CN113809249B - 一种电致发光器件、显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例公开了一种电致发光器件、显示基板及显示装置，其中，电致发光器件包括：层叠设置的电子传输层和量子点发光层；离子型配合物层，位于电子传输层与量子点发光层之间；其中，在离子型配合物层内具有内建电场。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种电致发光器件、显示基板及显示装置。
背景技术
量子点(Quantum Dot，简称QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，已成为目前新型发光二级管中发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmittingDiodes，简称QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
发明内容
本公开实施例提供的显示模组，包括：
层叠设置的电子传输层和量子点发光层；
离子型配合物层，位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间；其中，在所述离子型配合物层内具有内建电场。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述电子传输层之间的阴极，位于所述量子点发光层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和阳极；
所述离子型配合物层为位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的独立膜层；所述内建电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述量子点发光层包括量子点、配体以及电荷平衡离子，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物层的离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述电子传输层之间的阴极，位于所述量子点发光层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和阳极；
所述内建电场包括位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的第一电场，以及位于所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的第二电场；其中，
所述第一电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极；
所述第二电场靠近所述空穴传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述电致发光器件为正置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述量子点发光层背向所述电子传输层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述量子点发光层之间依次层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层，以及位于所述电子传输层背向所述衬底基板一侧的阴极；
所述内建电场包括位于所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的第三电场，以及位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的第四电场；其中，
所第三电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极；
所第四电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述离子型配合物层的材料为有机金属配合物。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述离子型配合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中，
所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、2-苯基吡啶、苯基恶二唑吡啶、氟代苯基吡啶或联吡啶中的一种；
所述阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、六(五氟苯基)磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸或六[双(三氟甲基)苯基]磷酸中的一种。
可选地，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，所述电荷平衡离子包括正电荷平衡离子和负电荷平衡离子，其中，
所述正电荷平衡离子包括所述阳离子部分、NH4+或Na+，所述负电荷平衡离子包括所述阴离子部分、Cl-或PF6-。
相应地，本公开实施例还提供了一种显示基板，包括本公开实施例提供的上述电致发光器件。
相应地，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括显示面板，所述显示面板包括本公开实施例提供的上述显示基板。
相应地，本公开实施例还提供了一种电致发光器件的制作方法，包括：
形成层叠设置的电子传输层和量子点发光层，以及在所述电子传输层和所述量子点发光层之间形成离子配合物层；
其中，在所述离子型配合物层内形成内建电场。
可选地，在本公开实施例提供的上述制作方法中，包括：在衬底基板上依次形成阴极、所述电子传输层、独立的所述离子型配合物层、所述量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；其中，
形成独立的所述离子型配合物层，具体包括：
通过旋涂或蒸镀工艺在所述电子传输层上沉积一层离子型配合物薄膜；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得所述离子型配合物薄膜内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述离子型配合物薄膜内部形成内建电场，使得所述内建电场靠近所述电子传输层一侧聚集阴离子形成负极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阳离子形成正极；
在持续施加所述外部电场的条件下或撤去所述外部电场后，通过烘烤工艺对所述离子型配合物薄膜进行烘烤，形成独立的所述离子型配合物层。
可选地，在本公开实施例提供的上述制作方法中，包括：在衬底基板上依次形成阴极、所述电子传输层、独立的所述离子型配合物层、所述量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；其中，
形成独立的所述离子型配合物层，具体包括：
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可选地，在本公开实施例提供的上述制作方法中，包括：
在衬底基板上依次形成阴极和所述电子传输层；
通过旋涂或喷墨印刷的方式将离子型配合物、量子点、配体以及电荷平衡离子的量子点混合溶液形成在所述电子传输层上；其中，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反；
对所述量子点混合溶液进行固化形成所述量子点发光层；
在所述量子点发光层上依次形成空穴传输层和空穴注入层；
其中，在所述电子传输层和所述量子点发光层之间具有第一电场，所述第一电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极；以及在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间具有第二电场，所述第二电场靠近所述空穴传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。
可选地，在本公开实施例提供的上述制作方法中，包括：
在衬底基板上依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层；
通过旋涂或喷墨印刷的方式将离子型配合物、量子点、配体以及电荷平衡离子的量子点混合溶液形成在所述空穴传输层上；其中，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反；
对所述量子点混合溶液进行固化形成所述量子点发光层；
在所述量子点发光层上依次形成电子传输层和阴极；
其中，在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间具有第三电场，所第三电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极；以及在所述电子传输层和所述量子点发光层之间具有第四电场，所第四电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
附图说明
图1A为本公开实施例提供的一种电致发光器件的结构示意图；
图1B为现有技术中电致发光器件中电子传输层与量子点发光层能级示意图；
图1C为本公开实施例提供的电致发光器件中电子传输层与量子点发光层能级示意图；
图2A为本公开实施例提供的又一种电致发光器件的结构示意图；
图2B为现有技术中电致发光器件中电子传输层、空穴传输层与量子点发光层能级示意图；
图2C为本公开实施例提供的电致发光器件中电子传输层、空穴传输层与量子点发光层能级示意图；
图3A为本公开实施例提供的又一种电致发光器件的结构示意图；
图3B为现有技术中电致发光器件中空穴传输层、电子传输层与量子点发光层能级示意图；
图3C为本公开实施例提供的电致发光器件中空穴传输层、电子传输层与量子点发光层能级示意图；
图4A为图2A和图3A中量子点发光层内部的一种结构示意图；
图4B为2A和图3A中量子点发光层内部的又一种结构示意图；
图5A为本公开实施例提供的电致发光器件的制作方法中旋涂工艺示意图；
图5B为本公开实施例提供的电致发光器件的制作方法中烘烤工艺示意图；
图5C为本公开实施例提供的电致发光器件的制作方法中蒸镀工艺示意图。
图6为本公开实施例提供的一种电致发光器件的制作方法流程示意图；
图7为本公开实施例提供的又一种电致发光器件的制作方法流程示意图；
图8为本公开实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
目前，主动式电致量子点发光显示产品(AMQLED)由于其在宽色域、高寿命等方面的潜在优势也得到了越来越广泛的关注，其研究日益深入，量子效率不断提升，基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。但是无论是正置还是倒置器件，载流子平衡都是影响器件效率的因素。
因此，为了解决AMQLED显示面板中载流子平衡的问题，本公开实施例提供了一种电致发光器件，如图1A、图2A和图3A所示，包括：
层叠设置的电子传输层1和量子点发光层2；
离子型配合物层3，位于电子传输层1与量子点发光层2之间；其中，在离子型配合物层3内具有内建电场。
本公开实施例提供的上述电致发光器件，通过在电子传输层1与量子点发光层2之间设置离子型配合物层3，且由于离子型配合物层3内具有内建电场，通过调整内建电场的方向，使该内建电场可以改变量子点发光层2与相邻层界面的真空能级，降低量子点发光层2与相邻层能级的势垒，提高电子或空穴注入量子点发光层2的效率，从而改善量子点发光层2中载流子平衡。
在一种可能的实施方式中，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，如图1A所示，该电致发光器件为倒置结构，该电致发光器件还包括：位于电子传输层1背向量子点发光层2一侧的衬底基板4，位于衬底基板4和电子传输层1之间的阴极5，位于量子点发光层2背向衬底基板4一侧依次层叠设置的空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8；
离子型配合物层3为位于电子传输层1和量子点发光层2之间的独立膜层；如图1C所示，内建电场E靠近电子传输层1一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极。
由于倒置结构的电致发光器件中的电子传输层通常采用溅射工艺制作，电子传输层的材料一般为ZnO，但是采用溅射ZnO时，由于薄膜型ZnO材料迁移率较大，能级更深(ZnO薄膜的LUMO与阴极(ITO材料)的LUMO接近，但是与量子点发光层的LUMO相差较远)，因此阴极的电子很难由ZnO注入量子点发光层，影响发光效率。
然而，本公开提供的倒置结构的电致发光器件通过在电子传输层1和量子点发光层2之间设置独立的离子型配合物层3，由于离子型配合物层3为位于电子传输层1和量子点发光层2之间的独立膜层，且该离子型配合物层3的内建电场E靠近电子传输层1一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极，则该内建电场可以改变量子点发光层2与电子传输层1界面的真空能级，降低二者LUMO能级的势垒，如图1B和图1C所示，可以提高电子由电子传输层1向量子点发光层2之中的注入，平衡量子点发光层2中的载流子，从而提高电致发光器件的发光效率和寿命。
需要说明的是，未占有电子的能级最低的轨道称为最低未占轨道，用LUMO表示。
具体地，图1A中电子传输层1的LUMO能级的势垒和量子点发光层2的LUMO能级的势垒理论上可以由原来0.6～1.0eV减小约0.2～0.3eV，当然，具体的能级跟电子传输层和量子点发光层本身的能级有关。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，如图4A和图4B所示，量子点发光层2包括量子点21、配体22以及电荷平衡离子(未示出)，其中，配体22中靠近量子点21一端的基团X与量子点21连接，配体22中远离量子点21一端的基团Y为离子型配合物层3的离子型配合物(Y)，离子型配合物Y和电荷平衡离子的电荷相反。
需要说明的是，如图4A为离子型配合物(Y)为阳离子配合物的示意图，如图4B为离子型配合物(Y)为阴离子配合物的示意图，后面详细解释离子配合物的类型。
具体地，如图4A和图4B所示，由于量子点21一般为球形，其球形表面均分布有配体22，由于该配体22中远离量子点21一端的基团为离子型配合物层3的离子型配合物Y，因此相当于在量子点21周围形成离子型配合物Y，即相当于在量子点21和电子传输层1之间以及在量子点21和空穴传输层之间均形成离子型配合物层3，由于量子点发光层2还包括与离子型配合物Y电荷相反的电荷平衡离子23，基于电荷平衡原理，离子型配合物Y位于靠近量子点21表面，则电荷平衡离子23位于靠近电子传输层1和空穴传输层一侧，因此在量子点发光层2和电子传输层1以及在量子点发光层2和空穴传输层之间形成方向相反的电场，通过调整该电场，可以改变量子点发光层2与电子传输层1界面的真空能级，以及改变量子点发光层2与空穴传输层界面的真空能级，以提高电子或空穴注入的效率。
在一种可能的实施方式中，如图2A所示，该电致发光器件为倒置结构，该电致发光器件还包括：位于电子传输层1背向量子点发光层2一侧的衬底基板4，位于衬底基板4和电子传输层1之间的阴极5，位于量子点发光层2背向衬底基板4一侧依次层叠设置的空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8；根据上述内容可知在量子点21和电子传输层1之间以及在量子点21和空穴传输层之间均形成离子型配合物层3；
如图2C所示，内建电场E包括位于电子传输层1和量子点发光层2之间的第一电场E1，以及位于空穴传输层6和量子点发光层2之间的第二电场E2；其中，
第一电场E1靠近电子传输层1一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极；
第二电场E2靠近空穴传输层6一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极。
本公开提供的上述倒置结构的电致发光器件通过在量子点发光层2内添加与量子点的配体连接的离子型配合物层3，由于该量子点发光层2还包括平衡离子，通过选择阳离子配合物和带负电荷的平衡离子，则可以在量子点发光层2和电子传输层1之间形成第一电场E1，以及在量子点发光层2和空穴传输层6之间形成第二电场E2，该第一电场E1靠近电子传输层1一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极，则该第一电场E1可以改变量子点发光层2与电子传输层1界面的真空能级，降低二者LUMO能级的势垒，可以提高电子由电子传输层1向量子点发光层2之中的注入，同时该第二电场E2靠近空穴传输层6一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极，则该第二电场E2可以改变量子点发光层2与空穴传输层6界面的真空能级，增大二者HOMO能级的势垒，可以降低空穴由空穴传输层6向量子点发光层2之中的注入，如图2B和图2C所示，由于倒置结构的电致发光器件中，一般电子注入较难，而空穴注入较容易，因此本公开引入与量子点配体连接的离子型配合物，可以在提高电子注入效率的同时降低空穴注入的效率，因此可以有效的平衡量子点发光层2中的载流子，提高电致发光器件的发光效率和寿命。
在一种可能的实施方式中，如图3A所示，该电致发光器件为正置结构，该电致发光器件还包括：位于量子点发光层2背向电子传输层1一侧的衬底基板4，位于衬底基板4和量子点发光层2之间依次层叠设置的阳极8、空穴注入层7和空穴传输层6，以及位于电子传输层1背向衬底基板4一侧的阴极5；
如图3C所示，内建电场E包括位于空穴传输层6和量子点发光层2之间的第三电场E3，以及位于电子传输层1和量子点发光层2之间的第四电场E4；其中，
第三电场E3靠近空穴传输层6一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极；
第四电场E4靠近电子传输层1一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极。
本公开提供的上述正置结构的电致发光器件通过在量子点发光层2内添加与量子点的配体连接的离子型配合物层3，由于该量子点发光层2还包括平衡离子，通过选择阴离子配合物和带正电荷的平衡离子，则可以在量子点发光层2和空穴传输层6之间形成第三电场E3，以及在量子点发光层2和电子传输层1之间形成第四电场E4，该第三电场E3靠近空穴传输层6一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极，则该第三电场E3可以改变量子点发光层2与空穴传输层6界面的真空能级，降低二者HOMO能级的势垒，可以提高空穴由空穴传输层6向量子点发光层2之中的注入，同时该第四电场E4靠近电子传输层1一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极，则该第四电场E4可以改变量子点发光层2与电子传输层1界面的真空能级，增大二者LUMO能级的势垒，可以降低电子由电子传输层1向量子点发光层2之中的注入，如图3B和图3C所示，由于正置结构的电致发光器件中，一般空穴注入较难，而电子注入较容易，因此本公开引入与量子点配体连接的离子型配合物，可以在提高空穴注入效率的同时降低电子注入的效率，因此可以有效的平衡量子点发光层2中的载流子，提高电致发光器件的发光效率和寿命。
需要说明的是，已占有电子的能级最高的轨道称为最高已占轨道，用HOMO表示。
具体地，如图4A和图4B所示，量子点发光层的配体22一般为烷基链，配体22中靠近量子点21一端的基团X可以是一些如-SH、-COOH、-NH2等可以与量子点21结合的基团。
在具体实施时，在上述技术方案的基础上，作为一种优选实施方式，离子型配合物层的材料可以为有机金属配合物。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，离子型配合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中，
阳离子部分包括中心金属离子和中心金属离子的配体，中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、2-苯基吡啶、苯基恶二唑吡啶、氟代苯基吡啶或联吡啶中的一种；
阴离子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[双(三氟甲基)苯基]硼酸、六(五氟苯基)磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸或六[双(三氟甲基)苯基]磷酸中的一种。
具体的，阳离子部分可为以下结构中的一种：
阴离子部分可为以下结构中的一种：
需要说明的是，图1A中的阳离子部分和阴离子部分的选材均为较大空间位阻的材料，这使得图1A所示的离子型配位化合物层内的阴阳离子可在外部电场作用下进行取向性排列，且在撤去外部电场后由于阴阳离子本身的大位阻效应，既相互之间空间上的阻碍，很难自发的恢复无序的排列，因而可保持原有构型不变，从而形成内建电场。该内建电场可以提高电子由电子传输层向量子点发光层之中的注入(如图1C)，平衡量子点发光层中的载流子平衡，提高了器件的效率。
需要说明的是，相比于传统的电中性偶极型分子，本公开提供的电致发光器件中离子型配合物层中阴阳离子中心可以根据需要设计成带不同电荷数的离子，且分子偶极矩更大，可以形成更强的内部电场。
需要说明的是，在图1A所示的结构中，离子配合物层3内的阴阳离子型配合物可以是上述任意的阴阳离子组合。
需要说明的是，图2A和图3A中的阳离子部分和阴离子部分的选材也可以均为较大空间位阻的材料。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述电致发光器件中，电荷平衡离子包括正电荷平衡离子和负电荷平衡离子；具体地，如图2A所示，量子点发光层2内的离子型配合物为阳离子部分，因此电荷平衡离子选择负电荷平衡离子；如图3A所示，量子点发光层2内的离子型配合物为阴离子部分，因此电荷平衡离子选择正电荷平衡离子；其中，
正电荷平衡离子包括阳离子部分、NH4+或Na+，负电荷平衡离子包括阴离子部分、Cl-或PF6-。
需要说明的是，在图2A所示的结构中，离子配合物为阳离子配合物，电荷平衡阴离子可以选用大位阻的阴离子型配合物，也可以选用Cl-或PF6-等小分子；在图3A所示的结构中，离子配合物为阴离子配合物，电荷平衡阴离子可以选用大位阻的阳离子型配合物，也可以选用NH4+或Na+等小分子。
具体的，本公开实施例中的衬底基板可以是玻璃或者是柔性PET基底，阳极的制备材料可以是透明的ITO、FTO或者导电聚合物等，也可以是不透明的Al、Ag等金属电极；电子传输层材料首选氧化锌粒子；空穴传输层的制备材料可以是有机物，如PVK(聚乙烯基咔唑)、TFB(2,4,4'-三氟苯甲酮)、TPD等，也可以是无机氧化物如NiOx、VOx等；空穴注入层的制备材料可以是有机注入材料，如PEDOT：PSS等，也可以是无机氧化物如MoOx；阴极的制备材料可以是透明电极如ITO、薄的Al、Ag等，也可以不透明电极，如Al、Ag等厚的金属电极。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种电致发光器件的制作方法，包括：
形成层叠设置的电子传输层和量子点发光层，以及在电子传输层和量子点发光层之间形成离子配合物层；
其中，在离子型配合物层内形成内建电场。
本公开实施例提供的上述电致发光器件的制作方法，通过在电子传输层与量子点发光层之间形成离子型配合物层，且由于离子型配合物层内具有内建电场，通过调整内建电场的方向，使该内建电场可以改变量子点发光层与相邻层界面的真空能级，降低量子点发光层与相邻层能级的势垒，提高电子或空穴注入量子点发光层的效率，从而改善量子点发光层中载流子平衡。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成图1A所示的电致发光器件，具体可以包括：在衬底基板4上依次形成阴极5、电子传输层1、独立的离子型配合物层3、量子点发光层2、空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8；其中，
形成独立的离子型配合物层3，具体可以包括：
通过旋涂或蒸镀工艺在电子传输层上沉积一层离子型配合物薄膜；
如图5A和图5C所示，在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得离子型配合物薄膜内部的阴阳离子发生取向性排列，以在离子型配合物薄膜内部形成内建电场E，使得内建电场E靠近电子传输层1一侧聚集阴离子形成负极，靠近量子点发光层2一侧聚集阳离子形成正极；
如图5B所示，在持续施加外部电场的条件下，通过烘烤工艺对离子型配合物薄膜进行烘烤，形成独立的离子型配合物层3。
即上述形成图1A中独立的离子型配合物层3可以采用在沉积和烘烤工艺过程中一直施加外部电场。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成图1A所示的电致发光器件，具体可以包括：在衬底基板4上依次形成阴极5、电子传输层1、独立的离子型配合物层3、量子点发光层2、空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8；其中，
形成独立的离子型配合物层3，具体可以包括：
通过旋涂或蒸镀工艺在电子传输层上沉积一层离子型配合物薄膜；
如图5A和图5C所示，在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得离子型配合物薄膜内部的阴阳离子发生取向性排列，以在离子型配合物薄膜内部形成内建电场E，使得内建电场E靠近电子传输层1一侧聚集阴离子形成负极，靠近量子点发光层2一侧聚集阳离子形成正极；
撤去外部电场后，通过烘烤工艺对离子型配合物薄膜进行烘烤，形成独立的离子型配合物层3。
即上述形成图1A中独立的离子型配合物层3也可以采用仅在沉积过程中施加外部电场。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成图1A所示的电致发光器件，具体可以包括：在衬底基板4上依次形成阴极5、电子传输层1、独立的离子型配合物层3、量子点发光层2、空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8；其中，
形成独立的离子型配合物层3，具体可以包括：
通过旋涂或蒸镀工艺在电子传输层上沉积一层离子型配合物薄膜；
如图5B所示，通过烘烤工艺对离子型配合物薄膜进行烘烤，在烘烤过程中施加外部电场，通过外部电场使得离子型配合物薄膜内部的阴阳离子发生取向性排列，以在离子型配合物薄膜内部形成内建电场E，使得内建电场E靠近电子传输层1一侧聚集阴离子形成负极，靠近量子点发光层2一侧聚集阳离子形成正极，形成独立的离子型配合物层3。
即上述形成图1A中独立的离子型配合物层3也可以采用在烘烤工艺过程中施加外部电场。
具体地，由于衬底基板一把置于载台上，旋涂、蒸镀或烘烤的设备也为金属部件，因此外部电场引入的方法具体可以为：以蒸镀工艺为例，可以在蒸发源和衬底基板的载台上分别连接电极的正负两端，因为这些部件都是金属，因此可以在蒸发源和基板之间形成一定方向的电场。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成图2A所示的电致发光器件，如图6所示，具体可以包括：
S601、在衬底基板上依次形成阴极和电子传输层；
S602、通过旋涂或喷墨印刷的方式将离子型配合物、量子点、配体以及电荷平衡离子的量子点混合溶液形成在电子传输层上；其中，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反；
S603、对量子点混合溶液进行固化形成量子点发光层；
S604、在量子点发光层上依次形成空穴传输层和空穴注入层；
其中，如图2A和图2C所示，在电子传输层1和量子点发光层2之间具有第一电场E1，第一电场E1靠近电子传输层1一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极；以及在空穴传输层6和量子点发光层2之间具有第二电场E2，第二电场E2靠近空穴传输层6一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极。
本公开实施例提供的形成图2A所示的电致发光器件的制作方法，基于电荷平衡原理，离子型配合物Y位于靠近量子点21表面，则电荷平衡离子23位于靠近电子传输层1和空穴传输层一侧，因此在量子点发光层2和电子传输层1以及在量子点发光层2和空穴传输层之间形成方向相反的电场，即通过选择阳离子配合物和带负电荷的平衡离子，则可以在量子点发光层2和电子传输层1之间形成第一电场E1，以及在量子点发光层2和空穴传输层6之间形成第一电场E2，该第一电场E1靠近电子传输层1一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极，则该第一电场E1可以改变量子点发光层2与电子传输层1界面的真空能级，降低二者LUMO能级的势垒，可以提高电子由电子传输层1向量子点发光层2之中的注入，同时该第二电场E2靠近空穴传输层6一侧为负极，靠近量子点发光层2一侧为正极，则该第二电场E2可以改变量子点发光层2与空穴传输层6界面的真空能级，增大二者HOMO能级的势垒，可以降低空穴由空穴传输层6向量子点发光层2之中的注入，如图2B和图2C所示，由于倒置结构的电致发光器件中，一般电子注入较难，而空穴注入较容易，因此本公开引入与量子点配体连接的离子型配合物，可以在提高电子注入效率的同时降低空穴注入的效率，因此可以有效的平衡量子点发光层2中的载流子，提高电致发光器件的发光效率和寿命。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成图3A所示的电致发光器件，如图7所示，具体可以包括：
S701、在衬底基板上依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层；
S702、通过旋涂或喷墨印刷的方式将离子型配合物、量子点、配体以及电荷平衡离子的量子点混合溶液形成在空穴传输层上；其中，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反；
S703、对量子点混合溶液进行固化形成量子点发光层；
S704、在量子点发光层上依次形成电子传输层和阴极；
其中，如图3A和图3C所示，在空穴传输层6和量子点发光层2之间具有第三电场E3，第三电场E3靠近空穴传输层6一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极；以及在电子传输层1和量子点发光层2之间具有第四电场E4，第四电场E4靠近电子传输层1一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极。
本公开实施例提供的形成图3A所示的电致发光器件的制作方法，基于电荷平衡原理，离子型配合物Y位于靠近量子点21表面，则电荷平衡离子23位于靠近电子传输层1和空穴传输层一侧，因此在量子点发光层2和电子传输层1以及在量子点发光层2和空穴传输层之间形成方向相反的电场，即通过选择阴离子配合物和带正电荷的平衡离子，则可以在量子点发光层2和空穴传输层6之间形成第三电场E3，以及在量子点发光层2和电子传输层1之间形成第四电场E4，该第三电场E3靠近空穴传输层6一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极，则该第三电场E3可以改变量子点发光层2与空穴传输层6界面的真空能级，降低二者HOMO能级的势垒，可以提高空穴由空穴传输层6向量子点发光层2之中的注入，同时该第四电场E4靠近电子传输层1一侧为正极，靠近量子点发光层2一侧为负极，则该第四电场E4可以改变量子点发光层2与电子传输层1界面的真空能级，增大二者LUMO能级的势垒，可以降低电子由电子传输层1向量子点发光层2之中的注入，如图3B和图3C所示，由于正置结构的电致发光器件中，一般空穴注入较难，而电子注入较容易，因此本公开引入与量子点配体连接的离子型配合物，可以在提高空穴注入效率的同时降低电子注入的效率，因此可以有效的平衡量子点发光层2中的载流子，提高电致发光器件的发光效率和寿命。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示基板，包括本公开实施例提供的上述电致发光器件。由于该显示基板解决问题的原理与前述一种电致发光器件相似，因此该显示基板的实施可以参见前述背光模组的实施，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括显示面板，显示面板包括本公开实施例提供的上述显示基板。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种电致发光器件相似，因此该显示装置的实施可以参见前述背光模组的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置可以为如图8所示的全面屏的手机。当然，本公开实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本公开实施例提供的上述电致发光器件、显示基板及显示装置，通过在电子传输层与量子点发光层之间设置离子型配合物层，且由于离子型配合物层内具有内建电场，通过调整内建电场的方向，使该内建电场可以改变量子点发光层与相邻层界面的真空能级，降低量子点发光层与相邻层能级的势垒，提高电子或空穴注入量子点发光层的效率，从而改善量子点发光层中载流子平衡。
尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种电致发光器件，其中，包括：
层叠设置的电子传输层和量子点发光层；
离子型配合物层，位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间；其中，在所述离子型配合物层内具有内建电场，所述离子型配合物层的材料为有机金属配合物；
其中，所述量子点发光层包括量子点、配体以及电荷平衡离子，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物层的离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反。
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述电子传输层之间的阴极，位于所述量子点发光层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和阳极；
所述离子型配合物层为位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的独立膜层；所述内建电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。
3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述电致发光器件为倒置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述电子传输层背向所述量子点发光层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述电子传输层之间的阴极，位于所述量子点发光层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和阳极；
所述内建电场包括位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的第一电场，以及位于所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的第二电场；其中，
所述第一电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极；
所述第二电场靠近所述空穴传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述电致发光器件为正置结构，所述电致发光器件还包括：位于所述量子点发光层背向所述电子传输层一侧的衬底基板，位于所述衬底基板和所述量子点发光层之间依次层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层，以及位于所述电子传输层背向所述衬底基板一侧的阴极；
所述内建电场包括位于所述空穴传输层和所述量子点发光层之间的第三电场，以及位于所述电子传输层和所述量子点发光层之间的第四电场；其中，
所第三电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极；
所第四电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其中，所述离子型配合物层包括阳离子部分和阴离子部分，其中，
所述阳离子部分包括中心金属离子和所述中心金属离子的配体，所述中心金属离子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一种，所述中心金属离子的配体包括邻菲咯啉、2-苯基吡啶、苯基恶二唑吡啶、氟代苯基吡啶或联吡啶中的一种；
所述阴离子部分包括四（五氟苯基）硼酸、四[（三氟甲基）苯基]硼酸、四[双（三氟甲基）苯基]硼酸、六（五氟苯基）磷酸、六[（三氟甲基）苯基]磷酸或六[双（三氟甲基）苯基]磷酸中的一种。
6.如权利要求5所述的电致发光器件，其中，所述电荷平衡离子包括正电荷平衡离子和负电荷平衡离子，其中，
所述正电荷平衡离子包括所述阳离子部分、NH4 +或Na+，所述负电荷平衡离子包括所述阴离子部分、Cl-或PF6-。
7.一种显示基板，其中，包括如权利要求1-6任一项所述的电致发光器件。
8.一种显示装置，其中，包括显示面板，所述显示面板包括如权利要求7所述的显示基板。
9.一种电致发光器件的制作方法，其中，包括：
形成层叠设置的电子传输层和量子点发光层，以及在所述电子传输层和所述量子点发光层之间形成离子型配合物层；
其中，在所述离子型配合物层内形成内建电场，所述离子型配合物层的材料为有机金属配合物，所述量子点发光层包括量子点、配体以及电荷平衡离子，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物层的离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反。
10.如权利要求9所述的制作方法，其中，在衬底基板上依次形成阴极、所述电子传输层、独立的所述离子型配合物层、所述量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；其中，
形成独立的所述离子型配合物层，具体包括：
通过旋涂或蒸镀工艺在所述电子传输层上沉积一层离子型配合物薄膜；
在沉积过程中施加外部电场，通过外部电场使得所述离子型配合物薄膜内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述离子型配合物薄膜内部形成内建电场，使得所述内建电场靠近所述电子传输层一侧聚集阴离子形成负极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阳离子形成正极；
在持续施加所述外部电场的条件下或撤去所述外部电场后，通过烘烤工艺对所述离子型配合物薄膜进行烘烤，形成独立的所述离子型配合物层。
11.如权利要求9所述的制作方法，其中，在衬底基板上依次形成阴极、所述电子传输层、独立的所述离子型配合物层、所述量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；其中，
形成独立的所述离子型配合物层，具体包括：
通过旋涂或蒸镀工艺在所述电子传输层上沉积一层离子型配合物薄膜；
通过烘烤工艺对所述离子型配合物薄膜进行烘烤，在烘烤过程中施加外部电场，通过所述外部电场使得所述离子型配合物薄膜内部的阴阳离子发生取向性排列，以在所述离子型配合物薄膜内部形成内建电场，使得所述内建电场靠近所述电子传输层一侧聚集阴离子形成负极，靠近所述量子点发光层一侧聚集阳离子形成正极，形成独立的所述离子型配合物层。
12.如权利要求9所述的制作方法，其中，包括：
在衬底基板上依次形成阴极和所述电子传输层；
通过旋涂或喷墨印刷的方式将离子型配合物、量子点、配体以及电荷平衡离子的量子点混合溶液形成在所述电子传输层上；其中，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反；
对所述量子点混合溶液进行固化形成所述量子点发光层；
在所述量子点发光层上依次形成空穴传输层和空穴注入层；
其中，在所述电子传输层和所述量子点发光层之间具有第一电场，所述第一电场靠近所述电子传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极；以及在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间具有第二电场，所述第二电场靠近所述空穴传输层一侧为负极，靠近所述量子点发光层一侧为正极。
13.如权利要求9所述的制作方法，其中，包括：
在衬底基板上依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层；
通过旋涂或喷墨印刷的方式将离子型配合物、量子点、配体以及电荷平衡离子的量子点混合溶液形成在所述空穴传输层上；其中，所述配体中靠近所述量子点一端的基团与所述量子点连接，所述配体中远离所述量子点一端的基团为所述离子型配合物，所述离子型配合物和所述电荷平衡离子的电荷相反；
对所述量子点混合溶液进行固化形成所述量子点发光层；
在所述量子点发光层上依次形成电子传输层和阴极；
其中，在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间具有第三电场，所第三电场靠近所述空穴传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极；以及在所述电子传输层和所述量子点发光层之间具有第四电场，所第四电场靠近所述电子传输层一侧为正极，靠近所述量子点发光层一侧为负极。
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