CN113808919A - 一种mocvd脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：清洗c面蓝宝石衬底；将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，而后以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。薄膜退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时；优点是前驱体均采用气体源，避免了粉体的碳污染；首次采用高温熟化的脉冲生长方式，有效控制成核密度，抑制二层生长，促进WSe2外延生长。经过6‑8个循环后可得到连续、大面积、电学性能高、生长可控的WSe2薄膜，在微电子领域有重要的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。
背景技术
二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是具有原子厚度的半导体层状材料。单层TMDs因其独特的光电性能而引发研究热潮。TMDs常用的制备方法有：机械剥离法、锂离子插层法、化学气相沉积法以及金属有机化学气相沉积(MOCVD)等。其中，MOCVD结构简单，均匀性好，可在位监测，精确地控制生长参数，高的生长速率有利于获得大规模晶圆尺寸的薄膜，有望在工业界广泛应用。目前，MOCVD主要用来生长III-V族材料，而生长TMDs鲜少有人报道。故探索MOCVD生长TMDs的机理及参数具有重要意义。
我们采用了一个多步变温熟化脉冲式生长，通过自制喷淋头式冷壁MOCVD来生长晶圆级单层WSe2薄膜。以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上合成WSe2薄膜，其中包括周期性中断前驱体供应以抑制二次成核。同时，高温熟化能够降低成核密度，形成更大的晶畴和最少的Se空位，进而改善TMDs的结晶度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法。其制备得到的WSe2薄膜结晶质量高，且尺寸大、电学性能优异，实现可控生长，其特征在于包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10 min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
所述的蓝宝石衬底是C-M面0.2°- 4°，C-A面0.2°- 4°，室温超声，等离子体设置的参数为：功率100w，氧气通入量10-15 sccm，时间10 min。
所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中。先将温度升高至1000-1050℃，对蓝宝石衬底进行0.5h-2h的预处理，气氛为H2 或者Ar。高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长。预处理后将温度降至750℃-850℃，在载气（H2 或者Ar）的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核，流速分别为1 × 10−3—2 × 10−3 sccm和5-10 sccm，成核时间为10 s-60 s。而后升温进行高温熟化8-12 min （800 ℃-1000 ℃）。在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散。在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化。生长熟化经过6-8个循环可形成高质量的连续薄膜。在H2Se流动下将温度冷却到200 ℃-300 °C，以避免WSe2分解。
在此，高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长。形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
所述的步骤二中，MOCVD设备的优势为： MOCVD中的石墨转台由自旋电机驱动，在生长过程中可匀速旋转，以促进WSe2的均匀形核。所有前驱体均采用气体源，包括六羰基钨(W(CO)6)、硒化氢(H2Se)、H2和Ar，这可大大降低前驱体对样品的碳污染。MOCVD采用冷壁设计，有利于减少高温下的一系列副反应，防止薄膜被污染。前驱体的进气口采用喷淋头设计，有利于控制前驱体更均匀地落在衬底上。用MOCVD方法生长大面积连续薄膜具有一定的可控性。
所述的步骤三中，当温度降至200 ℃ - 300 ℃以下时，H2Se和金属源停止通入。薄膜在反应腔中H2和Ar的混合气氛下进行退火处理，退火温度为200℃~400℃。退火结束后冷却到室温，取出后用氮气吹扫。将WSe2放入氮气清洗的手套箱中，以避免暴露并减少进一步的样品降解。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
前驱体均采用气体源，避免了粉体的碳污染；首次采用高温熟化的脉冲生长方式，有效控制成核密度，抑制二层生长，促进WSe2外延生长。经过6-8个循环后可得到连续、大面积、电学性能高、生长可控的WSe2薄膜，在微电子领域有重要的应用前景。
附图说明
图1为实施例二中的反应腔体结构图。
图2为实施例二中的WSe2薄膜不同熟化温度下的SEM图。
图3为实施例二中的薄膜光镜图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一：
本实施例提出的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10 min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
所述的蓝宝石衬底是C-M面0.2°，室温超声，等离子体设置的参数为：功率100w，氧气通入量15 sccm，时间10 min。
所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中。先将温度升高至1050℃，对蓝宝石衬底进行1h的高温预处理，处理气氛为H2。高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长。预处理后将温度降至800℃，在载气H2的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核30s，流速分别为1.5 × 10−3 sccm和7 sccm，而后升温进行高温熟化10 min （800 ℃）。在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散。在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化。生长熟化经过8个循环可形成高质量的连续薄膜。在H2Se流动下将温度冷却到200 ℃，以避免WSe2分解。
在此，高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长。形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
所述的步骤三中，当温度降至200 ℃以下时，H2Se和金属源停止通入。薄膜在反应腔中H2和Ar的混合气氛下进行退火处理，退火温度为200℃~400℃，退火处理过程中升降温速率为40℃/小时。退火结束后冷却到室温，取出后用氮气吹扫。将WSe2放入氮气清洗的手套箱中，以避免暴露并减少进一步的样品降解。
实施例二：
本实施例提出的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10 min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
所述的蓝宝石衬底是C-M面0.2°，室温超声，等离子体设置的参数为：功率100w，氧气通入量15 sccm，时间10 min。
所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中。先将温度升高至1050℃，对蓝宝石衬底进行1h的高温预处理，处理气氛为H2。高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长。预处理后将温度降至800℃，在载气H2的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核30s，流速分别为1.5 × 10−3 sccm和7 sccm，而后升温进行高温熟化10 min （900 ℃）。在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散。在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化。生长熟化经过8个循环可形成高质量的连续薄膜。在H2Se流动下将温度冷却到200 ℃，以避免WSe2分解。
在此，高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长。形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
所述的步骤三中，当温度降至200 ℃以下时，H2Se和金属源停止通入。薄膜在反应腔中H2和Ar的混合气氛下进行退火处理，退火温度为200℃~400℃，退火处理过程中升降温速率为40℃/小时。退火结束后冷却到室温，取出后用氮气吹扫。将WSe2放入氮气清洗的手套箱中，以避免暴露并减少进一步的样品降解。
实施例三：
本实施例提出的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10 min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
所述的蓝宝石衬底是C-M面0.2°，室温超声，等离子体设置的参数为：功率100w，氧气通入量15 sccm，时间10 min。
所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中。先将温度升高至1050℃，对蓝宝石衬底进行1h的高温预处理，处理气氛为H2。高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长。预处理后将温度降至800℃，在载气H2的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核30s，流速分别为1.5 × 10−3 sccm和7 sccm，而后升温进行高温熟化10 min （1000 ℃）。在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散。在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化。生长熟化经过8个循环可形成高质量的连续薄膜。在H2Se流动下将温度冷却到200 ℃，以避免WSe2分解。
在此，高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长。形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
所述的步骤三中，当温度降至200 ℃以下时，H2Se和金属源停止通入。薄膜在反应腔中H2和Ar的混合气氛下进行退火处理，退火温度为200℃~400℃，退火处理过程中升降温速率为40℃/小时。退火结束后冷却到室温，取出后用氮气吹扫。将WSe2放入氮气清洗的手套箱中，以避免暴露并减少进一步的样品降解。
实施例四：
本实施例提出的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10 min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
所述的蓝宝石衬底是C-M面0.2°，室温超声，等离子体设置的参数为：功率100w，氧气通入量15 sccm，时间10 min。
所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中。先将温度升高至1050℃，对蓝宝石衬底进行1h的高温预处理，处理气氛为H2。高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长。预处理后将温度降至800℃，在载气H2的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核30s，流速分别为1.5 × 10−3 sccm和7 sccm，而后升温进行高温熟化10 min （1100 ℃）。在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散。在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化。生长熟化经过8个循环可形成高质量的连续薄膜。在H2Se流动下将温度冷却到200 ℃，以避免WSe2分解。
在此，高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长。形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
所述的步骤三中，当温度降至200 ℃以下时，H2Se和金属源停止通入。薄膜在反应腔中H2和Ar的混合气氛下进行退火处理，退火温度为200℃~400℃，退火处理过程中升降温速率为40℃/小时。退火结束后冷却到室温，取出后用氮气吹扫。将WSe2放入氮气清洗的手套箱中，以避免暴露并减少进一步的样品降解。
实施例五：
本实施例提出的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10 min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
所述的蓝宝石衬底是C-M面0.2°，室温超声，等离子体设置的参数为：功率100w，氧气通入量15 sccm，时间10 min。
所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中。先将温度升高至1050℃，对蓝宝石衬底进行1h的高温预处理，处理气氛为Ar。高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长。预处理后将温度降至800℃，在载气Ar的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核30s，流速分别为1.5 × 10−3 sccm和7 sccm，而后升温进行高温熟化10 min （1000℃）。在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散。在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化。生长熟化经过8个循环可形成高质量的连续薄膜。在H2Se流动下将温度冷却到200℃，以避免WSe2分解。
在此，高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长。形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
所述的步骤三中，当温度降至200 ℃以下时，H2Se和金属源停止通入。薄膜在反应腔中H2和Ar的混合气氛下进行退火处理，退火温度为200℃~400℃，退火处理过程中升降温速率为40℃/小时。退火结束后冷却到室温，取出后用氮气吹扫。将WSe2放入氮气清洗的手套箱中，以避免暴露并减少进一步的样品降解。
图1为实施例二中的反应腔体结构图。自组装的MOCVD设备采用冷壁和喷淋头设计，有利于薄膜结晶质量更高。图2为实施例二中的WSe2不同熟化温度下的SEM图。采用高温熟化的方式，有效促进晶畴的扩大，抑制了二层生长。图3为实施例二中的WSe2薄膜光镜图。从中可以发现，薄膜连续且均匀。
Claims (5)
1.一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一：清洗c面蓝宝石衬底；
步骤二：将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD脉冲式变温熟化生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；
步骤三：将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品；退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/小时。
2.根据权利要求1所述的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其特征在于所述的步骤一的具体过程为：用丙酮浸没蓝宝石衬底，超声处理10min，再用异丙醇浸没超声10 min，而后用乙醇浸没超声10 min，取出后用氮***吹干，最后用氧等离子体机清洗10 min。
3.根据权利要求1所述的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其特征在于所述的步骤二中，用MOCVD法来生长大面积连续薄膜的具体过程为：将蓝宝石衬底放入MOCVD生长腔体中；先将温度升高至1000-1050℃，对蓝宝石衬底进行0.5h-2h的高温预处理，处理气氛为H2 或者Ar；高温下，蓝宝石衬底的台阶更容易暴露出来，从而促进WSe2外延生长；预处理后将温度降至750℃-850℃，在载气（H2 或者Ar）的作用下，通入前驱体六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)进行成核10s-60s，流速分别为1 × 10−3—2 × 10−3 sccm和5-10 sccm，而后升温进行高温熟化8-12 min （800 ℃-1100 ℃）；在熟化过程中，W(CO)6停止，同时H2Se以恒定速率流入反应器，以允许表面扩散；在熟化阶段后，W(CO)6以一半的流速 (与成核阶段相比)重新引入反应器生长WSe2，而后再进行高温熟化；生长熟化经过6-8个循环可形成高质量的连续薄膜；在H2Se流动下将温度冷却到200℃-300 °C，以避免WSe2分解。
4.根据权利要求3所述的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其特征在于所述的高温熟化抑制了高密度成核以及二层生长，促进形成更大的晶畴和最少的Se空位，有利于外延生长；形成连续薄膜的循环次数由通入的前驱体的量来决定。
5.根据权利要求1所述的一种MOCVD脉冲式变温熟化生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其特征在于所述的步骤二中， MOCVD设备的优势为：蓝宝石衬底放MOCVD生长腔体中的石墨盘上，该石墨转台由自旋电机驱动，在生长过程中可匀速旋转，以促进WSe2的均匀形核；所有前驱体均采用气体源，包括六羰基钨(W(CO)6)、硒化氢(H2Se)、H2和Ar，这可大大降低前驱体对样品的碳污染；MOCVD采用冷壁设计，有利于减少高温下的一系列副反应，防止薄膜被污染；前驱体的进气口采用喷淋头设计，有利于控制前驱体更均匀地落在衬底上。
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| CN202111147436.XA CN113808919A (zh) | 2021-09-29 | 2021-09-29 | 一种mocvd脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法 |
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| CN202111147436.XA CN113808919A (zh) | 2021-09-29 | 2021-09-29 | 一种mocvd脉冲式生长硒化钨薄膜的制备方法 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN115029778A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-09 | 西安电子科技大学 | 一种氧化镓外延薄膜的生长方法 |
| CN116081580A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-05-09 | 湘潭大学 | 一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法 |
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2021
- 2021-09-29 CN CN202111147436.XA patent/CN113808919A/zh active Pending
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| CN116081580A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-05-09 | 湘潭大学 | 一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法 |
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