CN113675160B - 一种适用于高热流密度器件的冲击流双层导流微通道热沉 - Google Patents

一种适用于高热流密度器件的冲击流双层导流微通道热沉 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种适用于高热流密度器件的冲击流双层导流微通道热沉，具有高效且均匀的对流换热性能、低压力损失及高整体换热特性。冷却剂在本发明中可较大程度缩短冷却剂在通道内的行程，从而减小压降损失，提升***工作稳定性；其次，周期性截断型中间层可以降低通道压降阻力的同时使得上下层冷却剂产生扰流作用，破坏流动边界层，强化传热特性；再次，上下层通道相连，使得冷却剂流动路径增多，扰流区域增多，提升***总体散热效果；最关键的是，该设计通过中间截断区域的导流结构可显著混合上下层冷却剂，较大程度提升上层冷却剂冷却性能，从而提升传热效率。

Description

一种适用于高热流密度器件的冲击流双层导流微通道热沉
技术领域
本发明属于微通道强化散热技术领域，特别涉及一种适用于高热流密度器件的冲击流双层导流微通道热沉。
背景技术
随着近日来中美贸易战的打响，国内电子芯片技术的研究与发展瓶颈备受广大人民群众的关注。在能源动力、生物化工、航空航天等先进工程技术领域内，高密度、超精度微型电子器件热交换***传热载荷与日俱增。如航空航天超大规模集成电路、激光反射镜、国防军用设备微电子组件等器件热流密度高于103W/cm2，在散热底面积非常小且瞬态热流密度高的工况下，如若不能有效降低器件表面温度，维持器件表面温度分布均匀性，将会导致器件工作性能及稳定性迅速下降，甚至烧毁器件。由此可见，高热流密度微型电子器件的散热问题制约着高新技术的发展，并越来越广泛地受到国际传热传质界及相关工业领域的高度重视。
高热流密度微型元器件散热问题已广泛受到国内外传热传质学者的高度重视，且应用前景非常广泛。目前国内外微尺度散热领域学者的关注点集中在微通道热沉、微热管均热片、整合式微冷却器、微射流阵列热沉以及微冷冻机等相关散热***。其中，微通道热沉***因其体积小、自重轻、比表面积大、单位面积换热强度高等优势成为国内外学者关注的热点。自1981年首次提出“微通道热沉(Microchannel heat sinks,MHS)”概念以来，以液体为***工质的微通道热沉***便广泛被认为是解决高热流密度微型元器件散热问题的有效方式。然而，针对更高散热要求的高热流密度微型元器件，简单结构下的微通道热沉***已经无法满足需求。
泵功循环式双层微通道内部冷却是微通道冷却的主流方式。肋片是应用于内部通道的主要强化换热结构，使用肋片可以增大传热面积，降低对流换热热阻，增强换热性能。经过对现有技术文献的检索发现，中国专利申请号202011101893.0，专利公开日期2020年12月04日，专利名称：一种双层复杂交错结构微通道热沉，该专利基于传统双层微通道热沉，在上下两层通道各自平面内改变平直通道方向，形成矩阵子通道，并呈一定角度排列。其优点在于冷却剂改变流动方向，破坏热边界层，形成较为强烈的流体扰动，从而传热强化。然而，由于其热沉内结构并未实质性提升双层微通道内上层冷却剂冷却性能，导致上层冷却剂散热特性未能充分利用。且冷却剂在该结构热沉内行程较长，增加了通道内压降损失。导致***稳定性能下降。
发明内容
本发明解决的技术问题是：为了解决现有双层微通道热沉内上层通道冷却工质流体散热能力底下、冷却潜能未充分开发的技术问题，本发明涉及具有高效且均匀的对流换热性能、低压力损失及高整体换热特性的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉。
本发明的技术方案是：一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，包括热沉顶部、热沉基底、中间层、若干隔板和若干导流结构；
若干隔板位于热沉顶部和热沉基底之间且相互平行布置，隔板与热沉顶部相互垂直，从而形成若干区域；每个区域中设有导流结构；隔板位于热沉顶部设有通孔用于作为微通道热沉的入口；
所述导流结构包括若干第一导流结构和若干第二导流结构，且第一导流结构和第二导流结构交错间隔布置，第一导流结构位于隔板中部位置，且与热沉基底相互平行；第二导流结构和相邻的两个第一导流结构之间存在夹角。
本发明进一步的技术方案是：所述第二导流结构和相邻的两个第一导流结构之间存在的夹角为30°至150°。
本发明进一步的技术方案是：所述若干隔板包括若干第一隔板和若干第二隔板，且第一隔板和第二隔板交错间隔平行布置，第一隔板上靠近热沉顶部的一端竖向开有缺口，且缺口处布置有第二导流结构，用于对双层微通道热沉内冷却流体进一步导流。
本发明进一步的技术方案是：述入口对准第一隔板上的缺口处。
本发明进一步的技术方案是：所述导流结构的分布整体形成中间层，中间层和热沉顶部之间的区域作为上层通道，中间层和热沉基底之间的区域作为下层通道。
本发明进一步的技术方案是：所述热沉按冷却剂流程顺序分为入口区、分流区、导流区、合流区以及出口区；入口区位于热沉顶部中间区域，上层通道和下层通道两侧端口为出口区；分流区位于双层微通道内部中间层中心位置处，该处中间层呈中空结构冷却剂可沿该结构分别流向上下两层微通道；分流区两侧分别设有第二导流结构形成导流区，第一导流结构和第二导流结构之间形成合流区。
本发明进一步的技术方案是：定义d为冲击射流双层导流结构微通道热沉入口端直径，h为双层微通道总高度，huc为上层通道高度，hlc为下层通道高度，H为冲击射流双层导流结构微通道热沉高度，lb为导流结构长度，lm为中间层中心处长度，lt为中间层两侧延伸处长度，L为冲击射流双层导流结构微通道热沉长度，w为微通道宽度，wb为导流结构宽度，其中0.6mm≤d≤1mm；2mm≤h≤5mm；3mm≤H≤6mm；1.2mm≤lb≤1.6mm；1.4mm≤lm≤1.8mm；18mm≤L≤25mm；0.5mm≤w≤0.8mm；0.2mm≤wb≤0.3mm。且d<h；d≤wb；h≤H。
本发明进一步的技术方案是：部件可由硅、铜等材料加工而成。
发明效果
本发明的技术效果在于：首先，本发明克服了现有双层微通道热沉内上层通道冷却剂散热能力底下、冷却潜能未充分开发的缺陷。冷却剂在本发明专利所述的冲击射流双层导流结构微通道热沉内可较大程度缩短冷却剂在通道内的行程，从而减小压降损失，提升***工作稳定性；其次，周期性截断型中间层可以降低通道压降阻力的同时使得上下层冷却剂产生扰流作用，破坏流动边界层，强化传热特性；再次，上下层通道相连，使得冷却剂流动路径增多，扰流区域增多，提升***总体散热效果；最关键的是，该设计通过中间截断区域的导流结构可显著混合上下层冷却剂，较大程度提升上层冷却剂冷却性能，从而提升传热效率。
附图说明
图1是本发明所述的一种冲击射流双层导流结构微通道热沉立体图。图2是本发明实施例1中双组通道中间层截面俯视图；
图3是本发明实施例1中单组通道去掉侧壁后主视图；
图4是本发明实例1中基底温度梯度数值模拟云图；
图5是本发明实施例2中单组通道去掉侧壁后主视图；
图6是本发明实例2中基底温度梯度数值模拟云图；
图7是本发明实施例3中单组通道去掉侧壁后主视图；
图8是本发明实例3中基底温度梯度数值模拟云图；
附图标记说明：1、入口区，2、分流区，3、导流区，4、合流区，5、上层通道出口区，6、下层通道出口区，7、中间层，8、热沉基底，9、热沉顶部，10、中间层截断区域，11、第一导流结构；12、第二导流结构；13、第一隔板；14-第二隔板
具体实施方式
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
下面结合附图对本发明的实施例作详细说明，各实施例给出了具体的实施方式及操作流程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
参见图1-图8，本发明提供一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于：该冲击射流双层导流型微通道热沉共有5个区域，按冷却剂流程顺序分为入口区、分流区、导流区、合流区以及出口区。
进一步地，结构入口区位于热沉顶部中间区域；双层通道两侧端口均为热沉结构出口区。
进一步地，分流区位于双层微通道内部中间层中心位置处，该处中间层呈中空结构冷却剂可沿该结构分别流向上下两层微通道。
进一步地，在热沉结构内部双层微通道中间层呈周期截断型分布。所述周期截断型分布的中间层紧贴侧壁面设置，使间断区域位于内部冷却通道中。从中心向两侧延伸的截断型中间层各自呈现3个截断区域，每个截断区域长度相同。
进一步地，导流结构位于中间层截断位置中心处，随截断位置同样呈现周期性分布，其长度为lb，宽度为wb。每处截断位置中导流结构参数均相同。
进一步地，所述导流结构截面形状任意，导流结构与通道基底面相垂直或与基底面成30°至150°夹角。
本发明提供一种适用于适用微通道热沉液体冷却的冲击射流双层微通道导流结构，该结构包括1、入口区，2、分流区，3、导流区，4、合流区，5、上层通道出口区，6、下层通道出口区，7、中间层，8、热沉基底，9、热沉顶部，10、中间层截断区域。冷却剂由冲击射流双层微通道上表面入口区1进入热沉***，通过入口区1进入中间区域的分流区2，分别流入上下层微通道并向两侧出口端流动。冷却剂在上下两层微通道中各自流入导流区3，并通过导流结构将冷却剂沿热沉高度方向改变一定角度，同时产生混合涡流，将上下层冷却剂导流并混合的同时，形成较为强烈的流体扰动现象。从而提升上层低温流体的散热特性，提升微通道热沉***的整体强化传热效果。
需要说明的是，参见图3，d.冲击射流双层导流结构微通道热沉入口端直径，0.6mm≤d≤1mm；h.双层微通道总高度，2mm≤h≤5mm；huc.上层通道高度，hlc.下层通道高度，H.冲击射流双层导流结构微通道热沉高度，3mm≤H≤6mm；lb.导流结构长度，1.2mm≤lb≤1.6mm；lm.中间层中心处长度，1.4mm≤lm≤1.8mm；lt.中间层两侧延伸处长度，L.冲击射流双层导流结构微通道热沉长度，18mm≤L≤25mm；w.微通道宽度，0.5mm≤w≤0.8mm；wb.导流结构宽度0.2mm≤wb≤0.3mm。
图2、图3为本发明的实施例1。在本实施例中，导流结构的截面形状为长方形，导流结构的长为lb，宽为wb，导流结构与基底呈90°夹角，截断型中间层间隔距离保持不变。冷却剂进入热沉内部通道后分为两部分，一部分流入上层通道，另一部分流入下层通道。上下两层冷却剂在热沉两侧垂直导流结构处交汇，并经由该垂直导流结构形成涡流，产生较为强烈的扰流现象，破坏热边界层。冷却剂在混合后又经周期性中间层重构上下层流体，并向两侧流动进入下一个周期的导流结构。由此，冷却剂经过周期性导流结构产生持续的扰流效应，显著增强流动换热特性，有助于改善微通道换热均匀性，提升热沉***整体换热效率。为证实该构形设计的散热优势，图4给出了在入口直径0.5mm，出口水力直径0.89mm，基底热流密度为100W/cm2条件下实例1的基底温度梯度数值模拟图。图中不同区域内颜色表示该区域内温度。该温度值大小由图中不同颜色相对于的数字所表示。基底温度色差越小表明温度梯度调控效果越好，基底温度云图颜色越浅，表明基底峰值温度越低，散热效果越好。该实例1中基底峰值温度较低，且热沉基底温度梯度调控效果明显。
图5为本发明的实施例2。在本实施例中，导流结构的截面形状与实例1相同，其与基底夹角α＝135°，截断型中间层间隔距离保持不变。冷却剂进入热沉内部通道后分为两部分，一部分流入上层通道，另一部分流入下层通道。上下两层冷却剂在热沉两侧垂直导流结构处交汇，上层冷却剂经由该导流结构可有效进入下层通道并与下层冷却剂充分混合，形成温度较低的涡流，并产生明显的扰流现象，破坏边界层。冷却剂在混合后又经周期性中间层重构上下层流体，并向两侧流动进入下一个周期的导流结构。因此，相较于实施例1，本实施例中导流结构由于与基底存在夹角α＝135°，可更为高效的将上层通道冷却剂导入下层通道内，增加了上层低温冷却剂进入下层通道的流量强化了换热，提高通道的整体热性能。图6为相同几何参数下实例2的基底温度梯度数值模拟图。对比发现实例2中的同向斜置导流结构对基底峰值温度较实例1稍高，散热性能较实例1稍低。
图7为本发明的实施例3。在本实施例中，导流结构的截面形状与实例1相同，其两侧流向第一、第三导流结构与基底夹角α＝135°，第二导流结构与基底夹角β＝45°，截断型中间层间隔距离保持不变。冷却剂进入热沉内部通道后分为两部分，一部分流入上层通道，另一部分流入下层通道。上下两层冷却剂在热沉两侧垂直导流结构处交汇，上层冷却剂经由第一导流结构可有效进入下层通道并与下层冷却剂充分混合，形成温度较低的涡流，并产生明显的扰流现象，破坏边界层。冷却剂在混合后又经周期性中间层重构上下层流体，并向两侧流动进入第二导流结构，高效换热后的下层冷却剂由第二导流结构导入到上层通道，并与上层冷却剂充分混合，持续形成涡流，并持续产生扰流线性，最后，上下层冷却剂经周期性中间层重组后进入第三导流结构并重复第一导流结构内的导流效应。因此，相较于实施例1，本实例利用导流结构角度变化，循环导流上下层冷却剂，在产生明显扰流现象基础上最大化利用上层冷却剂冷却潜力，改善热沉基底温度均匀性，强化热沉整体散热特性。图8为相同几何参数下实例3的基底温度梯度数值模拟图。其温度云图色差最小，颜色最浅，表明其对热沉基底峰值温度与温度梯度调控效果尤为突出。

Claims (8)

1.一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，包括热沉顶部(9)、热沉基底(8)、中间层(7)、若干隔板和若干导流结构；
若干隔板位于热沉顶部(9)和热沉基底(8)之间且相互平行布置，隔板与热沉顶部(9)相互垂直，从而形成若干区域；每个区域中设有导流结构；热沉顶部(9)设有通孔用于作为微通道热沉的入口(1)；
所述导流结构包括若干第一导流结构(11)和若干第二导流结构(12)，且第一导流结构(11)和第二导流结构(12)交错间隔布置，第一导流结构(11)位于隔板中部位置，且与热沉基底(8)相互平行；第二导流结构(12)和相邻的两个第一导流结构(11)之间存在夹角。
2.如权利要求1所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，所述第二导流结构(12)和相邻的两个第一导流结构(11)之间存在的夹角为30°至150°。
3.如权利要求1所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，所述若干隔板包括若干第一隔板(13)和若干第二隔板(14)，且第一隔板(13)和第二隔板(14)交错间隔平行布置，第一隔板(13)上靠近热沉顶部(9)的一端竖向开有缺口，且缺口处布置有第二导流结构(12)，用于对双层微通道热沉内冷却流体进一步导流。
4.如权利要求1或3所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，所述入口(1)对准第一隔板(13)上的缺口处。
5.如权利要求1所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，所述导流结构的分布整体形成中间层，中间层和热沉顶部(9)之间的区域作为上层通道，中间层和热沉基底(8)之间的区域作为下层通道。
6.如权利要求1所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，所述热沉按冷却剂流程顺序分为入口区、分流区、导流区、合流区以及出口区；入口区位于热沉顶部中间区域，上层通道和下层通道两侧端口为出口区；分流区位于双层微通道内部中间层中心位置处，该处中间层呈中空结构，冷却剂能够沿该结构分别流向上下两层微通道；分流区两侧分别设有第二导流结构(12)形成导流区，第一导流结构(11)和第二导流结构(12)之间形成合流区。
7.如权利要求1所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，定义d为冲击射流双层导流结构微通道热沉入口端直径，h为双层微通道总高度，huc为上层通道高度，hlc为下层通道高度，H为冲击射流双层导流结构微通道热沉高度，lb为导流结构长度，lm为中间层中心处长度，lt为中间层两侧延伸处长度，L为冲击射流双层导流结构微通道热沉长度，w为微通道宽度，wb为导流结构宽度，其中0.6mm≤d≤1mm；2mm≤h≤5mm；3mm≤H≤6mm；1.2mm≤lb≤1.6mm；1.4mm≤lm≤1.8mm；18mm≤L≤25mm；0.5mm≤w≤0.8mm；0.2mm≤wb≤0.3mm；且d<h；d≤wb；h≤H。
8.如权利要求1所述的一种适用高热流密度器件热管理的冲击射流双层导流结构微通道热沉，其特征在于，部件由硅、铜材料加工而成。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04152659A (ja) * 1990-10-17 1992-05-26 Hitachi Ltd マルチチツプモジュールの冷却方法及び装置
US5937517A (en) * 1997-11-12 1999-08-17 Eastman Kodak Company Method of manufacturing bonded dual extruded, high fin density heat sinks
JP2002141164A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Miyaden Co Ltd 大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置
JP2007142390A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 冷却装置、冷却システム及び熱伝導方法
JP2008205421A (ja) * 2006-07-26 2008-09-04 Furukawa Sky Kk 熱交換器
CN101586477A (zh) * 2008-05-23 2009-11-25 中国科学院工程热物理研究所 一种具有射流冲击作用的扰流挡板强化传热装置
US10306802B1 (en) * 2015-08-28 2019-05-28 Lockheed Martin Corporation Micro jet impingement heat sink
CN112038311A (zh) * 2020-10-15 2020-12-04 哈尔滨理工大学 一种双层复杂交错结构微通道热沉
CN112888264A (zh) * 2021-02-02 2021-06-01 西安交通大学 一种基于气液分离的双层微通道散热装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6668910B2 (en) * 2002-04-09 2003-12-30 Delphi Technologies, Inc. Heat sink with multiple surface enhancements
US8418751B2 (en) * 2008-05-13 2013-04-16 International Business Machines Corporation Stacked and redundant chip coolers

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04152659A (ja) * 1990-10-17 1992-05-26 Hitachi Ltd マルチチツプモジュールの冷却方法及び装置
US5937517A (en) * 1997-11-12 1999-08-17 Eastman Kodak Company Method of manufacturing bonded dual extruded, high fin density heat sinks
JP2002141164A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Miyaden Co Ltd 大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置
JP2007142390A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 冷却装置、冷却システム及び熱伝導方法
JP2008205421A (ja) * 2006-07-26 2008-09-04 Furukawa Sky Kk 熱交換器
CN101586477A (zh) * 2008-05-23 2009-11-25 中国科学院工程热物理研究所 一种具有射流冲击作用的扰流挡板强化传热装置
US10306802B1 (en) * 2015-08-28 2019-05-28 Lockheed Martin Corporation Micro jet impingement heat sink
CN112038311A (zh) * 2020-10-15 2020-12-04 哈尔滨理工大学 一种双层复杂交错结构微通道热沉
CN112888264A (zh) * 2021-02-02 2021-06-01 西安交通大学 一种基于气液分离的双层微通道散热装置

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