CN113687680B

CN113687680B - 一种电压调节辅助电路

Info

Publication number: CN113687680B
Application number: CN202110954972.4A
Authority: CN
Inventors: 安伟
Original assignee: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd
Current assignee: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd
Priority date: 2021-08-19
Filing date: 2021-08-19
Publication date: 2023-06-20
Anticipated expiration: 2041-08-19
Also published as: CN113687680A

Abstract

本说明书实施例公开了一种电压调节辅助电路，包括：低压切换单元、高压切换单元以及切换控制单元；所述切换控制单元的一端与所述低压切换单元相连，所述切换控制单元的另一端与所述高压切换单元相连；所述切换控制单元用于控制所述高压切换单元和所述低压切换单元的工作状态，使所述高压切换单元和所述低压切换单元的工作状态相反；所述低压切换单元用于与直流转换器相连，将所述直流转换器的输出电压调整为低于预设标准电压的第一电压；所述高压切换单元用于与所述直流转换器相连，将所述直流转换器的输出电压调整为高于所述预设标准电压的第二电压。

Description

一种电压调节辅助电路

技术领域

本申请涉及电压调节技术领域，尤其涉及一种电压调节辅助电路。

背景技术

可靠性测试是为了评估产品在规定的寿命期间内，在预期的使用、运输或储存等所有环境下，保持功能可靠性而进行的测试。主要是将产品暴露在自然的或人工的环境条件下经受其作用，以评价产品在实际使用、运输和储存的环境条件下的性能，并分析研究环境因素的影响程度及其作用机理。通过使用各种环境试验设备模拟气候环境中的高温、低温、高温高湿以及温度变化等情况，加速反应产品在使用环境中的状况，来验证其是否达到在研发、设计、制造中预期的质量目标，从而对产品整体进行评估，以确定产品可靠性寿命。

实际应用中，在电子产品可靠性测试中增加电压应力或者降低电压应力是加速测试的一种方法。目前通常采用基于静态配置环境下的软件压测，每次测试的电压状态确定且不能动态切换，无法覆盖切换瞬态的潜在不稳定状态对电子产品的影响的测试。

因此，如何提供一种电压电路，能够在电子产品的测试过程中动态切换是亟待解决的技术问题。

发明内容

本说明书实施例提供一种电压调节辅助电路，以解决现有的对电子产品的测试过程中不能动态切换电压的问题。

为解决上述技术问题，本说明书实施例是这样实现的：

本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路，包括：

低压切换单元、高压切换单元以及切换控制单元；

所述切换控制单元的一端与所述低压切换单元相连，所述切换控制单元的另一端与所述高压切换单元相连；

所述切换控制单元用于控制所述高压切换单元和所述低压切换单元的工作状态，使所述高压切换单元和所述低压切换单元的工作状态相反；

所述低压切换单元用于与直流转换器相连，将所述直流转换器的输出电压调整为低于预设标准电压的第一电压；

所述高压切换单元用于与所述直流转换器相连，将所述直流转换器的输出电压调整为高于所述预设标准电压的第二电压。

本说明书一个实施例实现了能够达到以下有益效果：

本说明书实施例中提供的一种电压调节辅助电路，该电路可以用于与直流转换器连接，其中，切换控制单元与低压切换单元和高压切换单元连接，从而可以通过低压切换单元和高压切换单元控制直流转换器的输出电压，可以将直流转换器的输出电压调整为低于预设标准电压的第一电压，也可以将直流转换器的输出电压调整为高于预设标准电压的第二电压，使得利用直流转换器进行电压测试的电子产品可以接收到不同的电压应力。通过切换控制单元可以动态切换直流转换器的输出电压，使得测试过程中可以覆盖切换瞬态的潜在不稳定状态对电子产品的影响的测试，从而可以更全面的对电子产品进行测试，也使得测试电压可以更贴近于电子产品在实际应用中的电压状况。

附图说明

为了更清楚地说明本说明书实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的应用场景的示意图；

图2为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图3为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图4为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图5为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图6为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图7为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图8为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图9为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图10为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图11为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图；

图12为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路连接示意图。

具体实施方式

为使本说明书一个或多个实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本说明书具体实施例及相应的附图对本说明书一个或多个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本说明书的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本说明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本说明书一个或多个实施例保护的范围。

以下结合附图，详细说明本说明书各实施例提供的技术方案。

现有技术中，对于电子器件或产品的可靠性及稳定性保证通常是基于静态配置环境下的软件压测，此压测场景单一，每次测试提供的电压状态确定且不能动态切换，强度不足，无法覆盖切换瞬态的潜在不稳定状态。

为了解决现有技术中的缺陷，本方案给出了以下实施例：

图1为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的应用场景的示意图。如图1所示，该场景可以包括电压调节辅助电路1，直流转换器2和被测器件3。其中电压调节辅助电路1与直流转换器2相连，直流转换器2与被测器件3相连，直流转换器2可以提供被测器件3所需的测试电压。电压调节辅助电路1与直流转换器2相连，可以控制直流转换器2输出高于或低于预设标准电压至的电压，对被测器件3进行测试，可实现电压的动态切换。

接下来，将针对说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路结合附图进行具体说明：

图2为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图。

如图2所示，该电路可以包括：低压切换单元202、高压切换单元204以及切换控制单元206。

其中，所述切换控制单元206的一端与所述低压切换单元202相连，所述切换控制单元206的另一端与所述高压切换单元204相连。

所述切换控制单元206用于控制所述高压切换单元204和所述低压切换单元202的工作状态，使所述高压切换单元204和所述低压切换单元202的工作状态相反。

所述低压切换单元202用于与直流转换器208相连，将所述直流转换器的输出电压调整为低于预设标准电压的第一电压。

所述高压切换单元204用于与所述直流转换器208相连，将所述直流转换器的输出电压调整为高于所述预设标准电压的第二电压。

本说明书实施例中提供的一种电压调节辅助电路，该电路可以用于与直流转换器连接，其中，切换控制单元与低压切换单元和高压切换单元连接，从而可以通过低压切换单元和高压切换单元控制直流转换器的输出电压，可以将直流转换器的输出电压调整为低于预设标准电压的第一电压，也可以将直流转换器的输出电压调整为高于预设标准电压的第二电压，使得利用直流转换器进行电压测试的电子产品可以接收到不同的电压应力。通过切换控制单元可以动态切换直流转换器的输出电压，使得测试过程中可以覆盖切换瞬态的潜在不稳定状态对电子产品的影响的测试，从而可以更全面的对电子产品进行测试，也使得测试电压可以更贴近于电子产品在实际应用中的电压状况，在可靠性试验中得到最大强度的检验，进一步也可以保证产品稳定性。

实际应用中，高压切换单元和低压切换单元的工作状态可以包括第一工作状态和第二工作状态，第一工作状态可以表示高压切换单元或低压切换单元中的电路处于通路状态，对直流转换器起到控制作用的状态；第二工作状态可以表示高压切换单元或低压切换单元中的电路处于断路状态，对直流转换器未起到控制作用的状态。高压切换单元和低压切换单元工作状态相反，可以理解为，高压切换单元中的电路处于通路状态，高压切换单元对直流转换器起控制作用时，低压切换单元中的电路处于断路，低压切换单元未对直流转换器起控制作用；低压切换单元的电路处于通路状态，低压切换单元对直流转换器起控制作用时，高压切换单元的电路处于断路状态，高压切换单元未对直流转换器起控制作用，从而可以保证高压切换单元和低压切换单元不会同时工作，避免电压异常，可提高电路的稳定性。

低压切换单元处于工作状态时可以控制直流转换器的输出电压调整为低于预设标准电压的第一电压；高压切换单元处于工作状态时可以控制直流转换器的输出电压调整为高于预设标准电压的第二电压。预设标准电压可以为直流转换器的标准输出电压。

实际应用中，不同的直流转换器可以具有不同的标准输出电压，本说明书实施例中的电压调节辅助电路可以控制直流转换器输出高于或低于标准输出电压一定范围的电压，在采用具有本说明书实施例中的电压调节辅助电路的直流转换器进行电压测试时，可最大限度的寻找最恶劣的电压工作场景，可更大的拓展测试范围，增强测试强度，对产品可靠性测试具有重要意义。

并且，本说明书实施例中提供的电压调节辅助电路不依赖直流电源控制器的内部实现机理，无需对直流电源控制器的内部机理进行改动，具有广泛的适应性，实用性强，成本低廉。

实际应用中，直流转换器可以DC/DC转换器，具体的还可以是LDO(lowdropoutvoltageregulator，低压差线性稳压器)、线性电源、开关电源等转换器。被测器件可以是由直流转换器提供电压的器件，可以是电子器件，也可以是电子产品，例如，可以是独立的受压器件，也可以是服务器等产品等。

直流转换器将转换后的电压加载到被测器件上，通过检测被测器件的工作状态可检测被测器件的受压能力，并且还可以检测不同电压下，被测器件可能出现的不稳定性故障，从而实现对被测器件的性能测试。其中，检测被测器件的故障的方式可以采用现有的技术进行检测，这里不再赘述。

为更好的配合直流转换器为被测器件提供测试电压，如图2所示，本说明书实施例中的电压调节辅助电路还可以包括使能单元210，所述使能单元210分别与所述低压切换单元202和所述高压切换单元204相连，用于控制所述低压切换单元202和所述高压切换单元204是否可工作。

本说明书实施例中使能单元可以理解为低压切换单元和高压切换单元的使能控制端，可以控制低压切换单元和高压切换单元是否可以工作。实际应用中，使能单元的优先级高于低压切换单元和高压切换单元的优先级，当低压切换单元或高压切换单元处于工作状态时，可通过使能单元将处于工作状态的低压切换单元或高压切换单元切换至非工作状态。

为更清楚的说明本说明书实例提供的电压调节辅助电路，图3为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图。如图3所示，本说明书实施例中所述低压切换单元的第一输出端A与所述高压切换单元的第二输出端B分别用于与所述直流转换器的第一连接端E相连，所述第一连接端为所述直流转换器中的分压电阻单元相连的反馈端。

实际应用中，直流转换器中通常包括电源控制器芯片和***电路，控制芯片主要是通过反馈电压与内部基准电压的比较，从而调节驱动波形的占空比，来保证输出电压的稳定，大体可以包括放大器电路、温度保护电路、限流保护电路和软动电路；***电路可以包括电容、电阻等部件，通常输出端会连接至少两个分压电阻，可以称为上分压电阻和下分压电阻，上分压电阻和下分压电阻串联，上分压电阻的非串联端与输出端的正极连接，下分压电阻的非串联端连接公共接地端，上分压电阻和下分压电阻的串联端与控制芯片的反馈端连接，例如TPS53355芯片的VFB引脚、AP3583芯片的FB引脚、TPS54620芯片的VSENSE引脚。本说明书实施例中直流转换器中的分压电阻单元相连的反馈端可以为分压电阻与控制芯片的反馈端或反馈引脚连接的节点。

实际应用中，不同的直流转换器采用的控制芯片可能不同，不同的控制芯片中的反馈端或反馈引脚的名称也可能不同，这里不作具体限定。本说明书实施例中的辅助电路可直接与直流转换器连接，无需对直流转换器的内部结构进行变更，直流转换器可以是现有的直流转换器，这里不再对直流转换器的工作原理进行赘述。

本说明书实施例中可以基于电阻分压的原理实现对直流转换器输出电压的调节。如图3所示，本说明书实施例中，低压切换单元具体可以包括：第一分压电阻R₁₁和第一MOS管Q₁；

所述第一分压电阻R₁₁与所述第一MOS管Q₁的漏极串联；所述第一MOS管Q₁的源极与所述第一输出端A相连；所述第一分压电阻R₁的非串联端与所述低压切换单元的第三输出端C相连；所述第三输出端用于与所述直流转换器的第二连接端相连；所述第二连接端为所述直流转换器的输出端的正极端。

所述切换控制单元的一端与所述低压切换单元相连，具体可以包括：

所述切换控制单元的一端与所述第一MOS管的栅极相连。

实际应用中，第一MOS管可以为NMOS管也可以为PMOS管，考虑到PMOS管的导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，本说明书实施例中的第一MOS管优选为NMOS管。

如图3所示，本说明书实施例中所述高压切换单元具体可以包括：第二分压电阻R₁₂和第二MOS管Q₂；

所述第二分压电阻R₁₂与所述第二MOS管Q₂的漏极串联；所述第二分压电阻R₁₂的非串联端与所述第二输出端B相连；

所述切换控制单元的另一端与所述高压切换单元相连，具体可以包括：

所述切换控制单元的另一端与所述第二MOS管Q₂的栅极相连。

实际应用中，第二MOS管可以为NMOS管也可以为PMOS管，当第二MOS管为NMOS管时，第二MOS管的源极连接公共地端；当第二MOS管为PMOS管时，第二MOS管的源极与第二MOS管相适应的电源端相连。同样，考虑到PMOS管的导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，本说明书实施例中的第二MOS管优选为NMOS管。

如图3所示，本说明书实施例中的切换控制单元可以至少一个电控切换开关Q₃；其中，所述电控切换开关Q₃的第一连接端与所述低压切换单元相连；所述电控切换开关Q₃的第二连接端与所述高压切换单元和所述切换控制单元的第一输入端INPUT₁相连；所述第一输入端INPUT₁用于输入控制所述电控切换开关Q₃的第一控制信号。

作为另一种实施方式，本说明书实施例中所述电控切换开关的第一连接端可以与所述高压切换单元相连；所述电控切换开关的第二连接端可以与所述低压切换单元和所述第一输入端相连。

通过电控切换开关控制低压切换单元和高压切换单元可提高控制的自动化程度，也可提高对被测器件的测试的自动化程度，提高测试的效率。

作为一种实施方式，本说明书实施例中所述电控切换开关可以包括至少一个第三MOS管；

所述第三MOS管的漏极与所述低压切换单元相连；所述第三MOS管的栅极与所述高压切换单元和所述第一输入端相连。

作为另一种实施方式，本说明书实施例中所述第三MOS管的漏极可以与所述高压切换单元相连；所述第三MOS管的栅极可以与所述低压切换单元和所述第一输入端相连。

其中，第三MOS管的漏极可以与公共端相连。

实际应用中，第三MOS管可以为NMOS管，也可以为PMOS管。当第三MOS管为NMOS管时，第三MOS管的漏极可以与接地端相连；当第三MOS管为PMOS管时，第三MOS管的漏极可以与电源端相连，具体连接方式可以根据实际需求进行设定，这里不作具体限定。

本说明书实施例中，第一输入端INPUT₁输入高电平时，电控切换开关Q₃可以切换至导通状态，第一MOS管Q₁的栅极为低电平，第一MOS管Q₁关断，低压切换单元中由第一分压电阻R₁₁与第一MOS管Q₁构成的控制电路处于断路状态，第一分压电阻R11对直流转换器不起作用；第二MOS管Q₂的栅极为高电平，第二MOS管Q₂导通，高压切换单元中由第二分压电阻R₁₂与所述第二MOS管Q₂构成的控制电路处于通路状态，第二分压电阻R₁₂对直流转换器起作用，使得第二分压电阻R₁₂连接于直流转换器的反馈端与公共接地端之间，可以控制直流转换器输出高于预设标准电压的第二电压，例如，流转换器的标准电压为3.3V，通过高压切换单元的控制可以使其输出3.45V的电压。

第一输入端INPUT₁输入低电平时，电控切换开关Q₃可以切换至关断状态，第二MOS管Q₂的栅极变为低电平，第二MOS管Q₂关断，高压切换单元中由第二分压电阻R₁₂与所述第二MOS管Q₂构成的控制电路处于断路状态，第二分压电阻R₁₂对直流转换器不再起作用；第一MOS管Q₁的栅极可以恢复到原来的高电平，第一MOS管Q₁导通，低压切换单元中由第一分压电阻R₁₁与第一MOS管Q₁构成的控制电路处于通路状态，第一分压电阻R₁₁对直流转换器起作用，使得第一分压电阻R₁₁连接于直流转换器的反馈端与输出端之间，可以控制直流转换器输出低于预设标准电压的第一电压，例如，流转换器的标准电压为3.3V，通过低压切换单元的控制可以使其输出3.13V的电压。

其中，当第一MOS管Q₁为NMOS管时，可以在第一MOS管Q₁的栅极设置上拉电阻以及电源，使得第一MOS管Q₁的栅极可以处于默认的高电平状态。

实际应用中，第一电压、第二电压与预设标准电压值之间的浮动可以根据实际需求通过选择不同阻值的第一分压电阻和第二分压电阻来实现，例如，第一分压电阻可以为1MΩ、0.8MΩ、500kΩ等，第二分压电阻可以为340kΩ、100kΩ、1.5MΩ等。上述仅是为了说明进行的举例，本说明书实施例中对具体的电阻值不作具体限定。

图4为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图4所示，本说明书实施例中为提高电压调节辅助电路的安全性，本说明书实施例中所述低压切换单元和所述高压切换单元还可以包括公用保护电阻R₂₁；

所述第一输出端和所述第二输出端分别用于与所述直流转换器的第一连接端相连，具体可以包括：

所述公用保护电阻R₂₁的一端与所述第一输出端A和所述第二输出端B相连；所述公用保护电阻R₂₁的另一端D用于与所述直流转换器的第一连接端相连。

实际应用中，公用保护电阻R₂₁只要是为了保护辅助电路与直流转换器之间的连接安全性，具体电阻值可以根据实际需求进行设定，例如，可以为1kΩ、5kΩ等。

图5为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图5所示，为保证低压切换单元的稳定性，本说明书实施例中低压切换单元还可以包括第一上拉电阻R₃₁；所述第一上拉电阻R₃₁用于与第一控制电源V_CC1串联；所述第一上拉电阻R₃₁的非串联端用于与所述第一MOS管Q₁的栅极相连。

其中，第一控制电源可使第一MOS管处于稳定的导通状态，第一上拉电阻可提高安全性。

如图5所示，同理，所述高压切换单元还可以包括第二上拉电阻R₃₂；所述第二上拉电阻R₃₂用于与第二控制电源V_CC2串联；所述第二上拉电阻R₃₂的非串联端用于与所述第二MOS管Q₂的栅极相连。

实际应用中，第一控制电源、第二控制电源可以提供直流电压，可以为第一MOS管和第二MOS管提供稳定的工作电压，保证低压切换单元和高压切换单元的稳定性。实际应用中，可以根据第一MOS管和第二MOS管的规格以及电路的连接关系确定第一控制电源、第二控制电源的具体的电压值，以及第一上拉电阻和第二上拉电阻的具体阻值，例如，第一控制电源可以为12V，15V等，第一上拉电阻可以为10k，15k等，第二控制电源可以为3.3V，5V等，第二上拉电阻可以为10k，12k等。可以理解的是，上述内容仅是进行的举例说明，具体的电源以及电阻规格可以根据实际需求进行设定，这里不作具体限定。

为了进一步提高稳定性，如图5所示，本说明书实施例中所述低压切换单元还可以包括第一下拉电阻R₄₁，所述第一下拉电阻R₄₁的一端与所述第一上拉电阻R₃₁的非串联端相连。所述第一下拉电阻R₄₁的另一端可以与公共接地端相连。

实际应用中，可以实际需要选择第一下拉电阻的具体阻值，这里不作具体限定。例如，第一下拉电阻可以为10k，15k等。

图6为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图6所示，本说明书实施例中还可以通过延时电路控制低压切换单元和高压切换单元的开关时间，具体的，本说明书实施例中所述低压切换单元还可以包括第一延时电路RC₁；

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一MOS管的栅极相连，具体可以包括：

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一延时电路RC₁的一端相连；所述第一延时电路RC₁的另一端与所述第一MOS管Q₁的栅极相连。

同理，如图6所示，所述高压切换单元还可以包括第二延时电路RC₂；

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二MOS管的栅极相连，具体可以包括：

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二延时电路RC₂的一端相连；所述第二延时电路RC₂的另一端与所述第二MOS管Q₂的栅极相连。

本说明书实施例中的第一延时电路可以控制低压切换单元的切换速率，例如，给被测器件输入低于预设标准电压的第一电压时，切换控制单元控制低压切换单元切换至工作状态，由于第一延时电路的作用，使得低压切换单元切换至工作状态时存在一个过渡过程。

第二延时电路可以控制高压切换单元的切换速率，例如，给被测器件输入高于预设标准电压的第二电压时，切换控制单元控制高压切换单元切换至工作状态，由于第二延时电路的作用，使得高压切换单元切换至工作状态时存在一个过渡过程。

本说明书实施例中的电压调节辅助电路可以确保切换的转换速度能够满足直流转换器中的环路响应设计约束，不会因切换太快造成直流转换器发生振铃现象，进而可以保证直流转换器的正常工作，不担心切换速率超过直流转换器的能力，进一步可以让测试简便化、鲁棒化，也可保证连接有电压调节辅助电路的直流转换器提供的电压在预设标准电压、低于预设标准电压的第一电压、高于所述预设标准电压的第二电压之间的进行稳定切换。

如图6所示，本说明书实施例中可采用RC电路作为延时电路，作为一种实施方式，本说明书实施例中第一延时电路可以包括至少一个第一电阻R₅₁和第一电容C₁；所述第一电阻R₅₁和所述第一电容C₁串联；

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一延时电路的一端相连，具体包括：

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一电阻R₅₁的非串联端相连；

所述第一延时电路的另一端与所述第一MOS管的栅极相连，具体可以包括：

所述第一电阻R₅₁的串联端与所述第一MOS管Q₁的栅极相连。

其中，所述第一电容的非串联端可以与公共端相连。实际应用中，公共端可以是接地端，也可以是电源端。本说明书实施例中第一电容的非串联端可以与接地端相连。

如图6所示，本说明书实施例中第二延时电路可以包括至少一个第二电阻R₅₂和第二电容C₂；所述第二电阻R₅₂与所述第二电容C₂串联；

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二延时电路的一端相连，具体可以包括：

所述第二上拉电阻R₃₂的非串联端与所述第二电阻R₅₂的非串联端相连；

所述第二延时电路另一端与所述第二MOS管的栅极相连，具体可以包括：

所述第二电阻R₅₂的串联端与所述第二MOS管Q₂的栅极相连。

其中，所述第二电容的非串联端可以与公共端相连。优选的，第二电容的非串联端可以与接地端相连。

实际应用中，可以实际电路需要选择第一电阻、第二电阻的阻值以及第一电容、第二电容的电容值，这里不作具体限定。例如，第一电阻、第二电阻可以为100k，90k，150k等，第一电容、第二电容可以为0.1μ，0.2μ等。

图7为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图7所示，为提高低压切换单元的切换效率，本说明书实例中低压切换单元还包括可以第一泄放电路RD₁；其中，所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一延时电路的一端相连，具体可以包括：所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一泄放电路的一端相连；所述第一泄放电路的另一端与所述第一延时电路的一端相连。

同理，如图7所示，本说明书实施例中高压切换单元还可以包括第二泄放电路RD₂；其中，所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二延时电路的一端相连，具体可以包括：所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二泄放电路的一端相连；所述第二泄放电路的另一端与所述第二延时电路的一端相连。

本说明书实施例中通过第一泄放电路可以加快第一MOS管栅极电压的下降，提高第一MOS管的关断速度；第二泄放电路可以加快第二MOS管栅极电压的下降，提高第二MOS管的关断速度，从而可以提高保接有电压调节辅助电路的直流转换器提供的电压在预设标准电压、低于预设标准电压的第一电压、高于预设标准电压的第二电压之间的进行切换速度。

作为一种实施方式，如图7所示，本说明书实施例中第一泄放电路可以包括第三电阻R₅₃、第四电阻R₅₄和第一二极管D₁；所述第三电阻R₅₃与所述第四电阻R₅₄串联；所述第一二极管D₁与所述第四电阻R₅₄并联。其中，第一二极管D₁的正极可以与第四电阻R₅₄的非串联端相连，第一二极管D₁的负极可以与第四电阻R₅₄的串联端相连。

其中，所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一泄放电路的一端相连，具体可以包括：所述第一上拉电阻的非串联端与所述第三电阻的非串联端相连；

所述第一泄放电路的另一端与所述第一延时电路的一端相连，具体可以包括：所述第四电阻的非串联端与所述第一延时电路的一端相连。

作为一种实施方式，如图7所示，本说明书实施例中所述第二泄放电路可以包括第五电阻R₅₅、第六电阻R₅₆和第二二极管D₂；所述第五电阻R₅₅与所述第六电阻R₅₆串联；所述第二二极管D₂与所述第六电阻R₅₆并联。其中，第二二极管D₂的正极与第六电阻R₅₆的非串联端相连，第二二极管D₂的负极与第六电阻R₅₆的串联端相连。

其中，所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二泄放电路的一端相连，具体可以包括：

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第五电阻的非串联端相连；

所述第二泄放电路的另一端与所述第二延时电路的一端相连，具体可以包括：

所述第六电阻的非串联端与所述第二延时电路的一端相连。

图8为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图8所示，本说明书实施例中，所述使能单元可以包括第一使能控制开关Q₄和第二使能控制开关Q₅；其中，所述使能单元分别与所述低压切换单元和所述高压切换单元相连，具体可以包括：所述第一使能控制开关与所述低压切换单元相连，用于控制所述低压切换单元是否可工作；所述第二使能控制开关与所述高压切换单元相连，用于控制所述高压切换单元是否可工作。

作为一种实施方式，如图8所示，本说明书实施例中所述第一使能控制开关Q₄和所述第二使能控制开关Q₅可以为MOS管；所述第一使能控制开关Q₄的栅极和所述第二使能控制开关Q₅的栅极与所述使能单元的第二输入端INPUT₂相连；所述第二输入端INPUT₂可以用于输入控制所述第一使能控制开关Q₄和所述第二使能控制开关Q₅的第二控制信号。

其中，所述第一使能控制开关与所述低压切换单元相连，具体可以包括：所述第一使能控制开关的漏极与所述低压切换单元相连。

所述第二使能控制开关与所述高压切换单元相连，具体可以包括：所述第二使能控制开关的漏极与所述高压切换单元相连。

实际应用中，第一使能控制开关的源极和第二使能控制开关的源极与公共端相连。其中，第一使能控制开关和/或第二使能控制开关可以为NMOS管，也可以是PMOS管。当第一使能控制开关和/或第二使能控制开关为NMOS管时，NMOS管的源极可以与接地端相连；当第一使能控制开关和/或第二使能控制开关为PMOS管时，PMOS管的源极可以与电源端相连。

本说明书实施例中第一控制信号和第二控制信号可以是TTL电平信号，用于控制电控切换开关以及第一使能控制开关和第二使能控制开关的状态。

作为一种实施方式，图9为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图9所示，本说明书实施例中当所述低压切换单元包括第一延时电路RC₁；所述第一使能控制开关的漏极与所述低压切换单元相连，具体可以包括：所述第一使能控制开关Q₄的漏极与所述第一延时电路RC₁的一端相连；

当所述高压切换单元包括第二延时电路RC₂；所述第二使能控制开关的漏极与所述高压切换单元相连，具体可以包括：所述第二使能控制开关的漏极与所述第二延时电路的一端相连。

本说明书实施例中第一延时电路可以位于第一使能控制开关与低压切换单元中的第一MOS管之间，可保证第一延时电路对第一MOS管的延时作用，可提高电路的稳定性。同理，第二延时电路可以位于第二使能控制开关与高压切换单元中的第二MOS管之间，可保证第二延时电路对第二MOS管的延时作用，也了提高电路的稳定性。

作为一种实施方式，如图9所示，本说明书实例中所述第一延时电路RC₁可以包括至少一个第一电阻R₅₁和第一电容C₁；所述第一电阻R₅₁和所述第一电容C₁串联；其中，所述第一使能控制开关的漏极与所述第一延时电路的一端相连，具体可以包括：所述第一使能控制开关Q₄的漏极与所述第一电阻R₅₁的非串联端相连；

和/或，

所述第二延时电路RC₂可以包括至少一个第二电阻R₅₂和第二电容C₂；所述第二电阻R₅₂与所述第二电容C₂串联；其中，所述第二使能控制开关的漏极与所述第二延时电路的一端相连，具体可以包括：所述第二使能控制开关Q₅的漏极与所述第二电阻R₅₂的非串联端相连。

图10为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图10所示，为提高使能单元的稳定性，本说明书实施例中所述使能单元还可以包括第三上拉电阻R₃₃。

其中，所述第三上拉电阻R₃₃与第三控制电源V_CC3串联；所述第三上拉电阻R₃₃的非串联端与所述第一使能控制开关Q₄的栅极相连；

和/或，

所述第三上拉电阻R₃₃的非串联端与所述第二使能控制开关Q₅的栅极相连。

其中，第三控制电源可以为第一使能控制开关和/或第二使能控制开关提供稳定的工作电压。实际应用中，第三上拉电阻的阻值以及第三控制电源的电压值可以根据第一使能控制开关和第二使能控制开关的具体规格进行设定，这里不作具体限定。例如，第三上拉电阻可以为10k，12k，15k等，第三控制电源可以为3.3V，5V等。

图11为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路的结构示意图，如图11所示，本说明书实施例中所述低压切换单元还可以包括第一泄放电路RD₁；所述第一使能控制开关Q4的漏极可以与第一延时电路RC₁和第一泄放电路RD₁相连，具体的，第一使能控制开关Q4的漏极可以与第一泄放电路RD₁中的第四电阻R₅₄的非串联端和第一延时电路RC₁中的第一电阻R₅₁的非串联端相连。其中，第一延时电路RC₁和第一泄放电路RD₁这里不再赘述。

如图11所示，所述高压切换单元还可以包括第二泄放电路RD₂；所述第二使能控制开关Q5的漏极可以与第二延时电路RC₂和第二泄放电路RD₂相连，具体的，第二使能控制开关Q5的漏极可以与第二泄放电路RD₂中的第六电阻R₅₆的非串联端和第二延时电路RC₂中的第二电阻R₅₂的非串联端相连。其中，第二延时电路RC₂和第二泄放电路RD₂的具体结构这里不再赘述。

如图11所示，本说明书实施例中低压切换单元还可以包括与第一控制电源V_CC1串联的第一上拉电阻R₃₁，以及第一下拉电阻R₄₁；高压切换单元还可以包括与第二控制电源V_CC2串联的第二上拉电阻R₃₂，以便低压切换单元和高压切换单元处于稳定的工作状态。具体的连接关系及作用可参见前述实施例中的描述，这里不再赘述。

为更清楚的说明本说明书实例提供的电压调节辅助电路，下面以直流转换器为开关电源为例就本说明书实施例中提供的电压调节辅助电路的工作原理进行说明。图12为本说明书实施例提供的一种电压调节辅助电路连接示意图。如图12所示，开关电源可以包括电源控制芯片和***电路，这里电源控制芯片以TPS53355为例，***电路可以包括与输出端Vout连接的电感L_S、电容C_S以及上分压电阻R_S1和下分压电阻R_S2，其中，上分压电阻R_S1和下分压电阻R_S2串联，串联端与电源控制芯片的VFB引脚连接，用于反馈电压信号，以便开关电源可以使出稳定电压。实际应用中，开关电源的输出电压与上分压电阻R_S1和下分压电阻R_S2的阻值有关系，输出电压Vout＝(1+R_S1/R_S2)*Vref，其中，Vref为电源控制芯片的参考电压，由电源控制芯片确定，不同型号的电源控制芯片的参考电压的取值可能不同。实际应用中***电路可以还包括其他部件，可与现有的相同，开关电源的工作原理这里不再赘述。

本说明书实施例中提供的电压调节辅助电路与开关电源的输出端Vout和与上分压电阻R_S1和下分压电阻R_S2连接的反馈端VFB连接。如图12所示，本说明书实施例中的低压切换电源中的第三输出端C与开关电源的输出端Vout相连，公用保护电阻R₂₁的另一端D与开关电源的反馈端VFB相连。以下结合图3对本说明书实施中提供的一种电压调节辅助电路的工作原理进行说明：

假设在对被测器件进行测试时，需要开关电源提供低于预设标准电压的第一电压时，本说明书实施例中切换控制单元SW的第一输入端INPUT1可以提供低电平，使得电控切换开关Q₃切换至关断状态，并且使得第二MOS管Q₂的栅极为低电平，使得第二MOS管Q₂处于关断状态。与第一MOS管Q₁的栅极相连的第一控制电源V_CC1可以提供高电平，使得第一MOS管Q₁切换至导通状态，使得第一分压电阻R₁₁和公用保护电阻R₂₁对开关电源的输出作用，相当于在原来的上分压电阻Rs1上并联了第一分压电阻R₁₁和公用保护电阻R₂₁，此时的开关电源输出的第一电压Vout1＝{1+[R_S1*(R₁₁+R₂₁)/(R_S1+R₁₁+R₂₁)]/R_S2}*Vref，此时第一电压Vout1低于预设标准电压Vout。并且，低压切换单元包括第一延时电路RC₁，使得第一MOS管Q₁可以比较缓慢的切换至导通状态，对开关电源也起到一定的保护作用。

假设在对被测器件进行测试时，需要开关电源提供高于预设标准电压的第二电压时，本说明书实施例中切换控制单元SW的第一输入端INPUT₁可以提供高电平，使得电控切换开关Q₃切换至导通状态，由于电控切换开关Q₃的源极连接公共接地端，使得第一MOS管Q₁的栅极处于低电平，第一MOS管Q₁切换至关断状态。并且，由于第一输入端INPUT₁为高电平，使得第二MOS管Q₂的栅极为高电平，第二MOS管Q₂切换至导通状态，使得第二分压电阻R₁₂和公用保护电阻R₂₁对开关电源的输出作用，相当于在原来的下分压电阻Rs2上并联了第二分压电阻R₁₂和公用保护电阻R₂₁，此时的开关电源输出的第二电压Vout2＝{1+R_S1/[R_S2*(R₁₁+R₂₁)/(R_S2+R₁₁+R₂₁)]}*Vref，此时第二电压Vout2高于预设标准电压Vout。并且，高压切换单元包括第二延时电路RC₂，使得第二MOS管Q₂可以比较缓慢的切换至导通状态，对开关电源也起到一定的保护作用。

本说明书实施例中提供的低压切换单元还可以包括第一泄放电路RD₁，当第一MOS管Q₁由导通状态切换至关断状态的过程中，第一电容C₁的电能经过第一电阻R₅₁、第一二极管D₁以及第三电阻R₅₃释放，可加快第一MOS管Q₁的关断速度。

同理，本说明书实施例中提供的高压切换单元还可以包括第二泄放电路RD₂，当第二MOS管Q₂由导通状态切换至关断状态的过程中，第二电容C₂的电能经过第二电阻R₅₂、第二二极管D₂以及第五电阻R₅₅释放，可加快第二MOS管Q₂的关断速度。

本说明书实施例提供的辅助电路还可以包括使能单元EN，其中，使能单元EN相较于高压切换单元和低压切换单元具有最高的控制级别，使能单元EN可以使处于工作状态的高压切换单元和低压切换单元切换至非工作状态，进而使得开关电源输出预设标准电压。假设需要开关电源提供标准电压，如3.3V电压，使能单元EN的第二输入端INPUT₂可以接收高电平控制信号，第一使能控制开关Q₄和第二使能控制开关Q₅切换至导通状态，使得第一MOS管Q₁和第二MOS管Q₂的栅极电压为低电平，第一MOS管Q₁和第二MOS管Q₂切换至关断状态，第一分压电阻R₁₁、第二分压电阻R₁₂和公用保护电阻R₂₁未对开关电源产生作用，使得开关电源输出预设标准电压。

当需要开关电源输出低于预设标准电压的第一电压或者高于预设标准电压的第二电压时，可以将使能单元EN的第二输入端INPUT₂接入低电平，然后控制第一输入端INPUT₁接入高电平或者低电平。

本说明书实施例中提供的电压调节辅助电路可以实现预设标准电压、低于预设标准电压的第一电压、高于预设标准电压的第二电压三者之间的任意切换，且切换时状态相互互斥，同时还可以确保切换的转换速度能满足直流转换器的环路响应设计约束，确保电路在任意情况下都能正常工作。

实际应用中直流转换器可以包括模拟电源控制器，现有的模拟电源控制器几乎不带电压调整功能，在使用模拟电源控制器进行测试时需要手工修改电路以满足电压调节的测试条件，但手工修改也只能满足静态改变，且特别繁琐，每次修改只能改变一次，无法在测试过程中随意跳变。本说明书实施例中提供的电压调节辅助电路可以应用于模拟电源控制器中，可以使模拟电源控制器具有电压调节功能，并且模拟电源控制器信号传输速率较高，可实现高精度下的时序控制。

并且，模拟电源控制器的成本低，可靠性高，并且采用本说明书实施例中提供的电压调节辅助电路的模拟电源控制器可实现电压调节，电压切换灵活，可在保证检测有效性的同时降低测试成本，具有较高的实用价值。

在20世纪90年代，对于一个技术的改进可以很明显地区分是硬件上的改进(例如，对二极管、晶体管、开关等电路结构的改进)还是软件上的改进(对于方法流程的改进)。然而，随着技术的发展，当今的很多方法流程的改进已经可以视为硬件电路结构的直接改进。设计人员几乎都通过将改进的方法流程编程到硬件电路中来得到相应的硬件电路结构。因此，不能说一个方法流程的改进就不能用硬件实体模块来实现。例如，可编程逻辑器件(ProgrammableLogicDevice,PLD)(例如现场可编程门阵列(FieldProgrammableGateArray，FPGA))就是这样一种集成电路，其逻辑功能由用户对器件编程来确定。由设计人员自行编程来把一个数字符***“集成”在一片PLD上，而不需要请芯片制造厂商来设计和制作专用的集成电路芯片。而且，如今，取代手工地制作集成电路芯片，这种编程也多半改用“逻辑编译器(logiccompiler)”软件来实现，它与程序开发撰写时所用的软件编译器相类似，而要编译之前的原始代码也得用特定的编程语言来撰写，此称之为硬件描述语言(HardwareDescriptionLanguage，HDL)，而HDL也并非仅有一种，而是有许多种，如ABEL(AdvancedBooleanExpressionLanguage)、AHDL(AlteraHardwareDescription Language)、Confluence、CUPL(CornellUniversityProgrammingLanguage)、HDCal、JHDL(JavaHardwareDescriptionLanguage)、Lava、Lola、MyHDL、PALASM、RHDL(RubyHardwareDescriptionLanguage)等，目前最普遍使用的是VHDL(Very-High-SpeedIntegrated CircuitHardwareDescriptionLanguage)与Verilog。本领域技术人员也应该清楚，只需要将方法流程用上述几种硬件描述语言稍作逻辑编程并编程到集成电路中，就可以很容易得到实现该逻辑方法流程的硬件电路。

控制器可以按任何适当的方式实现，例如，控制器可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该(微)处理器执行的计算机可读程序代码(例如软件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：ARC625D、AtmelAT91SAM、MicrochipPIC18F26K20以及SiliconeLabsC8051F320，存储器控制器还可以被实现为存储器的控制逻辑的一部分。本领域技术人员也知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现控制器以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制器以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器等的形式来实现相同功能。因此这种控制器可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置也可以视为硬件部件内的结构。或者甚至，可以将用于实现各种功能的装置视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。

上述实施例阐明的***、装置、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。一种典型的实现设备为计算机。具体的，计算机例如可以为个人计算机、膝上型计算机、蜂窝电话、相机电话、智能电话、个人数字符助理、媒体播放器、导航设备、电子邮件设备、游戏控制台、平板计算机、可穿戴设备或者这些设备中的任何设备的组合。

为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种单元分别描述。当然，在实施本申请时可以把各单元的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、***、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(***)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。

内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flashRAM)。内存是计算机可读介质的示例。

计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字符多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带式磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitorymedia)，如调制的数据信号和载波。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

本领域技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、***或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被相连的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims

1.一种电压调节辅助电路，包括：

低压切换单元、高压切换单元以及切换控制单元；

所述高压切换单元用于与所述直流转换器相连，将所述直流转换器的输出电压调整为高于所述预设标准电压的第二电压；

所述预设标准电压是所述直流转换器的标准输出电压；

所述低压切换单元的第一输出端与所述高压切换单元的第二输出端分别用于与所述直流转换器的第一连接端相连，所述第一连接端为所述直流转换器中的分压电阻单元相连的反馈端；

所述低压切换单元具体包括：第一分压电阻和第一MOS管；

所述第一分压电阻与所述第一MOS管的漏极串联；所述第一MOS管的源极与所述第一输出端相连；所述第一分压电阻的非串联端与所述低压切换单元的第三输出端相连；所述第三输出端用于与所述直流转换器的第二连接端相连；所述第二连接端为所述直流转换器的输出端的正极端；

所述切换控制单元的一端与所述低压切换单元相连，具体包括：

所述切换控制单元的一端与所述第一MOS管的栅极相连；

所述高压切换单元具体包括：第二分压电阻和第二MOS管；

所述第二分压电阻与所述第二MOS管的漏极串联；所述第二分压电阻的非串联端与所述第二输出端相连；

所述切换控制单元的另一端与所述高压切换单元相连，具体包括：

所述切换控制单元的另一端与所述第二MOS管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的电路，所述电压调节辅助电路还包括使能单元，所述使能单元分别与所述低压切换单元和所述高压切换单元相连，用于控制所述低压切换单元和所述高压切换单元是否可工作。

3.根据权利要求1所述的电路，所述低压切换单元和所述高压切换单元还包括公用保护电阻；

所述第一输出端和所述第二输出端分别用于与所述直流转换器的第一连接端相连，具体包括：

所述公用保护电阻的一端与所述第一输出端和所述第二输出端相连；所述公用保护电阻的另一端用于与所述直流转换器的第一连接端相连。

4.根据权利要求1所述的电路，所述低压切换单元还包括第一上拉电阻；所述第一上拉电阻用于与第一控制电源串联；所述第一上拉电阻的非串联端用于与所述第一MOS管的栅极相连。

5.根据权利要求1所述的电路，所述高压切换单元还包括第二上拉电阻；所述第二上拉电阻用于与第二控制电源串联；所述第二上拉电阻的非串联端用于与所述第二MOS管的栅极相连。

6.根据权利要求4所述的电路，所述低压切换单元还包括第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的一端与所述第一上拉电阻的非串联端相连。

7.根据权利要求4所述的电路，所述低压切换单元还包括第一延时电路；

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一MOS管的栅极相连，具体包括：

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一延时电路的一端相连；所述第一延时电路的另一端与所述第一MOS管的栅极相连。

8.根据权利要求5所述的电路，所述高压切换单元还包括第二延时电路；

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二MOS管的栅极相连，具体包括：

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二延时电路的一端相连；所述第二延时电路的另一端与所述第二MOS管的栅极相连。

9.根据权利要求7所述的电路，所述第一延时电路包括至少一个第一电阻和第一电容；所述第一电阻和所述第一电容串联；

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一电阻的非串联端相连；

所述第一延时电路的另一端与所述第一MOS管的栅极相连，具体包括：

所述第一电阻的串联端与所述第一MOS管的栅极相连。

10.根据权利要求8所述的电路，所述第二延时电路包括至少一个第二电阻和第二电容；所述第二电阻与所述第二电容串联；

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二延时电路的一端相连，具体包括：

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二电阻的非串联端相连；

所述第二延时电路另一端与所述第二MOS管的栅极相连，具体包括：

所述第二电阻的串联端与所述第二MOS管的栅极相连。

11.根据权利要求7所述的电路，所述低压切换单元还包括第一泄放电路；

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一泄放电路的一端相连；所述第一泄放电路的另一端与所述第一延时电路的一端相连。

12.根据权利要求8所述的电路，所述高压切换单元还包括第二泄放电路；

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二泄放电路的一端相连；所述第二泄放电路的另一端与所述第二延时电路的一端相连。

13.根据权利要求11所述的电路，所述第一泄放电路包括第三电阻、第四电阻和第一二极管；所述第三电阻与所述第四电阻串联；所述第一二极管与所述第四电阻并联；

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第一泄放电路的一端相连，具体包括：

所述第一上拉电阻的非串联端与所述第三电阻的非串联端相连；

所述第一泄放电路的另一端与所述第一延时电路的一端相连，具体包括：

所述第四电阻的非串联端与所述第一延时电路的一端相连。

14.根据权利要求12所述的电路，所述第二泄放电路包括第五电阻、第六电阻和第二二极管；所述第五电阻与所述第六电阻串联；所述第二二极管与所述第六电阻并联；

所述第二上拉电阻的非串联端与所述第二泄放电路的一端相连，具体包括：

所述第二泄放电路的另一端与所述第二延时电路的一端相连，具体包括：

所述第六电阻的非串联端与所述第二延时电路的一端相连。

15.根据权利要求1所述的电路，所述切换控制单元包括至少一个电控切换开关；

所述电控切换开关的第一连接端与所述低压切换单元相连；所述电控切换开关的第二连接端与所述高压切换单元和所述切换控制单元的第一输入端相连；所述第一输入端用于输入控制所述电控切换开关的第一控制信号；

或者，

所述电控切换开关的第一连接端与所述高压切换单元相连；所述电控切换开关的第二连接端与所述低压切换单元和所述第一输入端相连。

16.根据权利要求15所述的电路，所述电控切换开关包括至少一个第三MOS管；

所述第三MOS管的漏极与所述低压切换单元相连；所述第三MOS管的栅极与所述高压切换单元和所述第一输入端相连；

或者，所述第三MOS管的漏极与所述高压切换单元相连；所述第三MOS管的栅极与所述低压切换单元和所述第一输入端相连。

17.根据权利要求2所述的电路，所述使能单元包括第一使能控制开关和第二使能控制开关；

所述使能单元分别与所述低压切换单元和所述高压切换单元相连，具体包括：

所述第一使能控制开关与所述低压切换单元相连，用于控制所述低压切换单元是否可工作；

所述第二使能控制开关与所述高压切换单元相连，用于控制所述高压切换单元是否可工作。

18.根据权利要求17所述的电路，所述第一使能控制开关和所述第二使能控制开关为MOS管；

所述第一使能控制开关的栅极和所述第二使能控制开关的栅极与所述使能单元的第二输入端相连；所述第二输入端用于输入控制所述第一使能控制开关和所述第二使能控制开关的第二控制信号；

所述第一使能控制开关与所述低压切换单元相连，具体包括：

所述第一使能控制开关的漏极与所述低压切换单元相连；

所述第二使能控制开关与所述高压切换单元相连，具体包括：

所述第二使能控制开关的漏极与所述高压切换单元相连。

19.根据权利要求18所述的电路，当所述低压切换单元包括第一延时电路；所述第一使能控制开关的漏极与所述低压切换单元相连，具体包括：

所述第一使能控制开关的漏极与所述第一延时电路的一端相连；

当所述高压切换单元包括第二延时电路；所述第二使能控制开关的漏极与所述高压切换单元相连，具体包括：

所述第二使能控制开关的漏极与所述第二延时电路的一端相连。

20.根据权利要求19所述的电路，所述第一延时电路包括至少一个第一电阻和第一电容；所述第一电阻和所述第一电容串联；

所述第一使能控制开关的漏极与所述第一延时电路的一端相连，具体包括：

所述第一使能控制开关的漏极与所述第一电阻的非串联端相连；

和/或，

所述第二延时电路包括至少一个第二电阻和第二电容；所述第二电阻与所述第二电容串联；

所述第二使能控制开关的漏极与所述第二延时电路的一端相连，具体包括：

所述第二使能控制开关的漏极与所述第二电阻R7的非串联端相连。

21.根据权利要求18所述的电路，所述使能单元还包括第三上拉电阻R14；

所述第三上拉电阻R14与第三控制电源VCC3串联；所述第三上拉电阻R14的非串联端与所述第一使能控制开关的栅极相连；

和/或，

所述第三上拉电阻R14的非串联端与所述第二使能控制开关的栅极相连。