CN113800465B - 一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法 - Google Patents
一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113800465B CN113800465B CN202110968958.XA CN202110968958A CN113800465B CN 113800465 B CN113800465 B CN 113800465B CN 202110968958 A CN202110968958 A CN 202110968958A CN 113800465 B CN113800465 B CN 113800465B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sacrificial
- coating
- full
- sacrificial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 3
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012285 ultrasound imaging Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0156—Lithographic techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电容式超声换能器工艺制造方法，包括：在基板上表面涂覆牺牲层全涂层；在牺牲层全涂层上表面涂覆掩蔽层全涂层并进行图案化，形成掩蔽层；将基板浸入显影剂中蚀刻牺牲层全涂层和掩蔽层暴露区域；将基板浸入有机溶剂中去除所有掩蔽层，形成牺牲层图案，牺牲层包括位于中部的空腔、十字形交叉牺牲通道以及四个牺牲通道孔；在牺牲层上表面涂覆具有绝缘性能的振膜层全涂层并进行图案化，形成振膜层；在所述振膜层上表面涂覆剥离层全涂层并进行图案化，形成剥离层；在剥离层上表面蒸发金属层全涂层；制作上电极；释放牺牲层形成空腔；形成密封层，得到电容式微机械超声换能器完整振元。本发明同时提供采用上述方法制备的振元。
Description
技术领域
本发明涉及MEMS技术的一种换能器加工方法，具体涉及到一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法。
背景技术
超声成像是世界上应用最广泛的医学成像方式，压电材料是超声换能器行业的主导材料，近一个世纪前，这种基本的换能器机理也在不断发展。在超声成像***中，换能器与介质之间适当的声阻抗匹配是至关重要的，因为这种阻抗匹配对***的效率有着深远的影响。对于当前的压电***，通常存在高声阻抗失配，大多数成像换能器表现出有限的带宽。
与传统压电式超声换能器相比，作为一种新兴的替代品，电容式微机械超声换能器具有带宽更宽、灵敏度高、噪声低、阻抗匹配性好等优点。电容式微机械超声换能器在固定电极和悬浮金属层之间有一个密封腔。制造成本和灵敏度是当前电容式微机械超声换能器的限制因素，取决于制造设备，尤其是所用材料。对于电容式微机械超声换能器的广泛使用，需要使用廉价的材料来维持或改善现有的灵敏度，从而大大降低制造成本。SU8胶可以廉价地用于制造电容式微机械超声换能器。电容式微机械超声换能器的固有频率通常由振膜层半径、振膜层厚度、振膜层材料等决定。但改变振膜层半径需改变掩模版尺寸，改变振膜层材料生产流程更为复杂。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法，通过改变振膜层厚度改变电容式微机械超声换能器的固有频率，使用相对简单的设备，并且减少了制造步骤，这种新的制造工艺有可能增加电容式微机械超声换能器在超声波市场的使用。技术方案如下：
一种电容式超声换能器工艺制造方法，包括：
步骤S1：选用硅片作为底部电极和基板；
步骤S2：在所述基板上表面涂覆牺牲层全涂层；
步骤S3：在所述牺牲层全涂层上表面涂覆掩蔽层全涂层并进行图案化，形成掩蔽层；
步骤S4：将经过步骤S3处理后的基板浸入显影剂中蚀刻牺牲层全涂层和掩蔽层暴露区域；
步骤S5：将经过步骤S4处理后的基板浸入有机溶剂中去除所有掩蔽层，形成牺牲层图案，所述牺牲层包括位于中部的空腔、十字形交叉牺牲通道以及四个牺牲通道孔；
步骤S6：在所述牺牲层上表面涂覆具有绝缘性能的振膜层全涂层并进行图案化，形成振膜层；
步骤S7：在所述振膜层上表面涂覆剥离层全涂层并进行图案化，形成剥离层；
步骤S8：在所述剥离层上表面蒸发金属层全涂层；
步骤S9:将经过步骤S8处理的基板浸入溶剂中剥离振元剥离层和部分金属层全涂层，形成金属层图案，从而形成上电极；
步骤S10：将经过步骤S9处理的基板浸入腐蚀剂中，腐蚀剂通过牺牲通道孔进入牺牲通道，从而逐渐释放牺牲层形成空腔；
步骤S11:在所述牺牲层释放完毕后密封牺牲通道孔，形成密封层，得到电容式微机械超声换能器完整振元。
进一步地，牺牲层全涂层、掩蔽层全涂层、振膜层全涂层、剥离层全涂层均采用旋涂法，从而使得牺牲层空腔、十字形交叉牺牲通道以及四个牺牲通道孔厚度一致。
进一步地，牺牲层空腔为圆形空腔，牺牲层牺牲通道孔为三角形。
进一步地，掩蔽层采用光刻工艺，将正性光刻胶S1813曝光显影后形成图案；
进一步地，剥离层采用光刻工艺，将正性光刻胶AZP4620曝光显影后形成图案。
进一步地，振膜层采用光刻工艺，将负性光刻胶SU8胶曝光显影后形成图案；剥离层采用剥离工艺，剥离层上表面的金属层与剥离层一起剥离。
在剥离层上表面蒸发金属层全涂层时，采用蒸发定向沉积工艺。
本发明同时提供一种采用上述方法制作的电容式微机械超声换能器振元，其特征在于，包括作为底电极的硅片基板、位于中部的空腔、牺牲通道、牺牲通道孔、振膜层、上电极、密封层、薄膜支撑壁；所述空腔与牺牲通道相连通，所述牺牲通道为从空腔向外延伸的十字形交叉状，在牺牲通道的每个端部各设置一个牺牲通道孔；所述振膜层同时作为绝缘层；所述空腔位于硅片基板与振膜层之间；所述支撑壁环绕在空腔四周；在每个牺牲通道孔内填充有密封层；所述上电极位于振膜层的上表面与密封层之间。
进一步地，牺牲层空腔为圆形空腔，牺牲层牺牲通道孔为三角形。
进一步地，所述的振膜层的材质为SU8胶。
本发明与传统的采用牺牲层释放办法制造电容式微机械超声换能器的过程相比，在不改变振膜层半径和振膜层材料的基础上，只改变振膜层厚度，从而改变电容式微机械超声换能器固有频率。振膜层厚度对电容式微机械超声换能器固有频率有较大影响，增加振膜层厚度，提升了电容式微机械超声换能器固有频率。不改变振膜层半径则不需改变掩模版尺寸，不改变振膜层材料使用SU8胶降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明介绍本发明的制造流程，下面将对本发明实施例的附图做相应介绍。
图1为本发明实施例制造方法的流程示意图；
图2为本发明步骤S1剖面结构示意图。
图3为本发明步骤S2剖面结构示意图。
图4为本发明步骤S3剖面结构示意图。
图5为本发明步骤S3光刻掩模版结构示意图。
图6为本发明步骤S4剖面结构示意图。
图7为本发明步骤S5剖面结构示意图。
图8为本发明步骤S6剖面结构示意图。
图9为本发明步骤S6光刻掩模版结构示意图。
图10为本发明步骤S7剖面结构示意图。
图11为本发明步骤S7光刻掩模版结构示意图。
图12为本发明步骤S8剖面结构示意图。
图13为本发明步骤S9剖面结构示意图。
图14为本发明步骤S10剖面结构示意图。
图15为本发明步骤S11剖面结构示意图。
附图标记说明：
21-硅片基板 31-牺牲层全涂层
32-牺牲层 33-掩蔽层
41-牺牲通道孔 42-牺牲通道
43-空腔 51-振膜层
61-剥离层 71-电极连接线
72-电极图案 81-金属层全涂层
82-上电极 91-密封层
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体加工工艺并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供的电容式微机械超声换能器采用SU8胶制造，SU8胶制造成振膜层，由于SU8胶独特的介电和热性能以及低密度、光致图案性、光学透明性和机械灵活性，可作为我们应用的结构材料。通常提升电容式微机械超声换能器固有频率的方法有减小振膜层半径、增加振膜层厚度、改变振膜层材料等方法。但是，减小振膜层半径，改变振膜层材料会增加额外制造费用。在不改变掩模版尺寸的条件下，可以通过适当增加振膜层厚度提升电容式微机械超声换能器固有频率。
图1为一种电容式微机械超声换能器的工艺制造流程示意图，如图所示具体生产步骤如下所述。
步骤S1：选用一个清洁硅片作为底部电极和基板21；
在生产之前选用高浓度掺杂且清洁的硅晶圆(硅的纯度为99.999％)制造硅片。剖面结构示意图如图2所示。
步骤S2：在所述基板21上表面旋涂牺牲层全涂层31；
我们将浓缩版胶旋涂到基板21上，在150℃ 3分钟加热后获得牺牲层全涂层31。剖面结构示意图如图3所示。
牺牲层全涂层31使用Omnicoat胶，该胶增加振膜层51与基板21附着力。
步骤S3：在所述牺牲层全涂层31上表面旋涂掩蔽层全涂层并进行图案化，形成掩蔽层33；
制备一层正性光刻胶使用紫外光制备图案，以创建掩蔽层33图案，用以选择性地去除下面的牺牲层全涂层31。剖面结构示意图如图4所示。
正性光刻胶使用S1813胶，遮光部位曝光显影后留下图案，图案化后形成圆形空腔43、十字形交叉牺牲通道42和四个三角形牺牲通道孔41。光刻掩模版结构示意图如图5所示。
步骤S4：将所述振元浸入显影剂中蚀刻牺牲层全涂层31和掩蔽层33暴露区域；
浸入碱性MF319显影剂中，同时蚀刻掩蔽层33和牺牲层全涂层31的暴露区域；通过在去离子水溶液中冲洗样品停止蚀刻。剖面结构示意图如图6所示。
步骤S5：将所述振元在丙酮中去除所有掩蔽层33，形成牺牲层32图案，所述牺牲层32包括圆形空腔43、十字形交叉牺牲通道42及四个三角形牺牲通道孔41；剖面结构示意图如图7所示。
步骤S6：在所述牺牲层32上表面旋涂振膜层全涂层并进行图案化，形成振膜层51；
在所述振元上以2000RPM旋转一层SU8胶以获得振膜层全涂层。在紫外线照射之前，在95℃下进行3分钟的短暂预烘焙。在紫外光下对电容式微机械超声换能器进行图案化，并对样品进行曝光后烘烤和显影。SU8胶同时兼具绝缘层作用，所以不需另加绝缘层。由于SU8胶的高介电强度，因此振膜层51用作顶部电极的机械支撑和绝缘层以避免任何短路。剖面结构示意图如图8所示。
SU8胶为负性光刻胶，掩模工艺制造与正性光刻胶相反。无遮光部位曝光显影后留下图案，图案化后形成四个三角形牺牲通道孔41。光刻掩模版结构示意图如图9所示。
步骤S7：在所述振膜层51上表面旋涂剥离层全涂层并进行图案化，形成剥离层61；
剥离层61使用AZP4620正性光刻胶，剖面结构示意图如图10所示。
AZP4620正性光刻胶遮光部位曝光显影后留下图案，图案为圆形72和十字形电极连接线71，光刻掩模版结构示意图如图11所示。
步骤S8：在所述剥离层61上表面蒸发金属层全涂层81；
金属层全涂层81使用选择铬是因为它对SU8胶具有优异的附着力和低电阻，同时采用蒸发工艺，金属蒸发优于溅射，因为其定向沉积，简化了剥离过程。剖面结构示意图如图12所示。
步骤S9:将所述振元浸入溶剂中剥离振元剥离层61和部分金属层全涂层81，形成金属层图案，从而形成上电极82；
剥离层61曝光显影后，除上电极区域外其他区域都都涂满剥离层61。金属层全涂层81蒸发后，上电极82区域铬直接接触SU8胶，其他区域铬蒸发在剥离层61上。浸入MIF显影液后，剥离层61与剥离层61上蒸发的铬一同剥离。剖面结构示意图如图13所示。
步骤S10：将所述振元浸入腐蚀剂中，腐蚀剂通过牺牲通道孔41进入牺牲通道42，从而逐渐释放牺牲层32形成圆形空腔43；
将振元浸入腐蚀剂中。该腐蚀剂穿透牺牲通道42并逐渐去除牺牲层32。牺牲层32完全去除后将振元浸入去离子水中以置换陷于圆形空腔43内的腐蚀剂。最后，将样品浸入异丙醇中以代替水。剖面结构示意图如图14所示。
步骤S11:在所述牺牲层32释放完毕后密封牺牲通道孔41，形成密封层91，得到电容式微机械超声换能器完整振元。
密封层91使用Parylene-C材料，Parylene-C材料具有生物相容性、光学透明性、低杨氏模量和接近零的吸水系数。为了使振元防水，振元在一个低压室中密封，在振元内形成一个密封的真空腔，提供优良的电绝缘。剖面结构示意图如图15所示。
综上所述，本发明制造电容式微机械超声换能器过程的具体实施方式如上所述，任何关于本领域的技术人员，依然可在理解熟悉本发明精神和原理范围内作出修改，改进等应包含在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (2)
1.一种电容式超声换能器工艺制造方法，包括：
步骤S1：选用硅片作为底部电极和基板；
步骤S2：在所述基板上表面涂覆牺牲层全涂层；牺牲层全涂层使用Omnicoat胶；
步骤S3：在所述牺牲层全涂层上表面涂覆掩蔽层全涂层并进行图案化，形成掩蔽层，方法为：使用S1813胶制备一层正性光刻胶使用紫外光制备图案，以创建掩蔽层图案，用以选择性地去除牺牲层全涂层，图案化后形成牺牲层圆形空腔、十字形交叉牺牲通道和四个三角形牺牲通道孔；
步骤S4：将经过步骤S3处理后的基板浸入显影剂中蚀刻牺牲层全涂层和掩蔽层暴露区域；
步骤S5：将经过步骤S4处理后的基板浸入有机溶剂中去除所有掩蔽层，形成牺牲层图案，所述牺牲层包括位于中部的牺牲层圆形空腔、十字形交叉牺牲通道以及四个牺牲通道孔；
步骤S6：在所述牺牲层上表面涂覆具有绝缘性能的振膜层全涂层并进行图案化，形成振膜层；振膜层采用光刻工艺，将负性光刻胶SU8胶曝光显影后形成图案；
步骤S7：在所述振膜层上表面涂覆剥离层全涂层并进行图案化，形成剥离层，剥离层使用AZP4620正性光刻胶；
步骤S8：在所述剥离层上表面蒸发金属层全涂层，金属层全涂层使用铬；
步骤S9：将经过步骤S8处理的基板浸入溶剂中剥离振元剥离层和部分金属层全涂层，形成金属层图案，从而形成上电极；
步骤S10：将经过步骤S9处理的基板浸入腐蚀剂中，腐蚀剂通过牺牲通道孔进入牺牲通道，从而逐渐释放牺牲层形成牺牲层圆形空腔；
步骤S11：在所述牺牲层释放完毕后密封牺牲通道孔，形成密封层，得到电容式微机械超声换能器完整振元，密封层使用Parylene-C材料；
牺牲层全涂层、掩蔽层全涂层、振膜层全涂层、剥离层全涂层均采用旋涂法，从而使得牺牲层圆形空腔、十字形交叉牺牲通道以及四个牺牲通道孔厚度一致；
所制备的电容式微机械超声换能器振元，包括作为底电极的硅片基板、位于中部的牺牲层圆形空腔、牺牲通道、牺牲通道孔、振膜层、上电极、密封层、薄膜支撑壁；所述牺牲层圆形空腔与牺牲通道相连通，所述牺牲通道为从牺牲层圆形空腔向外延伸的十字形交叉状，在牺牲通道的每个端部各设置一个牺牲通道孔；所述振膜层同时作为绝缘层；所述牺牲层圆形空腔位于硅片基板与振膜层之间；所述薄膜支撑壁环绕在牺牲层圆形空腔四周；在每个牺牲通道孔内填充有密封层；所述上电极位于振膜层的上表面与密封层之间；所述的振膜层的材质为SU8胶。
2.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，在剥离层上表面蒸发金属层全涂层时，采用蒸发定向沉积工艺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110968958.XA CN113800465B (zh) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110968958.XA CN113800465B (zh) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113800465A CN113800465A (zh) | 2021-12-17 |
| CN113800465B true CN113800465B (zh) | 2024-03-22 |
Family
ID=78893880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110968958.XA Active CN113800465B (zh) | 2021-08-23 | 2021-08-23 | 一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113800465B (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200633375A (en) * | 2004-12-01 | 2006-09-16 | Sony Corp | Micro-resonator, frequency filter and communication apparatus |
| CN1840464A (zh) * | 2005-03-29 | 2006-10-04 | 中国科学院微电子研究所 | 微电力机械***电可调谐光学滤波器芯片制备方法 |
| CN101271826A (zh) * | 2007-03-23 | 2008-09-24 | 海力士半导体有限公司 | 在半导体器件中形成微图案的方法 |
| KR20090000520A (ko) * | 2007-06-28 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 높은 종횡비의 원통형 전하저장전극을 구비한 캐패시터의제조 방법 |
| CN101898743A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 漆斌 | 微加工超声换能器 |
| CN102646789A (zh) * | 2006-11-03 | 2012-08-22 | 丹佛斯公司 | 制造用于换能器的聚合物复合物的方法 |
| CN104749676A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 优志旺电机株式会社 | 栅偏振元件、紫外线偏振光照射方法及装置、光取向装置 |
| CN105127082A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-09 | 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 | 超声换能器及其制作方法 |
| CN109995341A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-09 | 电子科技大学 | 具有下电极保护层的空腔型体声波谐振器及其制备方法 |
| CN111559734A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-08-21 | 内江师范学院 | 一种多频cmut器件的制造方法及多频cmut器件 |
| CN112786754A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种金属图案的制造方法以及半导体器件 |
-
2021
- 2021-08-23 CN CN202110968958.XA patent/CN113800465B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200633375A (en) * | 2004-12-01 | 2006-09-16 | Sony Corp | Micro-resonator, frequency filter and communication apparatus |
| CN1840464A (zh) * | 2005-03-29 | 2006-10-04 | 中国科学院微电子研究所 | 微电力机械***电可调谐光学滤波器芯片制备方法 |
| CN102646789A (zh) * | 2006-11-03 | 2012-08-22 | 丹佛斯公司 | 制造用于换能器的聚合物复合物的方法 |
| CN101271826A (zh) * | 2007-03-23 | 2008-09-24 | 海力士半导体有限公司 | 在半导体器件中形成微图案的方法 |
| KR20090000520A (ko) * | 2007-06-28 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 높은 종횡비의 원통형 전하저장전극을 구비한 캐패시터의제조 방법 |
| CN101898743A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 漆斌 | 微加工超声换能器 |
| CN104749676A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 优志旺电机株式会社 | 栅偏振元件、紫外线偏振光照射方法及装置、光取向装置 |
| CN105127082A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-09 | 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 | 超声换能器及其制作方法 |
| CN109995341A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-09 | 电子科技大学 | 具有下电极保护层的空腔型体声波谐振器及其制备方法 |
| CN111559734A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-08-21 | 内江师范学院 | 一种多频cmut器件的制造方法及多频cmut器件 |
| CN112786754A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种金属图案的制造方法以及半导体器件 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Acoustic Field of a Linear Phased Array: A Simulation Study of Ultrasonic Circular Tube Material;Xiao, ZT;SENSORS;20190628;第2352页 * |
| 朱伟.《扩声技术概论》.中国传媒大学出版社,2010,第30页. * |
| 面向细胞破膜精密微操的压电超声换能器设计及其特性研究;宁向菲;天津工业大学;20210115;第22-24页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113800465A (zh) | 2021-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5573679A (en) | Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process | |
| US8857041B2 (en) | Method for fabricating an electromechanical transducer | |
| JP7278287B2 (ja) | 層状構造及び層状構造を製造するための方法 | |
| JP2004190057A (ja) | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 | |
| US6261943B1 (en) | Method for fabricating free-standing thin metal films | |
| CN101645485B (zh) | 软支撑悬臂梁式硅微压电传声器芯片及其制备方法 | |
| CN101646117A (zh) | 软支撑桥式硅微压电传声器芯片及其制备方法 | |
| US8230576B2 (en) | Method of manufacturing capacitive electromechanical transducer | |
| KR100923296B1 (ko) | 마이크로 폰 및 스피커로 사용되는 멤스(ｍｅｍｓ) 소자및 그 제조 방법 | |
| CN113800465B (zh) | 一种电容式微机械超声换能器的工艺制造方法 | |
| CN109755127B (zh) | 一种用于芯片制造的刻蚀与沉积-剥离融合方法 | |
| CN111333022A (zh) | 一种高密度微纳线圈柔性异质集成方法 | |
| US6482553B1 (en) | Graphite mask for x-ray or deep x-ray lithography | |
| CN113495430B (zh) | 一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法 | |
| JP2001004579A (ja) | 容量式感湿素子 | |
| CN115542687A (zh) | 一种针对KrF光刻剥离工艺的双层胶剥离方法 | |
| JP3444967B2 (ja) | 微細パターン形成用マスク板およびその製造方法 | |
| CN107177866A (zh) | 金属基底上制备微射频t形功分器的方法 | |
| JPH1154460A (ja) | 電導性構造を製造する方法 | |
| CN108682622A (zh) | HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法 | |
| CN113044803B (zh) | 一种t型结构的微制造方法 | |
| JP2633088B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP5032280B2 (ja) | 加速度センサの製造方法および加速度センサ | |
| Yang et al. | Photo-patternable gelatin as protection layers in surface micromachinings | |
| KR100310942B1 (ko) | 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |