CN113817981B - 掩膜版及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜版及其制作方法，所述制作方法包括：提供具有第一厚度的绝缘基底；在所述绝缘基底的正面形成磁性金属层，在所述绝缘基底的背面形成阻挡层；图形化所述阻挡层，以在所述阻挡层表形成窗口，所述窗口露出所述绝缘基底；基于图形化后的所述阻挡层，将所述窗口露出的所述绝缘基底减薄至第二厚度；图形化所述磁性金属层，在所述磁性金属层对应所述窗口的区域形成多个第一通孔；基于图形化的所述磁性金属层，在所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置，形成贯穿所述绝缘基底的第二通孔。应用本发明提供的技术方案，实现了掩膜版的高精度与低形变量。
Description
技术领域
本发明涉及掩膜版制作技术领域，尤其是涉及一种掩膜版及其制作方法。
背景技术
随着技术发展，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置日益深入人们的生活。在OLED显示装置的制备工艺中，广泛应用精细金属掩膜板(FineMetalMask，简称FMM)的小分子蒸镀技术，应用多层金属掩膜板，通过金属掩膜板中的开口将有机发光材料蒸镀到薄膜晶体管背板的特定位置，从而实现彩色显示。
现有技术中，金属掩膜版由于受到金属材料的限制，加工精度只能到20-50μm左右，仅能实现50μm以上的像素图形化，随着像素越来越高，金属掩膜版已无法满足工艺需求。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种掩膜版及其制作方法，方案如下：
一种掩膜版的制作方法，所述制作方法包括：
提供具有第一厚度的绝缘基底；
在所述绝缘基底的正面形成磁性金属层，在所述绝缘基底的背面形成阻挡层；
图形化所述阻挡层，以在所述阻挡层表形成窗口，所述窗口露出所述绝缘基底；
基于图形化后的所述阻挡层，将所述窗口露出的所述绝缘基底减薄至第二厚度；
图形化所述磁性金属层，在所述磁性金属层对应所述窗口的区域形成多个第一通孔；
基于图形化的所述磁性金属层，在所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置，形成贯穿所述绝缘基底的第二通孔。
优选的，在上述的制作方法中，所述第一厚度为200μm-500μm，所述第二厚度为10μm-30μm。
优选的，在上述的制作方法中，所述绝缘基底为氧化硅基板；
所述磁性金属层为铁、钴和镍中的任一种或是多种合金；
所述阻挡层为铬、钨、多晶硅和氮化硅中的任一种。
优选的，在上述的制作方法中，所述阻挡层为金属；
图形化所述阻挡层的方法包括：
在所述阻挡层表面形成第一光刻胶层，在所述磁性金属表面形成第二光刻胶层；
图形化所述第一光刻胶层，露出所述窗口位置的所述阻挡层；
将所述绝缘基底浸没在第一刻蚀试剂中，以刻蚀所述阻挡层，形成所述窗口。
优选的，在上述的制作方法中，在形成所述第一光刻胶层之前，还包括：
对所述阻挡层表面进行粗化处理，以增加所述第一光刻胶层的附着力。
优选的，在上述的制作方法中，图形化所述磁性金属层的方法包括：
去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层；
在所述磁性金属层表面形成第三光刻胶层；
图形化所述第三光刻胶层，在所述光刻胶层对于所述第一通孔的位置形成第三通孔；
采用第一比例的Cl2和Ar对所述磁性金属层进行干法刻蚀，以形成所述第一通孔。
优选的，在上述的制作方法中，形成所述第二通孔的方法包括：
采用第二比例的C4F8和O2对所述绝缘基底进行干法刻蚀，以形成所述第二通孔；
去除所述第三光刻胶层；
其中，所述第二比例大于所述第一比例。
优选的，在上述的制作方法中，减薄所述绝缘基底的方法包括：
将所述绝缘基底浸没在第二刻蚀试剂中，基于刻蚀速率和时间，将所述窗口位置的绝缘基底刻蚀至所述第二厚度。
本发明还提供一种掩膜版，所述掩膜版包括：
具有第一厚度的绝缘基底；
设置在所述绝缘基底背面的阻挡层，所述阻挡层具有窗口；所述绝缘基底在所述窗口的位置具有凹槽，以使得所述绝缘基底在对应所述窗口的区域具有第二厚度；
设置在所述绝缘基底正面的磁性金属层，所述磁性金属层对应所述窗口的区域具有多个第一通孔；
其中，所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置具有贯穿所述绝缘基底的第二通孔。
优选的，在上述的掩膜版中，所述绝缘基底为氧化硅基板；
所述磁性金属层为铁、钴和镍中的任一种或是多种合金；
所述阻挡层为铬、钨、多晶硅和氮化硅中的任一种。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的掩膜版及其制作方法中，通过在绝缘基底的背面形成阻挡层，并图形化阻挡层，基于图形化后的阻挡层对绝缘基底进行减薄，进一步的，在绝缘基底的正面形成磁性金属层，并图形化磁性金属层，基于图形化后的磁性金属层，在绝缘基底对应的第一通孔的位置形成贯穿绝缘基底的第二通孔，形成高深宽比的镂空图形，实现了高精度，在掩膜版使用过程中，磁性金属层能在设备磁场的作用下产生向上的磁场力，可以中和镂空部分由于重力原因造成向下的弯曲，达到了低形变量的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1-图12为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法的工艺流程图；
图13为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在微纳加工领域，有机材料和二维材料开始有越来越多的应用，但有机材料和二维材料的图形化加工，受限于材料的高敏感性，无法使用常规的光刻、镀膜、剥离、刻蚀工艺，因为这些材料在光刻显影和刻蚀时性能会受到影响，甚至会被完全破坏。例如研究二维材料的电学、光电性质时，一般需要在二维材料上进行高精度的金属电极沉积，这些二维材料极其脆弱，无法进行溶液内工艺操作，也无法承受过刻时的等离子体轰击；又如MicroOLED面板的制作过程中，需要将有机发光材料蒸镀到每一个微米级像素发光区域内。这些材料进行图形化加工时不能使用常规的光刻、镀膜、刻蚀或剥离的工艺，必须使用无光刻技术。常见的无光刻技术一般是金属通孔掩膜版，已经普遍应用在大尺寸OLED面板制作领域。但金属通孔掩膜版由于受到金属材料的限制，加工精度只能到20-50μm左右，仅能实现50μm以上的像素图形化，随着像素越来越高，金属通孔掩膜版已无法满足工艺需求，很多实验室在二维材料上进行金属电极沉积时对电极的最小线宽要求也基本在10μm以下。
因此，为了解决上述问题，本发明提供了一种掩膜版及其制作方法，所述掩膜版的制作方法包括：
提供具有第一厚度的绝缘基底；
在所述绝缘基底的正面形成磁性金属层，在所述绝缘基底的背面形成阻挡层；
图形化所述阻挡层，以在所述阻挡层表面形成窗口，所述窗口露出所述绝缘基底；
基于图形化后的所述阻挡层，将所述窗口露出的所述绝缘基底减薄至第二厚度；
图形化所述磁性金属层，在所述磁性金属层对应所述窗口的区域形成多个第一通孔；
基于图形化的所述磁性金属层，在所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置，形成贯穿所述绝缘基底的第二通孔。
针对上述问题，本发明提供了这样一种高精度低形变量的掩膜版的制作方法，可实现最小线宽2μm，镂空部分最薄20μm，机械强度高，低形变量、可重复利用、图形可定制，方便后层套刻且工艺流程简单。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的掩膜版及其制作方法中，通过在绝缘基底的背面形成阻挡层，并图形化阻挡层，基于图形化后的阻挡层对绝缘基底进行减薄，进一步的，在绝缘基底的正面形成磁性金属层，并图形化磁性金属层，基于图形化后的磁性金属层，在绝缘基底对应的第一通孔的位置形成贯穿绝缘基底的第二通孔，形成高深宽比的镂空图形，实现了高精度，在掩膜版使用过程中，磁性金属层能在设备磁场的作用下产生向上的磁场力，可以中和镂空部分由于重力原因造成向下的弯曲，达到了低形变量的效果。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
参考图1-图12，图1-图12为本发明实施例提供的一种掩膜版的制作方法的工艺流程图，所述制作方法包括：
步骤S11：如图1所示，提供具有第一厚度L的绝缘基底11。
其中，所述绝缘基底11为透光的绝缘基底，如所述绝缘基底11可以为氧化硅基板，氧化硅基板具有较高的透过率，大大方便了后层套刻对准，并且氧化硅材料机械强度高。
所述第一厚度L可以为200μm-500μm，本发明实施例中，可以采用厚度为400μm的氧化硅基板。
步骤S12：如图2所示，在所述绝缘基底11的正面形成磁性金属层12，在所述绝缘基底11的背面形成阻挡层13。
可以在绝缘基底11的正面沉积形成磁性金属层12，所述磁性金属层12可以为铁、钴和镍中的任一种或是多种合金，本发明实施例中，可以采用钴作为磁性金属层12，磁性金属层12能在蒸镀机台的设备磁场作用下产生向上的磁场力，可以中和由于重力原因造成向下的弯曲，从而达到低形变量的效果。其中，蒸镀机台具有电磁线圈，用于产生所述磁场，当基于本申请实施例所述掩膜版镀膜时，所述电磁线圈开启用于产生所述磁场，以使得磁性金属层12产生向上的磁场力，中和由于重力原因造成向下的弯曲，从而达到低形变量的效果。
在绝缘基底11的背面沉积形成阻挡层13，所述阻挡层13为铬、钨、多晶硅和氮化硅中的任一种，本发明实施例中，可以采用铬作为阻挡层13，铬可以提高阻挡层13与绝缘基底11的粘附性，并且几乎不与氢氟酸反应。其他实施例中，也可以采用钨、多晶硅、LPCVD长的氮化硅，与铬不同的是，这些材料后续图形化阻挡层13的时候需采用干法刻蚀进行。
步骤S13：如图3-图5所示，图形化所述阻挡层13，以在所述阻挡层13表面形成窗口，所述窗口露出所述绝缘基底11。
本发明实施例中，图形化阻挡层13的方法包括：
首先，如图3所示，在所述阻挡层13表面形成第一光刻胶层15，在所述磁性金属层12表面形成第二光刻胶层14。本发明实施例中，可以通过涂布方式在阻挡层13表面形第一成光刻胶层15，通过涂布方式在所述磁性金属层12的表面形成第二光刻胶层14，以在后续的工艺中对磁性金属层12进行保护。
然后，如图4所示，图形化所述第一光刻胶层15，露出所述窗口位置的所述阻挡层13。本发明实施例中，可以通过曝光显影刻蚀的方式将窗口位置的光刻胶层15去除，露出窗口位置的阻挡层13。
最后，如图5所示，将所述绝缘基底11浸没在第一刻蚀试剂中，以刻蚀所述阻挡层13，形成所述窗口。其中，所述第一刻蚀试剂可以为硝酸铈铵刻蚀液。本发明实施例中，可以将绝缘基底11浸没在硝酸铈铵刻蚀液中，利用图4中图形化的第一光刻胶层15做掩膜，将窗口区域的金属铬刻蚀掉，露出绝缘基底11表面。
本发明实施例中，在形成所述第一光刻胶层15之前，还包括：对所述阻挡层13表面进行粗化处理，以增加所述第一光刻胶层15的附着力。本发明实施例中，为了增加第一光刻胶层15与阻挡层13的附着力，可以通过等离子体对阻挡层13表面进行处理，如通过Ar形成的等离子体轰击阻挡层13的表面，以增加表面粗糙度，以提高对第一光刻胶层15的粘附性。其中，所述阻挡层13可以为金属铬。
步骤S14：如图6所示，基于图形化后的所述阻挡层13，将所述窗口露出的所述绝缘基底11减薄至第二厚度M。
所述第一厚度L远大于所述第二厚度M，如所述第一厚度M大于10倍的所述第二厚度M。其中，所述第二厚度M可以为10μm-30μm，例如，可以为20μm。基于本发明实施例第一厚度L和第二厚度M的设置，可以在绝缘基底11上形成一凹槽，方便清洗和重复使用，提高使用寿命。
本发明实施例中，减薄所述绝缘基底的方法包括：
将所述绝缘基底11浸没在第二刻蚀试剂中，基于刻蚀速率和时间，将所述窗口位置的绝缘基底11刻蚀至所述第二厚度M。当绝缘基底11材料以及第二刻蚀试剂已知，绝缘基底11在第二刻蚀试剂中的刻蚀速率是已知参数，由于第一厚度L已知，故可以基于刻蚀速率和时间，控制刻蚀后的第二厚度M。其中，所述第二刻蚀试剂可以为40％氢氟酸刻蚀液。
本发明实施例中，可以将绝缘基底11浸泡在质量分数40％氢氟酸刻蚀液中，利用图5中绝缘基底11背面的阻挡层13和第一光刻胶层15作为掩膜，对背面窗口位置的绝缘基底11进行刻蚀，控制刻蚀速率和时间，直至窗口位置的绝缘基底11剩下第二厚度M，形成如图6所示结构。
步骤S15：如图7-图10所示，图形化所述磁性金属层12，在所述磁性金属层12对应所述窗口的区域形成多个第一通孔17。
可以通过曝光、显影、刻蚀的方式对磁性金属层12进行图形化，图形化所述磁性金属层12的方法，包括：
首先，如图7所示，去除所述第一光刻胶层15和所述第二光刻胶层14。本发明实施例中，在将绝缘基底11减薄至第二厚度M之后，可以利用丙酮试剂将绝缘基底11正反面的第一光刻胶层15和第二光刻胶层14去除掉。
然后，如图8所示，在所述磁性金属层12表面形成第三光刻胶层16。可以通过涂布工艺形成第三光刻胶层16。
再然后，如图9所示，图形化所述第三光刻胶层16，在所述第三光刻胶层16对于所述第一通孔17的位置形成第三通孔18。可以通过光刻显影的方式图形化第三光刻胶层16，形成多个第三通孔18。
最后，如图10所示，采用第一比例的Cl2和Ar对所述磁性金属层12进行干法刻蚀，以形成所述第一通孔17。本发明实施例中，可以利用第三通孔18作为掩膜，采用气体比例Cl2：Ar＝1:1～1:8的方式对磁性金属层12进行干法刻蚀，将需要镂空的区域的磁性金属层12刻蚀掉，直到刻到绝缘基底11表面，形成第一通孔17。第一通孔17和第三通孔18一一对应，基于第三通孔18，在磁性金属层12对应每个第三通孔18的区域下方分别形成一个第一通孔17。其中，可以基于需求设置第三通孔18的数量，可以为500-1500个，如1000个。
步骤S16：如图11-图12所示，基于图形化的所述磁性金属层12，在所述绝缘基底11对应所述第一通孔17的位置，形成贯穿所述绝缘基底11的第二通孔19。
在绝缘基底11对应上述窗口的位置减薄至第二厚度M，形成凹槽，在该凹槽底部形成贯穿绝缘基底的第二通孔19，第二通孔19具有高深宽比，方便清洗和重复使用。而且采用氧化硅的绝缘基底11，可以刻蚀形成侧壁光滑的镂空结构，方便金属石英掩膜版清洗和重复利用，增加掩膜版寿命。
本发明实施例中，形成所述第二通孔19的方法，包括：
首先，如图11所示，采用第二比例的C4F8和O2对所述绝缘基底11进行干法刻蚀，以形成所述第二通孔19。其中，所述第二比例大于所述第一比例。本发明实施例中，可以基于图10中图形化的磁性金属层12，在绝缘基底11对应第一通孔17的位置，采用气体比例C4F8和O2＝10:1～40:1的方式，并利用剩下的磁性金属层12和第三光刻胶层16做掩膜对绝缘基底11进行高深宽比刻蚀，将需要镂空的图形区域的绝缘基底11刻蚀穿，形成第二通孔19。
然后，如图12所示，去除所述第三光刻胶层16。本发明实施例中，干法刻蚀中可能会使得第三光刻胶层16loss完，主要是靠磁性金属层12作为绝缘基底11掩膜，为了保持样品的清洁，可以使用丙酮溶液去除剩余的第三光刻胶层16，并清洗样品。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的掩膜版的制作方法中，通过在绝缘基底的背面形成阻挡层，并图形化阻挡层，基于图形化后的阻挡层对绝缘基底进行减薄，进一步的，在绝缘基底的正面形成磁性金属层，并图形化磁性金属层，基于图形化后的磁性金属层，在绝缘基底对应的第一通孔的位置形成贯穿绝缘基底的第二通孔，形成高深宽比的镂空图形，实现了高精度，在掩膜版使用过程中，磁性金属层能在设备磁场的作用下产生向上的磁场力，可以中和镂空部分由于重力原因造成向下的弯曲，达到了低形变量的效果。
基于上述实施例，本发明另一个实施例还提供了一种掩膜版，该掩膜版如图13所示，图13为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图。所述掩膜版采用上述实施例描述的掩膜版的制作方法，实现了掩膜版的高精度，低形变量。
如图13所示，所述掩膜版包括：
具有第一厚度L的绝缘基底11；设置在所述绝缘基底11背面的阻挡层13，所述阻挡层13具有窗口；所述绝缘基底11在所述窗口的位置具有凹槽，以使得所述绝缘基底11在对应所述窗口的区域具有第二厚度M；设置在所述绝缘基底11正面的磁性金属层12，所述磁性金属层12对应所述窗口的区域具有多个第一通孔；其中，所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置具有贯穿所述绝缘基底的第二通孔19。
本发明实施例中，所述绝缘基底11可以为氧化硅基板；所述磁性金属层12可以为铁、钴和镍中的任一种或是多种合金；所述阻挡层13为铬、钨、多晶硅和氮化硅中的任一种。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的掩膜版中，通过在绝缘基底的背面形成阻挡层，并图形化阻挡层，基于图形化后的阻挡层对绝缘基底进行减薄，进一步的，在绝缘基底的正面形成磁性金属层，并图形化磁性金属层，基于图形化后的磁性金属层，在绝缘基底对应的第一通孔的位置形成贯穿绝缘基底的第二通孔，形成高深宽比的镂空图形，实现了高精度，在掩膜版使用过程中，磁性金属层能在设备磁场的作用下产生向上的磁场力，可以中和镂空部分由于重力原因造成向下的弯曲，达到了低形变量的效果。
本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的掩膜版而言，由于其与实施例公开的掩膜版的制作方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供具有第一厚度的绝缘基底；
在所述绝缘基底的正面形成磁性金属层，在所述绝缘基底的背面形成阻挡层；
图形化所述阻挡层，以在所述阻挡层表面形成窗口，所述窗口露出所述绝缘基底；
基于图形化后的所述阻挡层，将所述窗口露出的所述绝缘基底减薄至第二厚度；
图形化所述磁性金属层，在所述磁性金属层对应所述窗口的区域形成多个第一通孔；
基于图形化的所述磁性金属层，在所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置，形成贯穿所述绝缘基底的第二通孔；
其中，在所述掩膜版使用过程中，所述磁性金属层能在设备磁场的作用下产生向上的磁场力，用于中和镂空部分由于重力原因产生的向下弯曲，降低形变量；所述绝缘基底为氧化硅，所述掩膜版为金属石英掩膜版；所述第二厚度为10μm-30μm；所述阻挡层为铬、钨、多晶硅和氮化硅中的任一种。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度为200μm-500μm。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述磁性金属层为铁、钴和镍中的任一种或是多种合金。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为金属；
图形化所述阻挡层的方法包括：
在所述阻挡层表面形成第一光刻胶层，在所述磁性金属表面形成第二光刻胶层；
图形化所述第一光刻胶层，露出所述窗口位置的所述阻挡层；
将所述绝缘基底浸没在第一刻蚀试剂中，以刻蚀所述阻挡层，形成所述窗口。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一光刻胶层之前，还包括：
对所述阻挡层表面进行粗化处理，以增加所述第一光刻胶层的附着力。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，图形化所述磁性金属层的方法包括：
去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层；
在所述磁性金属层表面形成第三光刻胶层；
图形化所述第三光刻胶层，在所述光刻胶层对于所述第一通孔的位置形成第三通孔；
采用第一比例的Cl2和Ar对所述磁性金属层进行干法刻蚀，以形成所述第三通孔。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二通孔的方法包括：
采用第二比例的C4F8和O2对所述绝缘基底进行干法刻蚀，以形成所述第二通孔；
去除所述第三光刻胶层；
其中，所述第二比例大于所述第一比例。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，减薄所述绝缘基底的方法包括：
将所述绝缘基底浸没在第二刻蚀试剂中，基于刻蚀速率和时间，将所述窗口位置的绝缘基底刻蚀至所述第二厚度。
9.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：
具有第一厚度的绝缘基底；
设置在所述绝缘基底背面的阻挡层，所述阻挡层具有窗口；所述绝缘基底在所述窗口的位置具有凹槽，以使得所述绝缘基底在对应所述窗口的区域具有第二厚度；
设置在所述绝缘基底正面的磁性金属层，所述磁性金属层对应所述窗口的区域具有多个第一通孔；
其中，所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置具有贯穿所述绝缘基底的第二通孔；
其中，在所述掩膜版使用过程中，所述磁性金属层能在设备磁场的作用下产生向上的磁场力，用于中和镂空部分由于重力原因产生的向下弯曲，降低形变量；所述绝缘基底为氧化硅，所述掩膜版为金属石英掩膜版；所述第二厚度为10μm-30μm；所述阻挡层为铬、钨、多晶硅和氮化硅中的任一种。
10.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述磁性金属层为铁、钴和镍中的任一种或是多种合金。
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