CN113707705A - Oled显示器及其制备方法、qled显示器 - Google Patents
Oled显示器及其制备方法、qled显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113707705A CN113707705A CN202111027504.9A CN202111027504A CN113707705A CN 113707705 A CN113707705 A CN 113707705A CN 202111027504 A CN202111027504 A CN 202111027504A CN 113707705 A CN113707705 A CN 113707705A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode
- layer
- silicon
- pixel electrode
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 92
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 216
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 49
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229940031993 lithium benzoate Drugs 0.000 description 1
- LDJNSLOKTFFLSL-UHFFFAOYSA-M lithium;benzoate Chemical compound [Li+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 LDJNSLOKTFFLSL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种OLED显示器及其制备方法、QLED显示器，涉及显示技术领域。该OLED显示器包括硅基CMOS驱动芯片、OLED器件，以及用于将OLED器件封装于硅基CMOS驱动芯片上的封装结构；其中，硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、位于硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔设置于驱动电路层上的像素电极和第一阳极；OLED器件包括位于像素电极上的至少一层发光层和位于发光层上且与第一阳极欧姆接触的第二阳极；像素电极作为OLED器件的阴极，自发光层发出的光束依次透过第二阳极和封装结构出射。该OLED显示器无需进行阳极化制程工艺，能够提升工艺制程良率并缩短制程步骤。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种OLED显示器及其制备方法、QLED显示器。
背景技术
硅基OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动芯片上的一种新型显示技术。因其具有高集成度、微米级像素尺寸以及低功耗等诸多优势，在近眼显示领域广受关注。目前硅基OLED微显示器已广泛应用于枪瞄、夜视仪和机戴头盔等军事领域和以AR/VR为代表的消费电子领域，其可以为用户带来前所未有的视觉体验，被称为下一代显示技术的黑马。
传统的CMOS驱动电路基板的顶层工艺金属一般只有金属铝、钨和钛，考虑到OLED器件的能级匹配问题，传统的CMOS驱动电路基板的顶层工艺金属的材料均不适合作为OLED器件结构的阳极材料，因此，通常会在CMOS驱动电路基板上进行后道阳极化工艺。目前，常用的后道阳极化工艺是在CMOS器件结构上沉积一层或多层材料。然而，这种采用后道阳极化工艺的方式，一来，其工艺复杂，在沉积的过程中需要考虑各层材料之间的热膨胀系数、功能函数以及晶格参数等问题，以避免出现成膜不均匀、脱落或发光效率低等问题；二来，由于OLED显示器的像素尺寸较小，因此还需要后道厂商根据CMOS驱动电路基板单独制定黄光制程以制作合适的OLED器件阳极，这就使得无形中增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器及其制备方法、QLED显示器，其无需进行阳极化制程工艺，能够提升工艺制程良率并缩短制程步骤。
本公开的实施例是这样实现的：
本公开的一方面，提供一种OLED显示器，该OLED显示器包括硅基CMOS驱动芯片、OLED器件，以及用于将OLED器件封装于硅基CMOS驱动芯片上的封装结构；其中，硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、位于硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔设置于驱动电路层上的像素电极和第一阳极；OLED器件包括位于像素电极上的至少一层发光层和位于发光层上且与第一阳极欧姆接触的第二阳极；像素电极作为OLED器件的阴极，自发光层发出的光束依次透过第二阳极和封装结构出射。该OLED显示器无需进行阳极化制程工艺，能够提升工艺制程良率并缩短制程步骤。
可选地，第二阳极的材料为透明材料。
可选地，第二阳极的材料为氧化铟锌、氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌中的任意一种。
可选地，像素电极的材料为铝和氮化钛的任意一种或者两者的组合。
可选地，发光层为单层，OLED器件还包括位于像素电极和发光层之间的电子注入层和电子传输层、位于发光层和第二阳极之间的空穴传输层和空穴注入层。
可选地，发光层的材料为荧光材料和磷光材料中的任意一种。
可选地，发光层的厚度在10nm至15nm之间。
可选地，封装结构为薄膜层、玻璃盖板或者由位于第二阳极上的薄膜层和位于薄膜层上的玻璃盖板组成的叠层。
可选地，第一阳极与像素电极之间的距离大于或等于500μm。
本公开的另一方面，提供一种QLED显示器，该QLED显示器包括硅基CMOS驱动芯片、QLED层，以及用于将QLED层封装于硅基CMOS驱动芯片上的封装结构；其中，硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、位于硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔设置于驱动电路层上的像素电极和第一阳极；QLED层包括位于像素电极上的至少一层量子点发光层和位于量子点发光层上且与第一阳极欧姆接触的第三阳极；像素电极作为QLED层的阴极，自量子点发光层发出的光束依次透过第三阳极和封装结构出射。
本公开的又一方面，提供一种OLED显示器的制备方法，该制备方法包括：提供硅基CMOS驱动芯片，硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、形成于硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔形成于驱动电路层上的像素电极和第一阳极；通过掩模版遮挡部分第一阳极，并在硅基CMOS驱动芯片上通过蒸镀工艺形成覆盖像素电极和露出的第一阳极的电子注入层；通过掩模版遮挡露出的第一阳极，并通过蒸镀工艺在电子注入层上依次形成电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层分别在硅基CMOS驱动芯片上的正投影均具有露出部分第一阳极的窗口；在空穴注入层上沉积第二阳极，第二阳极穿过窗口与第一阳极接触连接，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层和第二阳极共同形成OLED器件；通过封装结构将OLED器件封装于硅基CMOS驱动芯片上。
本公开的有益效果包括：
本申请提供的OLED显示器，包括硅基CMOS驱动芯片、OLED器件，以及用于将OLED器件封装于硅基CMOS驱动芯片上的封装结构；其中，硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、位于硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔设置于驱动电路层上的像素电极和第一阳极；OLED器件包括位于像素电极上的至少一层发光层和位于发光层上且与第一阳极欧姆接触的第二阳极；像素电极作为OLED器件的阴极，自发光层发出的光束依次透过第二阳极和封装结构出射。本申请通过将OLED器件倒装在硅基CMOS驱动芯片上，并且采用硅基CMOS驱动芯片的像素电极作为OLED器件的阴极，这样，便可以避免现有技术中OLED器件封装在CMOS芯片上时需要在CMOS芯片上进行后道阳极化工艺所带来的成膜不均匀、脱落、发光效率低以及工艺复杂等衍生的多种问题，从而极大地降低OLED显示器的制备工艺难度、提高生产良率，并缩短制程步骤、提高制备效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本公开的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的OLED显示器的结构示意图；
图2为本发明提供的OLED显示器的制备方法的流程示意图；
图3为本发明提供的OLED显示器的制备过程示意图之一；
图4为本发明提供的OLED显示器的制备过程示意图之二；
图5为本发明提供的OLED显示器的制备过程示意图之三；
图6为本发明提供的OLED显示器的制备过程示意图之四。
图标：10-硅基CMOS驱动芯片；11-硅基驱动基板；12-驱动电路层；13-像素电极；14-第一阳极；20-OLED器件；21-电子注入层；22-电子传输层；23-发光层；24-空穴传输层；25-空穴注入层；26-第二阳极；27-窗口；30-封装结构；40-隔离结构。
具体实施方式
下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本公开的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用属于本公开和随附权利要求的范围内。
应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。
诸如“在…下方”或“在…上方”或“上部”或“下部”或“水平”或“垂直”的相关术语在本文中可用来描述一个元件、层或区域与另一个元件、层或区域的关系，如图中所示出。应当理解，这些术语和上文所论述的那些术语意图涵盖装置的除图中所描绘的取向之外的不同取向。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而且并不意图限制本公开。如本文所使用，除非上下文明确地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”意图同样包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，术语“包括”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者增添一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或上述各项的组。
除非另外界定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样界定。
请参照图1，本实施例提供一种OLED显示器，该OLED显示器包括硅基CMOS驱动芯片10、OLED器件20，以及用于将OLED器件20封装于硅基CMOS驱动芯片10上的封装结构30；其中，硅基CMOS驱动芯片10包括硅基驱动基板11、位于硅基驱动基板11上的驱动电路层12，以及间隔设置于驱动电路层12上的像素电极13和第一阳极14；OLED器件20包括位于像素电极13上的至少一层发光层23和位于发光层23上且与第一阳极14欧姆接触的第二阳极26；像素电极13作为OLED器件20的阴极，自发光层23发出的光束依次透过第二阳极26和封装结构30出射。
在本实施例中，该硅基CMOS驱动芯片10为反射式驱动芯片，其结构可参见图1所示，硅基CMOS驱动芯片10包括硅基驱动基板11、位于硅基驱动基板11上的驱动电路层12，以及位于驱动电路层12上的像素电极13和第一阳极14。其中，像素电极13和第一阳极14呈间隔设置，可选地，第一阳极14与像素电极13之间的距离大于或等于500μm。例如，第一阳极14和像素电极13之间的距离可以为500μm、600μm、700μm或者800μm等。
为了避免第一阳极14和像素电极13之间电气连接，在本实施例中，也可以在第一阳极14和像素电极13之间设置隔离结构40，如图1所示。例如，可以在第一阳极14和像素电极13之间形成绝缘层以作为隔离结构40，只要能将第一阳极14和像素电极13电气隔离即可。
在本实施例中，像素电极13的材料通常选用具有较高反射率且具有较低的功能函数的电极材料。示例地，该像素电极13的材料可以为铝和氮化钛的任意一种或者两者的组合。需要说明的是，当像素电极13的材料为铝和氮化钛的组合时，像素电极13可以为叠层结构，即包括靠近驱动电路层12设置的铝层和位于铝层上的氮化钛层。当像素电极13的材料为铝时，本申请采用低功能函数的金属铝作为OLED器件20的阴极，可以具有良好的电子注入能力；此外，因铝材料的高反射率，其还可以提高OLED器件20的出光效率。直接采用金属铝作为像素电极13和第一阳极14的材料，OLED器件20的各层级可以直接蒸镀在像素电极13上，无需阳极化制程，将大大降低设备成本和生产成本。
还有，第一阳极14的材料可以为金属材料或者是具有欧姆特性的非金属材料(例如氮化钛等)。
如图1所示，OLED器件20位于硅基CMOS驱动芯片10上，OLED器件20包括至少一层发光层23和位于发光层23上的第二阳极26，其中，在本实施例中，硅基CMOS驱动芯片10的像素电极13作为OLED器件20的阴极，发光层23位于该阴极和第二阳极26之间，第二阳极26和第一阳极14欧姆接触。这样，当通过像素电极13和第二阳极26为发光层23提供发光所需的驱动电压时，发光层23发出的光束便可以依次透过第一阳极14和封装结构30完成显示。
应理解，由于光束需要透过第二阳极26和封装结构30完成显示，因此，在本实施例中，第二阳极26的材料可以选用透过率较高的透明材料。示例地，第二阳极26的材料可以为氧化铟锌、氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌中的任意一种。
在本实施例中，封装结构30是用于将OLED器件20封装于硅基CMOS驱动芯片10上的，具体地，本申请对封装结构30的形式不做限定。示例地，封装结构30可以是以下三种形式的任意一种：薄膜层、玻璃盖板或者由位于第二阳极26上的薄膜层和位于薄膜层上的玻璃盖板组成的叠层。具体采用何种封装形式本申请不做限定，本领域技术人员根据实际需要自行选择即可。
综上所述，本申请提供的OLED显示器，包括硅基CMOS驱动芯片10、OLED器件20，以及用于将OLED器件20封装于硅基CMOS驱动芯片10上的封装结构30；其中，硅基CMOS驱动芯片10包括硅基驱动基板11、位于硅基驱动基板11上的驱动电路层12，以及间隔设置于驱动电路层12上的像素电极13和第一阳极14；OLED器件20包括位于像素电极13上的至少一层发光层23和位于发光层23上且与第一阳极14欧姆接触的第二阳极26；像素电极13作为OLED器件20的阴极，自发光层23发出的光束依次透过第二阳极26和封装结构30出射。本申请通过将OLED器件20倒装在硅基CMOS驱动芯片10上，并且采用硅基CMOS驱动芯片10的像素电极13作为OLED器件20的阴极，这样，便可以避免现有技术中OLED器件20封装在CMOS芯片上时需要在CMOS芯片上进行后道阳极化工艺所带来的成膜不均匀、脱落、发光效率低以及工艺复杂等衍生的多种问题，从而极大地降低OLED显示器的制备工艺难度、提高生产良率，并缩短制程步骤、提高制备效率。
在本实施例中，发光层23可以为单层也可以为多层，具体地，根据实际需求而定。示例地，当发光层23为单层时，OLED器件20还包括位于像素电极13和发光层23之间的电子注入层21和电子传输层22、位于发光层23和第二阳极26之间的空穴传输层24和空穴注入层25。
即如图1所示，OLED器件20包括依次形成于像素电极13上的电子注入层21、电子传输层22、发光层23、空穴传输层24和空穴注入层25。其中，可选地，电子注入层21的材料可以为无机类电子注入材料或者有机类电子注入材料。当电子注入层21的材料为无机类电子注入材料时，示例地，可以为LiF(氟化锂)、NaF(氟化钠)、MgF2(氟化镁)；当电子注入层21的材料为有机类电子注入材料时，示例地，可以为PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PhCOOLi(苯甲酸锂)等。还有，在本实施例中，电子注入层21的厚度可以在20nm至30nm之间。
电子传输层22的材料可以是Alq3(羟基喹啉铝)、TPBI(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)等。电子传输层22的厚度可以在20nm至40nm之间。
在本实施例中，可选地，发光层23的材料可以为荧光材料、磷光材料和TADF(热激活延迟荧光)等材料中的任意一种。在本实施例中采用高效率的磷光材料，例如：含吡啶衍生物或苯并含氮五元杂环配体等。可选地，发光层23的厚度在10nm至15nm之间。
上述空穴传输层24的材料可以采用TPD(苯基联苯胺衍生物)、NPB(三苯胺类)、PVK(聚乙烯基咔唑)等。在本实施例中，空穴传输层24的厚度在40nm至60nm之间。
上述空穴注入层25的材料可以采用TiOPc(酞菁氧钛)、m-MTDATA(三苯基胺)或2-TNATA(三苯基胺)等材料。其中，空穴注入层25的厚度在6nm至10nm之间。
OLED器件20的上述各层级可以通过蒸镀或者是喷墨打印的方式进行沉积形成，OLED器件20的各层级通过选用上述示例的材料，能够满足各层级之间的势垒较小，符合能级匹配要求。
本公开的另一方面，提供一种QLED显示器，该QLED显示器包括硅基CMOS驱动芯片10、QLED层，以及用于将QLED层封装于硅基CMOS驱动芯片10上的封装结构30；其中，硅基CMOS驱动芯片10包括硅基驱动基板11、位于硅基驱动基板11上的驱动电路层12，以及间隔设置于驱动电路层12上的像素电极13和第一阳极14；QLED层包括位于像素电极13上的至少一层量子点发光层和位于量子点发光层上且与第一阳极14欧姆接触的第三阳极；像素电极13作为QLED层的阴极，自量子点发光层发出的光束依次透过第三阳极和封装结构30出射。
其中，本实施例提供的QLED显示器与前文中的OLED显示器相比，区别在于，本申请中的发光层23的材料与OLED显示器中的发光层23的材料不同。前文中的OLED显示器的发光层23的材料为荧光材料、磷光材料和TADF(热激活延迟荧光)等材料中的任意一种；而本实施例提供的QLED显示器的发光层23为量子点发光层。
需要说明的是，前文中的OLED显示器除了发光层23之外的其他部分在不与本申请提供的QLED显示器相矛盾的前提下，均可以共用(此处共用是指对于两者相同的部分的相关描述和说明可以共用)，为避免重复说明，本申请对于QLED显示器和OLED显示器相同的地方不再重复说明。
请参照图2，本公开的又一方面，提供一种OLED显示器的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
S100、提供硅基CMOS驱动芯片10，硅基CMOS驱动芯片10包括硅基驱动基板11、形成于硅基驱动基板11上的驱动电路层12，以及间隔形成于驱动电路层12上的像素电极13和第一阳极14，如图3所示。
其中，像素电极13和第一阳极14之间呈间隔设置。示例地，像素电极13和第一阳极14之间的距离大于或等于500μm。在一种可选地实施例中，像素电极13和第一阳极14之间还可以设置有隔离结构40。其中，该隔离结构40的材料可以为绝缘材料。
需要说明的是，该硅基CMOS驱动芯片10和前文中的OLED显示器的硅基CMOS驱动芯片10的结构、各部分的材料以及对应有益效果均相同，故此处不再赘述。
S200、通过掩模版遮挡部分第一阳极14，并在硅基CMOS驱动芯片10上通过蒸镀工艺形成覆盖像素电极13和露出的第一阳极14的电子注入层21，如图4所示。
在本实施例中，在执行步骤S200之前，还包括对硅基CMOS驱动芯片10的清洗步骤。示例地，先采用去离子水对硅基CMOS驱动芯片10进行清洗；再用丙酮对硅基CMOS驱动芯片10进行清洗；然后使用氮气吹干后，在真空烘箱内将硅基CMOS驱动芯片10置于120℃的环境中烘烤1h至1.5h。
在这里，露出的第一阳极14为未被掩模版遮挡的第一阳极14的部分。
S300、通过掩模版遮挡露出的第一阳极14，并通过蒸镀工艺在电子注入层21上依次形成电子传输层22、发光层23、空穴传输层24和空穴注入层25，电子注入层21、电子传输层22、发光层23、空穴传输层24和空穴注入层25分别在硅基CMOS驱动芯片10上的正投影均具有露出部分第一阳极14的窗口27，如图5所示。
其中，在硅基CMOS驱动芯片10上形成电子注入层21、电子传输层22、发光层23、空穴传输层24和空穴注入层25时，可以是在真空镀膜机内且真空度在1×10-6Pa至5×10-6Pa之间时通过蒸镀工艺依次形成的。
需要说明的是，步骤S300中的通过掩模版遮挡的露出的第一阳极14的部分为步骤S200中位于窗口27底部的第一阳极14的部分。电子注入层21、电子传输层22、发光层23、空穴传输层24和空穴注入层25分别在硅基CMOS驱动芯片10上的正投影均具有露出部分第一阳极14的窗口27，这样，便可以得到如图5所示的结构。
其中，该窗口27是用于在后续步骤中沉积OLED器件20的第二阳极26，以使得第二阳极26与硅基CMOS驱动芯片10的第一阳极14形成欧姆接触的。
S400、在空穴注入层25上沉积第二阳极26，第二阳极26穿过窗口27与第一阳极14接触连接，电子注入层21、电子传输层22、发光层23、空穴传输层24和空穴注入层25和第二阳极26共同形成OLED器件20，如图6所示。
为避免溅射工艺破坏OLED器件20，在本实施例中，采用PLD(脉冲激光沉积)技术用AZO(透明导电氧化物)材料沉积形成第二阳极26。其中，第二阳极26的厚度在20nm至50nm之间，第二阳极26选用透过率在70％以上的材料。
S500、通过封装结构30将OLED器件20封装于硅基CMOS驱动芯片10上，如图1所示。
其中，封装结构30可以为薄膜层、玻璃盖板或者由位于第二阳极26上的薄膜层和位于薄膜层上的玻璃盖板组成的叠层中的任意一种。
需要说明的是，本实施例提供的OLED显示器的制备方式是用于制备前文中的OLED显示器的，因此，前文中的OLED显示器所涉及的各层级的结构以及各层级对应的参数和技术效果均与本制备方法相同。故为避免重复，本申请对该制备方法中与前文中的OLED显示器相同的部分不再重复说明。
以上所述仅为本公开的可选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
Claims (11)
1.一种OLED显示器，其特征在于，包括硅基CMOS驱动芯片、OLED器件，以及用于将所述OLED器件封装于所述硅基CMOS驱动芯片上的封装结构；
其中，所述硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、位于所述硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔设置于所述驱动电路层上的像素电极和第一阳极；所述OLED器件包括位于所述像素电极上的至少一层发光层和位于所述发光层上且与所述第一阳极欧姆接触的第二阳极；所述像素电极作为所述OLED器件的阴极，自所述发光层发出的光束依次透过所述第二阳极和所述封装结构出射。
2.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述第二阳极的材料为透明材料。
3.根据权利要求1或2所述的OLED显示器，其特征在于，所述第二阳极的材料为氧化铟锌、氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述像素电极的材料为铝和氮化钛的任意一种或者两者的组合。
5.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述发光层为单层，所述OLED器件还包括位于所述像素电极和所述发光层之间的电子注入层和电子传输层、位于所述发光层和所述第二阳极之间的空穴传输层和空穴注入层。
6.根据权利要求5所述的OLED显示器，其特征在于，所述发光层的材料为荧光材料和磷光材料中的任意一种。
7.根据权利要求5或6所述的OLED显示器，其特征在于，所述发光层的厚度在10nm至15nm之间。
8.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述封装结构为薄膜层、玻璃盖板或者由位于所述第二阳极上的所述薄膜层和位于所述薄膜层上的所述玻璃盖板组成的叠层。
9.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述第一阳极与所述像素电极之间的距离大于或等于500μm。
10.一种QLED显示器，其特征在于，包括硅基CMOS驱动芯片、QLED层，以及用于将所述QLED层封装于所述硅基CMOS驱动芯片上的封装结构；
其中，所述硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、位于所述硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔设置于所述驱动电路层上的像素电极和第一阳极；所述QLED层包括位于所述像素电极上的至少一层量子点发光层和位于所述量子点发光层上且与所述第一阳极欧姆接触的第三阳极；所述像素电极作为所述QLED层的阴极，自所述量子点发光层发出的光束依次透过所述第三阳极和所述封装结构出射。
11.一种OLED显示器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供硅基CMOS驱动芯片，所述硅基CMOS驱动芯片包括硅基驱动基板、形成于所述硅基驱动基板上的驱动电路层，以及间隔形成于所述驱动电路层上的像素电极和第一阳极；
通过掩模版遮挡部分所述第一阳极，并在所述硅基CMOS驱动芯片上通过蒸镀工艺形成覆盖所述像素电极和露出的所述第一阳极的电子注入层；
通过所述掩模版遮挡露出的所述第一阳极，并通过蒸镀工艺在所述电子注入层上依次形成电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，所述电子注入层、所述电子传输层、所述发光层、所述空穴传输层和所述空穴注入层分别在所述硅基CMOS驱动芯片上的正投影均具有露出部分所述第一阳极的窗口；
在所述空穴注入层上沉积第二阳极，所述第二阳极穿过所述窗口与所述第一阳极接触连接，所述电子注入层、所述电子传输层、所述发光层、所述空穴传输层和所述空穴注入层和所述第二阳极共同形成OLED器件；
通过封装结构将所述OLED器件封装于所述硅基CMOS驱动芯片上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111027504.9A CN113707705A (zh) | 2021-09-02 | 2021-09-02 | Oled显示器及其制备方法、qled显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111027504.9A CN113707705A (zh) | 2021-09-02 | 2021-09-02 | Oled显示器及其制备方法、qled显示器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113707705A true CN113707705A (zh) | 2021-11-26 |
Family
ID=78657483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111027504.9A Pending CN113707705A (zh) | 2021-09-02 | 2021-09-02 | Oled显示器及其制备方法、qled显示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113707705A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1453883A (zh) * | 2002-04-24 | 2003-11-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN1881564A (zh) * | 2001-01-17 | 2006-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件和制造该器件的方法 |
| CN108538890A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
| CN110534660A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-03 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及制备方法、显示装置 |
| WO2020134162A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111564481A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN111668158A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-09-02 CN CN202111027504.9A patent/CN113707705A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1881564A (zh) * | 2001-01-17 | 2006-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件和制造该器件的方法 |
| CN1453883A (zh) * | 2002-04-24 | 2003-11-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN108538890A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置 |
| WO2020134162A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN110534660A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-03 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN111564481A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN111668158A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102113946B1 (ko) | 유기 디바이스 상의 비공통 캡핑 층 | |
| KR102596065B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| US8680543B2 (en) | Light Emitting Element Having a Capping Layer on an Electrode, Light Emitting Device Having the Same and Method for Manufacturing the Same | |
| US5998803A (en) | Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer | |
| US6469437B1 (en) | Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode | |
| KR101825642B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US7667388B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method for fabricating the same | |
| US8981640B2 (en) | Simplified patterned light panel | |
| US20080265757A1 (en) | Low Index Grids (LIG) To Increase Outcoupled Light From Top or Transparent OLED | |
| US9508957B2 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| JP4596976B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| US20080238310A1 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| US20060049419A1 (en) | Light emitting diode device | |
| KR101251639B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치 | |
| JP2001052878A (ja) | 透明カソード及びそれを含む有機発光ダイオード | |
| CN106601770A (zh) | 有机发光显示器 | |
| US11362310B2 (en) | Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric | |
| CN112186124A (zh) | 有机发光二极管和显示面板 | |
| JP4927423B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| KR101383454B1 (ko) | 전계발광소자 | |
| KR20150037708A (ko) | 유기 발광 소자 | |
| KR101383490B1 (ko) | 전계발광소자 | |
| CN113707705A (zh) | Oled显示器及其制备方法、qled显示器 | |
| KR101670659B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조방법 | |
| JP4081761B2 (ja) | 有機ｅｌ発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |