掩膜版的梁结构分布更加规整,可以改善应力分布,降低拉伸褶皱。
本申请进一步提出了一种金属掩膜版的加工方法。
根据本申请第一方面实施例的金属掩膜版,包括:板体,所述板体上具有多个像素过孔,第一凹部和第二凹部,所述第一凹部形成在所述板体的一侧,所述第二凹部形成在所述板体相对的另一侧,所述第一凹部与所述第二凹部连通以限定出所述像素过孔,所述第一凹部的外轮廓线与所述像素过孔的一致,所述第二凹部的刻蚀深度大于所述第一凹部的刻蚀深度。
根据本申请实施例的金属掩膜版,通过使第一凹部的外形轮廓与像素过孔一致,并使第二凹部的深度大于第一凹部的深度,可以改善金属掩膜版的受力,降低应力集中,进而在确保像素过孔与需求外形轮廓一致的前提下,使第二凹部的深度更深,可以使板体的受力分布均匀性更好,在受到拉力时,金属掩膜版的变形量更小,降低拉伸褶皱。
根据本申请的一些实施例,所述第二凹部的外轮廓线为凸多边形。
进一步地,所述凸多边形为偶数边形。
进一步地,所述第二凹部的几何中心与所述像素过孔的几何中心间隔开。
在一些实施例中,所述第二凹部的多个边角区域均形成为圆弧过度。
进一步地,所述第二凹部的外轮廓线与所述第一凹部的外轮廓线一致,且所述第二凹部的外形轮廓大于所述第一凹部的外形轮廓。
根据本申请的一些实施例,所述第一凹部的尺寸大于所述像素过孔的尺寸。
在一些实施例中,所述第一凹部、所述像素过孔以及所述第二凹部均呈阵列排布。
在一些实施例中,相邻的所述第二凹部之间间隙,间隙区域的外表面与所述板体的外表面平齐。
根据本申请第二方面实施例的金属掩膜版的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:待加工基板具有相对的第一侧面和第二侧面,在所述第一侧面上涂覆第一抗蚀层,在所述第二侧面上涂覆第二抗蚀层;所述第一抗蚀层上具有与第一凹部对应第一镂空区,所述第二抗蚀层上具有与所述第二凹部对应的第二镂空区,对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀,以得到第一凹部、第二凹部和像素过孔,所述第一镂空区的外轮廓线与所述像素过孔的一致,所述第二凹部的刻蚀深度大于所述第一凹部的刻蚀深度。
在一些实施例中,所述第二镂空区构造为凸多边形。
在一些实施例中,所述第二镂空区的外轮廓线与所述第一镂空区的外轮廓线一致,且所述第二镂空区的外形轮廓大于所述第一镂空区的外形轮廓。
根据本申请的一些实施例,所述加工方法还包括:在所述第一侧面上涂覆第一抗蚀层,在所述第二侧面上涂覆第二抗蚀层后,对所述待加工基板进行图案化曝光显影;其中所述第一抗蚀层和所述第二抗蚀层均构造为感光性抗蚀层。
进一步地,所述对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:进行第一镂空区刻蚀,以得到第一凹部;在第一凹部内填充耐刻蚀层;进行第二镂空区刻蚀,以得到第二凹部;其中所述耐刻蚀层构造为树脂材料层。
进一步地,所述对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:进行第二镂空区刻蚀,以得到第二凹部;在第二凹部内填充耐刻蚀层;进行第一镂空区刻蚀,以得到第一凹部;其中所述耐刻蚀层构造为树脂材料层。
进一步地,所述对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:同步进行所述第一镂空区和所述第二镂空区的刻蚀,以得到第一凹部和第二凹部。
根据本申请的一些实施例,所述加工方法还包括:得到所述像素过孔后,对所述待加工基板通过剥离液进行剥离,以得到所述金属掩膜版;其中所述剥离液为碱系剥离液。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本申请实施例的金属掩膜版的剖视示意图;
图2第一实施例的像素发光区与像素过孔配合的示意图;
图3是图2对应的第一实施例的金属掩膜版的第一侧面的示意图;
图4是图2对应的第一实施例的金属掩膜版的第二侧面的示意图;
图5是对比例的像素发光区与像素过孔配合的示意图;
图6是图5对应的对比例的以及本申请的金属掩膜版的第一侧面的示意图;
图7是图5对应的对比例的金属掩膜版的第二侧面的示意图;
图8是图5对应的本申请第二实施例的的金属掩膜版的第二侧面的示意图;
图9是本申请第三实施例的像素发光区与像素过孔配合的示意图;
图10是图9对应的本申请第三实施例的金属掩膜版的第一侧面的示意图;
图11是图9对应的本申请第三实施例的金属掩膜版的第二侧面的示意图;
图12-图15是本申请实施例的金属掩膜版的加工状态示意图。
图16是本申请实施例的金属掩膜版的加工方法的流程图。
附图标记:
金属掩膜版100,第一抗蚀层200,第二抗蚀层300,耐刻蚀层400,
板体10,像素过孔11,
第一凹部20,第二凹部30,
第一镂空区a,第二镂空区b,像素发光区c,梁结构d。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
首先,如图1所示,金属掩膜版100的两侧分别具有第一凹部20和第二凹部30,第一凹部20与第二凹部30连通以限定出像素过孔11,在显示面板的加工过程中,有机电致发光材料可以在经过蒸镀后穿过像素过孔11以沉积在面板基板上,从而得到满足使用需求的像素阵列。
然而,在加工过程中,金属掩膜版100会受到一定的拉力作用,如图5所示,在对比例(即现有技术)中,金属掩膜版100的像素过孔11构造为异形孔,此时第一凹部20的几何排布、第二凹部30的几何排布规整度较低(参见图6和图7所示),相邻的像素过孔11之间的梁结构d的分布不合理,容易产生应力集中,导致金属掩膜版100受拉力后产生的褶皱变形较大。
基于此,本申请提出了一种金属掩膜版100,可以有效降低金属掩膜版100受到拉力后产生的褶皱变形。
下面参考图1-图16描述根据本发明实施例的金属掩膜版100以及金属掩膜版100的加工方法。
如图1、图8-图11所示,根据本申请实施例的金属掩膜版100,包括:板体10、第一凹部20和第二凹部30。
其中,板体10上具有多个像素过孔11,第一凹部20形成在板体10的一侧,第二凹部30形成在板体10相对的另一侧,第一凹部20与第二凹部30连通以限定出像素过孔11,第一凹部20的外轮廓线与像素过孔11的一致,第二凹部30的刻蚀晨读大于第一凹部20的蚀刻深度。
从而,可以通过第一凹部20限定出符合使用需求的像素过孔11,即得到与需求外形轮廓一致的像素过孔11,并使第一凹部20深度小于第二凹部30的深度(如图1和图15所示),第二凹部30的刻蚀晨读大于第一凹部20的蚀刻深度。
根据本申请实施例的金属掩膜板100,通过使第一凹部20的外形轮廓与像素过孔11一致,并使第二凹部30的深度大于第一凹部20的深度,可以改善金属掩膜版100的受力,降低应力集中,进而在确保像素过孔11与需求外形轮廓一致的前提下,使第二凹部30的深度更深,可以使板体10的受力分布均匀性更好,在受到拉力时,金属掩膜版100的变形量更小,降低拉伸褶皱。
下面以三个具体的实施例,对本申请的金属掩膜版100的结构进行具体地说明。
如图2所示,在第一实施例中,第二凹部30的额外轮廓线与第一凹部20的外轮廓线一致,且第二凹部30的外形轮廓大于第一凹部20的外形轮廓。
即第一实施例中的金属掩膜版100的像素过孔11大体呈矩形,构造为规整图形,对应金属掩膜版100的多个第一凹部20的几何排布、第二凹部30的几何排布均较规整(参见图3和图4所示),当金属掩膜版100受到拉力时,相邻的像素过孔11之间的应力分布较均匀,且深度更大的第二凹部30可以均匀受力,以使金属掩膜版100产生的褶皱较小。
如图8-图11所示,在第二实施例和第三实施例中,第二凹部30在板体10的厚度方向上的投影为凸多边形。
对应可以使呈凸多边形的区域的厚度在板体10的厚度方向上的占比更大,且第一凹部20和第二凹部30形成在板体10在厚度方向上的两侧,第一凹部20的低端轮廓与第二凹部30的低端重合(即连通)以限定出像素过孔11,像素过孔11用于避让需要沉积在显示基板上的有机电致发光材料。
可以理解的是,相邻的像素过孔11之间的区域形成为板体10的梁结构d,位于板体10厚度方向的一侧上的梁结构d包括:第一凹部20的实体部分以及相邻的第一凹部20之间的实体部分,位于板体10厚度方向的另一侧上的梁结构d包括:第二凹部30的实体部分以及相邻的第二凹部30之间的实体部分。
进而,使第二凹部30在板体10厚度方向上的投影呈凸多边形,即在俯视方向上,第二凹部30的外形轮廓呈凸多边形,可以使第二凹部30与相邻的第二凹部30之间的实体部分限定出的梁结构d的整体分布更加合理,在板体10的厚度方向上的投影上梁结构d的投影轮廓为多个相邻的凸多边形(参见图8、图11所示),以改善板体10的受力分布,使板体10的受力更加均匀。
需要说明的是,凸多边形(Convex Polygon)是指:一个多边形的所有边中的任意一条边做延长线,其他各边都在延长线的同一侧的多边形,例如:三角形、四边形、六边形等,结构稳定性高,可以改善结构受力。
根据本申请实施例的金属掩膜版100,通过使第二凹部30在板体10厚度方向上的投影呈凸多边形,可以改善金属掩膜版100的受力分布,以减少金属掩膜版100受拉力后产生的褶皱变形,有效地降低拉伸褶皱,使蒸镀过程中有机发光电致材料的沉积精度更高,以提高加工精度。
在图8和图11所示的具体的实施例中,第二凹部30的多个边角区域均形成为圆弧过度。
换言之,凸多边形的多个棱角区域形成为圆弧过度,可以进一步改善金属掩膜版100的受力,避免凸多边形的棱角过于尖锐,以改善受力,降低棱角区域的应力集中,以进一步降低褶皱变形。
需要指出的是,在使用金属掩膜版100进行显示面板的加工过程中,金属掩膜版100在第一方向上受到拉伸力作用,在第二方向上对应受到收缩力作用,第一方向与第二方向正交,例如:第一方向可以为纸面长度方向,对应第二方向为纸面宽度方向,而改善受力后,拉伸方向以及收缩方向上的受力分布均更加均匀,可以降低拉伸褶皱。
根据本申请的一些实施例,凸多边形为偶数边形。
具体而言,凸多边形优选采用偶数变形,例如:矩形、六边形,并可以采用正四边形、正六边形结构,使第二凹部30以及相邻的第二凹部30之间的部分所限定出的梁结构d的几何布局更加规整、划一,且正多边形的受力分布更好,结构稳定性更高,可以进一步提高金属掩膜版100的受力分布均匀性。
优选地,在垂直于本体10的截面上,第二侧面的宽度大于第一侧面的宽度。
如图6和图10所示,第一凹部20的尺寸大于像素过孔11的尺寸,且第二凹部30的几何中心与像素过孔11的几何中心间隔开。这样,在金属掩膜板100在第一方希那个受到拉伸力、第二方向受到收缩力作用的过程中,第二凹部30承力分散后,不会直接作用至像素过孔11的几何中心,并通过尺寸更大的第一凹部20在第一侧面进行受力分散,可以进一步避免像素过孔11的外形轮廓产生形变,以提高加工精度。
如图8、图9和图10所示,第一凹部20、像素过孔11以及第二凹部30均呈阵列排布。这样,使第一凹部20、像素过孔11以及第二凹部30的排布对应显示面板上的像素的阵列排布,使金属掩膜版100的结构更加合理。
其中,相邻的第二凹部30之间具有间隙,间隙区域的外表面与板体10的外表面平齐。这样,使相邻的第二凹部30之间具有至少部分未被刻蚀的实体梁部分,可以进一步提高板体10的第二侧面的承力以及受力分散效果,有效避免应力集中。
需要指出的是,图2是第一实施例的像素发光区c与像素过孔11的配合示意图;图5是对比例以及本申请第一实施例的像素发光区c与像素过孔11的配合示意图;图9是本申请第二实施例的像素发光区c与像素过孔11的配合示意图。
综上,由对应对比例的图6、图7以及对应本申请第二实施例的图6和图8可知、第一实施例的图3和图4可知,对比例的板体10一侧的结构与本申请第一实施例的板体10一侧的结构一致,另一侧的结构本申请的受力分布明显优于对比例,由图9-图11可知,本申请第三实施例中的异形像素过孔11的受力分布也明显优于对比例,可以有效降低金属掩膜版100的褶皱变形。
如图16所示,根据本申请实施例的金属掩膜版100的加工方法,加工方法包括以下步骤:
待加工基板具有相对的第一侧面和第二侧面,在第一侧面上涂覆第一抗蚀层200,在第二侧面上涂覆第二抗蚀层300;
第一抗蚀层200上具有与第一凹部20对应第一镂空区a,第二抗蚀层300上具有与第二凹部30对应的第二镂空区b,对第一镂空区a和第二镂空区b通过刻蚀液进行刻蚀,以得到第一凹部20、第二凹部30和像素过孔11,第一镂空区a的外轮廓线与像素过孔11的一致,第二凹部30的刻蚀深度大于第一凹部20的刻蚀深度。
具体而言,如图13所示,在待加工基板厚度方向上的一侧涂覆第一抗蚀层200,在待加工基板的厚度方向上的另一侧涂覆第一抗蚀层200,进而通过刻蚀液进行刻蚀以得到第一凹部20、第二凹部30和像素过孔11。
刻蚀液可以是氯化铁溶液、过硫酸铵蚀刻液等,通过设置第一抗蚀层200和第二抗蚀层300,以在第一侧面和第二侧面上刻蚀出需求形状轮廓,而使第一镂空区a与第一凹部20的形状一致,第二镂空区b的形状与第二凹部30的形状一致,可以确保加工完毕的金属掩膜版100的像素过孔11形状与需求形状一致,并通过凸多边形的第二镂空区b确保成型后的金属掩膜版100的受力均匀性更好,受力后的褶皱变形更小。
根据本申请的一些实施例,加工方法还包括:在第一侧面上涂覆第一抗蚀层200,在第二侧面上涂覆第二抗蚀层300后,对待加工基板进行图案化曝光显影。这样,通过图案化曝光后,第一抗蚀层200和第二抗蚀层300被固化在待加工基板上,以在蚀刻过程中,确保待加工基板的其他区域不会被刻蚀,提高刻蚀精度以及刻蚀效果。
可以理解的是,当第二镂空区b的外轮廓线与第一镂空区a的外轮廓线一致,且第二镂空区b的外形轮廓大于第一镂空区a的外形轮廓时,对应可以采用本申请加工方法,得到第一实施例结构的金属掩膜板100,当第二镂空区b构造为凸多边形时,采用本申请加工方法,可以得到第二实施例或第二实施例结构的金属掩膜板100。
可以理解的是,第一抗蚀层200和第二抗蚀层300均构造为感光性抗蚀层,即光固化胶粘剂、感光胶粘剂,可以在光线作用下固化。
如图13、图14和图15所示,对第一镂空区a和第二镂空区b通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:进行第一镂空区a刻蚀,以得到第一凹部20;在第一凹部20内填充耐刻蚀层400;进行第二镂空区b刻蚀,以得到第二凹部30。
也就是说,先对第一侧面进行第一次刻蚀,刻蚀完毕后,在第一侧面上刻蚀出的第一凹部20内填充耐刻蚀层400,并进行第二次刻蚀,以在第二侧面上刻蚀出第二凹部30。
当然,本申请的刻蚀方法不限于此,在另一些实施例中,可以先进行第二侧面的刻蚀,再进行第一侧面的刻蚀,具体为进行第二镂空区b刻蚀,以得到第二凹部30;在第二凹部30内填充耐刻蚀层400;进行第一镂空区a刻蚀,以得到第一凹部20;
或者同时对第一侧面和第二侧面的蚀刻,以得到第一凹部20和第二凹部30。
需要指出的是,耐刻蚀层400可以是树脂材料层。
如图16所示,根据本申请的一些实施例,加工方法还包括:得到像素过孔11后,对待加工基板通过剥离液进行剥离,以得到金属掩膜版100,即加工完毕后,通过剥离液将固化在第一侧面和第二侧面上的第一抗蚀层200、第二抗蚀层300剥离,得到加工完毕的金属掩膜版100。
其中,剥离液可以为碱系剥离液。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,“第一特征”、“第二特征”可以包括一个或者更多个该特征。
在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中,第一特征在第二特征“之上”或“之下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
在本发明的描述中,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (17)

1.一种金属掩膜版,其特征在于,包括:
板体,所述板体上具有多个像素过孔,
第一凹部和第二凹部,所述第一凹部形成在所述板体的一侧,所述第二凹部形成在所述板体相对的另一侧,所述第一凹部与所述第二凹部连通以限定出所述像素过孔,所述第一凹部的外轮廓线与所述像素过孔的一致,所述第二凹部的刻蚀深度大于所述第一凹部的刻蚀深度。
2.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述第二凹部的外轮廓线为凸多边形。
3.根据权利要求2所述的金属掩膜版,其特征在于,所述凸多边形为偶数边形。
4.根据权利要求2所述的金属掩膜版,其特征在于,所述第二凹部的几何中心与所述像素过孔的几何中心间隔开。
5.根据权利要求2所述的金属掩膜版,其特征在于,所述第二凹部的多个边角区域均形成为圆弧过度。
6.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述第二凹部的外轮廓线与所述第一凹部的外轮廓线一致,且所述第二凹部的外形轮廓大于所述第一凹部的外形轮廓。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的金属掩膜版,其特征在于,所述第一凹部的尺寸大于所述像素过孔的尺寸。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的金属掩膜版,其特征在于,所述第一凹部、所述像素过孔以及所述第二凹部均呈阵列排布。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的金属掩膜版,其特征在于,相邻的所述第二凹部之间具有间隙,间隙区域的外表面与所述板体的外表面平齐。
10.一种金属掩膜版的加工方法,所述金属掩膜版为权利要求1-9中任一项所述的金属掩膜版,其特征在于,所述加工方法包括以下步骤:
待加工基板具有相对的第一侧面和第二侧面,在所述第一侧面上涂覆第一抗蚀层,在所述第二侧面上涂覆第二抗蚀层;
所述第一抗蚀层上具有与第一凹部对应第一镂空区,所述第二抗蚀层上具有与所述第二凹部对应的第二镂空区,对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀,以得到第一凹部、第二凹部和像素过孔,所述第一镂空区的外轮廓线与所述像素过孔的一致,所述第二凹部的刻蚀深度大于所述第一凹部的刻蚀深度。
11.根据权利要求10所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述第二镂空区构造为凸多边形。
12.根据权利要求10所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述第二镂空区的外轮廓线与所述第一镂空区的外轮廓线一致,且所述第二镂空区的外形轮廓大于所述第一镂空区的外形轮廓。
13.根据权利要求10所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述加工方法还包括:在所述第一侧面上涂覆第一抗蚀层,在所述第二侧面上涂覆第二抗蚀层后,对所述待加工基板进行图案化曝光显影;其中所述第一抗蚀层和所述第二抗蚀层均构造为感光性抗蚀层。
14.根据权利要求10所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:
进行第一镂空区刻蚀,以得到第一凹部;
在第一凹部内填充耐刻蚀层;
进行第二镂空区刻蚀,以得到第二凹部;其中所述耐刻蚀层构造为树脂材料层。
15.根据权利要求10所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:
进行第二镂空区刻蚀,以得到第二凹部;
在第二凹部内填充耐刻蚀层;
进行第一镂空区刻蚀,以得到第一凹部;其中所述耐刻蚀层构造为树脂材料层。
16.根据权利要求10所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述对第一镂空区和所述第二镂空区通过刻蚀液进行刻蚀具体包括:
同步进行所述第一镂空区和所述第二镂空区的刻蚀,以得到第一凹部和第二凹部。
17.根据权利要求14-16中任一项所述的金属掩膜版的加工方法,其特征在于,所述加工方法还包括:得到所述像素过孔后,对所述待加工基板通过剥离液进行剥离,以得到所述金属掩膜版;其中所述剥离液为碱系剥离液。
CN202111115763.7A 2021-09-23 2021-09-23 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法 Active CN113846287B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111115763.7A CN113846287B (zh) 2021-09-23 2021-09-23 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111115763.7A CN113846287B (zh) 2021-09-23 2021-09-23 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113846287A true CN113846287A (zh) 2021-12-28
CN113846287B CN113846287B (zh) 2023-12-01

Family

ID=78978950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111115763.7A Active CN113846287B (zh) 2021-09-23 2021-09-23 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113846287B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207966988U (zh) * 2018-01-02 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置
CN109994506A (zh) * 2018-01-02 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置
US20190378984A1 (en) * 2016-12-14 2019-12-12 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask device and method of manufacturing deposition mask device
CN110699637A (zh) * 2019-10-17 2020-01-17 昆山国显光电有限公司 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法
CN112662994A (zh) * 2020-12-04 2021-04-16 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及其制备方法
CN112750863A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 显示背板、掩膜版组件和显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190378984A1 (en) * 2016-12-14 2019-12-12 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask device and method of manufacturing deposition mask device
CN207966988U (zh) * 2018-01-02 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置
CN109994506A (zh) * 2018-01-02 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置
CN110699637A (zh) * 2019-10-17 2020-01-17 昆山国显光电有限公司 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法
CN112750863A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 显示背板、掩膜版组件和显示装置
CN112662994A (zh) * 2020-12-04 2021-04-16 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113846287B (zh) 2023-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101139323B1 (ko) 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법
CN105845711B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR100790866B1 (ko) 컬러 필터용 블랙 매트릭스 및 그 제조방법
US20160026089A1 (en) Mask plate and manufacturing method thereof
US20200303687A1 (en) Manufacturing method of oled display panel
CN110699637B (zh) 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法
CN112662994B (zh) 掩膜版及其制备方法
CN109072404B (zh) 蒸镀用金属掩模
CN113846287A (zh) 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法
JP2001068267A5 (zh)
US5484074A (en) Method for manufacturing a shadow mask
KR20090003014A (ko) 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
US4077717A (en) Apparatus for making a color selection mask for a color cathode ray tube
CN109817692B (zh) 像素界定层、彩色滤光膜及制造方法、自发光显示面板
KR101676120B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐 및 이의 제조방법
KR101469441B1 (ko) 더미 패턴을 갖는 유기발광디스플레이 제조용 새도우 마스크 제조 방법
CN115261785B (zh) 一种掩膜版及掩膜版组件
CN115161591B (zh) 一种片状掩膜版的制作方法
KR100538033B1 (ko) 슬롯형 새도우 마스크 및 그 제조 방법
CN114032497B (zh) 金属掩模的制作方法及金属掩模
CN212223083U (zh) 掩膜板
KR0183469B1 (ko) 평판 표시소자 및 그 제조방법
KR100526698B1 (ko) 기판 인쇄용 스크린
CN118007068A (zh) 金属遮罩及其制造方法
KR19990015477A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant