CN113646664A - 放射线图像摄影装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够将与传感器基板对应的装置部分薄型化的放射线图像摄影装置，该放射线图像摄影装置具备：一端沿传感器基板的一对边的其中一个边设置且与传感器基板电连接，另一端与信号处理基板电连接的柔性电缆；及一端沿与传感器基板的一对边的其中一个边交叉的一边设置且与传感器基板电连接，穿过基材的第1面的一侧或与基材的第1面相反的一侧的第2面的一侧，另一端与驱动基板电连接的柔性电缆。

Description

放射线图像摄影装置
技术领域
本发明涉及一种放射线图像摄影装置。
背景技术
以往，已知一种以医疗诊断为目的而进行放射线摄影的放射线图像摄影装置。在这些放射线图像摄影装置中使用用于检测透射了被摄体的放射线而生成放射线图像的放射线检测器。
作为这种放射线检测器，存在如下，其具备：闪烁器等转换层，将放射线转换成光；及传感器基板，在基材的像素区域上设置有蓄积根据由转换层转换的光产生的电荷的多个像素。已知有如下放射线图像摄影装置，其具备：信号处理基板，包括根据在放射线检测器的多个像素上蓄积的电荷生成图像数据的信号处理部的电路；及驱动基板，包括将用于输出从传感器基板的多个像素的每一个蓄积的电荷的驱动信号输出至多个像素的每一个的驱动部的电路。
例如，在国际公开第2010/070735号公报中，记载有在形成有多个像素的柔性基板的端部安装信号处理IC和驱动IC，将执行信号处理IC及驱动IC的每一个的柔性基板的端部在与形成有转换层的一侧相反的一侧上折回的形状的放射线图像摄影装置。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开2010/070735号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
已知作为放射线检测器的基板的基材，使用柔性基材。通过使用可挠性基材，例如能够使放射线图像摄影装置(放射线检测器)轻型化，并且有时容易拍摄被摄体。然而，在国际公开2010/070735号公报中记载的技术中，传感器基板、信号处理IC和驱动IC各自层叠，因此未能充分薄型化。
本发明提供了一种能够使与传感器基板对应的装置的一部分薄型化的放射线图像摄影装置。
用于解决技术课题的手段
本发明的第1方式的放射线图像摄影装置，具备：传感器基板，在柔性基材的第1面的像素区域形成了蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素；转换层，设置于基材的第1面，将放射线转换成光；信号处理基板，设置于与传感器基板彼此相对的一对边中的一个边的一侧，输入与在传感器基板的多个像素蓄积的电荷对应的电信号，包括生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据的信号处理部的至少一部分的电路；驱动基板，设置于传感器基板的一对边中的一个边的一侧或者另一边的一侧，包括将用于输出从传感器基板的多个像素的每一个蓄积的电荷的驱动信号输出至多个像素的每一个的驱动部的至少一部分电路；第1电缆，一端沿传感器基板的一对边中的一个边设置且与传感器基板电连接，另一端与信号处理基板电连接；及第2电缆，一端沿与传感器基板的一对边中的一个边交叉的边设置且与传感器基板电连接，穿过基材的第1面的一侧或者与基材的第1面相反的一侧的第2面的一侧，另一端与驱动基板电连接。
本发明的第2方式的放射线图像摄影装置在第1方式的放射线图像摄影装置中，第2电缆为一直线延伸的直线形状，朝向相对于第2电缆的延伸方向折回的方向折弯，进而朝向与第2电缆的延伸方向交叉的方向折弯。
本发明的第3方式的放射线图像摄影装置在第1方式的放射线图像摄影装置中，第2电缆具有：包括与传感器基板连接的一端且朝向与传感器基板的连接有第2电缆的一边的方向交叉的第1方向延伸的部分；及包括与驱动基板连接的另一端且朝向与第1方向交叉的第2方向延伸的部分。
本发明的第4方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第3方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，第1电缆搭载有信号处理部的电路中未包含于信号处理基板的一部分的信号处理电路，第2电缆搭载有驱动部的电路中未包含于驱动基板的一部分的驱动电路。
本发明的第5方式的放射线图像摄影装置在第4方式的放射线图像摄影装置中，部分信号处理电路和部分驱动电路配置于不重叠的位置。
本发明的第6方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第4方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，部分信号处理电路和部分驱动电路配置于不重叠的位置。
本发明的第7方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第6方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，第2电缆的一端通过连接器在传感器基板的交叉的一边与传感器基板电连接。
本发明的第8方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第7方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，第2电缆的另一端通过连接器与驱动基板电连接。
本发明的第9方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第8方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，相比第2电缆与传感器基板电连接的数量，第2电缆与驱动基板电连接的数量更少。
本发明的第10方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第7方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，还具备与驱动基板电连接的中继基板，第2电缆的另一端与中继基板电连接来代替与驱动基板电连接。
本发明的第11方式的放射线图像摄影装置在第10方式的放射线图像摄影装置中，具备多个比中继基板的数量更多数量的第2电缆。
本发明的第12方式的放射线图像摄影装置在第10方式或第11方式的放射线图像摄影装置中，中继基板与第2电缆的另一端以及中继基板与驱动基板中的至少一方是通过连接器电连接的。
本发明的第13方式的放射线图像摄影装置在第10方式至第12方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，中继基板包括：第1中继部，与第2电缆电连接；及L字形状的第2中继部，具有沿传感器基板的与第2电缆电连接的一边延伸的长边及与长边延伸的方向交叉的方向延伸并且与驱动基板电连接的短边。
本发明的第14方式的放射线图像摄影装置在第13方式的放射线图像摄影装置中，第2中继部的短边在长边延伸的方向上折弯。
本发明的第15方式的放射线图像摄影装置在第10方式至第13方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，中继基板包括：第1中继部，与第2电缆电连接；第2中继部，沿传感器基板的与第2电缆电连接的一边延伸；及第3中继部，其一端与第2中继部的端部电连接，另一端与驱动基板电连接。
本发明的第16方式的放射线图像摄影装置在第15方式的放射线图像摄影装置中，第2中继部的端部与第3中继部的一端电连接的连接部设置于不与传感器基板重叠的区域。
本发明的第17方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第7方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，还具备与传感器基板电连接的中继基板，第2电缆的一端与中继基板电连接来代替与传感器基板电连接。
本发明的第18方式的放射线图像摄影装置在第17方式的放射线图像摄影装置中，中继基板与第2电缆的一端以及中继基板与传感器基板中的至少一方是通过连接器电连接的。
本发明的第19方式的放射线图像摄影装置在第17方式或第18方式的放射线图像摄影装置中，中继基板包括：第1中继基板，其一端与传感器基板电连接；及第2中继基板，其一端与第1中继基板的另一端电连接。
本发明的第20方式的放射线图像摄影装置在第19方式的放射线图像摄影装置中，第1中继基板与第2中继基板电连接的连接部设置于不与传感器基板重叠的区域。
本发明的第21方式的放射线图像摄影装置在第10方式至第20方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，中继基板具有柔性。
本发明的第22方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第21方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，在第2电缆与第2电缆穿过的基材的第1面侧或第2面侧之间设置有遮蔽电流、磁性及放射线中的至少一者的遮蔽部件。
本发明的第23方式的放射线图像摄影装置在第22方式的放射线图像摄影装置中，遮蔽部件还设置于信号处理部的电路与驱动部的电路之间。
本发明的第24方式的放射线图像摄影装置在第1方式至第23方式中任一方式的放射线图像摄影装置中，其还具备：收纳传感器基板、转换层、信号处理基板、驱动基板、以及第1电缆及第2电缆的壳体。
本发明的第25方式的放射线图像摄影装置在第24方式的放射线图像摄影装置中，壳体具有照射放射线的照射面，第2电缆穿过壳体的与照射面相反的一侧的面和在传感器基板形成有转换层的层叠体之间。
发明效果
根据本发明，能够将与传感器基板对应的装置的部分薄型化。
附图说明
图1是表示第1实施方式的放射线图像摄影装置中的电气***的主要部分结构的一例的框图。
图2是从设置有转换层的一侧观察第1实施方式的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图3是图2所示的放射线图像摄影装置的A-A线剖视图。
图4是表示图2中折回的柔性电缆不折回而展开的状态的一例的俯视图。
图5是从传感器基板中的基材的第2侧观察的第1实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的俯视图。
图6是图5所示的放射线图像摄影装置的A-A线剖视图。
图7是表示变形例1-1的放射线图像摄影装置中的柔性电缆不折回而展开的状态的一例的俯视图。
图8是从基材的第2面侧观察的变形例1-1的放射线图像摄影装置的俯视图。
图9是表示变形例1-1的放射线图像摄影装置中的柔性电缆不折回而展开的状态的另一例的俯视图。
图10是从基材的第2面侧观察的变形例1-2的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图11是从基材的第2面侧观察的变形例1-3的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图12是从基材的第2面侧观察的第2实施方式的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图13是从基材的第2面侧观察的第2实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的俯视图。
图14是表示中继基板的一例的俯视图。
图15是从基材的第2面侧观察的变形例2-1-1的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图16是用于说明变形例2-1-1的第2中继部的折弯的一例的图。
图17是从基材的第2面侧观察的变形例2-1-1的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图18是从基材的第2面侧观察的变形例2-1-2的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图19是用于说明变形例2-1-2的第2中继部与第3中继部313连接的一例的图。
图20是用于说明变形例2-1-2的第2中继部与第3中继部313连接的另一例的图。
图21是从基材的第2面侧观察的变形例2的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图22是从基材的第2面侧观察的变形例2-2-1的放射线图像摄影装置的另一例的俯视图。
图23是从基材的第1面侧观察的变形例2-2-2的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图24是从基材的第2面侧观察的变形例2-2-2的放射线图像摄影装置的俯视图。
图25是从基材的第2面侧观察的变形例2的放射线图像摄影装置的另一例的俯视图。
图26是从基材的第2面侧观察的第3实施方式的放射线图像摄影装置的一例的俯视图。
图27是从基材的第2面侧观察的第2实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的俯视图。
图28是从基材的第2面侧观察的实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的俯视图。
图29是容纳在壳体的状态的实施方式的放射线图像摄影装置的一例的剖视图。
图30是容纳在壳体的状态的实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的剖视图。
图31是容纳在壳体的状态的实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本实施方式并不限定本发明。
[第1实施方式]
本实施方式的放射线检测器具有检测透射了被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本实施方式的放射线检测器具备传感器基板及将放射线转换成光的转换层(参考图2的放射线检测器10的传感器基板12及转换层14)。
另外，本实施方式的放射线图像摄影装置中，关于放射线检测器，对适用于从传感器基板侧照射放射线R的ISS(Irradiation Side Sampling：照射侧取样)方式的放射线检测器中的情况进行了说明。
首先，参考图1对本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气***的构成的一例的概要进行说明。图1是表示本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气***的主要部分结构的一例的框图。
如图1所示，本实施方式的放射线图像摄影装置1具备放射线检测器10、控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108。
放射线检测器10具备传感器基板12和将放射线转换成光的转换层(参考图2)。传感器基板12具备柔性基材11和设置于基材11的第1面11A上的多个像素30。另外，以下，有时将多个像素30简称为“像素30”。
如图1所示，本实施方式的每个像素30具有根据转换层转换的光产生电荷并蓄积的传感器部34，以及读取在传感器部蓄积的电荷的开关元件32。本实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)用作开关元件32。因此，以下将开关元件32称为“TFT32”。在本实施方式中，形成传感器部34和TFT32，并且作为平坦化层，设置有在基材11的第1面11A上形成像素30的层。
像素30在传感器基板12的像素区域35上沿一个方向(与图1的横向对应的扫描配线方向，以下也称为“行方向”)及与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号配线方向，以下也称为“列方向”)二维状配置。图1中，简化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向及列方向上配置有1024个×1024个。
并且，放射线检测器10中彼此交叉地设置有针对像素30的每一行设置的用于控制TFT32的开关状态(打开及关闭)的多个扫描配线38和针对像素30的每一列设置的读取蓄积于传感器部34中的电荷的多个信号配线36。多个扫描配线38的每一个分别经由柔性电缆206(参考图2)与驱动部102连接，由此从驱动部102输出的驱动TFT32来控制开关状态的驱动信号在多个扫描配线38的每一个上流动。并且，多个信号配线36的每一个分别经由柔性电缆406(参考图2)与信号处理部104连接，由此从各像素30读取的电荷作为电信号输出至信号处理部104。信号处理部104生成并输出与输入的电信号对应的图像数据。
信号处理部104上连接有后述的控制部100，从信号处理部104输出的图像数据依次输出至控制部100。控制部100上连接有图像存储器106，从信号处理部104依次输出的图像数据在控制部100的控制下依次存储于图像存储器106中。图像存储器106具有能够存储预定数量的图像数据的存储容量，并且每次拍摄放射线图像时，通过拍摄获得的图像数据依次存储于图像存储器106中。
控制部100具备CPU(Central Processing Unit，中央处理器)100A、包括ROM(ReadOnly Memory，只读存储器)和RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)的存储器100B、以及闪存等的非易失性存储部100C。作为控制部100的一例，可举出微型计算机等。控制部100控制放射线图像摄影装置1的整体动作。
另外，在本实施方式的放射线图像摄影装置1中，图像存储器106及控制部100等形成在控制基板110上。
并且，为了对各像素30施加偏压，各像素30的传感器部34中，在信号配线36的配线方向上设置有共用配线39。共用配线39经由端子(省略图示)与传感器基板12的外部的偏压电源(省略图示)连接，由此从偏压电源对各像素30施加偏压。
电源部108向控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108等各种元件和各种电路提供电力。另外，在图1中，为了避免复杂化，省略了连接电源部108与各种元件和各种电路的配线的图示。
此外，对放射线图像摄影装置1进行详细说明。图2是从基材11的第1面11A侧观察本实施方式的放射线图像摄影装置1的俯视图。并且，图3是图2中的放射线图像摄影装置1的A-A线剖视图。此外。图4表示图2中折回的柔性电缆206不折回而展开的状态的一例。
在基材11的第1面11A上设置有像素区域35，该像素区域35上设置有上述像素30。
基材11为具有可挠性且包含例如PI(PolyImide：聚酰亚胺)等塑料的树脂片。基材11的厚度只要为可根据材质的硬度及传感器基板12的大小(第1面11A或第2面11B的面积)等而获得所期望的可挠性的厚度即可。作为具有可挠性的例子，是指在矩形的基材11为单体的情况下，固定了基材11的一边的状态下，在从所固定的边远离10cm的位置上基材11以基于基材11的自重的重力垂下2mm以上(变得低于所固定的边的高度)。作为基材11为树脂片的情况的具体例，只要厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。
另外，基材11具有能够承受像素30的制造的特性，在本实施方式中，具有能够承受非晶硅TFT(a-Si TFT)的制造的特性。作为这种基材11所具有的特性，优选在300℃～400℃下的热膨胀系数(CTE：Coefficient of Thermal Expansion)为与非晶硅(Si)晶片相同程度(例如，±5ppm/K)。具体而言，优选为基材11在300℃～400℃下的热膨胀系数为20ppm/K以下。并且，作为基材11的热收缩率，优选在厚度为25μm的状态下400℃下的热收缩率为0.5％以下。并且，基材11的弹性模量优选在300℃～400℃之间的温度区域内不具有通常的PI所具有的转移点，在500℃下的弹性模量为1GPa以上。
并且，本实施方式的基材11为了抑制基于自身的后方散射线，优选具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的吸收后方散射线的无机的微粒的微粒层。另外，作为这种无机的微粒，树脂性基材11的情况下，优选使用原子序数大于构成基材11的有机物的原子且原子序数为30以下的无机物。作为这种微粒的具体例，可举出原子序数为14的Si的氧化物即SiO2、原子序数为12的Mg的氧化物即MgO、原子序数为13的A1的氧化物即Al2O3及原子序数为22的Ti的氧化物即TiO2等。作为具有这些特性的树脂片的具体例，可举出XENOMAX(注册商标)。
另外，使用测微器(micrometer)测定了本实施方式中的上述厚度。根据JISK7197：1991测定了热膨胀系数。另外，关于测定，从基材11的主表面每15度改变一次角度来切取试验片，测定所切取的各试验片的热膨胀系数并将最高值设为基材11的热膨胀系数。分别在MD(Machine Direction：纵向)方向及TD(Transverse Direction：横向)方向上，在-50℃～450℃下以10℃间隔进行热膨胀系数的测定，并将(ppm/℃)换算成(ppm/K)。关于热膨胀系数的测量，使用了MAC Science公司制TMA4000S装置，将样本长度设为10mm、将样本宽度设为2mm、将初始负载设为34.5g/mm2、将升温速度设为5℃/min及将环境设为氩气。
另外，作为具有所期望的可挠性的基材11，并不限定于树脂片等树脂制。例如，基材11可以为厚度相对薄的玻璃基板等。作为基材11为玻璃基板的情况的具体例，通常一边为43cm左右的尺寸时，若厚度为0.3mm以下则具有可挠性，因此只要为厚度为0.3mm以下，则可以为所期望的玻璃基板。
如图2～图4所示，在本实施方式的像素区域35上设置有转换层14。转换层14设置于基材11的第1面11A中的包括像素区域35的一部分的区域上。如此，本实施方式的转换层14未设置于基材11的第1面11A的外周部的区域上。另外，在此，在放射线检测器10的结构中称为“上”的情况下，表示在以传感器基板12侧为基准的位置关系中位于上方。例如，转换层14设置于传感器基板12上。
在本实施方式中，作为转换层14的一例，使用了包括CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这些闪烁器，优选例如包含照射X射线时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：T1(添加有铊的碘化铯)或CsI：Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI：T1的可见光区域内的发光峰值波长为565nm。
在本实施方式的放射线检测器10中，转换层14通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法等气相沉积法在传感器基板12上直接形成为长个状的柱状晶体(省略图示)。作为转换层14的形成方法，例如可举出真空蒸镀法，其在使用CsI：T1作为转换层14的情况下，在真空度0.01Pa～10Pa的环境下通过电阻加热式坩埚等加热机构对CsI：Tl进行加热而使其气化，并使传感器基板12的温度成为室温(20℃)～300℃而使CsI：Tl沉积于传感器基板12上。作为转换层14的厚度，优选为100μm～800μm。
此外，由于本实施方式的转换层14是通过气相沉积方法形成，因此如图3所示，转换层14的外周区域作为一个整体来看具有越朝向外侧厚度越变薄的趋势，因此，具有越朝向外侧厚度越变薄的趋势。另外，在本实施方式中，作为转换层14的厚度向外周变薄的例子，例示了具有一定的倾斜并且厚度逐渐变薄的方式，但并不限于这种方式，例如，也可以是厚度以阶梯状变化的方式。
并且，如图3所示，本实施方式的放射线检测器10具备粘合层40、反射层42、粘接层44及保护层46。另外，以下，将基材11、像素30及转换层14排列的方向(图3中的上下方向)称为层叠方向(参考图3的层叠方向P)。并且，为了便于说明，有时将放射线检测器10中的层叠方向P上的转换层14侧称为“上”，将传感器基板12侧称为“下”。
作为一例，如图3所示，粘合层40及反射层42设置于整个转换层14上。并且，粘合层40及反射层42不直接设置于传感器基板12上。
本实施方式的粘合层40为透光性层，作为粘合层40的材料，可举出丙烯酸系粘合剂、热熔系粘合剂和硅酮系粘合剂等。作为丙烯酸系粘合剂，例如可举出氨基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯及环氧丙烯酸酯等。作为热熔系粘合剂，例如可举出EVA(乙烯/乙酸乙烯酯共聚树脂)、EAA(乙烯与丙烯酸的共聚树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚树脂)及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等热塑性塑料。
粘合层40的厚度变得越厚，即，转换层14和反射层42之间的间隔变得越宽，通过转换层14转换的光在粘合层40内变得越模糊，其结果，通过放射线检测器10获得的放射线图像变成模糊图像。因此，粘接层40的厚度变得越厚，MTF(Modulation Transfer Function：调制传递函数)及DQE(Detective Quantum Efficiency：探测量子效率)越下降，并且其下降程度也变大。
另一方面，包括未设置粘合层40的情况在内，使粘合层40的厚度过度变薄时，有时在转换层14和反射层42之间形成微小的空气层。在这种情况下，从转换层14朝向反射层42的光在空气层和转换层14之间以及在空气层和反射层42之间发生多重反射。当光因多重反射而衰减时，放射线检测器10的灵敏度降低。当粘合层40的厚度超过7μm时，DQE的降低程度变得更大，比不设置粘合层40时(当厚度为0μm时)更低。并且，当粘合层40的厚度小于2μm时，放射线检测器10的灵敏度降低。再次，在本实施方式中，粘合层40的厚度被设定为2μm以上且7μm以下。另外，根据材料而不同，但粘合层40的折射率约为1.5。
另外，粘合层40具有将反射层42固定到转换层14的功能，但是如果粘合层40的厚度为2μm以上，则可获得抑制反射层42相对于转换层14在面内方向(与厚度方向交叉的方向)上偏离的充分的效果。
另一方面，作为一例，如图3所示，反射层42设置于粘合层40上并覆盖粘合层40本身的整个上表面。反射层42具有反射由转换层14转换的光的功能。
作为反射层42的材料，优选使用了有机系材料，优选例如，将白色PET(Polyethylene Terephthalate)、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射薄片及镜面反射铝等中的至少一个用作材料。尤其，从反射率的观点考虑，优选将白PET用作材料。
另外，白色PET是在PET中加入TiO2或硫酸钡等白色颜料得到的。另外，聚酯系高反射薄片是指具有重叠多个较薄的聚酯薄片而成的多层结构的薄片(薄膜)。并且，发泡白色PET是表面具有多孔的白色PET。
在本实施方式中，反射层42的厚度被设定为10μm以上且40μm以下。当反射层42的厚度增加时，反射层42的外周部的上表面与转换层14的上表面之间的台阶变大，有时粘合层44和保护层46中的至少一个上浮。并且，当反射层42的厚度增加时，变成所谓的刚性状态，因此有时难以沿转换层14的周缘部的倾斜折弯，使得加工变困难。因此，从这些观点考虑，在本实施方式的放射线检测器10中，当白色PET用作反射层42的材料时，如上所述，反射层42的厚度设为40μm以下。
另一方面，反射层42的厚度越薄，反射率越低。当反射率降低时，由放射线检测器10获得的放射线图像的图像质量也趋于降低。因此，从由放射线检测器10所获得的放射线图像的图像质量的观点考虑，优选考虑期望的反射率(例如，80％)来设定反射层42的厚度的下限。本实施方式的放射线检测器10中，当白色PET用作反射层42的材料时，如上所述，反射层42的厚度设为10μm以上。
另一方面，作为一例，如图3所示，从传感器基板12的转换层14的外周部附近的区域上到覆盖反射层42的端部的区域设置粘接层44。换言之，在本实施方式的放射线检测器10中，覆盖设置有粘合层40及反射层42的整个转换层14的粘合层44直接固定(粘合)到传感器基板12的表面。粘接层44具有将反射层42固定于传感器基板12及转换层14上的功能。并且，粘接层44具有固定保护层46的功能。作为粘合层44的材料，例如可举出与粘合层40相同的材料。另外，在本实施方式中，粘接层44的粘接力强于粘合层40的粘接力。
此外，作为一例，如图3所示，保护层46设置于粘合层44上，本实施方式的保护层46覆盖粘合层44的整个上表面，该粘合层44覆盖上表面被粘合层40及反射层42覆盖的状态的转换层14。保护层46具有从湿气等水分保护转换层14的功能。并且，保护层46具有将反射层42与粘合层44一同固定于传感器基板12及转换层14上的功能。作为保护层46的材料，例如可举出有机膜，例如可举出基于PET、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：双轴延伸的聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯)及PI等。并且，作为保护层46，可以使用树脂薄膜与金属薄膜的层叠膜。作为树脂薄膜与金属薄膜的层叠膜，例如可举出在聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)薄片。
并且，如图2～图4所示，柔性电缆406经由各向异性导电膜等端子(省略图示)与传感器基板12的基材11的第1面11A电连接。另外，在本实施方式中，关于柔性电缆206、406等的术语“连接”意味着电连接。
如图3及图4所示的一例，多个(在图4中，12个)柔性电缆406的一端与传感器基板12热压接。柔性电缆406具有连接信号处理部104与信号配线36(参考图1)的功能。柔性电缆406中包含的多个信号线(省略图示)与传感器基板12热压接，由此与信号配线36(参考图1)连接。本实施方式的柔性电缆406是本公开的第1电缆的一例。
另一方面，柔性电缆406的另一端与信号处理基板400热压接。作为一例，在本实施方式中，6根柔性电缆406连接到1个信号处理基板400。柔性电缆406中包含的多个信号线(省略图示)与信号处理基板400热压接，由此与搭载于信号处理基板400上的电路及元件等(省略图示)连接。
本实施方式的信号处理基板400为可挠性PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)基板，所谓的柔性基板。搭载于信号处理基板400上的电路部件(省略图示)为主要用于处理模拟信号的部件(以下，称为“类比零件”)。作为类比零件的具体例，可举出电荷放大器、模拟数字转换器(ADC)、数位类比转换器(DAC)及电源IC等。并且，本实施方式的电路部件还包括部件尺寸较大的电源周围的线圈及平滑用大容量电容器。另外，信号处理基板400无需一定使用柔性基板，可以为非柔性的刚性基板，也可以使用刚柔性基板。
并且，在柔性电缆406上搭载有信号处理IC(Integrated Circuit，集成电路)404。信号处理IC404与柔性电缆406中包括的多个信号线(省略图示)连接。
在本实施方式中，通过搭载于信号处理基板400及柔性电缆406上的信号处理IC404，实现信号处理部104。信号处理IC404为包括实现信号处理部104的各种电路及元件中与搭载于信号处理基板400的类比零件不同的电路的IC。本实施方式的信号处理IC404为本发明的信号处理电路的一例。
另一方面，如图2～图4所示，柔性电缆206经由各向异性导电膜等端子(省略图示)与传感器基板12的基材11的第1面11A的与柔性电缆406所连接的一边交叉的一边电连接
如图2及图4所示的一例，多个(在图2及图4中，12个)柔性电缆206的一端与传感器基板12热压接。柔性电缆206具有连接驱动部102与扫描配线38(参考图1)的功能。柔性电缆206中包含的多个信号线(省略图示)与传感器基板12热压接，由此与扫描配线38(参考图1)连接。本实施方式的柔性电缆206是本发明的第2电缆的一例。
另一方面，柔性电缆206的另一端与驱动基板200热压接。作为一例，在本实施方式中，6根柔性电缆206与1个驱动基板200连接。柔性电缆206中包含的多个信号线(省略图示)与驱动基板200热压接，由此与搭载于驱动基板200上的电路及元件等(省略图示)连接。
本实施方式的200与信号处理基板400同样为柔性PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)基板，所谓的柔性基板。并且，与信号处理基板400相同地，搭载于驱动基板200上的电路部件(省略图示)为主要用于处理数字信号的零件(以下，称为“数位零件”)。数位零件存在面积(大小)相对小于后述的类比零件的倾向。作为数位零件的具体例，可举出数位缓冲器、旁路电容器、上拉/下拉电阻、阻尼电阻及EMC(Electro MagneticCompatibility，电磁兼容性)对策晶片部件及电源IC等。另外，驱动基板200无需一定为柔性基板，可以为非柔性的刚性基板，也可以使用刚柔性基板。
并且，柔性电缆206在靠近传感器基板12的位置搭载有驱动IC204。驱动IC204与柔性电缆206中包括的多个信号线(省略图示)连接。
在本实施方式中，通过驱动基板200及搭载于柔性电缆206上的驱动IC204实现驱动部102。驱动IC204为包括实现驱动部102的各种电路及元件中与搭载于驱动基板200的数位零件不同的电路的IC。本实施方式的驱动IC204为本发明的驱动电路的一例。
并且，如图2～图4所示，本实施方式的驱动基板200和信号处理基板400设置于传感器基板12的同一边侧。因此，本实施方式的柔性电缆206具有从与传感器基板12的一边连接的方向朝向与柔性电缆206连接的一边交叉的方向折弯的形状。换言之，如图4所示，柔性电缆206具有：包括与传感器基板12连接的一端，沿传感器基板12的连接有柔性电缆206的一边的方向交叉的第1方向α延伸的部分；及包括与驱动基板200连接的另一端，沿与第1方向交叉的第2方向β延伸的部分。作为一例，本实施方式中，如图2和图4所示，每根柔性电缆206都显示折弯约90度的L字形状。通过以这种方式将每根柔性电缆206形成为L字形状，柔性电缆206彼此不交叉，因此不易受到电磁感应和噪声的影响。
朝向第1面11A侧轻轻折叠柔性电缆206，如图2和图3所示，柔性电缆206与传感器基板12的基材11的第1面11A的一侧，更具体而言，通过转换层14的上方与驱动基板200连接。
另外，为了防止柔性电缆206映入由放射线检测器10生成的放射线图像中，柔性电缆206被折回至与放射线检测器10被放射线照射的一侧相反的一侧。换言之，在传感器基板12的转换层14(第1面11A)侧及传感器基板12的基材11的第2面11B侧中，与被放射线照射的一侧相反的一侧上柔性电缆206穿过。
具体而言，如本实施方式的放射线检测器10，在从基材11的第2面11B侧照射放射线的ISS方式的情况下，如图2及图3所示，柔性电缆206穿过转换层14侧。在另一方面，从转换层14侧照射放射线的PSS(Penetration Side Sampling)方式的情况下，如图5及图5的A-A线剖视图的图6所示，柔性电缆206穿过传感器基板12的基材11的第2面11B侧。
另外，本实施方式的放射线图像摄影装置1可以是例如以下变形例1-1至变形例1-3中所示的方式。
(变形例1-1)
如图7所示，放射线图像摄影装置1的柔性电缆206可以为沿直线延伸的直线形状。图8中示出了放射线图像摄影装置1为PSS方式的情况，并且将柔性电缆206朝向传感器基板12上的基材11的第2面11B侧折回的状态的一例。如图8所示，柔性电缆206相对于柔性电缆206的延伸方向沿折回方向折弯，并进一步沿与柔性电缆206的延伸方向交叉的方向折弯。
如图7所示，在本变形例中，与传感器基板12连接的多个柔性电缆206均具有相同的形状。因此，放射线图像摄影装置1的制造变容易，还能够实现控制制造成本。
并且，在图7所示的变形例的放射线图像摄影装置1中，驱动IC204搭载柔性电缆206的，靠近驱动基板200的一侧。如上所述，驱动IC204的搭载位置不受限制。例如，如图9所示，也可以是驱动IC204安装在驱动基板200上的方式。关于安装驱动IC204的具***置，例如，设置于与由驱动IC204引起的噪声的影响、放射线图像摄影装置1的规格、用于容纳放射线检测器10等的壳体120(参考图29)的大小等对应的位置即可。
(变形例1-2)
如图10所示，放射线图像摄影装置1的柔性电缆206可以是与驱动基板200连接的数量少于与传感器基板12连接的数量的方式。在图10所示的例子中，连接到驱动基板200的相对宽的柔性电缆206的端部被分为6个，并且分为6个的端部各自与传感器基板12连接。并且，与柔性电缆206的传感器基板12连接的6个端部各自上搭载有驱动IC204。
与上述实施方式的放射线图像摄影装置1的柔性电缆206(参考图4)相比，柔性电缆206中的多个(图10中为6个)柔性电缆206聚集成1个，与驱动基板200连接，这一点不同。
通过以这种方式聚集多个柔性电缆206，可以在本变形例的放射线图像摄影装置1中容易地处理柔性电缆206。
(变形例1-3)
如图11所示，放射线图像摄影装置1的挠性电缆206可以是经由连接器300连接到传感器基板12的扫描配线38的方式，从而代替通过热压接与传感器基板12连接。并且，柔性电缆206可以是通过连接器302连接到驱动基板200的方式，从而代替通过热压接与驱动基板200连接。作为这种连接器300及302，例如可举出ZIF(Zero Insertion Force，零插力)结构的连接器或Non-ZIF结构的连接器。
如上所述，柔性电缆206与传感器基板12之间的连接以及柔性电缆206与驱动基板200之间的连接中的至少一个由连接器300及302中的每一个执行，由此本变形例的放射线图像摄影装置1中，即使柔性电缆206变长，也容易处理。
如上所述，本实施方式的放射线图像摄影装置1中，与传感器基板12连接的柔性电缆206穿过基材11的第1面11A侧或与基材11的第1面11A相反的一侧的第2面11B侧，与驱动基板200电连接。由此，驱动基板200可以配置于传感器基板12的与信号处理基板400相同的一侧。
因此，根据本实施方式的放射线图像摄影装置1，能够将与传感器基板12对应的部分薄型化。
[第2实施方式]
接着，对第2实施方式进行说明。图12是从基材11的第1面11A侧观察将柔性电缆206不这回的状态的本实施方式的放射线图像摄影装置1的俯视图。
本实施方式的柔性电缆206中，与连接到传感器基板12的端部相反的一侧的端部与中继基板310连接，来代替驱动基板200，这一点上与第1实施方式的放射线图像摄影装置1(参考图4)不同。作为一例，在本实施方式中，中继基板310和柔性电缆206通过热压接连接。并且，中继基板310和驱动基板200通过连接器304连接。
另外，在图12所示的例子中，示出了中继基板310为1个的例子，但是中继基板310的数量不限于1个。例如，如图13所示的例子，放射线图像摄影装置1可以是使用2个中继基板310(310A基310B)的方式。在图13所示的例子中，在中继基板310A上从靠近信号处理基板400的一侧依次连接有6个柔性电缆206，中继基板310A和驱动基板200通过连接器304A连接。并且，在中继基板310B上从远离信号处理基板400的一侧依次连接有6个柔性电缆206，中继基板310B和驱动基板200通过连接器304B连接。
本实施方式的中继基板310的结构参考图14进行说明。另外，图14中，作为具体例示出了中继基板310A，但由于本实施方式的中继基板310的基本结构相同，在此作为中继基板310进行说明。如图14所示，本实施方式的中继基板310包括连接部314、折回部316及中继部318这3个部分。
连接部314为多层FPC(Flexible Printed Circuits)，作为一例在本实施方式中使用4层FPC。连接部314设置有热压接柔性电缆206的热压接用图案315。
并且，折回部316为用于将中继基板310向基材11的第1面11A侧或第2面11B侧折回的部分，厚度比连接部314及中继部318薄。作为一例，在本实施方式中，通过将折回部316设为单层FPC，与连接部314及中继部318中的每一个相比，厚度减小到1/4(4分之1)。
并且，中继部318为用于中继柔性电缆206和驱动基板200之间的连接的部分，在设置有与驱动基板200连接的连接器304的一侧上设置零件搭载区域319，该零件搭载区域319搭载有在驱动基板200上搭载的上述数位零件。中继部318是多层FPC，作为一例，在本实施方式方式中，使用4层FPC。
另外，在本实施方式中，作为中继基板310，使用了柔性(具有柔性)基板，但本实施方式并不限于此，作为中继柔性电缆206和驱动基板200的中继基板310，可以使用了刚性基板，也可以使用刚柔性基板。
另外，本实施方式的放射线图像摄影装置1可以是例如以下变形例2-1-1～2-2-2中所示的方式。
(变形例2-1-1)
图15中示出了中继基板310A和310B的变形例。图15中示出了从基材11的第2面11B侧观察本变形例的放射线图像摄影装置1的俯视图。另外，在图15中，为了避免使附图复杂化，省略了驱动基板200、信号处理基板400等的记载。本变形例的放射线图像摄影装置1中的中继基板310A与上述图14中示出说明的中继基板310A相同地，在设置有与驱动基板200连接的连接器304的一侧上，设置有零件搭载区域319A及连接器304A，该零件搭载区域319A搭载有在驱动基板200上搭载的上述数位零件。
另一方面，如图15和图16所示，中继基板310B包括与柔性电缆206电连接的第1中继部311和第2中继部312。第2中继部312表示具有沿传感器基板12的柔性电缆206电连接的一边12A延伸的长边312A及沿与长边312A延伸的方向交叉的方向延伸且与驱动基板200电连接的短边312B的L字形状。短边312B设置有零件搭载区域319B和连接器304B，该零件搭载区域319B搭载有在驱动基板200上搭载的上述数位零件。
第2中继部312的长边312A与短边312B通过折弯部320交叉，短边312B在折弯部320沿长边312A的方向折弯。参考图16对第2中继部312的折弯进行说明。首先，通过折弯部320的谷折线320V，将短边312B折弯成与长边312A重叠的状态。接着，短边312B的前端通过折弯部320的山折线320M从与长边312A分开的方向上折弯。作为一例，在本实施方式中，通过将折弯部320折弯，将第2中继部312重叠的重叠区域作为不与零件搭载区域319B重叠的位置，并且与长边312A重叠的位置。
通过以这种方式折弯第2中继部312，第2中继部312的沿传感器基板12的一边12A延伸的长度比长边312A的长度更长。
图17中示出了在本变形例的放射线图像摄影装置1中，将中继基板310A及310B朝向传感器基板12上的基材11的第2面11B侧折回的状态的一例。另外，在图17中，为了避免使附图变复杂，省略了驱动基板200、柔性电缆206及信号处理基板400等的记载。
如图17所示，折弯部320位于传感器基板12的外部，折弯部320与传感器基板12不重叠。并且，第2中继312的零件搭载区域319B也位于传感器基板12的外部，并且零件搭载区域319B和传感器基板12不重叠。
如上所述，在本变形例中，为了使第2中继部312的短边312B向沿长边312A的方向折弯，能够将沿传感器基板12的一边12A延伸的第2中继部312的长度设为比长边312A更长。因此，即使长边312A的长度为传感器基板12的一边12A的长度L1左右，或者小于长度L1，能够将沿一边12A的第2中继部312的长度设为比一边12A的长度L1更长。因此，驱动基板200可以配置于不与传感器基板12重叠的位置。并且，根据本变形例，由于能够抑制构成中继基板310B的基板的尺寸(长度)，因此能够提高制造适用性，并且随着尺寸的扩大，能够抑制成本的增加等。
并且，根据本变形例的放射线图像摄影装置1，通过折弯中继基板310B的折弯部320而产生的重叠区域不与传感器基板12重叠，因此能够将于传感器基板12对应的放射线图像摄影装置1的部分薄型化。
另外，在中继基板310B中，长边312A和短边312B交叉的方向不限于本变形例的方式。例如，也可以是与本变形例相反的L字形状，具体而言，也可以是短边312B向第1中继部311侧延伸的方式。此外，中继基板310B中所称的“L字状”不限于长边312A和短边312B以直角交叉的方式，还包括与直角以外的角度交叉的方式。
并且，在折弯部320的中继基板310B的折弯方法没有限制。例如，上述谷折线320V可作为山折线，山折线320M可作为谷折线进行折弯。并且，通过将折弯部320折弯而第2中继部312的重叠区域的位置只要是不与传感器基板12重叠的位置，则没有限制，但优选与零件搭载区域319B重叠的部分少的位置，如上所述，更优选不与零件搭载区域319B重叠的位置。
(变形例2-1-2)
图18中示出了在本变形例的放射线图像摄影装置1中，将中继基板310A及310B朝向传感器基板12上的基材11的第2面11B侧折回的状态的一例。另外，在图18中，为了避免使附图变复杂，省略了驱动基板200、柔性电缆206及信号处理基板400等的记载。
如图18所示，本变形例的中继基板310A与变形例2-1-1的中继基板310A相同，因此省略说明。
另一方面，如图18和图19所示，本变形例的中继基板310B包括与柔性电缆206电连接的第1中继部311、第2中继部312及第3中继部313。第2中继部312沿与传感器基板12的柔性电缆206电连接的一边12A延伸。第3中继部313的一端与第2中继部312的端部电连接，另一端与驱动基板200电连接。在第3中继部313上设置有零件搭载区域319B和连接器304B，该零件搭载区域319B搭载有在驱动基板200上搭载的上述数位零件。
具体而言，如图19所示，通过包括第2中继部312的热压接图案323和第3中继部313的热压接图案324的连接部322，第2中继部312和第3中继部313热压接，由此第2中继部312和第3中继部313电连接。另外，第2中继部312和第3中继部313的热压接中，第2中继部312的热压接图案323及第3中继部313的热压接图案324的上下(表面和背面)没有限制。作为一例，在本变形例中，热压接图案323位于图19中的上(表面)侧，热压接图案324以成为下(背面)侧的状态热压接第2中继部312和第3中继部313。
如图18所示，连接部322设置于不与传感器基板12重叠的区域中。并且，本变形例的连接部322设置于不与信号处理IC404重叠的位置。
如上所述，中继基板310B包括第2中继部312和与第2中继部312连接的第3中继部313，因此能够将中继基板310B的沿传感器基板12的一边12A延伸的长度设为比一边12A更长。
因此，即使传感器基板12的沿一边12A延伸的第2中继部312的长度为一边12A的长度L1左右，或者小于长度L1，也能够将沿一边12A的中继基板310B的长度设为比一边12A的长度L1更长。因此，驱动基板200可以配置于不与传感器基板12重叠的位置。并且，根据本变形例，由于能够抑制构成中继基板310B的基板的尺寸(长度)，因此能够提高制造适用性，并且随着尺寸的扩大，能够抑制成本的增加等。
并且，根据本变形例的放射线图像摄影装置1，由于连接部322不与传感器基板12重叠，因此能够将与传感器基板12对应的放射线图像摄影装置1的部分薄型化。
另外，连接部322的结构不限于本变形例的方式。图20中示出连接部322的另一方式例。图20所示的连接部322包括设置于第2中继部312的连接器连接图案327和设置于第3中继部313的连接器328。图20所示的连接部322中，通过将连接器连接图案327连接(***)到连接器328中，第2中继部312和第3中继部313经由连接器328电连接。
并且，在本变形例中，中继基板310B包括第2中继部312和第3中继部313，对通过连接部322将第2中继部312和第3中继部313电连接的结构进行了说明，但并不限于本实施方式，关于中继基板310A，也可以设为相同方式。即，将中继基板310A设为包括第2中继部312及第3中继部313的方式，将第2中继部312及第3中继部313通过连接部322电连接，由此可以将传感器基板12的沿一边12A的中继基板310A的长度设为比第2中继部312更长。
(变形例2-2-1)
如图21及图22所示，射线图像摄影装置1可以是柔性电缆206的端部与中继基板310C连接的方式，来代替传感器基板12。如图21及图22所示，本变形例的放射线图像摄影装置1中具备多个(在图21中为12个)中继基板310C，每个中继基板310C的一端通过热压接与柔性电缆206连接，另一端通过热压接与传感器基板12连接。
在图21所示的例子中，每个中继基板310C与第1实施方式的柔性电缆206(参考图4)相同，朝向驱动基板200(信号处理基板400)的方向弯曲大约90度的L字形状。并且，在图22所示的例子中，每个中继基板310C与第1实施方式的变形例1-1(参考图7)的柔性电缆206相同，为直线延伸的直线形状。
如图21及图22所示，如本变形例的放射线图像摄影装置1那样，可以为通过中继基板310C将柔性电缆206和传感器基板12连接的方式。
(变形例2-2-2)
放射线图像摄影装置1的中继基板310可以包括多个中继基板。图23示出了从基材11的第1面11A侧观察放射线图像摄影装置1的俯视图，其中，中继基板310C包括2个中继基板。
图23所示的放射线图像摄影装置1的中继基板310C包括第1中继基板310C1及第2中继基板310C2。第1中继基板310C1的一端与传感器基板12电连接。第2中继基板310C2的一端与第1中继基板310C1的另一端电连接，另一端与柔性电缆206电连接。作为一例，在本变形例中，第2中继基板310C2和第1中继基板310C1及柔性电缆206的每一个通过热压接而电连接。
图24示出了将中继基板310C朝向传感器基板12上的基材11的第2面11B侧折回的状态的一例。如图24所示，第1中继基板310C1在相对于第1中继基板310C1的延伸方向折回的方向上折弯，此外在与第1中继基板310C1的延伸方向相交的方向上折弯。
并且，如图24所示，第1中继基板310C1和驱动电路部210电容器C2电连接的连接部329位于传感器基板12的外部，连接部329和传感器基板12不重叠。
如上所述，由于中继基板310C包括第1中继基板310C1和第2中继基板310C2，因此根据本变形例的放射线图像摄影装置1，能够减小第1中继基板310C1及第2中继基板310C2各自的尺寸(长度)。例如，能够将第1中继基板310C1及第2中继基板310C2的每一个的尺寸(长度)设为比图22所示的上述中继基板310C小(短)。
如上所述，在本变形例中，能够通过组合具有小尺寸的中继基板来构成中继基板310C。因此，根据本变形例，能够提高制造适应性，并且，能够抑制由于尺寸的扩大而成本增加等。
并且，根据本变形例的放射线图像摄影装置1，由于连接部329不与传感器基板12重叠，因此能够将与传感器基板12对应的放射线图像摄影装置1的部分薄型化。
并且，根据本变形例的放射线图像摄影装置1，关于将驱动IC204配置于柔性电缆206的表面侧和背面侧中的哪个位置，容易设置为与不折回中继基板310C的情况相同的位置。
另外，第1中继基板310C1及第2中继基板310C2中的每一个的长度不限于本变形例，如上所述，优选设为连接部329不与传感器基板12重叠的长度。
另外，如图25所示，可以是中继基板310C经由连接器306与传感器基板12的扫描配线38连接的方式，从而代替通过热压接与传感器基板12连接。并且，可以是中继基板310C经由连接器308与驱动基板200连接的方式，从而代替通过热压接与驱动基板200连接。作为这种连接器306及308，例如可举出ZIF(Zero Insertion Force，零插力)结构的连接器或Non-ZIF结构的连接器。
如上所述，中继基板310C和传感器基板12的连接，及中继基板310C和柔性电缆206的连接中的至少一个通过连接器306及308的每一个进行，本变形例的放射线图像摄影装置1中，即使中继基板310C变长，也容易处理。
另外，图23及图24中所示的放射线图像摄影装置1的第2中继基板310C2和第1中继基板310C1的连接，及第2中继基板310C2和柔性电缆206的连接中，可以是经由连接器连接的方式，从而代替通过热压接连接。
并且，例如，在图12及图13中所示的本实施方式的放射线图像摄影装置1的中继基板310(310A及310B)中，中继基板310可以是经由连接器连接的方式，从而代替通过热压接与柔性电缆206连接。并且，相反地，也可以是通过热压接连接的方式，从而代替通过连接器304(304A和304B)与驱动基板200连接。
[第3实施方式]
接着，对第3实施方式进行说明。图26及图27中，示出了从基材11的第2面11B侧观察本实施方式的放射线图像摄影装置1的俯视图。图26示出与第1实施方式的柔性电缆206(参考图4)相同，具备L字形状的柔性电缆206的方式的一例。并且，图27示出了与变形例1-1的放射线图像摄影装置1的柔性电缆206(参考图7)相同，具备直线形状的柔性电缆206的方式的一例。
如图26及图27所示，本实施方式的放射线图像摄影装置1在基材11(传感器基板12)的第1面11A与柔性电缆206之间具备遮蔽部件330。并且，本实施方式的遮蔽部件330也设置于驱动基板200和信号处理基板400之间，以及驱动IC204和信号处理IC404之间。
遮蔽部件330是遮蔽电流、磁性及放射线中的至少一个的部件。作为遮蔽部件330的材料，可举出铜和Alpet(注册商标)等。
通过从像素30读取的电荷，经由信号配线36流过柔性电缆406的电流通常是几fA到几pA等数量级的非常小的电流。当该电流通过信号处理基板400中包含的电荷放大器转换为电压，之后进行A/D转换时，是每伏几十μV非常小的微细电信号(以下简称“读取信号”)。另一方面，经由柔性电缆206流过扫描配线38的驱动信号的电位为20V～40V，与读取信号相比是非常大的电压。因此，当信号处理基板400和驱动基板200彼此重叠或配置于非常靠近时，由于驱动信号的电磁感应对柔性电缆406的影响，存在噪声叠加在读取信号上的忧虑。
因此，在本实施方式的放射线图像摄影装置1中，通过在驱动IC204和信号处理IC404之间以及在驱动基板200和信号处理基板400之间设置遮蔽电流及磁性的至少一个的遮蔽部件330，能够抑制上述电磁感应的影响，抑制噪声叠加在读取信号。
并且，通过柔性电缆206，产生后方散射线，并且柔性电缆206可能映入由放射线检测器10产生的放射线图像中。因此，在本实施方式的放射线图像摄影装置1中，通过在柔性电缆206和传感器基板12之间设置遮蔽后方散射线即放射线的遮蔽部件330，能够抑制柔性电缆206映入放射线图像中。
如上所述，上述各实施方式的放射线图像摄影装置1，具备：传感器基板12，在柔性基材11的第1面11A的像素区域35上形成蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素30；及转换层14，设置于基材11的第1面11A且将放射线转换成光。并且，放射线图像摄影装置1，具备：信号处理基板400，设置于传感器基板12彼此相对的一对边的一个边侧，输入与在传感器基板12的多个像素30中蓄积的电荷对应的电信号，包括生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据的信号处理部104的至少一部分的电路；及驱动基板200，设置于传感器基板12的一对边的一个边侧或另一边侧，包括将用于输出从传感器基板12的多个像素30的每一个蓄积的电荷的驱动信号输出至多个像素30的每一个的驱动部102的至少一部分电路。此外，放射线图像摄影装置1，具备：柔性电缆406，一端沿传感器基板12的一对边的其中一个边设置且与传感器基板12电连接，另一端与信号处理基板400电连接；及柔性电缆206，一端沿与传感器基板12的一对边的其中一个边交叉的一边设置且与传感器基板12电连接，穿过基材11的第1面11A的一侧或与基材11的第1面11A相反的一侧的第2面11B的一侧，另一端与驱动基板200电连接。
如上所述，根据上述各实施方式的放射线图像摄影装置1，与传感器基板12连接的柔性电缆206穿过基材11的第1面11A侧或与基材11的第1面11A相反的一侧的第2面11B侧，与驱动基板200电连接。由此，能够将驱动基板200配置于传感器基板12的与信号处理基板400相同的一侧的一边，或者配置于与连接有信号处理基板400的一边相对的一侧的一边。
因此，根据上述各实施方式的放射线图像摄影装置1，能够将与传感器基板12对应的放射线图像摄影装置1的部分薄型化。
并且，例如，代替上述各实施方式的柔性电缆206，设为在传感器基板12内，拉伸扫描配线38等的配线并与驱动基板200连接的方式时，设置于传感器基板12内的配线的膜厚为几百nm左右比较薄，因此即使配线长度短也能获得高电阻。相对于此，如上述各实施方式那样使用传感器基板12的外部柔性电缆206时，其膜厚为几μm～几十μm左右，能够设为上述配线的10～100倍以上的厚度，因此能够设为低电阻。并且，由于柔性电缆206能够使用比传感器基板12内的配线材料电阻更低的铜来进行配线，因此也能够降低所谓的配线电阻。
并且，根据上述各实施方式的放射线图像摄影装置1，将柔性电缆206的端部连接至传感器基板12的外缘的一边即可，柔性电缆206折回，因此能够抑制放射线图像摄影装置1大型化。尤其，能够抑制放射线图像摄影装置1的传感器基板12的面积变大。
并且例如，当拉伸扫描配线38并将传感器基板12本身在上述扫描配线38的延伸部折弯时，设置于传感器基板12内的配线的膜厚为几百nm左右比较薄，因此由于振动等引起的金属疲劳，而有发生扫描配线38断线的忧虑。相对于此，根据上述各实施方式的放射线图像摄影装置1，当将柔性电缆206或中继基板310折弯时，配线的膜厚为几μm～几十μm左右并且也可以配置加强基材，并且，由于传感器基板12本身不会被折弯，因此抑制了断线的忧虑。
另外，上述各实施方式的放射线图像摄影装置1中的搭载在驱动基板200上的电路部件及驱动IC204以及搭载在信号处理基板400上的电路部件及信号处理IC404如图28所示，优选配置成不重叠的状态。如上所述，与读取信号相比，驱动信号为非常大的电压，并且驱动基板200及驱动IC204的每一个与信号处理基板400及信号处理IC404的每一个越近，由于驱动信号的电磁感应的影响，噪声叠加在读取信号的忧虑变高。另一方面，如图28所示的放射线图像摄影装置1，通过设为搭载在驱动基板200上的电路部件及驱动IC204与搭载在信号处理基板400上的电路部件及信号处理IC404不重叠的状态，能够抑制上述噪声叠加在读取信号。
另外，搭载在驱动基板200上的电路部件及驱动IC204与搭载在信号处理基板400上的电路部件及信号处理IC404不重叠的状态不限于图28所示的方式。例如，可以为驱动基板200及驱动IC204与信号处理基板400及信号处理IC404中的任一个配置于靠近传感器基板12的位置，另一个配置于远离传感器基板12的位置的方式。
即，只要为驱动IC204的至少一部分和信号处理IC404的至少一部分不重叠的状态，无论具体方式如何，都能够抑制叠加在读取信号上的噪声。另外，从抑制叠加在读取信号上的噪声的观点考虑，更优选驱动部102中包括的驱动IC204等所有电路和信号处理部104中包括的信号处理IC404等所有电路不重叠的状态。
另外，上述各实施方式的放射线图像摄影装置1的放射线检测器10等如图29～图31所示，以容纳在壳体120中的状态使用。
图29中示出了ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例的剖视图。如图29所示，在壳体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向排列设置有放射线检测器10、电源部108及控制基板110。放射线检测器10以传感器基板12的基材11的第1面11A侧相对的状态配置于穿过被摄体的放射线照射的壳体120的照射面120A侧。
并且，图30中示出PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例的剖视图。如图30所示，在壳体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向排列设置有放射线检测器10、电源部108及控制基板110。放射线检测器10以传感器基板12的基材11的第2面11B侧相对的状态配置于穿过被摄体的放射线照射的壳体120的照射面120A侧。
控制基板110和驱动基板200通过柔性电缆112连接。并且，控制基板110和信号处理基板400通过柔性电缆114连接。
并且，控制基板110通过电源线115与向形成于控制基板110的图像存储器106或控制部100等供给电源的电源部108连接。
图29及图30所示的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在透射了放射线检测器10的放射线射出的一侧还设置有薄片116。作为薄片116，例如可举出铜制薄片。铜制薄片由于入射放射线而难以产生二次放射线，因此具有防止向后方即转换层14侧散射的功能。另外，薄片116优选至少覆盖转换层14的射出放射线的一侧的表面整体，并且覆盖转换层14整体。
并且，图29及图30所示的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在放射线所入射的一侧(照射面120A侧)还设置有保护层117。作为保护层117，在绝缘性的薄片(薄膜)能够适用Alpet(注册商标)薄片、Parylene(注册商标)膜及聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性薄片等防湿膜。保护层117对像素阵列31具有防湿功能及防静电功能。因此，保护层117优选至少覆盖像素阵列31的放射线所入射的一侧的表面整体，优选覆盖放射线所入射的一侧的传感器基板12的表面整体。
如图29及图30所示的例子，电源部108及控制基板110的每一个的厚度厚于放射线检测器10的情况较多。这种情况下，如图30所示的例，设置有放射线检测器10的壳体120的部分的厚度可以薄于分别设置有电源部108及控制基板110的壳体120的部分的厚度。另外，如此在分别设置有电源部108及控制基板110的壳体120的部分与设置有放射线检测器10的壳体120的部分厚度不同的情况下，若在两个部分的边界部中产生段差，则存在使与边界部120B接触的被检人感到不舒服等的忧虑，因此优选边界部120B的方式为具有倾斜的状态。
由此，能够构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型便捷式电子匣。
并且，例如，此时，分别设置有电源部108及控制基板110的壳体120的部分与设置有放射线检测器10的壳体120的部分中壳体120的材质可以不同。进而，例如，分别设置有电源部108及控制基板110的壳体120的部分与设置有放射线检测器10的壳体120的部分可以分开配置。
并且，如上所述，壳体120优选放射线R的尤其X射线的吸收率低且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成，但也可以与壳体120的照射面120A对应的部分的放射线R的吸收率低且为高刚性，由弹性模量充分高的材料构成，而其他部分由与照射面120A对应的部分不同的材料、例如弹性模量低于照射面120A的部分的材料构成。
另外，在上述各实施方式中，对驱动基板200及信号处理基板400设置于传感器基板12的同一边侧的方式进行了说明，但驱动基板200及信号处理基板400的配置不限于已说明的方式。例如，驱动基板200可以设置于传感器基板12的与设置信号处理基板400的一边相对的一边的一侧上。另外，在这种情况下，在驱动基板200的一侧及信号处理基板400的一侧的两者上设置了电源部108等，因此成为传感器基板12相对的一边的两侧比传感器基板12的部分更厚的状态。然而，即使在这种方式中，由于传感器基板12的部分仅穿过柔性电缆206，因此能够在传感器基板12的部分中将放射线图像摄影装置1的厚度薄型化。
并且，放射线图像摄影装置1不限于上述各实施方式，可以设为例如柔性电缆206和驱动基板200经由另一柔性电缆连接的方式。在这种情况下，在放射线图像摄影装置1的制造工序中，柔性电缆206保持较短的状态，因此放射线检测器10的处理变容易。
并且，在上述各实施方式中，如图1所示，对像素30二维排列成矩阵状的方式进行了说明但并不限定于此，例如也可以为一维排列，还可以为蜂窝排列。并且，像素30的形状也无限定，可以为矩形，也可以为六边形等多边形。进而，像素阵列31(像素区域35)的形状也无限定，这是不言而喻的。
并且，驱动IC204及柔性电缆406的安装位置不限于上述各实施方式方式。即，驱动IC204是安装在柔性电缆206的表面还是背面，以及具体的安装位置不限于上述各实施方式。并且，信号处理IC404是在柔性电缆406的表面还是背面执行，以及具体的安装位置不限于上述各实施方式。
并且，转换层14的形状等也不限定于上述各实施方式。在上述各实施方式中，对转换层14的形状与像素阵列31(像素区域35)的形状相同地为矩形的方式进行了说明，但转换层14的形状也可以为不同于像素阵列31(像素区域35)的形状。并且，像素阵列31(像素区域35)的形状例如可以为其他多边形，也可以为圆形，而非矩形。
此外，上述各实施方式中说明的放射线图像摄影装置1及放射线检测器10等的构成等为一例，能够在不脱离本发明的宗旨的范围内根据状况进行变更，这是不言而喻的。
2019年3月29日申请的日本专利申请2019-069077号的公开及2019年12月27日申请的日本专利申请2019-239567号的公开的其整体被作为参考而编入本说明书中。
本说明书中所记载的所有文献、专利申请及技术规格与具体且单独记载每个文献、专利申请及技术规格被作为参考而编入的情况相同程度地，作为参考而编入本说明书中。
符号说明
1-放射线图像摄影装置，10-放射线检测器，11-基材，11A-第1面，11B-第2面，12-传感器基板，12A-边，14-转换层，19-层叠体，30-像素，31-像素阵列，32-开关元件(TFT)，34-传感器部，35-像素区域，36-信号配线，38-扫描配线，39-共用配线，40-粘合层，42-反射层，44-粘接层，46-保护层，80-闸极电极，100-控制部，100A-CPU，100B-存储器，100C-存储部，102-驱动部，104-信号处理部，106-图像存储器，108-电源部，110-控制基板，112、114-柔性电缆，115-电源线，116-薄片，117-保护层，120-外壳，120A-照射面，120B-边界部，200-驱动基板，204-驱动IC，206、406-柔性电缆，300、302、304、304A、304B、306、308-连接器，310、310A、310B、310C-中继基板，310C1-第1中继基板，310C2-第2中继基板，311-第1中继部，312-第2中继部，312A-长边，312B-短边，313-第3中继部，314-连接部，315-热压接用图案，316-折回部，318-中继部，319、319A、319B-零件搭载区域，320-折弯部，320V-谷折线，320M-山折线，322、329-连接部，323、324-热压接图案，327-连接器连接图案，328-连接器，330-遮蔽部件，400-信号处理基板，404-信号处理IC，P-层叠方向，L1-长度，α、β-方向。

Claims (25)

1.一种放射线图像摄影装置，具备：
传感器基板，在柔性基材的第1面的像素区域形成了蓄积根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素；
转换层，设置于所述基材的所述第1面，将所述放射线转换成光；
信号处理基板，设置于与所述传感器基板彼此相对的一对边中的一个边的一侧，输入与在所述传感器基板的所述多个像素中蓄积的电荷对应的电信号，包括生成并输出与所输入的所述电信号对应的图像数据的信号处理部的至少一部分的电路；
驱动基板，设置于所述传感器基板的一对边中的所述一个边的一侧或者另一边的一侧，包括将驱动信号输出至所述多个像素的每一个像素的驱动部的至少一部分电路，所述驱动信号用于使从所述传感器基板的所述多个像素的每一个像素蓄积的电荷输出；
第1电缆，一端沿所述传感器基板的一对边中的所述一个边设置且与所述传感器基板电连接，另一端与所述信号处理基板电连接；及
第2电缆，一端沿与所述传感器基板的一对边中的所述一个边交叉的一边设置且与所述传感器基板电连接，穿过所述基材的第1面的一侧或者与所述基材的所述第1面相反的一侧的第2面的一侧，另一端与所述驱动基板电连接。
2.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2电缆为一直线延伸的直线形状，朝向相对于所述第2电缆的延伸方向折回的方向折弯，进而朝向与所述第2电缆的延伸方向交叉的方向折弯。
3.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2电缆具有：
包括与所述传感器基板连接的一端且朝向与所述传感器基板的连接有所述第2电缆的一边的方向交叉的第1方向延伸的部分；及
包括与所述驱动基板连接的另一端且朝向与所述第1方向交叉的第2方向延伸的部分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电缆搭载有所述信号处理部的电路中未包含于所述信号处理基板的一部分的信号处理电路，
所述第2电缆搭载有所述驱动部的电路中未包含于所述驱动基板的一部分的驱动电路。
5.根据权利要求4所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述部分信号处理电路和所述部分驱动电路配置于不重叠的位置。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述信号处理部的电路和所述驱动部的电路配置于不重叠的位置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2电缆的一端通过连接器在所述传感器基板的所述交叉的一边与所述传感器基板电连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2电缆的另一端通过连接器与所述驱动基板电连接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
相比所述第2电缆与所述传感器基板电连接的数量，所述第2电缆与所述驱动基板电连接的数量更少。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置还具备与所述驱动基板电连接的中继基板，
所述第2电缆的另一端与所述中继基板电连接来代替与所述驱动基板电连接。
11.根据权利要求10所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置具备数量比所述中继基板的数量多的多个所述第2电缆。
12.根据权利要求10或11所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述中继基板与所述第2电缆的另一端以及所述中继基板与所述驱动基板中的至少一方是通过连接器电连接的。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述中继基板包括：第1中继部，与所述第2电缆电连接；及
L字形状的第2中继部，具有沿所述传感器基板的与所述第2电缆电连接的一边延伸的长边及在与长边延伸的方向交叉的方向上延伸并且与所述驱动基板电连接的短边。
14.根据权利要求13所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2中继部的所述短边在所述长边延伸的方向上折弯。
15.根据权利要求10至13中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述中继基板包括：第1中继部，与所述第2电缆电连接；第2中继部，沿所述传感器基板的与所述第2电缆电连接的一边延伸；及第3中继部，一端与所述第2中继部的端部电连接，另一端与所述驱动基板电连接。
16.根据权利要求15所述的放射线图像摄影装置，其中，
将所述第2中继部的端部与所述第3中继部的一端电连接的连接部设置于不与所述传感器基板重叠的区域。
17.根据权利要求1至7中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置还具备：与所述传感器基板电连接的中继基板，
所述第2电缆的一端与所述中继基板电连接来代替与所述传感器基板电连接。
18.根据权利要求17所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述中继基板与所述第2电缆的一端以及所述中继基板与所述传感器基板中的至少一方是通过连接器电连接的。
19.根据权利要求17或18所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述中继基板包括：第1中继基板，一端与所述传感器基板电连接；及第2中继基板，一端与所述第1中继基板的另一端电连接。
20.根据权利要求19所述的放射线图像摄影装置，其中，
将所述第1中继基板与所述第2中继基板电连接的连接部设置于不与所述传感器基板重叠的区域。
21.根据权利要求10至20中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述中继基板具有柔性。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
在所述第2电缆与所述第2电缆穿过的所述基材的第1面侧或所述第2面侧之间设置有对电流、磁性及放射线中的至少一者进行遮蔽的遮蔽部件。
23.根据权利要求22所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述遮蔽部件还设置于所述信号处理部的电路与所述驱动部的电路之间。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述放射线图像摄影装置还具备：收纳所述传感器基板、所述转换层、所述信号处理基板、所述驱动基板、以及所述第1电缆及所述第2电缆的壳体。
25.根据权利要求24所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述壳体具有照射放射线的照射面，
所述第2电缆穿过所述壳体的与所述照射面相反的一侧的面和在所述传感器基板形成有所述转换层的层叠体之间。
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