CN113785412A - 混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模版组件及利用此的有机发光显示装置 - Google Patents
混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模版组件及利用此的有机发光显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113785412A CN113785412A CN202080032227.8A CN202080032227A CN113785412A CN 113785412 A CN113785412 A CN 113785412A CN 202080032227 A CN202080032227 A CN 202080032227A CN 113785412 A CN113785412 A CN 113785412A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- strip
- mask
- reticle
- hybrid
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 86
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 88
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 77
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 66
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 48
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 46
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模组件及利用此的有机发光显示装置。本发明的一实施例的混合掩模版条包括:结构用掩膜版条,以第一方向形成多个开口部,并且具有沿着所述开口部的周围配置的第一接合区域,在所述第一方向的两端部配置拉伸固定部,以在施加拉伸力的状态下固定在框架;及单体单位掩膜版,具有沉积区域和第二接合区域,所述沉积区域与所述开口部相对应,所述第二接合区域沿着所述沉积区域的周围配置且与所述第一接合区域接合;各个的所述单体单位掩膜版可个别结合于所述结构用掩膜版条。
Description
技术领域
本发明涉及混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模组件及利用此的有机发光显示装置,更详细地说涉及用于在TFT玻璃上沉积沉积物质的混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模组件及利用此的有机发光显示装置。
背景技术
在显示装置中,有机发光显示装置(Organic Light Emitting Device,OLED)视角广并且对比度(contrast)优秀,不仅如此还具有响应速度快的优点。据此,正在倾向于逐渐扩大有机发光显示装置(OLED)的使用区域的趋势。
这种有机发光显示装置(OLED)的电极和包括发光层的中间层可通过各种方法形成,其中之一的方法就是沉积法(deposition)。
在中小型有机发光显示装置(OLED)产品中的高分辨率有机发光显示装置(OLED)的最大制造难关是有机物沉积工艺(deposition),该有机物沉积工艺在有机发光显示装置(OLED)制造工艺中是制造RGB像素的核心。对齐精细金属掩膜版(Fine Metal Mask;以下,简称为掩膜版)的位置,沉积的薄膜的原材料形成所需图案的薄膜,其中精细金属掩膜版具有与在TFT玻璃上待形成的薄膜等的图案相同的图案。这种沉积工艺采取了如下的沉积方法:在位于腔室(chamber)下部的沉积源中加热有机物,升华加热的有机物,使该有机物通过位于上部的掩膜版沉积在TFT玻璃。
为了在TFT玻璃形成所需的沉积图案,将掩膜版和TFT玻璃无间隙地紧贴非常重要。为此,应严格再现使掩膜版上的沉积物质通过的多个孔之间的位置精确度进行固定。目前,掩膜版的厚度为5μm~30μm,非常薄,若在不拉伸掩膜版进行固定,则出现重力方向的下沉,因此难以精确地再现孔的位置。结果,在沉积工艺中与TFT玻璃形成间隔,最终出现混色不良。
据此,为保持TFT玻璃平整度,需对掩膜版施加拉伸力,将掩膜版拉紧绷,处于保持弹力的状态。为了使掩膜版保持紧绷,在掩膜版的边缘位置添加用于拉伸的羽翼件,用可施加拉伸力的夹具夹住羽翼件部分拉伸掩膜版。对齐掩膜版的孔的位置,以与在TFT玻璃上待形成的薄膜等的图案一致,之后焊接框架与掩膜版边缘的重叠部分来制作掩模组件。
在有源矩阵有机发光显示装置(Active Matrix OLED,AMOLED)面板的情况下,大小已到用于批量生产的第六代的一半,但是第七代、第八代的大面积化是不可避免的。这是因为只有实现这种大面积化,才能通过多面取制造同时制造大型AMOLED面板。
最近,在各种电子机器中要求大面积的高分辨率显示装置。处于要求更加微小的孔尺寸和紧密的孔间距以形成超高分辨率(UHD)的图案的实情。需实现用于形成高分辨率图案的像素的微小化和非常薄的掩膜版厚度以防止阴影(shadow),然而以目前商业化技术存在难以实现预定厚度以下的问题。
为了加工高分辨的精密的孔而制作非常薄的掩模版的情况下,掩膜版本身出现弯曲,而且因为以重力方向的下沉难以使TFT玻璃的沉积位置和掩膜版孔位置一致。而且,引起在沉积工艺中不与TFT掩膜版紧贴的问题。为了改善这一问题,应在紧绷拉伸掩膜版的状态下通过焊接等固定在框架。
以往的TFT玻璃母片尺寸的掩膜版中,目前将多张的掩膜版条拉伸固定在框架,使用完整(full)掩模组件的形态。对于掩膜版条的情况,处于商用化水准在500ppi~600ppi,而这以上的水准因为技术局限性难以实现的实情。
在为了实现第六代的一半尺寸,以长度方向拉伸厚度为10μm、长度为约1,100mm的掩膜版条的情况下,难以调整位置精确度,并且存在因为拉伸出现撕裂或者在焊接固定时未焊接的问题。而且,存在如下的技术局限:作为掩膜版条的材料使用因瓦合金,利用因瓦合金通过轧制方法也难以制造薄厚度的掩膜版条,而且也降低厚度精确度等。
目前为止,掩膜版条正在用湿式蚀刻(wet etching)方式制作,并且正在尝试电铸镀金或者激光加工方式等,以实现薄膜化,进而用于高分辨率的精确孔加工。但是,以往的掩膜版条的形状还留下了难以解决的课题,诸如掩膜版条本身尺寸和难以拉伸和焊接薄膜。
反复沉积时残留的沉积物质导致沉积效率降低,所以因为使用数次的清洗和因为焊接部受损更换掩膜版条成为了在制造有机发光二极管发光装置时的必要工艺。以往的掩膜版条也存在维修时需整体更换掩膜版条的问题。另外,在如此更换时要求精确对齐位置,然而存在这也并不容易的问题。
韩国授权专利公报第10-0534580号是在具有一个以上的开口部的框架掩模版对应于开口部个别固定一个以上的图案掩模版的沉积掩膜版的相关技术,但是并未公开以第一方向形成多个开口部,并且具有沿着开口部的周围配置的第一接合区域,在所述第一方向的两端部配置拉伸固定部以在施加拉伸力的状态下固定在框架的结构用掩膜版条。在更换各个单位掩膜版时,存在如下的问题:会影响其他单位掩膜版,增加了追加维修的掩膜版数量。
发明内容
要解决的问题
本发明要解决的一技术课题在于提供将以往的掩膜版条二元化制成一体的混合掩模版条。
本发明要解决的另一课题在于提供如下的混合掩模版条:克服以往的掩模版的制造局限及掩膜版大面积化的技术局限,提高掩膜版的精确度及机械性强度。
本发明要解决的其他一课题在于提供如下的混合掩模版条:通过大面积化的掩膜版也可实现高分辨率的精确的沉积图案。
解决问题的手段
为了解决上述的技术课题,本发明提供一种混合掩模版条。
本发明的一实施例的混合掩模版条包括:结构用掩膜版条,以第一方向形成多个开口部,并且具有沿着所述开口部的周围配置的第一接合区域,在所述第一方向的两端部配置拉伸固定部,以在施加拉伸力的状态下固定在框架;及单体单位掩膜版,具有沉积区域和第二接合区域,所述沉积区域与所述开口部相对应,所述第二接合区域沿着所述沉积区域的周围配置且与所述第一接合区域接合;其中,各个的所述单体单位掩膜版可个别结合于所述结构用掩膜版条。
根据一实施例,所述结构用掩膜版条还可包括加固条,所述加固条配置在与所述单体单位掩膜版的接合面的背面,进而以TFT玻璃的TFT位置为基准矫正所述沉积区域的错位。
根据一实施例,所述加固条配置有多个,并且可沿着所述第一方向彼此间隔并排排列。
根据一实施例,所述加固条可由包围所述单体单位掩膜版和所述结构用掩膜版条之间的焊接点的垂直方向的加固壁构成。
根据一实施例,在所述结构用掩膜版条中在与所述单体单位掩膜版的接合面的背面可凸出形成焊接凸起。
根据一实施例,所述单体单位掩膜版可形成从与TFT玻璃的接触面具有预定深度的段差的焊接槽。
根据一实施例,在所述焊接槽的基底面可凸出形成焊接凸起,而所述焊接凸起的上端部可低于所述接触面。
根据一实施例,所述单体单位掩膜版可具有与所述结构用掩膜版条相互不同的热膨胀系数。
根据一实施例,所述单体单位掩膜版可具有与所述结构用掩膜版条相互不同的厚度。
根据一实施例,所述沉积区域包括使沉积物质通过的位置对齐孔;所述位置对齐孔以TFT玻璃的TFT位置为基准对齐所述单体单位掩膜版的位置,可决定所述单体单位掩膜版的焊接位置。
根据一实施例,所述沉积区域可通过湿式蚀刻、电铸镀金及激光加工中的一种进行孔加工。
本发明的另一实施例的混合掩模版条包括:结构用掩膜版条,配置有多个开口部和拉伸固定部,所述开口部以第一方向与各个单体单位掩膜版的沉积区域相对应,所述拉伸固定部配置在所述第一方向的两端,以在施加拉伸力的状态下固定在框架;各个的所述单体单位掩膜版可个别结合于所述结构用掩膜版条。
根据一实施例,所述结构用掩膜版条还可包括加固条,所述加固条配置在与所述单体单位掩膜版的接合面的背面,进而以TFT玻璃的TFT位置为基准矫正所述沉积区域的错位。
为了解决上述的技术课题,本发明提供混合掩模版条的制造方法。
本发明的一实施例的混合掩模版条的制造方法包括:结构用掩膜版条拉伸步骤,以第一方向拉伸结构用掩膜版条;单体单位掩膜版拉伸步骤,以所述第一方向或者所述第一方向及与所述第一方向直交的第二方向拉伸单体单位掩膜版;单体单位掩膜版对齐步骤,对齐所述单体单位掩膜版的位置,以使所述结构用掩膜版条的每个开口部对应于单体单位掩膜版的沉积区域;及单体单位掩膜版固定步骤,在所述结构用掩膜版条固定所述单体单位掩膜版;其中,在所述单体单位掩膜版拉伸步骤和所述单体单位掩膜版固定步骤中,每个所述单体单位掩膜版可以个别拉伸及固定在所述结构用掩膜版条。
根据一实施例,在所述单体单位掩膜版固定步骤中,通过从下部照射的激光束在所述结构用掩膜版条结合所述单体单位掩膜版时在所述结构用掩膜版条的下面可凸出形成焊接凸起。
根据一实施例,在所述单体单位掩膜版固定步骤中,通过从上部照射的激光束在所述结构用掩膜版条结合所述单体单位掩膜版时,在所述单体单位掩膜版的焊接槽基底面凸出形成焊接凸起;所述焊接槽可在所述单体单位掩膜版的一面形成段差,以从与TFT玻璃的接触面形成预定深度。
为了解决上述技术课题,本发明提供利用混合掩模版条的掩模版组件。
本发明的一实施例的掩模版组件包括:框架,形成开口部,并且具有沿着所述开口部的周围配置的第三接合区域;及多个混合掩模版条,在以第一方向施加拉伸力的状态下两端部固定在所述第三接合区域;其中,所述混合掩模版条可利用权利要求1至13中的任意一项的混合掩模版条形成。
根据一实施例,还可包括支撑部,所述支撑部以所述第一方向配置在所述框架和所述混合掩模版条之间支撑并固定所述混合掩模版条,并且堵住彼此相邻的所述混合掩模版条之间的间隙。
为了解决上述的技术课题,本发明提供利用混合掩模版条形成的有机发光显示装置。
本发明的一实施例的有机发光显示装置包括:TFT玻璃;多个薄膜晶体管,配置在所述TFT玻璃上;多个像素电极,电连接于所述薄膜晶体管;沉积层,配置在所述像素电极上;及对向电极,配置在所述沉积层上;所述薄膜晶体管、所述像素电极、所述沉积层以及所述对向电极中的至少一个可利用权利要求1至13中的任意一项的混合掩模版条形成。
发明的效果
根据本发明的实施例,具有作为混合掩模版条可直接灵活利用以往的掩膜版条方式的框架和掩膜版条拉伸***的优点。
另外,根据本发明的一实施例,将现有掩膜版条二元化成结构用掩膜版条和单体单位掩膜版,进而结构用掩膜版条和单体单位掩膜版之间具有不同的制造误差,因此具有提高制作的便利性、节省制作成本、提高生产力及质量的优点。
另外,根据本发明的一实施例,将现有掩膜版条二元化成结构用掩膜版条和单体单位掩膜版,进而以单体单位掩膜版为单位可制作得小且薄,因此不仅是以往的湿式蚀刻,还可通过电铸镀金或者激光加工等制作,因此具有可通过高分辨率的掩模版制作显示装置的优点。
另外,根据本发明的一实施例,根据结构用掩膜版条和单体单位掩膜版之间的厚度差,形成厚度薄的单体单位掩膜版的沉积区域,可实现高分辨率的孔加工,并且将阴影现象最小化,同时形成厚度厚的支撑的结构用掩膜版条,防止在拉伸及焊接时出现破损,具有容易以高分辨率实现大面积的有机发光显示装置的优点。
另外,根据本发明的一实施例,形成厚度厚的结构用掩膜版条或者单独配置加固条,进而在结合已施加拉伸力的单体单位掩膜版时结构用掩膜版条的肋条(rib)也不会因为拉伸力而弯曲,可将单体单位掩膜版的位置变形最小化,具有实现大面积的掩模版组件的优点。
另外,根据本发明的一实施例,形成厚度厚的结构用掩膜版条或者单独配置加固条,进而提高TFT玻璃和混合掩模版条之间的贴合力,具有可减少阴影(shadow)现象的优点。
另外,根据本发明的一实施例,结构用掩膜版条和单体单位掩膜版之间具有不同的热膨胀系数,进而可将因为混合掩模版条及掩模版组件的制作工艺和沉积室内部中的沉积工艺中施加的热导致单体单位掩膜版的变位相对最小化。
另外,根据本发明的一实施例,结构用掩膜版条和单体单位掩膜版之间形成不同的厚度,进而相比现有的掩膜版条可实现薄膜化的单体单位掩膜版,具有提高大面积的高分辨率精确沉积图案的生成性和可靠性的优点。
另外,根据本发明的一实施例,若在包括多个单体单位掩膜版的混合掩模版条中更换一部分单体单位掩膜版,则只考虑单方向的其他单体单位掩膜版即可,可以不用考虑与相邻的其他混合掩模版条的单体单位掩膜版的干涉现象,因此具有容易维护的优点。
另外,根据本发明的一实施例,通过焊接在与TFT玻璃的接触面的背面(即,结构用掩膜版条的下面)形成焊接凸起,进而TFT玻璃紧贴于混合掩模版条,且无浮起现象,因此具有可减少沉积不良的优点。
另外,根据本发明的一实施例,配置有从接触面凹陷预定深度形成的焊接槽,在焊接槽的基底面形成焊接凸起,而且焊接凸起的上端部低于接触面,进而在与TFT玻璃的接触面与TFT玻璃紧贴且无浮起现象,因此具有可减少沉积不良的优点。
另外,根据本发明的一实施例,以单位实现各个单体单位掩膜版,进而不仅是第一方向还能够以第二方向对单体单位掩膜版施加拉伸力,因此具有可更加精确控制掩膜版的总间距的优点。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施例的混合掩模版条的立体图。
图2是图1的A-A'部分扩大剖面图。
图3是示出在本发明的第一实施例的结构用掩膜版条拉伸接合的单体单位掩膜版的制造工艺图。
图4是示出本发明的第一实施例的结构用掩膜版条的平面图。
图5是示出本发明的第一实施例的单体单位掩膜版的平面图。
图6是示出本发明的第二实施例的混合掩模版条的立体图。
图7是图6的A-A'部分扩大剖面图。
图8是示出在本发明的第二实施例的结构用掩膜版条拉伸接合的单体单位掩膜版的制造工艺图。
图9a和图9b是示出本发明的第二实施例的单体单位掩膜版的平面图。
图10是示出本发明的第三实施例的混合掩模版条的立体图。
图11是图10的A-A'剖面图。
图12是根据本发明的第三实施例示出通过从下面照射的激光束接合的混合掩模版条的A-A'部分扩大剖面图。
图13是示出在本发明的第三实施例的结构用掩膜版条拉伸接合的单体单位掩膜版的制造工艺图。
图14是示出本发明的第三实施例的结构用掩膜版条的仰视图。
图15a至图15c是用于说明本发明的第三实施例的加固条的作用效果的概略图。
图16是用于说明本发明的第三实施例的加固条的结合过程的概略图。
图17是示出本发明的第四实施例的混合掩模版条的立体图。
图18是根据本发明的第四实施例示出通过从下面照射的激光束接合的混合掩模版条的A-A'部分扩大剖面图。
图19是示出在本发明的第四实施例的结构用掩膜版条拉伸接合的单体单位掩膜版的制造工艺图。
图20是示出本发明的第四实施例的结构用掩膜版条的仰视图。
图21是示出本发明的一实施例的混合掩模版条的制造方法的流程图。
图22是示出本发明的第一实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图。
图23是图22中的B-B'部分的主剖面图。
图24是示出本发明的第二实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图。
图25是示出本发明的第三实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图。
图26是示出本发明的第四实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图。
图27是图26中的B-B'部分的主剖面图。
图28是示出本发明的第五实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图。
图29是示出本发明的第六实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图。
图30是示出本发明的一实施例的框架的立体图。
图31是概略示出利用图1至图20的混合掩模版条制造的有机发光显示装置的剖面图。
(附图标记说明)
1:有机发光显示装置
10:掩模版组件
100:混合掩模版条
110:结构用掩膜版条 111:开口部
112:第一接合区域 113:拉伸固定部
114a、114b:加固条 115:焊接凸起
120:单体单位掩膜版 121:沉积区域
122:位置对齐孔 123:第二接合区域
124:与TFT玻璃的接触面 125:焊接槽
126:焊接凸起
200:框架 210:开口部
220:第三接合区域 230:支撑部
t1:结构用掩膜版条厚度 t2:单体单位掩膜版厚度
t3:接触面和焊接凸起上端部之间的段差
具体实施方式
为了解决上述技术课题,本发明提供一种混合掩模版条。
本发明的一实施例的混合掩模版条包括:结构用掩膜版条,以第一方向形成多个开口部,并且具有沿着所述开口部的周围配置的第一接合区域,在所述第一方向的两端部配置拉伸固定部,以在施加拉伸力的状态下固定在框架;及单体单位掩膜版,具有沉积区域和第二接合区域,所述沉积区域与所述开口部相对应,所述第二接合区域沿着所述沉积区域的周围配置且与所述第一接合区域接合;其中,各个的所述单体单位掩膜版可个别结合于所述结构用掩膜版条。
本发明的另一实施例的混合掩模版条包括:结构用掩膜版条,配置有多个开口部和拉伸固定部,所述开口部以第一方向与各个单体单位掩膜版的沉积区域相对应,所述拉伸固定部配置在所述第一方向的两端,以在施加拉伸力的状态下固定在框架;各个的所述单体单位掩膜版可个别结合于所述结构用掩膜版条。
本发明的一实施例的混合掩模版条的制造方法包括:结构用掩膜版条拉伸步骤,以第一方向拉伸结构用掩膜版条;单体单位掩膜版拉伸步骤,以所述第一方向或者所述第一方向及与所述第一方向直交的第二方向拉伸单体单位掩膜版;单体单位掩膜版对齐步骤,对齐所述单体单位掩膜版的位置,以使所述结构用掩膜版条的每个开口部对应于单体单位掩膜版的沉积区域;及单体单位掩膜版固定步骤,在所述结构用掩膜版条固定所述单体单位掩膜版;其中,在所述单体单位掩膜版拉伸步骤和所述单体单位掩膜版固定步骤中,每个所述单体单位掩膜版可以个别拉伸及固定在所述结构用掩膜版条。
本发明的一实施例的掩模版组件包括:框架,形成开口部,并且具有沿着所述开口部的周围配置的第三接合区域;及多个混合掩模版条,在以第一方向施加拉伸力的状态下两端部固定在所述第三接合区域;其中,所述混合掩模版条可利用权利要求1至13中的任意一项的混合掩模版条形成。
为了解决上述技术课题,本发明提供利用混合掩模版条形成的有机发光显示装置。
本发明的一实施例的有机发光显示装置包括:TFT玻璃;多个薄膜晶体管,配置在所述TFT玻璃上;多个像素电极,电连接于所述薄膜晶体管;沉积层,配置在所述像素电极上;及对向电极,配置在所述沉积层上;所述薄膜晶体管、所述像素电极、所述沉积层以及所述对向电极中的至少一个可利用权利要求1至13中的任意一项的混合掩模版条形成。
执行本发明的模式
以下,参照附图详细说明本发明的优选实施例。然而,本发明的技术思想不限于在此说明的实施例,而是也可具体化成其他形态。反而,在此介绍的实施例是为使公开的内容更加透彻并完整以及向技术人员更加充分传达本发明的思想而提供的。
在本说明书中,在说明某一构件位于另一构件上的情况下,这是指可直接形成在另一构件上或者在两者之间也可介入第三构件。另外,在附图中,形状及尺寸是夸张示出的,以有效说明技术内容。
另外,在本说明书的各种实施例中,第一、第二、第三等的用语是为了说明各种构件而使用的,但是不得由该用语限制这些构件。这些用语只是为了区分某一构件和其他构件而使用的。据此,某一实施例说明的第一构件,在另一实施例也可用第二构件进行说明。在此,说明并示例的各个实施例也包括与其互补的实施例。另外,在本说明书中,“及/或者”以包括在前后列出的构件中的至少一个的意思使用。
在说明书中,对于单数的表述,除非文章中有明确定义,否则包括复数的表述。另外,“包括”或者“具有”等的用语是要指定在说明书上记载的特征、数字、步骤、构件或者这些组合的存在,不得解释为排除一个或者这以上的其他特征、数字、步骤、构件或者这些组合的存在或者增加可能性。另外,在本说明书中“连接”是以将间接连接及直接连接多个构件全部包括的意思使用。
另外,在以下本发明的说明中,在判断相关公知功能或者结构的具体说明使本发明的要点不清楚的情况下,将省略其详细说明。
以下,为了便于说明,假设混合掩模版条使用水平型沉积***,但是不限于此。在水平型沉积***中,第一方向是指混合掩模版条的长度方向即直交坐标系的Y轴,第二方向是指混合掩模版条的宽度方向即直交坐标系的X轴,在Z轴中以垂直方向依次设置有沉积源、包括混合掩模版条的掩模版组件及作为沉积体的TFT玻璃。
以下,说明本发明的第一实施例的混合掩模版条(100)。
图1是示出本发明的第一实施例的混合掩模版条(100)的立体图;图2是图1的A-A'部分扩大剖面图;图3是示出在本发明的第一实施例的结构用掩膜版条(110)拉伸接合的单体单位掩膜版(120)的制造工艺图;图4是示出本发明的第一实施例的结构用掩膜版条的平面图;图5是示出本发明的第一实施例的单体单位掩膜版的平面图。
参照图1至图5,发明的第一实施例的混合掩模版条(100)可利用于在TFT玻璃(未示出)沉积沉积物质的沉积工艺。基板(S)可以是透明的材料,诸如玻璃材料、塑料材料或者金属材料,本发明在各种种类的基板(S)中将举例说明TFT玻璃(未示出)。但是,本发明不限于此。
混合掩模版条(100)可包括结构用掩膜版条(110)和多个单体单位掩膜版(120)。在水平型沉积***的情况下,混合掩模版条(100)可以是以垂直方向层叠结构用掩膜版条(110)和在这上面的单体单位掩膜版(120)的结构。混合掩模版条(100)能够以待后述的单体单位掩膜版(120)或者结构用掩膜版条(110)为单位进行更换。
结构用掩膜版条(110)
参照图1至图5、图22至图25,本发明的第一实施例的结构用掩膜版条(110)可使待后述的单体单位掩膜版(120)的制作公差的总间距(total pitch)保持恒定。结构用掩膜版条(110)在施加拉伸力的状态下固定在框架(200)可支撑单体单位掩膜版(120)。在结构用掩膜版条(110)以第一方向可形成多个开口部(111)。另外,结构用掩膜版条(110)可具有第一接合区域(112)和拉伸固定部(113)。进一步地,还可包括焊接凸起(115)。
重新参照图2至图5,开口部(111)能够以Z方向暴露单体单位掩膜版(120)的沉积区域(121)。开口部(111)可以是垂直贯通的形状。多个开口部(111)彼此间隔相当于肋条(rib)的间距。开口部(111)可形成与单体单位掩膜版(120)的沉积区域(121)相对应的尺寸和形状。一个开口部(111)可对应于各个单体单位掩膜版(120)。各个开口部(111)可沿着第一方向对称排列。能够以低于单体单位掩膜版(120)的沉积区域(121)的精确度加工开口部(111)。
为了制造及加工的便利性,开口部(111)具有四边形形状,但是不一定必须是四边形,诸如尺寸分别不同或者不规则的情况。另外,包围开口部(111)的开口部边框可具有以Z+方向越来越窄的倾斜面,以提高根据第一实施例的结构用掩膜版条(110)预定厚度的面取率。
重新参照图4和图5,第一接合区域(112)可提供支撑单体单位掩膜版(120)并且与单体单位掩膜版(120)的第二接合区域(123)接合的区域。第一接合区域(112)可沿着开口部(111)的周围配置。第一接合区域(112)可与待后述的第二接合区域(123)面接触,支撑单体单位掩膜版(120)。通过焊接第一接合区域(112)和第二接合区域(123)之间可接合结构用掩膜版条(110)和单体单位掩膜版(120)。第一接合区域(112)可具有四边形形状。一实施例的第一接合区域(112)在第一方向和第二方向分别可具有不同的宽度。
重新参照图4,拉伸固定部(113)可以是结构用掩膜版条(110)的边缘两端凸出延伸的区域。拉伸固定部(113)可以是被以第一方向配置在两端的夹紧装置(未示出)夹紧的区域,以对结构用掩膜版条(110)施加拉伸力。在拉伸固定部(113)中被夹紧装置(未示出)夹紧的区域可具有在边缘相互对称的羽翼形状。拉伸固定部(113)可包括被激光焊接机(未示出)的激光束焊接的区域,其中所述激光焊接机以Z方向配置在上部。拉伸固定部(113)在施加拉伸力的状态下通过焊接可固定在框架(200)。
在这一情况下,为了拉伸结构用掩膜版条(110),可在拉伸固定部(113)分别配置夹紧装置(未示出)。夹紧装置(未示出)以第一方向对拉伸固定部(113)施加拉伸力,进而在将结构用掩膜版条(110)拉紧绷的状态下可固定在框架(200)。拉伸固定部(113)可包括与框架(200)结合的固定区域。此时,通过焊接等的方法可固定在框架(200)。
重新参照图2和图3,为了提高单体单位掩膜版(120)和TFT玻璃(未示出)之间的贴合力,焊接凸起(115)可凸出形成在结构用掩膜版条(110)的下面,即结构用掩膜版条(110)中与单体单位掩膜版(120)的接合面的背面。为此,在结构用掩膜版条(110)结合单体单位掩膜版(120)时,可如图2和图3所示从单体单位掩膜版(120)的结合面的背面即下面以Z+方向照射激光束。焊接凸起(115)可形成在焊接点。在这一情况下,焊接点是指通过激光束形成焊接凸起(115)以结合各个的单体单位掩膜版(120)和结构用掩膜版条(110)的区域。多个焊接凸起(115)可间隔预定间距地配置在焊接点。
激光焊接装置(未示出)可配置在结构用掩膜版条(110)的下部。通过从激光焊接装置(未示出)照射的激光束可在与单体单位掩膜版(120)的接合面的背面形成焊接凸起(115)。据此,在与TFT玻璃(未示出)相互面对的单体单位掩膜版(120)的TFT玻璃的接触面(124)不产生因为单独焊接而形成的凹凸。据此,即使进行焊接工艺,也可在沉积工艺中紧贴地贴合TFT玻璃(未示出)和混合掩模版条(100)之间,且不出现浮起现象,因此可将阴影(shadow)现象最小化。
重新参照图1和图3、图4,结构用掩膜版条(110)可以是以第一方向形成预定长度的条状。结构用掩膜版条(110)能够以比单体单位掩膜版(120)低的制作误差制作。另外,结构用掩膜版条(110)能够以比以往的掩膜版条低的制作误差制作。结构用掩膜版条(110)的宽度和形状、尺寸等可相互对称,以对单体单位掩膜版(120)施加均匀的拉伸力。结构用掩膜版条(110)可以是对磁体起到吸引力作用的含有钢成分的金属材料。
结构用掩膜版条(110)可具有磁性。据此,在将混合掩模版条(100)紧贴于TFT玻璃(未示出)时通过配置在上部的磁性体以Z+方向对混合掩模版条(100)产生吸引力作用,进而可提高TFT玻璃(未示出)和混合掩模版条(100)之间的贴合力。
根据一实施例的结构用掩膜版条(110)可具有与单体单位掩膜版(120)相互不同的热膨胀系数。更加具体地说,结构用掩膜版条(110)相比于单体单位掩膜版(120)可具有相对低的热膨胀系数。据此,由于结构用掩膜版条(110)的热膨胀系数小,因此可将引导在沉积工艺中产生的热导致的变形最小化。
根据一实施例,结构用掩膜版条(110)可具有与单体单位掩膜版(120)相互不同的厚度。更具体地说,相比于单体单位掩膜版(120),结构用掩膜版条(110)相对可具有预定厚度以上的厚度。与单体单位掩膜版(120)不同,相对增厚结构用掩膜版条(110)的厚度,进而在拉伸及焊接时不仅防止错位,还可防止因为拉伸及焊接导致的破损。结构用掩膜版条(110)可具有100μm至200μm的厚度。
将说明作为混合掩模版条(100)的另一结构的单体单位掩膜版(120)。
单体单位掩膜版(120)
参照图1至图5,单体单位掩膜版(120)是在沉积工艺步骤中沉积物质通过沉积区域(121)沉积在TFT玻璃(未示出)上得到所需模样的薄膜(金属层或者有机发光层等)。如图5所示,单体单位掩膜版(120)可包括沉积区域(121)和第二接合区域(123)。进一步地,还可包括位置对齐孔(122)。
重新参照图1至图3,单体单位掩膜版(120)可分别与结构用掩膜版条(110)个别结合。在这一情况下,各个单体单位掩膜版(120)可彼此间断地以第一方向配置在结构用掩膜版条(110)。即,多个单体单位掩膜版(120)在彼此之间以第一方向间隔相当于肋条(rib)的间距的状态下可接合于结构用掩膜版条(110)。单体单位掩膜版(120)可具有板状的薄膜形状。单体单位掩膜版(120)可具有5μm至25μm的厚度。单体单位掩膜版(120)是一面与TFT玻璃(未示出)面接触,而另一面接合于结构用掩膜版条(110)可被支撑,根据一实施例,在水平型沉积***中单体单位掩膜版(120)能够以Z方向配置在结构用掩膜版条(110)的上面。
重新参照图1和图2、图5,沉积区域(121)可由使沉积物质通过的多个图案孔构成。沉积区域(121)可具有对应于开口部(111)的位置和尺寸、形状。沉积区域(121)可具有以第一方向及第二方向小于开口部(111)的区域。结构用掩膜版条(110)的开口部(111)大于沉积区域(121),但是可小于单体单位掩膜版(120)。示出了沉积区域(121)排列多个孔,但是除此之外沉积区域(121)也可具有多个狭槽形状。沉积区域(121)可包括位置对齐孔(122)。
沉积区域(121)可通过湿式蚀刻、电铸镀金及激光加工中的一种进行孔加工。即,可又小又薄地制作单体单位掩膜版(120),进而具有通过湿式蚀刻、电铸镀金方式、激光加工可加工具有精确的沉积区域(121)的单体单位掩膜版(120)的优点。
重新参照图5,第二接合区域(123)可提供接合于结构用掩膜版条(110)的区域。第二接合区域(123)可沿着沉积区域(121)的周围配置。第二接合区域(123)可以是在单体单位掩膜版(120)中除了沉积区域(121)以外的区域。重新参照图3至图5,第二接合区域(123)可以是与第一接合区域(112)面接触的区域。
第二接合区域(123)可被第一接合区域(112)支撑。通过焊接第一接合区域(112)和第二接合区域(123)之间可接合结构用掩膜版条(110)和单体单位掩膜版(120)。第二接合区域(123)可具有四边形形状。一实施例的第二接合区域(123)在第一方向和第二方向上各自具有不同的宽度。
重新参照图5,位置对齐孔(122)可由在用于使沉积物质通过的有机发光显示装置(OLED)的R、G、B像素中选择的孔构成。另外,位置对齐孔(122)可以是以TFT玻璃(未示出)的TFT位置为基准对齐单体单位掩膜版(120)的位置的基准。位置对齐孔(122)可决定单体单位掩膜版(120)的焊接位置。单体单位掩膜版(120)的位置对齐孔(122)对应于TFT玻璃(未示出)的TFT位置,因此以TFT位置的绝对坐标值为基础可对齐各个单体单位掩膜版(120)的位置。
根据一实施例,单体单位掩膜版(120)可具有与结构用掩膜版条(110)相互不同的热膨胀系数。更具体地说,单体单位掩膜版(120)相比于结构用掩膜版条(110)可具有相对高的热膨胀系数。据此,在对结构用掩膜版条(110)以第一方向施加拉伸力的情况下,相比于单体单位掩膜版(120)施加于结构用掩膜版条(110)的变形可相对更少。据此,在结构用掩膜版条(110)支撑各个单体单位掩膜版(120)的状态下可将热膨胀系数大的单体单位掩膜版(120)位置变化最小化。
根据一实施例,单体单位掩膜版(120)可具有与结构用掩膜版条(110)相互不同的厚度。更具体地说,单体单位掩膜版(120)相比于结构用掩膜版条(110)可具有相对薄的厚度(t2<t1)。据此,可施加更大的拉伸力来拉伸结构用掩膜版条(110),可比单体单位掩膜版(120)相对减少结构用掩膜版条(110)的下沉。结果,结构用掩膜版条(110)支撑各个单体单位掩膜版(120),因此也可将单体单位掩膜版(120)因为自重而下沉的现象最小化。在这一情况下,单体单位掩膜版(120)可具有5μm至25μm的厚度。
以下,以与以本发明的第一实施例的混合掩模版条(100)的区别点为中心说明本发明的第二实施例的混合掩模版条(100)。省略的说明可由在上述图1至图5说明的第一实施例的混合掩模版条(100)的内容代替。
本发明的第二实施例的混合掩模版条(100)可具有如下特征:在结构用掩膜版条(110)结合单体单位掩膜版(120)时,从上部照射激光束,在单体单位掩膜版(120)的焊接槽(125)的底面部形成焊接凸起(126)。
图6是示出本发明的第二实施例的混合掩模版条的立体图;图7是图6的A-A'部分扩大剖面图;图8是示出在本发明的第二实施例的结构用掩膜版条拉伸接合的单体单位掩膜版的制造工艺图;图9a和图9b是示出本发明的第二实施例的单体单位掩膜版的平面图。
单体单位掩膜版(120)
如图6至图9b所示,第二实施例的单体单位掩膜版(120)可形成焊接槽(125)。
第二实施例的单体单位掩膜版(120)是具有比第一实施例的单体单位掩膜版(120)更厚的厚度的情况。即,即使第二实施例的单体单位掩膜版(120)形成焊接槽(125),也可具有不影响单体单位掩膜版(120)的耐久性的程度的预定厚度以上的厚度。
重新参照图7和图8,焊接槽(125)可防止在单体单位掩膜版(120)和结构用掩膜版条(110)之间结合时因为通过焊接形成的焊接凸起(126)在单体单位掩膜版(120)和TFT玻璃(未示出)之间形成间隔。即,焊接槽(125)可以是为了在通过从上部照射的激光束焊接结合时也可使单体单位掩膜版(120)和TFT玻璃(未示出)无间隔地紧贴而配置。焊接槽(125)可从作为单体单位掩膜版(120)的一面的与TFT玻璃的接触面(124)形成预定深度的段差。
如图7所示,焊接槽(125)从与TFT玻璃的接触面(124)具有预定深度,可以是待形成待后述的焊接凸起(126)的区域。如图9a至图9b所示,具有段差的焊接槽(125)可在与TFT玻璃(未示出)的接触面(124)的上部制作成各种形状。
重新参照图7,焊接凸起(126)可凸出形成在焊接槽(125)的基底面。为了提高单体单位掩膜版(120)和TFT玻璃(未示出)之间的贴合力,焊接凸起(126)的上端部可低于与TFT玻璃的接触面(124)。在Z方向中相比于焊接凸起(126)上端部在相差t3左右的Z+方向设置与TFT玻璃的接触面(124)。
以下,以与本发明的第一实施例的混合掩模版条(100)的区别点为中心说明本发明的第三实施例的混合掩模版条(100)。省略的说明可由在上述图1至图5说明的第一实施例的混合掩模版条(100)的内容代替。
本发明的第三实施例的混合掩模版条(100)的特征为结构用掩膜版条(110)配置有加固条(114a)。
图10是示出本发明的第三实施例的混合掩模版条(100)的立体图;图11是图10的A-A'剖面图;图12是根据本发明的第三实施例示出通过从下面照射的激光束接合的混合掩模版条(100)的A-A'部分扩大剖面图;图13是示出在本发明的第三实施例的结构用掩膜版条(110)拉伸接合的单体单位掩膜版(120)的制造工艺图;图14是示出本发明的第三实施例的结构用掩膜版条(110)的仰视图;图15a至图15c是用于说明本发明的第三实施例的加固条的作用效果的概略图;图16是用于说明本发明的第三实施例的加固条的结合过程的概略图。
结构用掩膜版条(110)
参照图10至图16,本发明的第三实施例的结构用掩膜版条(110)可具有第一接合区域(112)和拉伸固定部(113)。进一步地,还可包括加固条(114a)和焊接凸起(115)。
根据第三实施例,结构用掩膜版条(110)与单体单位掩膜版(120)可具有相互不同的厚度。更具体地说,结构用掩膜版条(110)相比于单体单位掩膜版(120)可具有相对大于预定厚度的厚度。与单体单位掩膜版(120)不同,使结构用掩膜版条(110)形成更厚的厚度,进而不仅可防止在拉伸及焊接时的错位,还可防止因为拉伸及焊接导致的破损。结构用掩膜版条(110)可具有30μm至100μm的厚度。
重新参照图11和图12、图14,加固条(114a)可矫正待后述的单体单位掩膜版(120)(尤其是,沉积区域(121))的错位。由此,沉积区域(121)可具有与TFT玻璃(未示出)的TFT位置相对应的坐标值。加固条(114a)可配置在与单体单位掩膜版(120)的接合面的背面。加固条(114a)配置有多个,并且可沿着第一方向彼此间隔并排排列。加固条(114a)可具有预定厚度以上的厚度,以矫正单体单位掩膜版(120)的错位。
加固条(114a)可具有预定的强度,以防止在与单体单位掩膜版(120)结合时发生弯曲。加固条(114a)可具有低重量材料,以防止因为以Z方向的自重而出现下沉。优选为,加固条(114a)可以是对磁体起到吸引力作用的含有钢成分的金属材料。
结构用掩膜版条(110)和加固条(114a)具有磁性,进而将混合掩模版条(100)紧贴于TFT玻璃(未示出)时,通过配置在上部的磁性体使混合掩模版条(100)以Z+方向产生吸引力作用,进而可提高TFT玻璃(未示出)和混合掩模版条(100)之间的贴合力。
如图16所示,加固条(114a)通过由激光焊接机(未示出)照射的激光束可焊接结合于结构用掩膜版条(110),所述激光焊接机配置在结构用掩膜版条(110)的接合面的背面(即,结构用掩膜版条(110)的下部)。
第一实施例的加固条(114a)可以是加固壁。加固壁可由包围焊接点的垂直方向的壁构成。为了避免与用于与单体单位掩膜版(120)焊接的焊接点发生干涉,可在加固壁的下面沿着加固壁以预定间隔形成焊接凸起。
焊接点可提供通过焊接的结合区域,以用于在结构用掩膜版条(110)结合单体单位掩膜版(120)。即,在向结构用掩膜版条(110)下面(即,与单体单位掩膜版(120)的接合面的背面)照射激光束时,可排除该焊接点的区域,以提高结构用掩膜版条(110)和单体单位掩膜版(120)之间的结合力。
在以第一方向对结构用掩膜版条(110)施加拉伸力的情况下,以第一方向只向边缘施加拉伸力,拉得紧绷,而在只以边缘之间的区域的第二方向配置的肋条(rib)则不施加拉伸力。
图15b和图15c是假设在结构用掩膜版条(110)没有加固条(114a)的情况下在每个结构用掩膜版条(110)的第一个、第二个开口部(111)拉伸、对齐及焊接各个单体单位掩膜版(120)的图。
结构用掩膜版条(110)的第二个开口部(111)可结合以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力的单体单位掩膜版(120)。此时,尤其是若在结合的同时解除以第一方向施加于单体单位掩膜版(120)的拉伸力,则如图15b所示在未传递拉伸力的肋条(rib)能够以第一方向的(-)方向发生变形。
如图15c所示,在结构用掩膜版条(110)的第一个开口部(111)结合以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力的单体单位掩膜版(120)的情况下,在结合的同时解除施加于单体单位掩膜版(120)的拉伸力,并且除了第一方向的边缘以外的肋条(rib)可发生以图15b的相反方向的第一方向的(+)方向发生变形。
据此,如图15a所示,加固条(114a)的作用如下:支撑结构用掩膜版的肋条(rib),进而在将施加拉伸力的各个单体单位掩膜版(120)结合于结构用掩膜版条(110)时无论是否有施加的拉伸力都不使结构用掩膜版条的肋条(rib)发生变形。
如图11和图12、图16所示,焊接凸起(115)可形成在作为加固壁内部区域的焊接点。在加固条(114a)内侧配置焊接凸起(115),进而不仅可提高结构用掩膜版条(110)和加固条(114a)之间的结合力,还可提高结构用掩膜版条(110)和单体单位掩膜版(120)之间的结合力。
通过配置在结构用掩膜版条(110)下部的激光焊接装置(未示出)可在加固条(114a)内部焊接点形成焊接凸起(115)。
以下,以与本发明的第二及第三实施例的混合掩模版条(100)的区别点为中心说明本发明的第四实施例的混合掩模版条(100)。省略的说明可由在上述图1至图16说明的第一至第三实施例的混合掩模版条(100)的内容代替。
本发明的第四实施例的混合掩模版条(100)的特征为结构用掩膜版条(110)配置有加固条(114b)。
图17是示出本发明的第四实施例的混合掩模版条的立体图;图18是根据本发明的第四实施例示出通过从下面照射的激光束接合的混合掩模版条的A-A'部分扩大剖面图;图19是示出在本发明的第四实施例的结构用掩膜版条拉伸接合的单体单位掩膜版的制造工艺图;图20是示出本发明的第四实施例的结构用掩膜版条的仰视图。
结构用掩膜版条(110)
如图17至图20所示,第四实施例的加固条(114b)形成直角六面体的形状,可具有与结构用掩膜版条(110)的肋条(rib)相对应的预定厚度和宽度。第四实施例的结构用掩膜版条(110)可在与单体单位掩膜版(120)的接合面的背面形成焊接凸起(126),以与加固条(114b)结合。在这一情况下,通过配置在加固条(114b)下部的激光束可结合加固条(114b)和结构用掩膜版条(110)。
单体单位掩膜版(120)
重新如图17至图20所示,第四实施例的单体单位掩膜版(120)可形成焊接槽(125)。
第四实施例的单体单位掩膜版(120)是具有比第一或者第三实施例的单体单位掩膜版(120)更厚的厚度的情况。即,第四实施例的单体单位掩膜版(120)具有预定厚度以上的厚度,即使形成焊接槽(125)也不影响单体单位掩膜版(120)的耐久性。
焊接槽(125)可防止在单体单位掩膜版(120)和结构用掩膜版条(110)之间结合时因为通过焊接形成的焊接凸起(126)在单体单位掩膜版(120)和TFT玻璃(未示出)之间形成间隔。即,焊接槽(125)可以是在通过从上部照射的激光束焊接结合时在沉积工艺中紧贴单体单位掩膜版(120)和TFT玻璃(未示出),不使这两者之间形成间隔。焊接槽(125)可从作为单体单位掩膜版(120)的一面的与TFT玻璃的接触面(124)形成预定深度的段差。
以下,参照图2、图3、图7、图8、图12、图13、图18、图19说明本发明的一实施例的混合掩模版条(100)的制造方法。
图21是示出本发明的一实施例的混合掩模版条的制造方法的流程图。
如图21所示,混合掩模版条(100)的制造方法可包括:结构用掩膜版条拉伸步骤s10、单体单位掩膜版拉伸步骤s20、单体单位掩膜版对齐步骤s30、单体单位掩膜版固定步骤s40。
在结构用掩膜版条拉伸步骤s10中,利用夹紧装置(未示出)能够以第一方向拉伸结构用掩膜版条(110)。在结构用掩膜版条(110)中各个拉伸固定部(113)被夹紧装置(未示出)夹紧的状态下彼此以反方向拉伸,进而可对结构用掩膜版条(110)施加拉伸力。
在单体单位掩膜版拉伸步骤s20中,能够以第一方向或者第一方向及第二方向拉伸单体单位掩膜版(120)。在单体单位掩膜版拉伸步骤s30中,单体单位掩膜版夹具(未示出)可对各个单体单位掩膜版(120)施加拉伸力。即,在单体单位掩膜版夹具(未示出)以垂直方向支撑单体单位掩膜版(120)的一面的状态下能够以第一方向或者第一方向及第二方向拉伸单体单位掩膜版(120)。
在图3和图8、图13、图19中,举例了在单体单位掩膜版夹具(未示出)以垂直方向支撑单体单位掩膜版(120)的一面的状态下以第一方向拉伸单体单位掩膜版(120)。
在单体单位掩膜版对齐步骤s30中,为使单体单位掩膜版(120)的沉积区域(121)对应于结构用掩膜版条(110)的开口部(111),移动单体单位掩膜版(120),可将单体单位掩膜版(120)的位置对齐于TFT玻璃(未示出)的TFT位置。
更具体地说,在单体单位掩膜版对齐步骤s30中,为使沉积区域(121)对应于开口部(111),单体单位掩膜版夹具(未示出)可移动各个单体单位掩膜版(120)。即,为使在单体单位掩膜版夹具(未示出)施加拉伸力支撑单体单位掩膜版(120)的状态下对应于开口部(111),可进行第一位置对齐。
在单体单位掩膜版对齐步骤s30中,为了进行第二位置对齐,可利用摄像头(未示出)进行第二位置对齐。摄像头(未示出)可位于混合掩模版条(100)的下部。即,利用摄像头(未示出)可确认位置对齐孔(122)的中心是否与TFT玻璃(未示出)的TFT位置中心一致,并且误差范围是否在1um以内。以第一方向或者第二方向细微调整单体单位掩膜版夹具(未示出)的位置,可将单体单位掩膜版(120)向TFT玻璃(未示出)的TFT位置进行第二位置对齐。
在单体单位掩膜版固定步骤s40中,可在结构用掩膜版条(110)固定单体单位掩膜版(120)。以Z-方向移动单体单位掩膜版夹具(未示出),在第一接合区域(112)安装第二接合区域(123)之后可进行接合。在这一情况下,可通过焊接进行接合。在单体单位掩膜版夹具(未示出)将单体单位掩膜版(120)紧贴于结构用掩膜版条(110)的状态下通过激光焊接机(未示出)在第一接合区域(112)和第二接合区域(123)形成焊接凸起(115或者126)并且可进行接合。
即,在单体单位掩膜版对齐步骤s30中,以第一方向或者第一方向及第二方向对齐单体单位掩膜版(120)的位置;在单体单位掩膜版固定步骤s40中,以Z方向对齐位置,进而可对齐各个单体单位掩膜版(120)的位置。
如图2和图3、图12和图13所示,在第一或者第三实施例的单体单位掩膜版固定步骤s40中,通过从下部照射的激光束在结构用掩膜版条(110)结合单体单位掩膜版(120)时,可在结构用掩膜版条(110)的下面凸出形成焊接凸起(115)。
如图7和图8、图18、图19所示,在第二或者第四实施例的单体单位掩膜版固定步骤s40中,通过从上部照射的激光束在结构用掩膜版条(110)结合单体单位掩膜版(120)时,在焊接槽(125)的基底面可凸出形成焊接凸起(126)。此时,焊接槽(125)在单体单位掩膜版(120)的一面中从与TFT玻璃的接触面(124)形成预定深度的段差。
以下,说明包括混合掩模版条(100)的掩模版组件(10)。
图22是示出本发明的第一实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图;图23是图22中的B-B'部分的主剖面图;图24是示出本发明的第二实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图;
图25是示出本发明的第三实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图;图26是示出本发明的第四实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图;图27是图26中的B-B'部分的主剖面图;图28是示出本发明的第五实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图;图29是示出本发明的第六实施例的掩模版组件的制造工艺的立体图;图30是示出本发明的一实施例的框架的立体图。
掩模版组件(10)
参照图22至图29,掩模版组件(10)可提供沉积图案,以在沉积工艺中可使沉积物质沉积在TFT玻璃(未示出)的特定位置。掩模版组件(10)可包括框架(200)和混合掩模版条(100)。
框架(200)
参照图22至图30,本发明的一实施例的框架(200)可支撑混合掩模版条(100)。框架(200)可在中心形成开口部(210)。另外,框架(200)可具有第三接合区域(220)。框架(200)可具有刚性大的金属材料,以防止因为以混合掩模版条(100)的拉伸方向产生压缩力作用而发生变形。框架(200)具有预定的厚度,并且可具有四边形形状。
重新参照图22至图30,开口部(210)能够以Z方向暴露混合掩模版条(100)。开口部(210)可以是垂直贯通的形状。开口部(210)以第一方向及第二方向可形成比各个沉积区域(121)更大的区域,以防止对于每个混合掩模版条(100)各个的沉积区域(121)以Z方向发生干涉。据此,可用低精确度加工开口部(210)。为了制造及加工的便利性,开口部(210)可具有四边形形状。
重新参照图22至图30,第三接合区域(220)形成包围开口部(210)的形状,支撑混合掩模版条(100)的一面,并且可提供与混合掩模版条(100)的接合区域。混合掩模版条的接合区域可包括以第一方向与混合掩模版条(100)的两端(即,拉伸固定部(113))面接触并接合的区域。在第三接合区域(220)能够以与混合掩模版条的接合区域交叉的第二方向形成多个支撑槽。一对支撑槽能够以第一方向并排形成。两端的支撑槽可容纳支撑部(230)。
重新参照图22至图30,支撑部(230)支撑混合掩模版条(100)的肋条(rib),并且可防止混合掩模版条(100)的下沉。进一步地,可堵住彼此相邻的混合掩模版条(100)之间的间隙。
支撑部(230)可支撑与混合掩模版条(100)并排的各个肋条(rib)边缘。支撑部(230)可介入于框架(200)和混合掩模版条(100)之间。支撑部(230)能够以第一方向配置。支撑部(230)一端和另一端可***于相互面对的支撑槽内。支撑部(230)的高度可与形成支撑槽的厚度相同。据此,支撑部(230)与第三接合区域(220)以相同的高度以Z方向支撑混合掩模版条(100)。
支撑部(230)可具有以Z+方向宽度越来越宽的梯形形状,以不干涉在沉积工艺升华的物质的移动途径。
混合掩模版条(100)
对于省略的说明引用以上图1至图20中说明的本发明的第一至第四实施例的混合掩模版条(100)的相关说明。
混合掩模版条(100)在以第一方向施加拉伸力的状态下,拉伸固定部(113)可固定在第三接合区域(220)。混合掩模版条(100)通过结构用掩膜版条(110)的拉伸固定部(113)可固定在框架(200)。混合掩模版条(100)通过以Z方向配置在上部的激光焊接机(未示出)的激光束可焊接于框架(200)。
以下,说明在掩模版组件(10)中框架(200)和混合掩模版条(100)的结合结构。
如图22、图23、图26及图27所示,在本发明的第一实施例及第四实施例的掩模版组件(10)中对齐混合掩模版条(100)可固定在框架(200)。
拉伸单体单位掩膜版(120)对齐结构用掩膜版条(110)之后进行固定可制造混合掩模版条(100)。
可对齐混合掩模版条(100),进而由夹紧装置(未示出)对拉伸固定部(113)施加拉伸力以使沉积区域(121)到达TFT玻璃(未示出)的TFT位置。以Z方向移动对齐的混合掩模版条(100),可安装在框架(200)的第三接合区域(220)。通过以Z方向配置在上部的激光焊接机(未示出)的激光束可将混合掩模版条(100)焊接并结合于框架(200)。
如图24和图25、图28、图29所示,本发明的第二实施例、第三实施例、第五实施例及第六实施例的掩模版组件(10)在框架(200)对齐结构用掩膜版条(110)进行固定,之后可在结构用掩膜版条(110)对齐单体单位掩膜版(120)进行固定。图24和图28或者图25和图29是示出在结构用掩膜版条(110)结合单体单位掩膜版(120)时的焊接方向的差异。在图24和图28示出的本发明的第二实施例及第五实施例的掩模版组件(10)是在上面执行在结构用掩膜版条(110)焊接单体单位掩膜版(120)的情况;在图25和图29示出的本发明的第三实施例及第六实施例的掩模版组件(10)是在下面执行在结构用掩膜版条(110)焊接单体单位掩膜版(120)的情况。
如图24及图28的本发明的第二实施例及第五实施例的掩模版组件(10)的制造方法如下。
可对齐结构用掩膜版条(110),进而夹紧装置(未示出)对拉伸固定部(113)施加拉伸力以使结构用掩膜版条(110)的开口部(111)全部进入框架(200)的开口部(210)内。以Z方向移动对齐的结构用掩膜版条(110)可安装在框架(200)的第三接合区域(220)。通过以Z方向配置在上部的激光焊接机(未示出)的激光束可将结构用掩膜版条(110)焊接结合于框架(200)。
在单体单位掩膜版夹具(未示出)以垂直方向支撑单体单位掩膜版(120)的一面的状态下以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力可使沉积区域(121)到达结构用掩膜版条(110)的开口部(111)。
通过以Z方向配置在上部的激光焊接机(未示出)的激光束焊接结构用掩膜版条(110)的第一接合区域(112)和单体单位掩膜版(120)的第二接合区域(123),可在结构用掩膜版条(110)可结合各个的单体单位掩膜版(120)。在这一情况下,焊接凸起(126)在与单体单位掩膜版(120)的TFT玻璃的接触面(124)中可形成在焊接槽(125)内部。
图25和图29所示的本发明的第三实施例及第六实施例的掩模版组件(10)的制造方法如下。
可对齐结构用掩膜版条(110),进而夹紧装置(未示出)对拉伸固定部(113)施加拉伸力以使结构用掩膜版条(110)的开口部(111)全部进入框架(200)的开口部(210)内。以Z方向移动对齐的结构用掩膜版条(110)可安装在框架(200)的第三接合区域(220)。通过以Z方向配置在上部的激光焊接机(未示出)的激光束可将结构用掩膜版条(110)焊接结合于框架(200)。
在单体单位掩膜版夹具(未示出)以垂直方向支撑单体单位掩膜版(120)的一面的状态下以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力可使沉积区域(121)到达结构用掩膜版条(110)的开口部(111)。
通过以Z方向配置在上部的激光焊接机(未示出)的激光束焊接结构用掩膜版条(110)的第一接合区域(112)和单体单位掩膜版(120)的第二接合区域(123),可在结构用掩膜版条(110)结合各个单体单位掩膜版(120)。在这一情况下,焊接凸起(115)在结构用掩膜版条(110)中可形成在单体单位掩膜版的接合面的背面。
如下说明利用上述的混合掩模版条(100)制造的本发明的另一实施例的有机发光显示装置(1)。
图31是概略示出利用图1至图20的混合掩模版条制造的有机发光显示装置(1)的剖面图。
参照图31,有机发光显示装置(1)的各种构件可形成在基板(S)上。在这一情况下,基板(S)也可以是基板本身或者基板的切割的一部分。
诸如缓冲层(1100)、栅极绝缘膜(1300)、层间绝缘膜(1500)等的公共层可形成在基板(S)的前面。进一步地,也可形成包括沟通区域(1210)、源电极接触区域(1220)及源电极接触区域(1230)的图案化的半导体层(1200)。与这种图案化的半导体层(1200)可一同形成成为薄膜晶体管(TFT)的构件的栅电极(1400)、源电极(1600)及漏电极(1700)。
另外,覆盖这种薄膜晶体管(TFT)的保护膜(1800)和位于保护膜(1800)上且上面大致平坦的平面化膜(1900)可形成在基板(S)的前面。在这种平面化膜(1900)上可配置OLED,所述OLED包括图案化的像素电极(2100)、对向电极(2300)以及中间层(2200),其中所述对向电极(2300)大致对应于基板(S)的前面,所述中间层(2200)为多层结构,介入于像素电极(2100)和对向电极(2300)之间并且包括发光层。当然,中间层(2200)与示出的不同,一部分可以是层大致对应于的基板(S)的前面的公共层,而另一部分层可以是图案化的图案层,以对应于像素电极(2100)。像素电极(2100)通过通孔可电连接于薄膜晶体管(TFT)。当然,像素定义层(2000)可形成在平面化膜(1900)上,以大致对应于基板(S)的前面,其中所述像素定义层(2000)覆盖像素电极(2100)的边缘并且具有定义各个像素区域的开口。
在如上所述的有机发光显示装置(1)的情况下,利用上述的实施例的混合掩模版条或者混合掩模版条的制造方法至少可形成各个构件中的一部分。
利用上述的实施例的混合掩模版条或者掩模版组件可形成中间层(2200)。例如,中间层(2200)可包括的空穴注入层(HIL,Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL,HoleTransport Layer)、发光层(EML,Emission Layer)、电子传输层(ETL,Electron TransportLayer)、电子注入层(EIL,Electron Injection Layer)等可利用上述的实施例的混合掩模版条或者混合掩模版条的制造方法形成。
以上使用优选的实施例详细说明了本发明,但是本发明的范围不限于特定实施例,应该通过权利要求解释。另外,只要是在该技术领域中掌握常规知识的人员应该理解为在不超出本发明的范围的同时可进行多种修改和变形。
Claims (19)
1.一种混合掩模版条,包括:
结构用掩膜版条,以第一方向形成多个开口部,并且配置有沿着所述开口部的周围配置的第一接合区域,在所述第一方向的两端部配置拉伸固定部,以在施加拉伸力的状态下彼此独立地配置在框架;及
单体单位掩膜版,具有沉积区域和第二接合区域,所述沉积区域与所述开口部相对应,所述第二接合区域沿着所述沉积区域的周围配置且与所述第一接合区域接合;
其中,各个的所述单体单位掩膜版个别结合于所述结构用掩膜版条。
2.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
所述结构用掩膜版条还包括加固条,
所述加固条配置在与所述单体单位掩膜版的接合面的背面,进而以TFT玻璃的TFT位置为基准矫正所述沉积区域的错位。
3.根据权利要求2所述的混合掩模版条,其中,
所述加固条配置有多个,并且沿着所述第一方向彼此间隔并排排列。
4.根据权利要求3所述的混合掩模版条,其中,
所述加固条由包围所述单体单位掩膜版和所述结构用掩膜版条之间的焊接点的垂直方向的加固壁构成。
5.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
在所述结构用掩膜版条中在与所述单体单位掩膜版的接合面的背面凸出形成焊接凸起。
6.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
焊接槽在所述单体单位掩膜版形成段差,以从与TFT玻璃的接触面形成预定深度。
7.根据权利要求6所述的混合掩模版条,其中,
在所述焊接槽的基底面凸出形成焊接凸起,
所述焊接凸起的上端部低于所述接触面。
8.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
所述单体单位掩膜版具有与所述结构用掩膜版条相互不同的热膨胀系数。
9.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
所述单体单位掩膜版具有与所述结构用掩膜版条相互不同的厚度。
10.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
所述沉积区域包括使沉积物质通过的位置对齐孔;
所述位置对齐孔以TFT玻璃的TFT位置为基准对齐所述单体单位掩膜版的位置,决定所述单体单位掩膜版的焊接位置。
11.根据权利要求1所述的混合掩模版条,其中,
所述沉积区域通过湿式蚀刻、电铸镀金及激光加工中的一种进行孔加工。
12.一种混合掩模版条,包括:
结构用掩膜版条,配置有多个开口部和拉伸固定部,所述开口部以第一方向与各个单体单位掩膜版的沉积区域相对应,所述拉伸固定部配置在所述第一方向的两端,以在施加拉伸力的状态下固定在框架;
其中,各个的所述单体单位掩膜版个别结合于所述结构用掩膜版条。
13.根据权利要求12所述的混合掩模版条,其中,
所述结构用掩膜版条还包括加固条,所述加固条配置在与所述单体单位掩膜版的接合面的背面,进而以所述第一方向的TFT位置为基准矫正所述沉积区域的错位。
14.一种混合掩模版条的制造方法,包括:
结构用掩膜版条拉伸步骤,以第一方向拉伸结构用掩膜版条;
单体单位掩膜版拉伸步骤,以所述第一方向或者所述第一方向及与所述第一方向直交的第二方向拉伸单体单位掩膜版;
单体单位掩膜版对齐步骤,对齐所述单体单位掩膜版的位置,以使所述结构用掩膜版条的每个开口部对应于单体单位掩膜版的沉积区域;及
单体单位掩膜版固定步骤,在所述结构用掩膜版条固定所述单体单位掩膜版;
其中,在所述单体单位掩膜版拉伸步骤和所述单体单位掩膜版固定步骤中,每个所述单体单位掩膜版个别拉伸及固定在所述结构用掩膜版条。
15.根据权利要求14所述的混合掩模版条的制造方法,其中,
在所述单体单位掩膜版固定步骤中,通过从下部照射的激光束在所述结构用掩膜版条结合所述单体单位掩膜版时在所述结构用掩膜版条的下面凸出形成焊接凸起。
16.根据权利要求14所述的混合掩模版条的制造方法,其中,
在所述单体单位掩膜版固定步骤中,通过从上部照射的激光束在所述结构用掩膜版条结合所述单体单位掩膜版时,在所述单体单位掩膜版的焊接槽基底面凸出形成焊接凸起,
所述焊接槽在所述单体单位掩膜版的一面形成段差,以从与TFT玻璃的接触面形成预定深度。
17.一种掩模版组件,包括:
框架,形成开口部,并且具有沿着所述开口部的周围配置的第三接合区域;及
多个混合掩模版条,在以第一方向施加拉伸力的状态下两端部固定在所述第三接合区域;
其中,所述多个混合掩模版条利用权利要求1至13中的任意一项的混合掩模版条形成。
18.根据权利要求17所述的掩模版组件,还包括:
支撑部,所述支撑部以所述第一方向配置在所述框架和所述混合掩模版条之间支撑并固定所述混合掩模版条,并且堵住彼此相邻的所述混合掩模版条之间的间隙。
19.一种有机发光显示装置,包括:
TFT玻璃;
多个薄膜晶体管,配置在所述TFT玻璃上;
多个像素电极,电连接于所述薄膜晶体管;
沉积层,配置在所述像素电极上;及
对向电极,配置在所述沉积层上;
其中,所述薄膜晶体管、所述像素电极、所述沉积层以及所述对向电极中的至少一个是利用权利要求1至13中的任意一项的混合掩模版条形成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0061079 | 2019-05-24 | ||
KR1020190061079A KR102083947B1 (ko) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | 하이브리드 스틱 마스크와 이의 제조 방법, 하이브리드 스틱 마스크를 포함하는 마스크 조립체 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 |
PCT/KR2020/005236 WO2020242055A1 (ko) | 2019-05-24 | 2020-04-21 | 하이브리드 스틱 마스크와 이의 제조 방법, 하이브리드 스틱 마스크를 포함하는 마스크 조립체 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113785412A true CN113785412A (zh) | 2021-12-10 |
Family
ID=70466102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080032227.8A Pending CN113785412A (zh) | 2019-05-24 | 2020-04-21 | 混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模版组件及利用此的有机发光显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220181595A1 (zh) |
KR (1) | KR102083947B1 (zh) |
CN (1) | CN113785412A (zh) |
TW (1) | TWI744890B (zh) |
WO (1) | WO2020242055A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021092759A1 (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板 |
JP2021175824A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 |
CN111394692B (zh) * | 2020-05-09 | 2022-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版 |
KR20220077308A (ko) | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 |
KR20230010121A (ko) * | 2021-07-09 | 2023-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체를 포함한 증착 설비 및 마스크 조립체 리페어 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100010251A (ko) * | 2008-07-22 | 2010-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할 마스크 조립체 |
CN102760842A (zh) * | 2011-04-25 | 2012-10-31 | 三星移动显示器株式会社 | 用于薄膜沉积的掩模框架组件 |
CN106158697A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-11-23 | 三星显示有限公司 | 掩模框架组件、沉积装置及有机发光显示装置的制造方法 |
CN107871826A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 沉积掩模、沉积装置及制造显示装置的方法 |
KR20180087824A (ko) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 |
KR20190025433A (ko) * | 2017-09-01 | 2019-03-11 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
CN109778116A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100534580B1 (ko) | 2003-03-27 | 2005-12-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법 |
KR101309864B1 (ko) * | 2010-02-02 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리 |
KR102263604B1 (ko) * | 2014-12-03 | 2021-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102608420B1 (ko) * | 2016-03-09 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR102404743B1 (ko) * | 2018-01-24 | 2022-06-07 | 주식회사 오럼머티리얼 | 스틱 마스크, 스틱 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-05-24 KR KR1020190061079A patent/KR102083947B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-04-21 US US17/601,352 patent/US20220181595A1/en active Pending
- 2020-04-21 CN CN202080032227.8A patent/CN113785412A/zh active Pending
- 2020-04-21 WO PCT/KR2020/005236 patent/WO2020242055A1/ko active Application Filing
- 2020-05-04 TW TW109114821A patent/TWI744890B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100010251A (ko) * | 2008-07-22 | 2010-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할 마스크 조립체 |
CN102760842A (zh) * | 2011-04-25 | 2012-10-31 | 三星移动显示器株式会社 | 用于薄膜沉积的掩模框架组件 |
CN106158697A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-11-23 | 三星显示有限公司 | 掩模框架组件、沉积装置及有机发光显示装置的制造方法 |
CN107871826A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 沉积掩模、沉积装置及制造显示装置的方法 |
KR20180087824A (ko) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 |
KR20190025433A (ko) * | 2017-09-01 | 2019-03-11 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
CN109778116A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020242055A1 (ko) | 2020-12-03 |
TW202044579A (zh) | 2020-12-01 |
KR102083947B1 (ko) | 2020-04-24 |
US20220181595A1 (en) | 2022-06-09 |
TWI744890B (zh) | 2021-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113785412A (zh) | 混合掩模版条及其制造方法、包括混合掩模版条的掩模版组件及利用此的有机发光显示装置 | |
KR101909582B1 (ko) | 풀 사이즈 마스크 조립체와 그 제조방법 | |
JP6919145B2 (ja) | マスク製造装置及びマスク製造方法 | |
KR101122585B1 (ko) | 유기발광 표시장치의 제조방법 | |
KR20220024356A (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 | |
KR20070079924A (ko) | 마스크막형성방법 및 마스크막형성장치 | |
US9905813B2 (en) | Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus | |
KR20130018132A (ko) | El 장치의 제조방법 | |
US10384417B2 (en) | Deposition mask and manufacturing method | |
KR20110067566A (ko) | 증착용 마스크, 그의 제조 방법 및 제조 장치 | |
JP4616667B2 (ja) | マスク構造体およびそれを用いた蒸着方法、並びに有機発光素子の製造方法 | |
WO2018147339A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクのアライメント方法、及び蒸着マスク固定装置 | |
KR20190010775A (ko) | 박막 증착용 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 | |
WO2018146904A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置 | |
JP2019094529A (ja) | マスク製造方法、アライメント方法及びマスク製造装置 | |
JP2007287943A (ja) | 位置合わせ方法および装置 | |
KR102404743B1 (ko) | 스틱 마스크, 스틱 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
KR102466835B1 (ko) | 풀 사이즈 마스크 조립체와 그 제조방법 | |
KR102010815B1 (ko) | 프레임 및 프레임 일체형 마스크 | |
CN114107891A (zh) | 掩模组件以及用于制造掩模组件的方法 | |
KR20200093486A (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
KR20190095237A (ko) | 프레임 및 프레임 일체형 마스크 | |
KR102544342B1 (ko) | 풀 사이즈 마스크 조립체와 그 제조방법 | |
KR20190040794A (ko) | 프레임에 마스크를 부착하는 방법 | |
KR102493710B1 (ko) | 변형방지를 위한 파인 메탈 마스크 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |