CN113759444A - 一种ar膜及其制备方法 - Google Patents
一种ar膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113759444A CN113759444A CN202110789724.9A CN202110789724A CN113759444A CN 113759444 A CN113759444 A CN 113759444A CN 202110789724 A CN202110789724 A CN 202110789724A CN 113759444 A CN113759444 A CN 113759444A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- refractive
- index film
- low
- index
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 38
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 8
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了本发明提供一种AR膜及其制备方法，属于镀膜技术领域，所述AR膜由多层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。本发明通过工艺设计，在镀制低折射率膜层时，加入高折射率材料，在镀制高折射率膜层时，加入低折射率材料，形成混合氧化物膜层，以降低应力，进而提高耐磨性。本发明还通过镀制工艺，在镀制高、低折射率膜层时，加入Al，形成含氧化铝的混合氧化物膜层，进一步提高产品的耐磨性能。
Description
技术领域
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种AR膜及其制备方法。
背景技术
多层光学减反薄膜(AR膜)广泛用于各行各业，比如用于显示触控盖板：在表面镀多层光学减反薄膜(高低折射率交替堆叠的膜层，7～10层，厚度在200～500nm之间)，可以实现表面低于1％的反射率。由于减反薄膜镀制在触控盖板表面，在使用过程中经常被“触摸”；在一些触摸较高的应用场景，AR膜容易被摩擦脱落。
组成AR膜的薄膜材料一般是高低折射率材料，低折射率材料比如SiO2，高折射率材料比如Nb2O5，通过磁控溅射的方式镀制。我们发现，随着氩气量的增加，AR膜的耐磨特性会更好。氩气量的增加，意味着被打出的Si或Nb原子在飞向衬底的过程中，更多几率地被碰撞，从而降低达到衬底的能量，降低了薄膜的应力，最终提升薄膜的耐磨性。
然而，随着氩气的增加，薄膜的均匀性发生很大的改变，不再满足膜厚控制的要求。所以，通过工艺或材料改性手段来增加AR的耐磨性就显得尤为重要。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种应力低、耐磨性高的AR膜及其制备方法。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
本发明提供一种AR膜，所述AR膜由多层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。
进一步的，所述低折射率膜层为SiNbOx，其中SiNbOx表示以氧化硅为主的氧化铌和氧化硅的混合氧化物，所述高折射率膜层为NbSiOx，其中NbSiOx表示以氧化铌为主的氧化铌和氧化硅的混合氧化物。
更进一步的，所述SiNbOx中Si和Nb的原子数量比为7.75:1～3.88:1，所述NbSiOx中Nb和Si的原子数量比为12.9:1～6.45:1。
进一步的，所述低折射率膜层为SiAlNbOx，其中SiAlNbOx表示以氧化硅为主的氧化硅、氧化铝和氧化铌的混合氧化物，所述高折射率膜层为NbAlSiOx，其中NblSiOx表示以氧化铌为主的氧化铌、氧化铝和氧化硅的混合氧化物。
更进一步的，所述SiAlNbOx中Si、Al和Nb的原子数量比为11.9:1:1～2.98:1:1，所述NbSiOx中Nb、Al和Si的原子数量比为19.85:1:1～4.96:1:1。
进一步的，所述AR膜由5～7层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，其远离基片表面的最外层为低折射率膜层。
本发明提供一种AR膜制备方法，包括预处理步骤和镀膜步骤，所述预处理步骤用于基片的清洗处理，所述镀膜步骤包括：
低折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或高折射率膜层上镀制低折射率膜层；
高折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或低折射率膜层上镀制高折射率膜层；
所述低折射率膜层镀制步骤和高折射率膜层镀制步骤交替进行，以镀制由低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成的多层AR膜，所述镀膜步骤在真空磁控溅射镀膜设备中进行；
全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。
进一步的，所述低折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为9～12kw，Nb靶材功率为1KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
进一步的，所述低折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为9～12kw，Al靶材功率为1KW，Nb靶材功率为1KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
进一步的，所述高折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为1kw，Nb靶材功率为9～12KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
进一步的，所述高折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为1kw，Al靶材功率为1KW，Nb靶材功率为9～12KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
本发明通过工艺设计，在镀制低折射率膜层时，加入高折射率材料，在镀制高折射率膜层时，加入低折射率材料，形成混合氧化物膜层，以降低应力，进而提高耐磨性。本发明还通过镀制工艺，在镀制高、低折射率膜层时，加入Al，形成含氧化铝的混合氧化物膜层，进一步提高产品的耐磨性能。
具体实施方式
下面对本发明做进一步详细描述：
本发明提供一种薄膜应力低，耐磨性好的AR膜及其制备方法，本发明的制备方法基于磁控溅射镀膜设备，利用靶原子飞在向衬底过程中发生碰撞降低到达衬底的能量，从而降低薄膜应力的特性，最终提升薄膜的耐磨性。为了实现靶原子更多碰撞，且不改变薄膜均匀性，采用开启多靶材同时镀膜的方式，并对靶材功率进行控制。
实施例1
本实施例的AR膜制备方法，至少包括预处理步骤和镀膜步骤，其中所述预处理步骤用于基片的清洗处理，所述镀膜步骤包括：
低折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或高折射率膜层上镀制低折射率膜层；
高折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或低折射率膜层上镀制高折射率膜层；
所述低折射率膜层镀制步骤和高折射率膜层镀制步骤交替进行，以镀制由低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成的多层AR膜。
其中所述镀膜步骤在真空磁控溅射镀膜设备中进行；
所述低折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为9～12kw，Nb靶材功率为1KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
所述高折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为1kw，Nb靶材功率为9～12KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
本实施例采用以上述镀制工艺和设备制作AR膜，制作的AR膜由多层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，其中全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。
本实施例所述的AR膜由5～7层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，其远离基片表面的最外层为低折射率膜层。
本实施例所述的低折射率膜层为SiNbOx，其中SiNbOx表示以氧化硅为主的氧化铌和氧化硅的混合氧化物，所述高折射率膜层为NbSiOx，其中NbSiOx表示以氧化铌为主的氧化铌和氧化硅的混合氧化物。所述SiNbOx中Si和Nb的原子数量比为7.75:1～3.88:1，所述NbSiOx中Nb和Si的原子数量比为12.9:1～6.45:1。
下表是本实施例的几个实验例：
从上表可以看出，靶材功率影响耐磨性，究其原因是靶材功率影响混合氧化物的占比，影响了应力，进而影响到了耐磨性，从上述实验例可以选出最优的靶材功率。
本实施例的耐磨性采用如下方法测试：用沾有酒精和聚氨酯胶水的无尘布，用大约1kg的力气，对玻璃的边缘进行擦拭，30次或以上无脱落则视为OK。
实施例2
本实施例的AR膜制备方法，至少包括预处理步骤和镀膜步骤，其中所述预处理步骤用于基片的清洗处理，所述镀膜步骤包括：
低折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或高折射率膜层上镀制低折射率膜层；
高折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或低折射率膜层上镀制高折射率膜层；
所述低折射率膜层镀制步骤和高折射率膜层镀制步骤交替进行，以镀制由低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成的多层AR膜。
其中所述镀膜步骤在真空磁控溅射镀膜设备中进行；
所述低折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为9～12kw，Al靶材功率为1KW，Nb靶材功率为1KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
所述高折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为1kw，Al靶材功率为1KW，Nb靶材功率为9～12KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
本实施例采用以上述镀制工艺和设备制作AR膜，制作的AR膜由多层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，其中全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。
本实施例所述的AR膜由5～7层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，其远离基片表面的最外层为低折射率膜层。
本实施例所述的低折射率膜层为SiAlNbOx，其中SiAlNbOx表示以氧化硅为主的氧化硅、氧化铝和氧化铌的混合氧化物，所述高折射率膜层为NbAlSiOx，其中NblSiOx表示以氧化铌为主的氧化铌、氧化铝和氧化硅的混合氧化物。所述SiAlNbOx中Si、Al和Nb的原子数量比为11.9:1:1～2.98:1:1，所述NbSiOx中Nb、Al和Si的原子数量比为19.85:1:1～4.96:1:1。
下表是本实施例的几个实验例：
| 硅靶材功率(KW) | 铌靶材功率(KW) | 铝靶功率(kw) | 耐磨性(次) | |
| 实验例1 | 10 | 1 | 1 | 22 |
| 实验例2 | 10 | 2 | 1 | 30 |
| 实验例3 | 9 | 2 | 1 | 42 |
| 实验例4 | 1 | 10 | 1 | 14 |
| 实验例5 | 2 | 10 | 1 | 27 |
| 实验例6 | 2 | 9 | 1 | 33 |
从上表可以看出，靶材功率影响耐磨性，究其原因是靶材功率影响混合氧化物的占比，影响了应力，进而影响到了耐磨性，从上述实验例可以选出最优的靶材功率。
本实施例的耐磨性采用如下方法测试：用沾有酒精和聚氨酯胶水的无尘布，用大约1kg的力气，对玻璃的边缘进行擦拭，30次或以上无脱落则视为OK。
Claims (11)
1.一种AR膜，其特征在于：所述AR膜由多层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。
2.根据权利要求1所述的一种AR膜，其特征在于：所述低折射率膜层为SiNbOx ，其中SiNbOx表示以氧化硅为主的氧化铌和氧化硅的混合氧化物，所述高折射率膜层为NbSiOx，其中NbSiOx表示以氧化铌为主的氧化铌和氧化硅的混合氧化物。
3.根据权利要求2所述的一种AR膜，其特征在于：所述SiNbOx中Si和Nb的原子数量比为7.75:1～3.88:1，所述NbSiOx中Nb和Si的原子数量比为12.9:1～6.45:1。
4.根据权利要求1所述的一种AR膜，其特征在于：所述低折射率膜层为SiAlNbOx ，其中SiAlNbOx表示以氧化硅为主的氧化硅、氧化铝和氧化铌的混合氧化物，所述高折射率膜层为NbAlSiOx，其中NblSiOx表示以氧化铌为主的氧化铌、氧化铝和氧化硅的混合氧化物。
5.根据权利要求4所述的一种AR膜，其特征在于：所述SiAlNbOx中Si、Al和Nb的原子数量比为11.9:1:1～2.98:1:1，所述NbSiOx中Nb、Al和Si的原子数量比为19.85:1:1～4.96:1:1。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种AR膜，其特征在于：所述AR膜由5～7层低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成，其远离基片表面的最外层为低折射率膜层。
7.一种AR膜制备方法，其特征在于，包括预处理步骤和镀膜步骤，所述预处理步骤用于基片的清洗处理，所述镀膜步骤包括：
低折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或高折射率膜层上镀制低折射率膜层；
高折射率膜层镀制步骤：在所述基片表面或低折射率膜层上镀制高折射率膜层；
所述低折射率膜层镀制步骤和高折射率膜层镀制步骤交替进行，以镀制由低折射率膜层和高折射率膜层交替堆叠而成的多层AR膜，所述镀膜步骤在真空磁控溅射镀膜设备中进行；
全部或部分所述低折射率膜层为以低折射率材料为主的混合氧化物，全部或部分所述高折射率膜层为以高折射率材料为主的混合氧化物。
8.根据权利要求7所述的一种AR膜制备方法，其特征在于，所述低折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为9～12kw，Nb靶材功率为1KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
9.根据权利要求7所述的一种AR膜制备方法，其特征在于，所述低折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为9～12kw，Al靶材功率为1KW，Nb靶材功率为1KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
10.根据权利要求7所述的一种AR膜制备方法，其特征在于，所述高折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为1kw，Nb靶材功率为9～12KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
11.根据权利要求7所述的一种AR膜制备方法，其特征在于，所述高折射率膜层镀制步骤在氧气环境下进行，Si靶材功率为1kw，Al靶材功率为1KW，Nb靶材功率为9～12KW，ICP离子源功率为1～4kw，ICP离子源用于Si、Nb原子和氩气的离化。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110789724.9A CN113759444A (zh) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 一种ar膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110789724.9A CN113759444A (zh) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 一种ar膜及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113759444A true CN113759444A (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=78787625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110789724.9A Pending CN113759444A (zh) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 一种ar膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113759444A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107850713A (zh) * | 2015-07-31 | 2018-03-27 | 旭硝子株式会社 | 光学滤波器和近红外线截止滤波器 |
| CN109557604A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 四川南玻节能玻璃有限公司 | 一种抗紫外线减反射膜层及其应用 |
| CN211375107U (zh) * | 2019-12-12 | 2020-08-28 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种低雾度的叠层滤光片薄膜 |
| CN212623161U (zh) * | 2020-05-14 | 2021-02-26 | 浙江舜宇光学有限公司 | 光学镜片和光学成像装置 |
-
2021
- 2021-07-13 CN CN202110789724.9A patent/CN113759444A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107850713A (zh) * | 2015-07-31 | 2018-03-27 | 旭硝子株式会社 | 光学滤波器和近红外线截止滤波器 |
| CN109557604A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 四川南玻节能玻璃有限公司 | 一种抗紫外线减反射膜层及其应用 |
| CN211375107U (zh) * | 2019-12-12 | 2020-08-28 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种低雾度的叠层滤光片薄膜 |
| CN212623161U (zh) * | 2020-05-14 | 2021-02-26 | 浙江舜宇光学有限公司 | 光学镜片和光学成像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101344500B1 (ko) | 반사 방지막의 성막 방법 및 반사 방지막 | |
| KR20040023550A (ko) | 광학용 반사 방지막 및 그 성막방법 | |
| CN101921985A (zh) | 一种高透过率触摸屏透明导电玻璃及其制备方法 | |
| JP4915065B2 (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体 | |
| EP4116083A1 (en) | Optical laminate, article, and method for producing optical laminate | |
| CN108490511A (zh) | 一种增透复合薄膜 | |
| CN111999785A (zh) | 减反射膜、制备方法、减反射光学制品及应用 | |
| JP2001295032A (ja) | 光学複合薄膜の形成方法およびそれを用いた光学物品 | |
| CN201793487U (zh) | 一种高透过率触摸屏透明导电玻璃 | |
| CN111025434A (zh) | 防反射玻璃 | |
| JP4837271B2 (ja) | 反射防止膜の形成方法 | |
| CN113759444A (zh) | 一种ar膜及其制备方法 | |
| CN112209632A (zh) | 一种蓝色触摸板的玻璃盖板及制备方法 | |
| CN110499490B (zh) | 一种减反射盖板及其制备方法 | |
| JP5463680B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| CN211375107U (zh) | 一种低雾度的叠层滤光片薄膜 | |
| JP5123785B2 (ja) | 反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜 | |
| CN110885969A (zh) | 一种减少摄像模组点子缺陷的cvd制备方法及其产物 | |
| TW202225429A (zh) | 光學積層體之製造方法 | |
| CN113549888A (zh) | 中灰镜及其制备方法、制备装置 | |
| CN110885972A (zh) | 一种消除摄像模组点子缺陷的ald制备方法及其产物 | |
| KR101818625B1 (ko) | 다 유전체층 코팅 투명기판 | |
| CN213182092U (zh) | 减反射膜、减反射光学制品、显示屏、摄像机镜片及视窗玻璃 | |
| JP2016091071A (ja) | 透明導電性フィルムとその製造方法 | |
| JPH09211204A (ja) | プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211207 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |