CN113684133B - 一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片及其制备方法，涉及传感器技术与电刺激调控技术。该芯片***由两层子芯片构成，二者均由MEMS工艺加工制备。第一层子芯片为用于神经元电生理调控检测的微电极阵列芯片，包括检测微电极阵列、刺激电极等元件；第二层子芯片为用于神经元定向培养的微流控芯片，包括细胞培养槽、微流道以及微沟道。该芯片以微沟道实现神经元之间定向互连，并通过刺激电极训练输入端神经元使其放电变化，从而实现微沟道输入端神经元对输出端神经元放电频率的控制，进而在神经元层面上构建一对一有一定逻辑功能的控制单元。本发明芯片功能集成化，具备定向培养神经元的功能和同时空调控检测的能力。
Description
技术领域
本发明涉及生物传感器的微机电***(MEMS)微加工领域、电刺激调控领域和神经细胞区室化培养领域，是一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片及其制备方法。
背景技术
人类具有世界上最复杂、最精密的物质结构——具有思维能力的大脑。通过大脑的日常运作，让人类能够很轻易的完成现在人工智能难以完成的高级且复杂的工作。揭示大脑高级功能的奥秘不仅是自然科学的顶尖谜题之一，更是当前神经科学面临的重大挑战，也是突破当前人工智能发展的重大阻碍。
脑的所有高级功能的实现都离不开信息的传递、处理和存储。脑具有感知、意识、行为、记忆以及学习等多种高级功能。而脑之所以有如此复杂的功能是因为脑内有数以千亿计的神经，这些神经元通过突触连接形成错综复杂的神经网络，不同神经网络相互交错相互连接，进而形成处理能力比现代计算机还强的人体大脑。不论是简单的膝跳反应还是人类复杂的记忆能力，都与大脑中的不同脑区的信息传递息息相关，而大脑中神经网络的信息传导是通过神经细胞脉冲放电和神经递质传递完成的。
微电极阵列(MEA)作为神经网络与电子***之间的接口工具，有助于科学家们深入了解神经网络的动力学以及对生物物质的反应，进而为科学家们揭示神经网络的功能提供可能。而微流控技术因为其精准化控制、微尺度操控等特点被广泛用于定制化体外培养特定的神经网络。通过结合微电极阵列技术与微流控技术使得体外开发神经网络的高级功能成为了可能。
许多研究表明，外部电刺激能够激发神经元网络的学习、记忆等功能。通过外部电刺激能够更好地在体外开发神经元网络的功能。
发明内容
本发明的目的是提供一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片及其制备方法。该芯片通过集成了微电极阵列与微流控芯片实现两个神经元网络在设计的微沟道中形成多组一对一的神经元互连。使用电刺激技术对微沟道输入端进行电刺激，影响输入端神经元的放电情况，由于两端神经元在微沟道中产生突触连接，输入端神经元的信号会传递到输出端神经元，输出端的神经元随着传递信息的不同产生不同的相应。因此，我们在神经元层面上构建一对一有一定逻辑功能的控制单元，通过电刺激参数的改变和培养细胞类型的不同，我们能在体外使得该控制的单元具有类似电子非门逻辑器件的功能。该发明使得体外开发神经元网络高级功能成为可能，从而促进大脑高级功能体外开发等相关研究工作。
为实现这一目的，本发明采用如下技术方案：
一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述芯片包括两层，第一层微电极阵列芯片包括：绝缘基底、检测电极阵列、刺激电极、对电极、电极引线、触点及表面绝缘层；第二层微流控芯片包括：细胞培养槽、微流道以及一组用于控制神经元定向生长的微沟道。所述微电极阵列芯片与微流控芯片通过离子体键合进行封装。细胞培养槽的数量为4个。
所述绝缘基底是整个微电极阵列芯片的载体；检测电极阵列分三组，分别位于微沟道的输入端、输出端和中央；刺激电极位于输入端检测电极的周围；并且检测电极阵列周围设有对电极；对电极、刺激电极与检测电极阵列均通过引线延伸并连接到绝缘基底***的触点；所有引线表面均覆盖有绝缘层。微流控芯片中的细胞培养槽用于培养细胞；微流道连接细胞培养槽和微沟道；微沟道限制神经细胞的胞体通过并引导轴突定向生长。微电极阵列芯片与微流控芯片通过键合的方式固定封装，形成一个能引导神经细胞定向生长并实现一定逻辑功能的新型芯片。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述绝缘基底的材料选用石英玻璃、聚氯乙烯或聚碳酸酯其中之一；绝缘基底边长为20-50mm,厚度为1-5mm。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述检测电极阵列中的检测电极由45-108个圆形微电极构成，直径为10-30μm，微电极的间距为100-500μm可用于神经电生理信号；微电极阵列芯片有15-36对弧形刺激电极，环绕在输入端的检测电极上，可用于电刺激细胞实现神经元放电的兴奋或者抑制。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述对电极的数量为2-4个，用于提供参考电位并保持电位稳定。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述微电极阵列芯片选用的导电薄膜材料是金、铂、氮化钛或铟锡氧化物其中之一；绝缘层所使用材料为生物兼容性好的有机或无机绝缘材料，为二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、SU8、聚酰亚胺或聚对二甲苯其中之一。
如上任一所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的制备方法，其包括：制备第一层微电极阵列芯片和制备第二层微流控芯片；制备第一层微电极阵列芯片的方法，包括如下步骤：
1)在经过清洗过的绝缘基底上旋涂一层光刻胶，厚度大于拟溅射导电薄膜的三倍，光刻显影后形成检测电极阵列、刺激电极、对电极、引线和触点的图案；
2)在光刻胶图案表面溅射一层厚度250nm-500nm的导电薄膜，可选地在所述在光刻胶图案表面溅射一层厚度250nm-500nm的导电薄膜之前预先溅射10nm-50nm的Cr或Ti种子层，以增加导电薄膜层与基底的粘附性；
3)采用剥离工艺去除多余导薄膜层，留下所需电极、引线及触点；
4)通过等离子体增强化学气相沉积氧化硅和/或氮化硅，或旋涂SU8、聚酰亚胺、聚对二甲苯的方法，在制备好导电薄膜层的绝缘基底表面覆盖绝缘层，通过光刻或等离子束刻蚀的方法，暴露出检测电极阵列、电刺激电极、对电极及触点，保留所有引线表面覆盖的绝缘层；
5)在所述对电极表面，采用光刻、溅射、剥离的工艺，制备厚度200-500nm的铂金属薄膜层，若步骤2)中微电极导电薄膜已选用铂，则可以省略本步骤；
6)通过电化学沉积或物理滴涂、吸附的方法，在设定不同功能的微电极表面修饰纳米金颗粒、纳米铂黑和碳纳米管等纳米材料。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述第二层微流控芯片由PDMS(聚二甲基硅氧烷)或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)倒入SU8光刻胶制作的母模中制成。
所述制备第二层微流控芯片的方法，包括如下步骤：
1)母模制作
A.在经过清洗过的硅片上旋涂光刻胶，厚度为5-10μm，长度为400-900μm，光刻显影后露出用于细胞定向生长微沟道；
B.在之前工艺后的硅片上旋涂光刻胶，厚度为50-100μm，光刻显影后露出用于神经细胞生长流动的微流道；
2)制造微流控器件
C.将PDMS预聚物和催化剂混合5-10分钟，并将其倒入母模中；
D.去除残留在母模中图案周围的气泡；
E.将PDMS进行固化；
F.将微流控器件从母模中分离，并用打孔器在微流控器件中制作出细胞培养槽。
如上所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的制备方法，还包括如下步骤：将制得的微电极阵列芯片与制得的微流控芯片通过离子体键合进行封装。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述芯片可以通过电刺激电极组刺激微沟道一端的神经元，使得另一端神经元产生与之相应的电生理信号的相应。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，刺激神经元的电脉冲有兴奋性刺激与抑制性刺激两种，兴奋性刺激采用频率低于5Hz、幅度小于0.2V的低频双极性脉冲波，抑制性刺激采用频率20-100Hz、幅度小于0.2V的高频双极性脉冲波。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，在微沟道输入端培养兴奋性神经元，在微沟道的输出端培养抑制性神经元。对输入端施加兴奋性电刺激，输出端抑制性神经元接受上级电信号激发神经元的抑制性信号；同理，在输入端施加抑制性电刺激，输出端会产生兴奋性信号。我们将兴奋性电刺激看作“1”，抑制性电刺激看作“0”；兴奋性输出看作“1”，抑制性输出看作“0”。由此我们用神经元上构建了一个类似非门的基础单元。
本发明的目的是提供一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片与制备方法，通过集成了微电极阵列与微流控芯片实现两个不同神经元网络在设计的微沟道中形成多组一对一的神经元互连，使用电刺激技术刺激一端神经元网络，让另一端随着输入产生类似非门的输出。该芯片与现有的离体细胞电生理检测芯片相比，该芯片具有可控制、精准化、高通量、使用方便等优点，并且能够实现神经网络的高级功能的初步开发。
附图说明
图1为一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片结构示意图；
图2为本发明第一层芯片微电极阵列部分的结构示意图；
图3为本发明第二层芯片微流控芯片部分的结构示意图；
图4为本发明微电极阵列芯片制备工艺的流程图；
图4a为在玻璃基底表面旋涂光刻胶并曝光；
图4b为光刻胶显影形成溅射掩膜；
图4c为溅射Cr/Pt导电薄膜层；
图4d为采用lift-off工艺形成导电层图形留下所需微电极、引线及触点；
图4e为PECVD沉积SiO2(300nm)/Si3N4(500nm)绝缘层
图4f为再次用光刻工艺暴露出微电极和触点上方的绝缘层；
图4g为通过CHF3反应离子刻蚀(RIE)选择性地去除微电极和触点上的绝缘层；
图5为本发明微流控器件部分制备工艺的流程图；
图5a为在洁净硅片上旋涂SU8 5光刻胶并进行曝光；
图5b为对曝光后的SU 8 5光刻胶进行显影；
图5c为在第一次光刻后的硅片上旋涂SU8 50光刻胶并进行曝光；
图5d为对曝光后的SU 8 50光刻胶进行显影；
图5e为把PDMS倒入母模中进行塑模；
图5f为PDMS微流控器件从母模中剥离；
图6为两级神经元实现非门逻辑功能原理图。
附图标号说明：
a-微电极阵列芯片，b-微流控芯片；
1-绝缘基底、2-检测电极阵列、3-刺激电极、4-对电极、5-引线、6-触点和7-绝缘层；
8-细胞培养槽、9-微流道和10-微沟道。
具体实施方式
以下结合附图和具体的实施实例对本发明的技术方案做进一步描述。以下实施实例不构成对本发明的限定。
图1为所示本发明提供的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片。该芯片由两层芯片构成微电极阵列芯片a与微流控芯片b；
图2为本发明微电极阵列芯片由绝缘基底1、检测电极阵列2、刺激电极3，对电极4、引线5、触点6和绝缘层7构成。
图3为所示的本发明微流控器件部分，它由细胞培养槽8、微流道9和微沟道10构成。
如图1-3所示，一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，所述芯片包括两层，第一层微电极阵列芯片a包括：绝缘基底1、检测电极阵列2、刺激电极3、对电极4、电极引线5、触点6及表面绝缘层7；第二层微流控芯片b包括：4个细胞培养槽8、微流道9以及一组用于控制神经元定向生长的微沟道10。所述微电极阵列芯片a与微流控芯片b通过离子体键合进行封装。所述微电极阵列芯片a选用的导电薄膜材料是金、铂、氮化钛或铟锡氧化物其中之一。绝缘层7所使用材料为生物兼容性好的有机或无机绝缘材料，为二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、SU8、聚酰亚胺或聚对二甲苯其中之一。
绝缘基底1为整个芯片的载体，基底的材料采用的是石英玻璃，绝缘基底的长×宽为50mm×50mm，厚度约为1mm。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，其微电极阵列部分的检测电极位点沿着基底的中心展开分布；检测电极一共有3组，分别位于微沟道10的输入端、输出端和中央，每组15个，其直径为10μm，间距为200μm，可用于神经电生理信号；刺激电极环绕在输入端一组检测电极左右，其间隔为200μm。刺激电极组中的刺激电极3由15对弧形构成，环绕在输入端的检测电极上，可用于电刺激细胞实现神经元放电的兴奋或者抑制。检测电极阵列2周围设有一对对电极4，用于提供参考电位并保持电位稳定。对电极4、刺激电极3与检测电极阵列2均通过引线5延伸并连接到绝缘基底***的触点6；所有引线5表面均覆盖有绝缘层7。
微流控芯片b中的4个细胞培养槽8用于培养细胞；微流道9连接细胞培养槽8和微沟道10；微沟道10限制神经细胞的胞体通过并引导轴突定向生长。微电极阵列芯片a与微流控芯片b通过键合的方式固定封装，形成一个能引导神经细胞定向生长并实现一定逻辑功能的新型芯片。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的第一层微电极阵列部分的制备方法包括以下步骤(如图4)：
a)采用煮沸的浓硫酸溶液清洗玻璃片10-20分钟，利用其强氧化性去除基底上残留的有机杂质或无机杂质；
b)在经过清洗过的玻璃片上旋涂一层光刻胶，厚度大于拟溅射导电薄膜的三倍，采用光刻工艺(正性光刻胶AZ1500)对检测电极，电刺激电极、对电极，引线和触点进行图案化；
c)在光刻胶图形表面先溅射50nm的Cr种子层，以增加导电薄膜层与基底的粘附性，再溅射一层250nm的Pt层；
d)采用剥离工艺去除多余Pt层，留下所需的检测电极，电刺激电极、对电极，引线和触点；
e)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD，300℃)沉积SiO2(300nm)/Si3N4(500nm)绝缘层；
f)再次用光刻工艺暴露出检测电极阵列、刺激电极、对电极和触点上方的绝缘层，通过CHF3反应离子刻蚀(RIE)选择性地去除微电极和触点上的绝缘层；保留所有引线5表面覆盖的绝缘层；
g)使用丙酮去除微电极阵列芯片上残留的光刻胶，并用去离子水冲洗干净。
h)采用电化学计时电流法在微电极阵列检测电极上电镀上一层铂纳米颗粒，提升检测电极的电学特性。
所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的第二层微流控芯片的制备方法包括以下步骤(如图5)：
1)母模的制作
a)在经过清洗过硅片上旋涂上一层型号为SU85的负性光刻胶，厚度为5μm，长度为550μm；
b)对光刻胶显影后形成第一块掩模版上的图形，露出用于细胞定向生长微沟道10；
c)第一次光刻后的硅片上旋涂一层型号为SU850的光刻胶，厚度为100μm；
d)对光刻胶显影后形成第二块掩膜版上的图形，露出用于神经细胞生长流动的微流道9，通过光刻制作出为流控器件的母模。
2)PDMS铸模
e)将道康宁公司的Sylgard 184型PDMS预聚物与催化剂按照重量比为10：1混合，并充分混合5-10分钟，加入承放母模的器皿中进行铸模。在真空干燥器中用氮气去除残留在母模中图案周围的气泡；在70℃烤箱中将PDMS进行固化。
f)当PDMS完全交联或固化时(PDMS混合物将变为透明)，用刀片将PDMS微流控器件从母模上脱离，并用打孔器在器件上打出用于培养细胞所用的培养槽。
一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的微电极阵列层和微流控芯片层通过等离子体刻蚀活化表面，然后进行贴合，形成整个芯片。
图6为所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的在神经元层面实现逻辑非门功能的原理图。
实施例1：
采用上述集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片检测原代皮层神经元电生理信号
(1)芯片上培养原代皮层神经元的步骤如下：
a)将微电极阵列芯片无菌化处理，采用层粘蛋白(laminin)包被芯片；
b)每2-3天替换芯片上的细胞培养液，持续培养7—14天，并对培养的神经元进行荧光染色，培养5天以后能够看到神经元向微沟道定向生长。
(2)检测神经细胞的电生理信号
a)将培养了原代神经元的芯片与接口电路相连并接入Cerebus公司的电生理信号检测仪器中；
b)向培养微电极阵列加入谷氨酸刺激神经细胞放电，并且记录神经细胞的放电状况。
(3)电刺激芯片一端的神经元检测另一端的神经元的响应
a)将培养了原代神经元的芯片与接口电路相连并接入Cerebus公司的电生理信号检测仪器中；
b)将Multichannel公司的电刺激仪器与芯片输入端的电刺激电极连接，分别施加高频电刺激与低频电刺激，并记录输出端神经元的放电状况。
本发明未详细阐述部分属于本领域技术人员的公知技术。以上所述的实施例仅是对本发明的优选实施方式进行描述，优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
Claims (8)
1.一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，其特征在于，所述神经元非门逻辑功能芯片通过集成了微电极阵列与微流控芯片实现两个神经元网络在设计的微沟道中形成多组一对一的神经元互连；所述神经元非门逻辑功能芯片包括两层，第一层微电极阵列芯片（a）包括：绝缘基底（1）、检测电极阵列（2）、刺激电极（3）、对电极（4）、电极引线（5）、触点（6）及表面绝缘层（7）；第二层微流控芯片（b）包括：细胞培养槽（8）、微流道（9）以及一组用于控制神经元定向生长的微沟道（10）；所述微电极阵列芯片与微流控芯片通过等离子体键合工艺进行封装；
所述绝缘基底（1）是整个微电极阵列芯片（a）的载体；检测电极阵列（2）分三组，分别位于微沟道（10）的输入端、输出端和中央；刺激电极（3）位于输入端检测电极的周围；且检测电极阵列（2）周围设有对电极（4）；对电极（4）、刺激电极（3）与所述检测电极阵列（2）均通过引线（5）延伸并连接到绝缘基底***的触点（6）；所有引线（5）表面均覆盖有绝缘层（7）；微流控芯片（b）中的细胞培养槽（8）用于培养细胞；微流道（9）连接细胞培养槽（8）和微沟道（10）；微沟道（10）限制神经细胞的胞体通过并引导轴突定向生长；微电极阵列芯片（a）与微流控芯片（b）通过键合的方式固定封装，形成一个能引导神经细胞定向生长并实现逻辑功能的芯片；所述神经元非门逻辑功能芯片能够通过刺激电极刺激微沟道（10）一端的神经元，使得另一端神经元产生与之相应的电生理信号的相应；所述检测电极阵列（2）中的检测电极由45-108个圆形微电极构成，直径为10-30μm，微电极的间距为100-500μm，用于神经电生理信号；微电极阵列芯片有15-36对弧形刺激电极，环绕在输入端的检测电极上，用于电刺激细胞实现神经元放电的兴奋或者抑制。
2.根据权利要求1所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，其特征在于：所述绝缘基底（1）的材料选用石英玻璃、聚氯乙烯或聚碳酸酯其中之一；绝缘基底（1）边长为20-50mm,厚度为1-5mm。
3.根据权利要求1所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，其特征在于：刺激神经元的电脉冲有兴奋性刺激与抑制性刺激两种，兴奋性刺激采用频率低于5Hz、幅度小于0.2V的低频双极性脉冲波，抑制性刺激采用频率20-100Hz、幅度小于0.2V的高频双极性脉冲波。
4.根据权利要求1所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，其特征在于：所述对电极（4）的数量为2-4个，用于提供参考电位并保持电位稳定。
5.根据权利要求1所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片，其特征在于：所述微电极阵列芯片（a）选用的导电薄膜材料是金、铂、氮化钛或铟锡氧化物其中之一；绝缘层（7）所使用材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、SU8、聚酰亚胺或聚对二甲苯其中之一。
6.权利要求1-5任一项所述的一种集成微流控、微电极阵列的神经元非门逻辑功能芯片的制备方法，其特征在于，其包括：制备第一层微电极阵列芯片（a）和制备第二层微流控芯片（b），并且制备第一层微电极阵列芯片（a）和制备第二层微流控芯片（b）通过等离子体键合的方式封装成一个芯片***；
制备第一层微电极阵列芯片（a）的方法包括如下步骤：
1）在经过清洗过的绝缘基底（1）上旋涂一层光刻胶，厚度大于拟溅射导电薄膜的三倍，光刻显影后形成检测电极阵列（2）、刺激电极（3）、对电极（4）、引线（5）和触点（6）的图案；
2）在光刻胶图案表面溅射一层厚度250nm-500nm的导电薄膜，可选地在所述在光刻胶图案表面溅射一层厚度250nm-500nm的导电薄膜之前预先溅射10nm-50nm的Cr或Ti种子层，以增加导电薄膜层与基底的粘附性；
3）采用剥离工艺去除多余导电薄膜层，留下所需电极、引线（5）及触点（6）；
4）通过等离子体增强化学气相沉积氧化硅和/或氮化硅，或旋涂SU8、聚酰亚胺、聚对二甲苯的方法，在制备好导电薄膜层的绝缘基底（1）表面覆盖绝缘层，通过光刻或等离子束刻蚀的方法，暴露出检测电极阵列（2）、 刺激电极（3）、对电极（4）及触点（6），保留所有引线（5）表面覆盖的绝缘层；
5）在所述对电极（4）表面，采用光刻、溅射、剥离的工艺，制备厚度200-500nm的铂金属薄膜层，若步骤2）中微电极导电薄膜已选用铂，则可以省略本步骤；
6）通过电化学沉积或物理滴涂、吸附的方法，在设定不同功能的微电极表面修饰纳米材料或敏感膜材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述第二层微流控芯片（b）由聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯倒入SU8光刻胶制作的母模中制成。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：制备第二层微流控芯片（b）的方法，包括如下步骤：
1）母模制作
A. 在经过清洗过的硅片上旋涂光刻胶，厚度为5-10μm，长度为400-900μm，光刻显影后露出用于细胞定向生长微沟道（10）；
B. 在之前工艺后的硅片上旋涂光刻胶，厚度为50-200μm，光刻显影后露出用于神经细胞生长流动的微流道（9）；
2）制造微流控器件
C. 将聚二甲基硅氧烷预聚物和催化剂混合5-10分钟，并将其倒入母模中；
D. 去除残留在母模中图案周围的气泡；
E. 将PDMS进行固化；
F. 将微流控器件从母模中分离，并用打孔器在微流控器件中制作出细胞培养槽（8）。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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