CN113741807B - 一种提高***存储性能的方法、***、设备和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种提高***存储性能的方法、***、设备和存储介质，该方法包括根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层，周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；I/O模型用于表征数据块的存储方式；判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；基于该方法，还提出了一种提高***存储性能的***、设备和存储介质，本方法根据周期性磁盘性能检测，与预设的磁盘介质综合确认其所在***数据分层的合理性，并根据大小数据块分别校准数据分层，可以一直为***提供高效率的分层加速功能，进而提高了整机***的性能。
Description
技术领域
本发明属于分布式文件***存储技术领域，特别涉及一种提高***存储性能的方法、***、设备和存储介质。
背景技术
存储阵列:由大量的存储单元组成，每个存储单元能存放1位二值数据(0,1)。通常存储单元排列成N行×M列矩阵形式。它是把多个磁盘组成一个阵列，当作单一磁盘使用，它将数据以分段(striping )的方式储存在不同的磁盘中，存取数据时，阵列中的相关磁盘一起动作，大幅减低数据的存取时间，同时有更佳的空间利用率。当前统一阵列存储一般采用针对磁盘介质的分层加速功能来提高***性能。按照FLASH、SAS、 NL SAS等不同种类磁盘进行不同的分层，热数据跑在SLC FLASH层，温数据跑在 TLC FLASH层，冷数据跑在低转速HDD层等。其中SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，1个存储器储存单元可存放1bit的数据，只存在0和1两个充电值。TLC = Triple-Level Cell，即3 bit per cell，1个存储器储存单元可存放3 bit的数据。
但是这种按照介质分层的方法简单粗暴，分层最终依靠的是磁盘不同的性能，根据技术成熟度的不同或者工艺差距，存在部分厂商的SLC FLASH性能低于其他厂商MLCFLASH的情况，如果此时将低性能厂商的SLC设置跑热数据，相对高性能厂商的MLC跑温数据，则热数据层在IO流中会成为瓶颈，进而影响整机***的性能。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提出了一种提高***存储性能的方法、***、设备和存储介质，根据周期性磁盘性能检测，与预设的磁盘介质综合确认其所在***数据分层的合理性，并根据大小数据块分别校准数据分层，保证可以一直为***提供高效率的分层加速功能，进而提高了整机***的性能。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种提高***存储性能的方法，包括以下步骤：
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；所述I/O模型用于表征数据块的存储方式；
判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
进一步的，所述在周期性的对分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测之前还包括：根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层，并将所述预设分层信息发送至操作***。
进一步的，所述根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层包括：
热数据存储至FLASH；
温数据存储至SAS；
冷数据存储至NL SAS。
进一步的，所述I/O模型具体包括大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型；
所述大数据块的范围为[256KB,1M]；所述小数据块的范围为(0KB,16KB]。
进一步的，所述周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为：
周期性的对I/O模型进行轮询，获取每个I/O模型反馈的性能值。
进一步的，所述则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：
判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过所述第二比例调整磁盘模块的分层。
进一步的，所述方法还包括I/O模型的实际性能与预设分层性能相同，则不做调整。
本发明还提出了一种提高***存储性能的***，包括检测模块和调整模块；
所述检测模块用于周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；所述I/O模型用于表征数据块的存储方式；
所述调整模块用于判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
本发明还提出了一种设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现所述的方法步骤。
本发明还提出了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的方法步骤。
发明内容中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是发明所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：
本发明提出了一种提高***存储性能的方法、***、设备和存储介质，该方法包括根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层，并将，预设分层信息发送至操作***，周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；I/O模型用于表征数据块的存储方式；判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。本方法根据周期性磁盘性能检测，与预设的磁盘介质综合确认其所在***数据分层的合理性，并根据大小数据块分别校准数据分层，保证可以一直为***提供高效率的分层加速功能，进而提高了整机***的性能。
本发明中则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层，相同厂商相同介质磁盘如果因为使用时长、工艺差异造成性能差距也可能会被判定为不同数据层，本发明动态调整保证可以一直为***提供高效率的分层加速功能。
基于一种提高***存储性能的方法，本发明还提出了一种提高***存储性能的***、设备和存储介质，将方法实现的过程模块化实现，同样具有上述方法的作用，在此不做赘述。
附图说明
如图1为本发明实施例1一种提高***存储性能的方法流程图；
如图2为本发明实施例1一种提高***存储性能的方法模块实现的拓扑示意图；
如图3为本发明实施例2一种提高***存储性能的***示意图。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本发明进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本发明省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本发明。
实施例1
本发明实施例1提出了一种提高***存储性能的方法，解决现有技术中根据不同介质分层简答粗暴影响***性能的技术问题。
如图1给出了本发明实施例1一种提高***存储性能的方法流程图。
在步骤S101中，***初始化，按照预设的存储介质将存储模块划分若干数据层。FLASH为Tier0，SAS为 Tier1和NL SAS为 Tier2。即热数据存储至FLASH；温数据存储至SAS；冷数据存储至NL SAS。
在步骤S102中，周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；
其中I/O模型用于表征数据块的存储方式。本发明中I/O模型包括但不限于下面四种模式，大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型；其中大数据块的范围为[256KB,1M]；小数据块的范围为(0KB,16KB]。
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为：
周期性的对I/O模型进行轮询，获取每个I/O模型反馈的性能值。即模拟以上面的四种I/O模型，进行数据下发，获取每个I/O模型反馈的性能值。然后将不同的I/O模型放入至性能最优化的数据层。
本发明中，根据介质不同，时间周期也不相同。如果***初始化，时间周期设置的相对较短，一般为24小时至72小时，如果***稳定之后，时间周期一般设置为15天，如果***运行的时间更长，***更稳定之后，时间周期可以设置为30天，本发明中保护的时间周期的天数不局限于实施例1中列举出的天数，本领域人员可以在此方法上进行合理设计。如果***检测的I/O模型一直在变化，也可以将时间周期设置的更短，比如说小于24小时。如果***检测的I/O模型长时间不变，比如长期大数据块的顺序读取，也可以设置的时间大于30天。
在步骤S103中，判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
I/O模型的实际性能与预设分层性能相同，则不做调整。
本发明中的预设周期可以为三个周期。本发明保护的范围不局限于实施例1中列举出的周期数，本领域人员可以根据实际情况进行设置。
按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：
判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过第二比例调整磁盘模块的分层。
根据这个原则，相同厂商相同介质磁盘如果因为使用时长、工艺差异造成性能差距也可能会被判定为不同数据层。此外实时磁盘性能也根据不同IO模型进行分层。
如图2为本发明实施例1一种提高***存储性能的方法模块实现的拓扑示意图；采用动态分层管理模块实现本发明实施例1中公开的一种提高***存储性能的方法，动态分层管理模块位于板卡上，主要应用例如ARM等可编程逻辑器件。另外该拓扑图中还包括OS模块、硬盘模块、指示模块、无线模块和串口模块
OS模块：该模块按照动态分层管理模块提供的数据分层方式进行IO下发。
磁盘模块：受动态分层管理模块的直接管理，对其发送各类磁盘管理信息。
指示模块：该模块位于板卡上，受串口模块的直接控制，对外指示当前动态分层管理模块的实时状态。
无线模块：可将串口模块信号转换成WIFI等无线信号，外界不用实体串口线就可与动态分层管理模块进行信息交互。
串口模块：通过串口模块可以进行外界与动态分层管理模块的信息交互和相关参数设置。
本发明提出的一种提高***存储性能的方法，根据周期性磁盘性能检测，与预设的磁盘介质综合确认其所在***数据分层的合理性，并根据大小数据块分别校准数据分层，保证可以一直为***提供高效率的分层加速功能，进而提高了整机***的性能。
实施例2
基于本发明实施例1提出的一种提高***存储性能的方法，本发明实施例2还提出了一种提高***存储性能的***。如图3为本发明实施例2一种提高***存储性能的***示意图。该***包括检测模块和调整模块；
检测模块用于周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；所述I/O模型用于表征数据块的存储方式；
调整模块用于判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
该***还包括换分模块；划分模块用于***初始化，按照预设的存储介质将存储模块划分若干数据层。
FLASH为Tier0，SAS为 Tier1和NL SAS为 Tier2。即热数据存储至FLASH；温数据存储至SAS；冷数据存储至NL SAS。
其中，检测模块实现过程中：
其中I/O模型用于表征数据块的存储方式。本发明中I/O模型包括但不限于下面四种模式，大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型；其中大数据块的范围为[256KB,1M]；小数据块的范围为(0KB,16KB]。
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为：
周期性的对I/O模型进行轮询，获取每个I/O模型反馈的性能值。即模拟以上面的四种I/O模型，进行数据下发，获取每个I/O模型反馈的性能值。然后将不同的I/O模型放入至性能最优化的数据层。
本发明中，根据介质不同，时间周期也不相同。如果***初始化，时间周期设置的相对较短，一般为24小时至72小时，如果***稳定之后，时间周期一般设置为15天，如果***运行的时间更长，***更稳定之后，时间周期可以设置为30天，本发明中保护的时间周期的天数不局限于实施例1中列举出的天数，本领域人员可以在此方法上进行合理设计。如果***检测的I/O模型一直在变化，也可以将时间周期设置的更短，比如说小于24小时。如果***检测的I/O模型长时间不变，比如长期大数据块的顺序读取，也可以设置的时间大于30天。
检测模块实现的过程中：I/O模型的实际性能与预设分层性能相同，则不做调整。
本发明中的预设周期可以为三个周期。本发明保护的范围不局限于实施例1中列举出的周期数，本领域人员可以根据实际情况进行设置。
按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：
判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过第二比例调整磁盘模块的分层。
根据这个原则，相同厂商相同介质磁盘如果因为使用时长、工艺差异造成性能差距也可能会被判定为不同数据层。此外实时磁盘性能也根据不同IO模型进行分层。
本发明实施例2提出了一种提高***存储性能的***，根据周期性磁盘性能检测，与预设的磁盘介质综合确认其所在***数据分层的合理性，并根据大小数据块分别校准数据分层，保证可以一直为***提供高效率的分层加速功能，进而提高了整机***的性能。
实施例3
本发明还提出了一种设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现方法步骤如下：
在步骤S101中，***初始化，按照预设的存储介质将存储模块划分若干数据层。FLASH为Tier0，SAS为 Tier1和NL SAS为 Tier2。即热数据存储至FLASH；温数据存储至SAS；冷数据存储至NL SAS。
在步骤S102中，周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；
其中I/O模型用于表征数据块的存储方式。本发明中I/O模型包括但不限于下面四种模式，大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型；其中大数据块的范围为[256KB,1M]；小数据块的范围为(0KB,16KB]。
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为：
周期性的对I/O模型进行轮询，获取每个I/O模型反馈的性能值。即模拟以上面的四种I/O模型，进行数据下发，获取每个I/O模型反馈的性能值。然后将不同的I/O模型放入至性能最优化的数据层。
本发明中，根据介质不同，时间周期也不相同。如果***初始化，时间周期设置的相对较短，一般为24小时至72小时，如果***稳定之后，时间周期一般设置为15天，如果***运行的时间更长，***更稳定之后，时间周期可以设置为30天，本发明中保护的时间周期的天数不局限于实施例1中列举出的天数，本领域人员可以在此方法上进行合理设计。如果***检测的I/O模型一直在变化，也可以将时间周期设置的更短，比如说小于24小时。如果***检测的I/O模型长时间不变，比如长期大数据块的顺序读取，也可以设置的时间大于30天。
在步骤S103中，判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
I/O模型的实际性能与预设分层性能相同，则不做调整。
本发明中的预设周期可以为三个周期。本发明保护的范围不局限于实施例1中列举出的周期数，本领域人员可以根据实际情况进行设置。
按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：
判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过第二比例调整磁盘模块的分层。
根据这个原则，相同厂商相同介质磁盘如果因为使用时长、工艺差异造成性能差距也可能会被判定为不同数据层。此外实时磁盘性能也根据不同IO模型进行分层。
需要说明：本发明技术方案还提供了一种电子设备，包括：通信接口，能够与其它设备比如网络设备等进行信息交互；处理器，与通信接口连接，以实现与其它设备进行信息交互，用于运行计算机程序时，执行上述一个或多个技术方案提供的一种提高***存储性能的方法，而所述计算机程序存储在存储器上。当然，实际应用时，电子设备中的各个组件通过总线***耦合在一起。可理解，总线***用于实现这些组件之间的连接通信。总线***除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。本申请实施例中的存储器用于存储各种类型的数据以支持电子设备的操作。这些数据的示例包括：用于在电子设备上操作的任何计算机程序。可以理解，存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(ROM，ReadOnly Memory)、可编程只读存储器(PROM，Programmable Read-Only Memory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM，Erasable Programmable Read-Only Memory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM，Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、磁性随机存取存储器(FRAM，ferromagnetic random access memory)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(CD-ROM，Compact Disc Read-Only Memory)；磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器(RAM，RandomAccessMemory)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)、同步静态随机存取存储器(SSRAM，Synchronous Static Random Access Memory)、动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)、同步动态随机存取存储器(SDRAM，SynchronousDynamic Random Access Memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)、增强型同步动态随机存取存储器(ESDRAM，Enhanced Synchronous Dynamic Random AccessMemory)、同步连接动态随机存取存储器(SLDRAM，SyncLink Dynamic Random AccessMemory)、直接内存总线随机存取存储器(DRRAM，Direct Rambus Random Access Memory)。本申请实施例描述的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。上述本申请实施例揭示的方法可以应用于处理器中，或者由处理器实现。处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、DSP（Digital Signal Processing，即指能够实现数字信号处理技术的芯片），或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤，可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中，该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的程序，结合其硬件完成前述方法的步骤。处理器执行所述程序时实现本申请实施例的各个方法中的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
实施例4
本发明还提出了一种可读存储介质，可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现方法步骤如下：
在步骤S101中，***初始化，按照预设的存储介质将存储模块划分若干数据层。FLASH为Tier0，SAS为 Tier1和NL SAS为 Tier2。即热数据存储至FLASH；温数据存储至SAS；冷数据存储至NL SAS。
在步骤S102中，周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；
其中I/O模型用于表征数据块的存储方式。本发明中I/O模型包括但不限于下面四种模式，大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型；其中大数据块的范围为[256KB,1M]；小数据块的范围为(0KB,16KB]。
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为：
周期性的对I/O模型进行轮询，获取每个I/O模型反馈的性能值。即模拟以上面的四种I/O模型，进行数据下发，获取每个I/O模型反馈的性能值。然后将不同的I/O模型放入至性能最优化的数据层。
本发明中，根据介质不同，时间周期也不相同。如果***初始化，时间周期设置的相对较短，一般为24小时至72小时，如果***稳定之后，时间周期一般设置为15天，如果***运行的时间更长，***更稳定之后，时间周期可以设置为30天，本发明中保护的时间周期的天数不局限于实施例1中列举出的天数，本领域人员可以在此方法上进行合理设计。如果***检测的I/O模型一直在变化，也可以将时间周期设置的更短，比如说小于24小时。如果***检测的I/O模型长时间不变，比如长期大数据块的顺序读取，也可以设置的时间大于30天。
在步骤S103中，判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
I/O模型的实际性能与预设分层性能相同，则不做调整。
本发明中的预设周期可以为三个周期。本发明保护的范围不局限于实施例1中列举出的周期数，本领域人员可以根据实际情况进行设置。
按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：
判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过第二比例调整磁盘模块的分层。
根据这个原则，相同厂商相同介质磁盘如果因为使用时长、工艺差异造成性能差距也可能会被判定为不同数据层。此外实时磁盘性能也根据不同IO模型进行分层。
本申请实施例提供的一种提高***存储性能的设备和存储介质中相关部分的说明可以参见本申请实施例1提供的一种提高***存储性能的方法中对应部分的详细说明，在此不再赘述。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。另外，本申请实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明，以免过多赘述。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制。对于所属领域的技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的修改或变形。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (9)
1.一种提高***存储性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；所述I/O模型用于表征数据块的存储方式；
判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比；所述则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：
判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过所述第二比例调整磁盘模块的分层。
2.根据权利要求1所述的一种提高***存储性能的方法，其特征在于，所述在周期性的对分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测之前还包括：根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层，并将所述预设分层信息发送至操作***。
3.根据权利要求2所述的一种提高***存储性能的方法，其特征在于，所述根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层包括：
热数据存储至FLASH；
温数据存储至SAS；
冷数据存储至NL SAS。
4.根据权利要求1所述的一种提高***存储性能的方法，其特征在于，所述I/O模型具体包括大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型；
所述大数据块的范围为[256KB,1M]；所述小数据块的范围为(0KB,16KB]。
5.根据权利要求4所述的一种提高***存储性能的方法，其特征在于，所述周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为：
周期性的对I/O模型进行轮询，获取每个I/O模型反馈的性能值。
6.根据权利要求1所述的一种提高***存储性能的方法，其特征在于，所述方法还包括I/O模型的实际性能与预设分层性能相同，则不做调整。
7.一种提高***存储性能的***，其特征在于，包括检测模块和调整模块；
所述检测模块用于周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能；所述I/O模型用于表征数据块的存储方式；
所述调整模块用于判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同，如果在预设周期内均不同，则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层；所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比；所述则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层包括：判断当前***是否满载，如果已经满载，则设置性能差值比的第一比例为10%至15%，通过所述第一比例调整磁盘模块的分层；如果未满载，则设置性能差值比的第二比例为3%至5%，通过所述第二比例调整磁盘模块的分层。
8.一种提高***存储性能的设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任意一项所述的方法步骤。
9.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任意一项所述的方法步骤 。
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